CB 0591706
CB 0591706
Tesis doctoral
Tutor
15 de febrero de 2019
Dedicatoria
Este trabajo esta dedicado, en primer lugar, a Dios padre todopoderoso el cual nos brinda a todos
la oportunidad de ser mejores cada dı́a. Ası́ mismo, dedico este trabajo a mi familia, pues gracias
a su soporte y apoyo he alcanzado este estadio en mis estudios. También, dedico este trabajo a
mi hermosa esposa y a nuestro hermoso hijo porque se han convertido en la razón de mi vida.
II
Agradecimientos
Agradezco de manera muy especial a mi tutor Dr. Nelson Porras Montenegro, por su guı́a
y apoyo durante mi formación como investigador. Ası́ mismo, agradezco al profesor Alexys
Bruno Alfonso de UNESP - Universidade Estadual Paulista ”Júlio de Mesquita Filho”, Campus
Bauru, por sus valiosos aportes sobre mi trabajo. También quiero agradecer a los profesores y
compañeros del Grupo de Fı́sica Teórica del Estado Sólido de la Universidad del Valle, por las
agradables discusiones académicas y por ser fuente de inspiración para nuevas lineas de trabajo.
III
Resumen
En este trabajo se presenta el estudio de las propiedades ópticas de tres diferentes sistemas
ópticos, que comprenden estructuras con variación gradual de sus propiedades ópticas (sistemas
tipo graded ), sistemas con inclusión de capas de grafeno y cristales fotónicos 2D. En el Capı́tulo
1, se propone un sistema tipo graded, formado por capas de metal y aire, en el cual se considera
una variación gradual del ancho de cada una de las bi-capas de metal-aire en la estructura,
manteniendo constante la cantidad de material. Se muestra que la variación de los anchos de las
bi-capas modifica las condiciones de resonancia asociadas a los sistemas periódicos, favoreciendo
la reorganización del campo eléctrico al interior de la estructura, lo que origina la aparición
de bandas de transmisión en frecuencias para las cuales los sistemas periódicos, con similar
cantidad de material, presentan brechas fotónicas. Por otra parte, en el Capı́tulo 2 se propone
un cristal fotónico 1D formado por capas de materiales dieléctrico, grafeno y un metamaterial con
respuesta eléctrica negativa anisotrópica uniaxial, se encuentra que este tipo de cristal fotónico,
modifica su respuesta óptica alrededor de la frecuencia del plasmón-polaritón del metamaterial
con la variación del potencial quı́mico del grafeno. Ası́ mismo, en el Capı́tulo 3 se investiga la
estructura de bandas fotónica de un cristal fotónico 2D formado por barras rectangulares de
metal en aire, se encontró que este tipo de sistemas presenta bandas con poca dispersión, las
cuales están asociadas a una alta localización de la radiación electromagnética en la superficie de
las barras, junto con la reorganización de la estructura de bandas que depende de su geometrı́a.
Los diferentes métodos numéricos utilizados, ası́ como la forma de aplicarlos en cada una de las
estructuras estudiadas, son explicados y ampliados en cada uno de los capı́tulos.
IV
Abstract
In this work it is presented the study of the optical properties of three different optical systems,
which include structures with gradual variation of their optical properties (graded systems),
systems with inclusion of graphene layers, and 2D photonic crystals. In the Chapter 1, a graded
system consisting of layers of metal and air is proposed, considering a gradual variation of the
width of each of the metal-air bi-layers in the structure, keeping constant the material quantity.
It is found the modification of the resonance conditions that are associated with the periodic
systems, which allows the reorganization of the field distribution inside the structure, favouring
the appearance of transmission bands in frequencies where periodic systems with a similar
amount of material, have photonic bandgaps. On the other hand, in Chapter 2, a 1D photonic
crystal formed by layers of dielectric, graphene and a metamaterial with uniaxial anisotropic
negative electrical response is proposed. It is shown the variation of its optical response around
the frequency of the plasmon-polariton of the metamaterial with the variation of the chemical
potential of graphene. Likewise, in Chapter 3 the photonic band structure of a 2D photonic
crystal formed by rectangular metal rods in air is investigated. This type of systems present bands
with low dispersion, which are associated with a high localization confinement of electromagnetic
radiation on the rod surfaces. Also, It is shown the redistribution of the photonic band structure
with the geometry of the rods. The different numerical methods and how they are applied in
the different structures are explained and expanded in each one of the chapters.
V
Introducción General
Los cristales fotónicos (CFs), son sistemas formados por arreglos periódicos de materiales con
diferentes respuestas ópticas, que han impactado el mundo tecnológico gracias a las brechas
fotónicas (BFs) que estas estructuras poseen y que se pueden describir como intervalos de fre-
cuencia en los cuales la propagación de la radiación electromagnética está prohibida [1]. Si bien
es conocido que las BFs dependen del factor de ocupación de los materiales en el CF, de las
diferencias entre los ı́ndices de refracción, ası́ como de las geometrı́as usadas en la disposición
de dichos materiales, es de especial interés el comprender como se pueden controlar las BFs sin
modificar los CFs con el propósito de optimizar aplicaciones de interés en la industria como:
sensores, celdas solares, guı́as de onda, entre otras [2–8]. Ası́, diversos autores han propuesto
modificar las BFs con la variación de las propiedades ópticas de los materiales que forman los
CFs mediante la aplicación de agentes externos, tales como: campos magnéticos o eléctricos,
variaciones de temperatura y presión hidrostática para mencionar algunas de ellas [9–13].
Para entender como es la propagación de la radiación electromagnética en estos sistemas, di-
versas técnicas analı́ticas y numéricas se han desarrollado para la solución de las ecuaciones
de Maxwell [14]. Algunas de ellas son: el método de ondas planas [15–17], matriz transferen-
cia [18–20], el método de diferencias finitas en dominio temporal (FDTD por sus siglas en in-
gles) [21–23] ası́ como el método de ondas planas revisado (RPWM por sus siglas en ingles) [24]
entre otros [25–29]. Sin embargo, existen dificultades inherentes a los diferentes métodos de so-
lución, en especial cuando en los CFs y en otros sistemas fotónicos son incluidos materiales que
presentan dispersión (metales, materiales iónicos, materiales giromagnéticos), debido a que en
las superficies de separación de los diferentes materiales que componen estos sistemas aparecen
soluciones que implican una fuerte localización de la radiación electromagnética y que están
relacionadas directamente con su geometrı́a [30–33].
Por otra parte los llamados metamateriales, que son materiales diseñados y ensamblados mi-
croscópicamente para tener propiedades macroscópicas que no se encuentran en los materiales
usuales [34], han abierto un nuevo camino en el desarrollo de diferentes dispositivos ópticos.
Desde la formulación teórica, por parte de Veselago, de materiales con ı́ndice de refracción ne-
VI
VII
gativo [35], ası́ como los trabajos pioneros de Pendry y su grupo, que permitieron construir esta
clase de materiales [36], los metamateriales y sus propiedades ópticas han sido ampliamente estu-
diadas y los resultados de estas investigaciones han permitido demostrar que es posible construir
lentes perfectos, ası́ como corazas que para ciertas frecuencias simulan capas de invisibilidad,
entre otros dispositivos ópticos que solo existı́an en la fantası́a de los más osados investigadores.
Gracias a los avances tecnológicos en la fabricación de estructuras cada vez más pequeñas, los
rangos ópticos en los cuales puedan aplicarse los descubrimientos hallados con los metamateria-
les siguen creciendo dı́a a dı́a [37, 38]. En cuanto a la implementación de los metamateriales en
cristales fotónicos 1D, ha sido de especial interés el descubrimiento de brechas fotónicas omnidi-
reccionales de orden cero, ası́ como las excitaciones de plasmón -polaritón en las superficies de
separación de los materiales en los CF [39–44].
En cuanto al diseño de dispositivos ópticos, los sistemas graduales que presentan variación espa-
cial de sus propiedades fı́sicas, han impactado en el mundo cientı́fico gracias a que sus propiedades
ópticas varı́an de forma local logrando ası́ gran versatilidad en el control de la propagación de
la luz. Algunas de las configuraciones materiales estudiadas abarcan desde: disposiciones 1D
en las cuales un material con ı́ndice de refracción conocido es dispuesto en capas de diferente
grosor [45], disposiciones 1D de capas de materiales con diferentes ı́ndices de refracción con
igual espesor [46, 47], disposiciones 1D de metal en capas separados por una capa de aire con
diferente grosor, ası́ como disposiciones 2D de agujeros con variación gradual de sus radios en
matrices dieléctricas, entre otras. La ventaja de estos materiales es que, teóricamente, permiten
la fabricación de cualquier material con las propiedades requeridas [48], gracias al fenómeno
de auto-colimación que los convierte en una forma eficiente de construir lentes y dispositivos
ópticos con las propiedades que el investigador necesite. En especial, mediante la investigación
teórica de estos materiales se ha contribuido en la solución del problema de la recolección de luz,
que consiste en tener en los dispositivos ópticos lugares con una alta concentración de campo
eléctrico o magnético, que puede ser empleado para la generación de energı́a en celdas solares,
ası́ como agentes catalizadores para reacciones quı́micas, entre otros [49–54].
versatilidad del grafeno, ha permitido construir dispositivos ópticos para una alta concentración
de la energı́a [59, 60], metamateriales hiperbólicos [60–62] y controlar la formación de plasmones
tanto en 1D como de superficie, entre otras aplicaciones [63–68].
En esta tesis realizamos el estudio de sistemas fotónicos formados por metamateriales con el
propósito de entender como la distribución material, la disposición geométrica y la inclusión de
grafeno afectan sus propiedades ópticas. En primer lugar, se estudian las propiedades ópticas
de sistemas fotónicos 1D en los cuales se investiga el efecto de la distribución material sobre el
espectro de transmisión de sistemas finitos con la misma cantidad de material, lo que permite
que puedan ser descritas propiedades ópticas emergentes de las estructuras consideradas, más
allá de la aproximación de medio efectivo. Para esto el capı́tulo 1 está dedicado al estudio de
las propiedades de un sistema formado por capas de un metamaterial con respuesta metálica
tipo Drude y capas de aire, en el cual se propone una variación gradual para los anchos de cada
una de las capas de los materiales constituyentes, mostrando propiedades ópticas que pueden
ser interpretadas en términos de un grupo de sistemas periódicos con defectos.
Por otra parte se investiga como las excitaciones de plasmón-polaritón en metamateriales influyen
en la transmisión de sistemas que incluyen capas de grafeno, para esto en el capı́tulo 2 se describe
una propuesta de cristal fotónico formado por dieléctrico, grafeno y capas de un metamaterial con
respuesta eléctrica negativa anisotrópica uniaxial, para el cual se encuentra la modificación de
su respuesta óptica alrededor de la frecuencia de plasmón-polaritón del metamaterial, que puede
ser observada como una banda de transmisión o de reflexión dependiendo de las propiedades del
grafeno las cuales pueden ser definidas como función de su potencial quı́mico.
Por último, se busca determinar el efecto de las excitaciones de plasmón-polaritón en el meta-
material en la formación de modos localizados en una geometrı́a que presenta superficies planas.
Con este propósito, el capı́tulo 3 está dedicado al estudio de un cristal fotónico 2D formado por
barras rectangulares de metamaterial en aire, en donde se muestra que este sistema presenta
una reorganización de su estructura de bandas con la variación de la geometrı́a de las barras,
ası́ como la aparición de bandas con baja dispersión asociadas a una alta concentración de la
radiación electromagnética en la superficie de las barras. Ası́ mismo, en este capı́tulo se presenta
una modificación del método de ondas planas revisado junto a una discusión de su aplicación en
el cálculo de las propiedades ópticas de los cristales fotónicos 2D.
Se espera que los resultados de esta tesis puedan ser implementados en la fabricación de disposi-
tivos ópticos, en los cuales jueguen un papel importante las limitaciones debidas al tamaño y a la
cantidad de material. Por otra parte se espera que los métodos numéricos desarrollados en este
trabajo permitan estudiar nuevas estructuras, en las cuales se puedan optimizar propiedades
de interés para los investigadores tales como: reflexión o transmisión en rangos de frecuencia
IX
X
ÍNDICE GENERAL XI
3.1. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.3. Método de Ondas Planas Revisado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.3.1. Anotaciones sobre el método de ondas planas revisado . . . . . . . . . . . 48
3.4. Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4. Conclusiones finales 61
5. Perspectivas 62
XII
ÍNDICE DE FIGURAS XIII
A.1. Representación en la celda unitaria de una red cuadrada de múltiples capas rec-
tangulares de materiales con diferentes propiedades ópticas. El material en la capa
i tiene una constante dieléctrica i y una permitividad magnética µi . Además ax,i
y ay,i son las longitudes exteriores en la dirección x y en la dirección y respecti-
vamente de la capa i y el parámetro de red es a. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
Capı́tulo 1
1.1. Resumen
En este capı́tulo se estudian las propiedades ópticas de un sistema formado por capas de un
metamaterial con respuesta metálica tipo Drude y capas de aire, de tal forma que el ancho
de cada una de las capas tiene una distribución que varı́a con su posición en la estructura
siguiendo una sucesión aritmética. El propósito de este sistema es comprender como se modifica
el diagrama de transmisión de las diferentes estructuras estudiadas con la razón de la sucesión,
la cual está descrita en términos de un parámetro δ llamado parámetro de gradado. Además, se
considera que los sistemas estudiados conservan la cantidad de material total en la estructura,
esto hace que las diferentes propiedades ópticas encontradas sean consecuencia exclusiva de la
distribución de material considerada y del valor de δ.
1.2. Introducción
En las últimas décadas, el estudio de sistemas ópticos formados por distribuciones variables de
materiales ha llamado la atención de la comunidad cientı́fica gracias a sus propiedades poco
comunes, como la desviación de la dirección de propagación de la radiación electromagnética,
debido a la variación espacial de las propiedades ópticas del sistema que está relacionada con
la distribución de los diferentes materiales, los cuales también pueden ser afectados por agentes
externos [47, 48, 69–76].
Algunas propuestas de estos sistemas han sido empleadas para describir las propiedades de
pelı́culas delgadas, en las cuales se presenta una variación continua de las concentraciones de los
diferentes precursores durante la formación de la pelı́culas [46]. Debido a la incertidumbre en
la composición exacta en términos del ancho de la pelı́cula, los investigadores modelaron estos
sistemas con un perfil formado por múltiples capas, de igual espesor, de diferentes materiales
con diferentes ı́ndices de refracción los cuales varı́an dependiendo de la posición de la capa en la
pelı́cula. Aun cuando las propiedades ópticas de las diferentes capas utilizadas no se encuentran
en la naturaleza, la correspondencia entre el experimento y los perfiles propuestos se incrementa
en la medida que se aumenta el número de capas. En una forma similar Levy et al. [45] mostraron
que estructuras con un perfil geométrico variable, son opciones viables para la construcción de
acoples ópticos entre guı́as de onda. Utilizando un perfil variable de anchos de capas de Si los
1
2 1.2. Introducción
~
1 ∂D
~ =
∇×H , (1.1)
c ∂t
~
−1 ∂ B
~ =
∇×E , (1.2)
c ∂t
~ = 0,
∇·B (1.3)
~ = 0,
∇·D (1.4)
~ (~r, t) = (~r) E
D ~ (~r, t) , (1.5)
~ (~r, t) = µ (~r) H
B ~ (~r, t) . (1.6)
En general las soluciones para los campos son difı́ciles de hallar, sin embargo gracias a la li-
nealidad de las ecuaciones de Maxwell la propagación de la radiación puede ser estudiada en
términos de la superposición de modos armónicos en el tiempo [1,84]. En el caso de una excitación
4 1.3. Método de Matriz Transferencia y Matriz de Scattering
(TM) E
H
k 1 2 3 N
y ...
1 2 3 N
z x E k
(TE) H x1 x2 x3 x4 xN xN+1
Figura 1.1: Representación esquemática de un sistema óptico de múltiples capas de materiales con dife-
rentes anchos y propiedades ópticas. Las polarizaciones TE y TM son representadas.
~ (~r, t) = e−iωt E
E ~ (~r) , (1.7)
H ~ (~r) .
~ (~r, t) = e−iωt H (1.8)
Para un sistema como el mostrado en la Fig. 1.1, formado por múltiples capas de materiales
con diferentes espesores y propiedades ópticas que además son lineales e isotrópicos, es posible
mostrar que los campos eléctrico y magnético se propagan en la n-ésima capa siguiendo las
siguientes ecuaciones
~ = µn n k02 H,
∇×∇×H ~ (1.9)
~ = µn n k02 E,
∇×∇×E ~ (1.10)
~ = (0, 0, Ez ) y
Polarización Transversal eléctrica (TE por sus siglas en inglés) donde E
~ = (Hx , Hy , 0),
H
~ = (Ex , Ey , 0) y
Polarización Transversal magnética (TM por sus siglas en inglés) donde E
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 5
~ = (0, 0, Hz ).
H
∂ 2 Ez ∂ 2 Ez
+ = −k02 µEz , (1.11)
∂x2 ∂y 2
donde k0 = ω/c.
Se puede mostrar que la dependencia espacial del campo es Ez : Ez (x, y) y debido a que el
sistema es homogéneo en la dirección y, es posible proponer para el campo una dependencia de
la forma
Ez (x, y) = Ez (x) eiky y , (1.12)
∂ 2 Ez
= ky2 − k02 µ Ez .
2
(1.13)
∂x
y el campo magnético esta dado en términos del campo eléctrico por medio de la Eq. 1.2 la cual
toma la forma
1 ∂Ez
Hx = , (1.14)
ik0 µ ∂y
−1 ∂Ez
Hy = . (1.15)
ik0 µ ∂x
(1.16)
Ahora, en un sistema de múltiples capas para la propagación del campo eléctrico en la capa
j-esima (con propiedades materiales j , µj ) es posible definir
Como existen múltiples materiales, en cada uno de las fronteras, entre el material j-esimo y
j + 1-esimo deben satisfacerse las siguientes condiciones:
~
1. Continuidad de la componente tangencial del campo E,
~
2. Continuidad de la componente tangencial del campo H.
En el caso del sistema mostrado en la Fig. 1.1 las condiciones de frontera pueden escribirse como
Usando la forma explı́cita del campo Ez y la dependencia del campo magnético es posible escribir
Aj Aj−1
TE
= Mj,j−1 (1.21)
Bj Bj−1
donde
Q Qj−1
Qj Qj−1
µj
j
+ µj−1 eiQj−1 aj−1 µj − µj−1 e−iQj−1 aj−1
TE µj
Mj,j−1 = , (1.22)
2Qj Q Qj−1
Qj Qj−1
µj
j
− µj−1 eiQj−1 aj−1 µj + µj−1 e−iQj−1 aj−1
siendo aj = xj+1 − xj .
Esta matriz se conoce como la matriz transferencia para la polarización TE.
De forma análoga, es posible hallar una expresión para la polarización TM a partir de la ecuación
1.9, la cual toma la forma
∂ 2 Hz ∂ 2 Hz
+ = −k02 µHz , (1.23)
∂x2 ∂y 2
en caso de un material homogéneo el campo magnético puede escribirse como
∂ 2 Hz 2 2
= ky − k 0 µ Hz , (1.25)
∂x2
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 7
ası́ mismo la dependencia del campo eléctrico se puede obtener de la Eq. 1.1, la cual toma la
forma
−1 ∂Hz
Ex = , (1.26)
ik0 ∂y
1 ∂Hz
Ey = . (1.27)
ik0 ∂x
Para el sistema de múltiples capas mostrado en la Fig. 1.1 el campo magnético en la capa j-esima
se puede escribir como
Hzj (x) = Aj eiQj (x−xj ) + Bj e−iQj (x−xj ) , (1.28)
para esta polarización las condiciones de frontera entre los materiales j-esimo j + 1-esimo, se
pueden escribir como
Hzj |f = Hzj+1 |f , (1.29)
Es de esperar que las dos matrices estén relacionadas y otorguen la misma información sobre el
comportamiento de la radiación electromagnética en la estructura de interés, para esto veamos
P
que la matriz Mj,j−1 se puede escribir como
j,j−1 j,j−1
m1,1 m1,2
P
Mj,j−1 = , (1.35)
j,j−1 j,j−1
m2,1 m2,2
P
de forma análoga podemos escribir la matriz Sj,j−1 como
j,j−1
sj,j−1
s1,1 1,2
P
Sj,j−1 = , (1.36)
j,j−1
s2,1 sj,j−1
2,2
y por medio de un poco de algebra, se pueden relacionar los elementos de una matriz con los de
la otra de la siguiente forma
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 9
j,j−1 j,j−1
m1,2 m2,1
sj,j−1
1,1
j,j−1
= m1,1 − , (1.37)
mj,j−1
2,2
j,j−1
m1,2
sj,j−1
1,2 = , (1.38)
mj,j−1
2,2
−mj,j−1
2,1
sj,j−1
2,1 = j,j−1
, (1.39)
m2,2
1
sj,j−1
2,2 = . (1.40)
mj,j−1
2,2
Ahora, para construir la matriz de scattering de un sistema de múltiples capas, debemos usar
P , SP
relaciones de recurrencia entre las matrices Sj,0 j,j−1 y Sj−1,0 , ası́
j,j−1 j−1,0
s1,1 s1,1
sj,0
1,1 = , (1.41)
α
α = 1 − sj,j−1 j−1,0
2,1 s1,2 , (1.45)
1 0
P
S0,0 = . (1.46)
0 1
Usando la forma total de la matriz de scattering se puede obtener la transmisión (T) y la reflexión
(R) para un sistema finito, como el mostrado en la Fig. 1.1, por medio de las relaciones
10 1.4. Matriz Transferencia para una y dos capas
(TM) E
LB 0
H
k
y A A B C
z x E k
(TE) H
LA LA LC
Figura 1.2: A la izquierda representación de un sistema de una sola capa de material A de longitud LA
sobre el cual incide la radiación electromagnética de forma oblicua. A la derecha un sistema formado por
tres capas de materiales A, B y C, con anchos LA , LB y LC . En el caso de LB → 0, el sistema de tres
capas ABC se transforma en un sistema de dos capas AC.
h i2
P
T = SN +1,0 1,1
, (1.47)
h i2
P
R = SN +1,0 2,1
. (1.48)
Consideremos el sistema mostrado a la izquierda en la Fig. 1.2, este sistema se encuentra for-
mado por una sola capa de material A lineal e isotrópico, con permitividad dieléctrica A y
permeabilidad magnética µA . De acuerdo al formalismo de matriz transferencia la propagación
de la radiación electromagnética a través del material A puede estudiarse con la matriz
MAP = Ms,A
P P
MA,e , (1.49)
P e−iQA LA
P eiQA LA
Cs,A Ds,A
P fsP
Ms,A = , (1.51)
2Qs
P eiQA LA
Ds,A P e−iQA LA
Cs,A
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 11
QA QB
CA,B = + P, (1.53)
fAP fB
QA QB
DA,B = − P, (1.54)
fAP fB
y
µ , P = T E,
A
fAP = (1.55)
,
P = T M.
A
P P P P P
MCBA = Ms,C MC,B MB,A MA,e . (1.56)
La proporción entre las longitudes de los materiales en cada bi-capa (AB)i,N se mantiene
12 1.5. Descripción del sistema tipo graded
Lt
a b
G1
a b
a b
L1,2 L2,2
G2
G3
constante, es decir a/b = ai,N /bi,N donde ai,N y bi,N son los anchos de los materiales A y
B en la bi-capa (AB)i,N .
El ancho Li,N de las bi-capas (AB)i,N sigue una progresión aritmética de la forma Li,N =
[(i − 1)δ + 1] L1,N , donde L1,N es la longitud de la bi-capa (AB)1,N en el sistema GN ,
siendo δ el parámetro de gradado.
PN PN
La longitud total de cada sistema GN es la misma, esto es Lt = i=1 Li,N = i=1 ai,N +
bi,N .
Como se puede observar cada nueva generación, puede ser descrita en términos de la generación
anterior. Para esto observemos que GN puede ser escrito como:
aquı́ el factor de escala para GN −1 está determinado por el tamaño de la primera bi-capa
G1 (L1,N ) = (AB)1,N . Por tal razón es de esperarse que las propiedades ópticas del sistema GN ,
puedan ser descritas en términos de las propiedades de los sistemas G1 y GN −1 . Además para
el caso lı́mite δ → ∞ el sistema GN será equivalente al sistema GN −1 con δ = 1.
Un aspecto interesante de los sistemas con variación gradual es que la transmisión asociada a
estos sistemas puede ser modificada fuertemente con el parámetro de gradado. Con el propósito
de visualizar la dependencia de las propiedades ópticas de cada sistema GN con el valor del
parámetro de gradado δ, es posible mostrar que estos sistemas pueden ser considerados como
una colección de sistemas periódicos con defectos en el caso que δ sea muy pequeño.
Tomando en cuenta lo discutido en la sección 1.3, considérese la matriz de transferencia de un
sistema formado por N bi-capas de materiales A y B con diferentes longitudes. En este caso la
matriz de transferencia puede escribirse como
1
Y
Mt = MBA (j), (1.59)
j=N
donde MBA (j) corresponde a la matriz de transferencia de la bi-capa (AB)j,N , en este caso cada
matriz puede ser escrita en términos de la matriz de transferencia para cada capa de material
como
MBA (j) = MB (j)MA (j), (1.60)
Las matrices A y B contienen la información sobre qué tipo de material es considerado. Estas
matrices corresponde a una sola capa de material inmersas en aire (el cual es representado por
el subı́ndice s). Ası́ mismo, P es una matriz la cual contiene información del tipo de material y
de su geometrı́a.
La matriz A puede ser escrita como
14 1.6. Aproximación de la matriz transferencia con factor de gradado pequeño
QA Qs QA Qs
fA + fs fA − fs
A= , (1.63)
QA Qs QA Qs
fA − fs fA + fs
de forma similar tenemos una expresión para la matriz B, ahora que para la matriz P, esta se
puede representar como
eix 0
P (x) = . (1.64)
0 e−ix
siendo
donde podemos observar que todas las dependencias son lineales con respecto del parámetro de
gradado. En este caso la matriz de transferencia para el sistema total puede ser aproximada
como
Mt = [MBA (1)]N
P N −1 j N −j−1
+ j=0 [MBA (1)] NBA (N − j) [MBA (1)] ,
(1.69)
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 15
Transmission
Transmission
Transmission
Transmission
1234 G5 2 G5
0.6
0.6 G 0.6 G 0.6 G5
0.4
0.4 0.4 0.4 2
0.2
0.2 0.2 0.2
0.0
0.0 0.0 0.0
00 11 22 33 44 55 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Frequency (wLt/2pc) Frequency (wLt/2pc) Frequency (wLt/2pc)
Figura 1.4: Diagrama de transmisión considerando incidencia normal de los sistemas G1 , G2 y G5 para
tres diferentes valores de la relación ωp Lt /2πc.
1.7. Resultados
Los sistemas estudiados están formados por capas de un metamaterial con respuesta metálica
tipo Drude, como material A, y capas de aire como material B. La permitividad dieléctrica del
metamaterial se puede escribir como
ωp2
a = 1 − , (1.70)
ω (ω + iγ)
por debajo de las altas transmisiones para el sistema G1 , ası́ mismo podemos observar un pico de
transmisión estrecho para G2 (señalado en color rojo como 1) que se corresponde con el número
de capas de aire entre las capas de metamaterial presentes en el sistema. De forma análoga para
G5 podemos observar cuatro picos de alta transmisión (señalados en color azul como 1, 2, 3
y 4), resultados de las cuatro cavidades resonante en el sistema para las cuales podemos decir
forman una banda de transmisión que semeja la respuesta de un cristal fotónico. Como podemos
observar la redistribución del material en cada uno de los diferentes sistemas GN modifica la
formación de bandas de transmisión, mostrando alta transmisión a menores frecuencias con el
aumento del número de particiones, N . También pudimos observar la aparición de picos de
alta transmisión en un número igual a las cavidades resonantes formadas por las diferentes
particiones. En la Fig. 1.4(b) se muestra el caso para ωp Lt /2πC = 2.0, en el cual podemos
observar que las altas transmisiones para el sistema G1 se desplazan a frecuencias mayores.
Ası́ mismo podemos observar para G2 dos picos de transmisión estrechos (señalados en color
rojo como 1 y 2). Al comparar la respuesta de este sistema con la mostrada en Fig. 1.4 (a) se
observa el desplazamiento del pico de transmisión 1 a frecuencias más altas, con una disminución
de su ancho de banda. Por otra parte el pico de transmisión 2, el cual está localizado en una
frecuencia por encima de ωp Lt /2πC = 2.0 no aparece en Fig. 1.4 (a). En cuanto al sistema
G5 , se observa la formación de una banda de transmisión alrededor de la frecuencia de plasma,
formada por cuatro picos de alta transmisión (los cuales también son observados en Fig. 1.4
(a)), localizados a mayores frecuencias con el aumento de la relación ωp Lt . Como se muestra al
cambiar la relación ωp Lt a valores mayores (cambio que se puede interpretar como un aumento
en la frecuencia de plasma del metamaterial considerado o un aumento en el tamaño del sistema)
se modifica la respuesta óptica de los sistemas GN >1 que tienden a mostrar una respuesta similar
a la de cristales fotónicos. Esto es más evidente en la Fig. 1.4(c) para ωp Lt /2πC = 3.0, donde
G5 presenta una banda completa de transmisión para ωLt /2πC < 3.0 y que es más delgada que
aquella mostrada en el caso presentado en la Fig. 1.4(b). Además, se observa la desaparición del
pico de transmisión 1 para el sistema G2 .
1.0
Geff
0.8
G10
Transmission
0.6 G100
0.4
0.2
0.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Frequency (wLt/2pc)
Figura 1.5: Diagrama de transmisión para incidencia normal de los sistemas Gef f , G10 y G100 con
ωp Lt /2πc = 3.0 en función de la frecuencia normalizada ωLt /2πc.
la relación de los anchos de las capas de los materiales considerados, a/b. En el caso mostrado de
√
a/b = 1 este valor se corresponde con el de ωp / 2 [87], este lı́mite es presentado en la Fig. 1.5
como Gef f , el cual corresponde al caso de infinitas particiones, aun cuando este lı́mite no puede
ser alcanzado en la práctica. Este último resultado enriquece la posibilidad de simular una gran
variedad de valores diferentes de frecuencias de plasma, dependiendo del tipo de gradado de los
sistemas 1D.
En la Fig. 1.6 se observa el diagrama de transmisión para incidencia normal de los sistemas
(a) G2 , (b) G5 y (c) G10 para diferentes valores del parámetro de gradado δ en función de la
frecuencia normalizada ωLt /2πc. Las lı́neas de segmento-punto, segmentos, sólida y punteada
corresponden a δ = 0, δ = 0.1, δ = 1.0 y δ → ∞ respectivamente. Los parámetros usados
para el cálculo fueron ωp Lt /2πc = 2.0, a/b = 1 y γ = 0.. Como se observa en Fig. 1.6(a) para
G2 , el aumento en el valor de δ desplaza los dos primeros picos de transmisión a frecuencias
más altas, junto con un disminución en el valor de la transmisión (tal como se muestra en las
figuras incrustadas). El cambio es más evidente para el primer pico de transmisión, el cual casi
desaparece cuando δ = 1. En este caso, se espera que para valores grandes del parámetro δ el
espectro de transmisión sea similar que el del sistema G1 , debido principalmente a que la mayor
cantidad de material estará ubicada en uno de los lados del sistema.
En el caso de G5 mostrado en la Fig. 1.6(b), el aumento en δ modifica los primeros cuatro
picos de transmisión los cuales se desplazan a mayores frecuencias, con una variación en la
intensidad de la transmisión la cual es más evidente para los picos a mayores frecuencia, más
aun se observa la desaparición de algunos de ellos en el caso lı́mite con δ → ∞. En el caso
de la región con baja transmisión que se observa entre ωLt /2πc ∈ (2.4, 3.4) cuando δ = 0, la
redistribución de material permite la formación de nuevos picos en la transmisión, los cuales
se corren hacia frecuencias menores con el aumento de δ, con un máximo en la transmisión
18 1.7. Resultados
(a) G2
1,0
0,8 1,0
0,8
Transmission
0,6
0,4
0,6 0,2
0,0
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6
0,4 1,0
0,8
0,6
0,2 0,4
0,2
0,0
2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
0,0
1 2 3 4 5
(b) G5
1,0
0,8
Transmission
0,6
1 2
0,4 1,0
0,8
0,6
0,2 0,4
0,2
0,0
3 1,4 1,5 1,6
0,0
1 2 3 4 5
(c) G10
1,0
0,8
Transmission
0,6
0,4 1,0
0,8
0,6
0,4
0,2 0,2
0,0
1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0
0,0
1 2 3 4 5
Frequency (wLt/2pc)
Figura 1.6: Diagrama de transmisión para incidencia normal de los sistemas (a) G2 , (b) G5 y (c) G10
para diferentes valores del parámetro de gradado δ en función de la frecuencia normalizada ωLt /2πc.
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 19
para ωLt /2πc = 2.8. En contraste con los resultados obtenidos para G2 , los primeros picos de
transmisión no presentan una variación significativa en su posición con el aumento de δ (como
se observa en la figura incrustada).
Para el sistema G10 el aumento en δ modifica la posición y el valor de la transmisión de los
picos de transmisión (en las figuras incrustadas puede observarse la variación para los primeros
dos picos de transmisión), los cuales son más acusados para aquellos localizados en frecuencias
mayores, tal como se observa en la Fig. 1.6(c). En este caso, a frecuencias altas la variación
casi continua de la distribución de material en cada una de las sub-estructuras, modifica las
condiciones de resonancia las cuales son caracterı́sticas de los sistemas periódicos. En contrate
a bajas frecuencias, los diferentes sistemas tienden a presentar una respuesta efectiva similar.
Es interesante observar que con el aumento en el número de particiones, los primeros picos
de transmisión para los diferentes sistemas mostrados presentan pequeñas variaciones en sus
posiciones con el valor de δ.
Como ha sido mostrado para cada uno de los sistemas considerados, el aumento en el valor de
parámetro δ modifica la posición y el valor de la transmisión de los primeros picos de transmi-
sión, hacia frecuencias mayores, debido a la variación casi continua de la cantidad de material en
cada una de las sub-estructuras cambiando las condiciones de resonancia, en comparación con
los sistemas periódicos. También, con el aumento del número de particiones los picos de trans-
misión localizados a frecuencias bajas son casi independientes de δ. Estos resultados muestran
la gran versatilidad de los sistemas con variación gradual propuestos, con los cuales es posible
tener diferentes tipos de respuestas las cuales se presentan con las variaciones en los picos de
transmisión y la formación de nuevas bandas de frecuencias con baja transmisión, las cuales no
son posibles con estructuras periódicas con la misma cantidad de material.
In Fig. 1.7 se muestra la distribución de |E| bajo incidencia normal del sistema G5 para dos
valores diferentes del parámetro de gradado δ. Los paneles superiores (inferiores) son calculados
con δ = 0 (δ = 1). Las frecuencias consideradas se corresponden con los valores señalados como
1 (ωLt /2πc = 1.452), 2 (ωLt /2πc = 1.486) y 3 (ωLt /2πc = 2.8036) en la Fig. 1.6 (b). El me-
tamaterial está representado por las áreas grises. Los valores de los parámetros utilizados son
ωp Lt /2πc = 2.0, a/b = 1 y γ = 0. En el caso de las Figs. 1.7 (a) y 1.7 (b) las distribuciones
son calculadas para la frecuencia del pico de transmisión señalado como 1 (ωLt /2πc = 1.452)
mostrado en la Fig. 1.6(b), observamos que para un sistema periódico el perfil de campo es
simétrico con respecto de la capa central de metamaterial, para el cual se observa máximos en
el intensidad del campo en las capas de aire que la rodean, esto es resultado de las múltiples
reflexiones y resonancias del sistema, también podemos observar que al interior de las capas de
metamaterial el campo tiene un comportamiento evanescente que se evidencia fuertemente en la
20 1.7. Resultados
Figura 1.7: Distribución de |E| para incidencia normal del sistema G5 para dos valores diferentes del
parámetro de gradado δ.
capa central. Para el caso del sistema con gradado, observamos que la continua variación en el
ancho de las capas modifica las condiciones de resonancia del sistema, alcanzándose intensidades
de campo menores que en el caso sin gradado, también se puede observar que la capa de meta-
material más ancha al extremo de la estructura favorece el mayor decaimiento de la intensidad
de la radiación al salir del sistema. En estos dos casos, el campo eléctrico evanesce al interior
del metamaterial debido a que su función dieléctrica para esta frecuencia es negativa. En el caso
de las Figs. 1.7 (c) y 1.7 (d) el perfil de campo es calculado para la frecuencia señalada como 2
(ωLt /2πc = 1.486) en la Fig. 1.6(b), como vemos esta frecuencia se corresponde con la frecuencia
del máximo del primer pico de transmisión cuando δ = 1. Para el caso del sistema sin gradado,
observamos que el perfil del campo no es simétrico, en acuerdo con una condición no resonante,
también se observa que la intensidad alcanzada al interior de la estructura es menor que en el
correspondiente caso con gradado. Para el caso con gradado, vemos que la distribución de los
materiales favorece una mayor intensidad del campo al interior del sistema en comparación con
el sistema periódico. Para la frecuencia mostrada en las Figs. 1.7 (e) y 1.7 (f) que se corresponde
con la frecuencia del mı́nimo de transmisión marcado como 3 (ωLt /2πc = 2.8036) en la Fig.
1.6(b), podemos observar para el caso sin gradación que el campo evanesce de la forma esperada
en una brecha de Bragg donde los máximos y mı́nimos de intensidad están localizados cerca de
las frontera metal-aire, para el caso con gradación podemos observar una distribución similar
al caso periódico, no obstante es evidente que los máximos y mı́nimos de intensidad no están
localizados en las fronteras metal-aire, más aun los máximos no aparecen igualmente espaciados,
esto debido exclusivamente a la distribución del material en cada sub-estructura.
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 21
Figura 1.8: Diagrama de transmisión para las polarizaciones TE y TM del sistema G5 como función del
parámetro δ considerando incidencia oblicua.
Figura 1.9: Diagrama de transmisión para las polarizaciones TE y TM del sistema G5 como función de
γ/ωp considerando incidencia oblicua φ = π/10.
frecuencia ωLt /2πc = 2.0. Cerca de esta frecuencia, la transmisión es baja debido a la excitación
de la resonancia de plasmón-polaritón en el metamaterial, la cual es independiente de la cantidad
de material [88]. También podemos observar la modificación de los picos de transmisión por
debajo de ωLt /2πc = 2.0, los cuales modifican un poco su posición hacia frecuencias mayores
con el aumento del parámetro de gradado. Además, se observa la desaparición de algunos de
ellos con el aumento de δ, especialmente los localizados cerca de ωLt /2πc = 2.0, debido a las
diferencias entre la distribución de material, la cual modifica las condiciones de resonancia en
cada uno de los diferentes sistemas G5 . Con el aumento del ángulo de incidencia a φ = π/4, en la
Fig. 1.8 (b), para la polarización TE se observa el cambio de los picos de transmisión a frecuencias
mayores. Por el contrario para la polarización TM, el aumento del ángulo de incidencia causa una
disminución de los anchos de los picos de transmisión localizados por debajo de ωLt /2πc = 2.0,
también observándose la desaparición de algunos de ellos, tal como fue discutido en la Fig. 1.8
(a).
Los anteriores resultados permiten ampliar las posibles aplicaciones de los sistemas con variación
gradual propuestos como filtros ópticos en anchos de banda pequeños, los cuales pueden ser
diseñados tomando en cuenta su dependencia con el parámetro δ, y que se pueden controlar
mediante el ángulo de incidencia, gracias a la excitación de plasmón-polaritón en el metamaterial.
Con el propósito de estudiar la modificación de las propiedades ópticas de los sistemas pro-
puestos con la absorción presente en el metamaterial, en la Fig. 1.9 se presentan el diagrama de
transmisión para las polarizaciones TE y TM del sistema G5 como función de γ/ωp considerando
incidencia oblicua φ = π/10. Los valores de los parámetros usados son ωp Lt /2πc = 2.0, a/b = 1
y δ = 0. Para la polarización TE, Fig. 1.9(a), se observa la desaparición de los picos de trans-
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 23
Figura 1.10: Diagramas de transmisión para las polarizaciones TE y TM en función del ángulo de inci-
dencia de los cristales fotónicos formados por 10 unidades de los sistemas G2 y G5 para dos valores del
parámetro de gradado δ.
misión con el aumento de γ, siendo más evidente para aquellos localizados a bajas frecuencias.
Cabe resaltar que la respuesta caracterı́stica del sistema se sigue observando aun para valores
de γ/ωp < 0.02. En el caso de la polarización TM, Fig. 1.9(b), para frecuencias por debajo de
ωLt /2πc < 2.0 los picos de transmisión presentan una gran variación con γ.
Como se espera, el incremento de γ hace que desaparezcan los picos de transmisión, lo que
permite tener el control sobre la propagación de este tipo de respuesta con las pérdidas en el
metamaterial.
Como ya fue mencionado en la Fig. 1.8, la variación del tamaño de las bi-capas en el sistema GN
con δ modifica la formación de los picos de transmisión aun cuando cada estructura GN tiene
el mismo número de bi-capas, esto hace que se puedan modificar fuertemente las condiciones de
resonancia en un cristal fotónico aun para valores pequeños de δ. En la Fig. 1.10 se muestran
los diagramas de transmisión para las polarizaciones TE y TM de lo que llamaremos Cristales
Fotónicos Modulares Variables (CFMV) hechos con los sistemas G2 y G5 (CFMV-G2 y CFMV-
24 1.7. Resultados
G5 respectivamente) como funciones del ángulo de incidencia, para dos valores del parámetro
de gradado δ: (a) y (b) δ = 0, (c) y (d) δ = 1. Los valores de los parámetros usados son
ωp Lt /2πc = 2.0, a/b = 1, δ = 0 y γ = 0. En la Fig. 1.10 (a) se considera δ = 0, para el
caso de CFMV-G2 , se observa la formación tı́pica de las brechas fotónicas de Bragg tanto para
la polarización TE como para la polarización TM. En particular para la polarización TE se
observa el desplazamiento de las bandas de transmisión a frecuencias mayores con el aumento
del ángulo de incidencia, comportamiento también observado para CFMV-G5 , mostrado en 1.10
(b). Por otra parte para la polarización TM el sistema CFMV-G2 , presenta una banda estrecha
de alta transmisión por debajo de ωLt /2πc = 2.0 que modifica un poco su posición hacia
frecuencias mayores con el incremento del ángulo de incidencia. En el caso del sistema CFMV-
G5 , se observa una banda de alta transmisión la cual disminuye su ancho con el incremento
del ángulo de incidencia. Esto es debido a la excitación de modos de plasmón-polaritón en las
capas metálicas, resultado del acople del campo eléctrico de la radiación incidente con el plasma
presente en el metal, el cual crece con el aumento del ángulo de incidencia [88, 89]. En el caso
de frecuencias por encima de la frecuencia de plasma ωLt /2πc = 2.0, para la polarización TM
se observa el desplazamiento de los picos de transmisión hacia frecuencias mayores para ambos
sistemas. Con el incremento del parámetro de gradado a δ = 1.0 se observa una fuerte variación
de la transmisión, en particular para CFMV-G2 en (c), se observa una transmisión que debe
corresponderse con las dos sub-estructuras las cuales están presentes en G2 , para las cuales
debe existir interacciones de largo alcance entre bi-capas similares en cada sub-sistema de G2
que forma CFMV-G2 . Esto enriquece la transmisión gracias a la formación de bandas, que son
inaccesibles para una estructura periódica con un solo componente, esto se hace más evidente
en el caso de CFMV-G5 , donde cinco sub-estructuras están presentes.
Como podemos observar, la introducción de una variación gradual del tamaño de las bi-capas en
un cristal fotónico, enriquece su espectro de transmisión gracias a las múltiples sub-estructuras
que lo conforman, en particular para el sistema gradado propuesto, el ancho de las nuevas bandas
de transmisión puede modificarse con el parámetro de gradado δ, debido a la modificación de
las resonancias en las sub-estructuras con variación gradual propuestas que forman el cristal
fotónico, que no son posibles de alcanzar con sistemas periódicos.
A pesar del hecho de que los sistemas estudiados están formados por materiales con una res-
puesta metálica, estos resultados pueden ser ampliados a otras estructuras dispersivas como
los semiconductores dopados [90–93], en los cuales el nivel de dopaje permite describir su fun-
ción dieléctrica en términos de su frecuencia de plasma, la cual puede depender de diferentes
parámetros como temperatura y presión [11,94]. Por otra parte, sistemas dispersivos basados en
metamateriales [95–97], los cuales son descritos por medio de la respuesta efectiva de circuitos
1. Propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D con distribución variable en el ancho
de las capas formado por metamaterial y aire. 25
resonantes, permiten alcanzar frecuencias de trabajo menores que aquellas asociadas a los ma-
teriales metálicos convencionales. En efecto para un sistema formado por un metamaterial con
una frecuencia de plasma en el rango de los GHz, la longitud a la cual podrı́an ser hallados los
resultados descritos en este trabajo será del orden de algunos centı́metros (por ejemplo para una
frecuencia de plasma de 3 GHz y una relación ωp Lt /2πc = 2 la longitud total del sistema será
de 20cm). En el caso de un metamaterial con una frecuencia de plasma en el rango de los THz,
la longitud del sistema será del orden de los micrómetros.
Otra aplicación de los sistemas con variación gradual estudiados podrı́a ser implementada en
sistemas fotónicos con inclusiones de capas de grafeno, las cuales enriquecerı́an la respuesta de
estos sistemas gracias a la modulación de las propiedades del grafeno por medio de agentes
externos como voltaje, temperatura, nivel de dopaje entre otras [98–102], permitiendo un mayor
control en la formación de la bandas de transmisión.
1.8. Conclusiones
aplicación de los sistemas estudiados como filtros ópticos, que se pueden controlar con el ángulo
de incidencia, gracias a la excitación de la respuesta plasmón-polaritón en el metamaterial. Ası́
mismo, la respuesta óptica caracterı́stica de los sistemas estudiados no presentó mucha variación
aun para valores de absorción en el metamaterial de γ < 0.02ωp . También al considerar cristales
fotónicos formados por las estructuras con variación gradual propuestas, se observó el cambio
en la transmisión con el parámetro de gradado, esto debido a las múltiples sub-estructuras
presentes en el cristal fotónico, logrando respuestas ópticas inaccesibles para cristales fotónicos
formados por un sólo tipo de estructura. Además, se desarrolló un enfoque analı́tico para las
estructuras propuestas, que muestra que esta clase de sistemas pueden ser interpretados como un
conjunto de múltiples sistemas periódicos con defectos dentro de ellos. Estos resultados muestran
la gran versatilidad de los sistemas propuestos, gracias a que es posible tener diferentes tipos de
respuestas como el desplazamiento observado de las bandas de transmisión, que no son posibles
en estructuras periódicas con la misma cantidad de material. Se espera que estos resultados
permitan abrir una ruta en el diseño de dispositivos ópticos basados en sistemas con la variación
gradual propuesta.
Capı́tulo 2
2.1. Resumen
Como se mostró en el capı́tulo anterior la distribución material tiene un fuerte efecto en las
propiedades de los sistemas fotónicos, las cuales no pueden ser descritas por medio de una
aproximación de medio efectivo aun cuando se considera la misma cantidad de material en los
diferente sistemas. Por otra parte, las propiedades ópticas de los sistemas fotónicos pueden ser
modificadas si las propiedades de los materiales constituyentes son afectadas por agentes exter-
nos, por tal razón en este capı́tulo, se estudian las propiedades ópticas de un sistema fotónico 1D
formado por múltiples capas de dieléctrico y un metamaterial anisotrópico uniaxial con respues-
ta metálica tipo Drude, considerando inserciones de grafeno en la frontera dieléctrico-dieléctrico
(DGM-CF). Los espectros de transmisión para las polarizaciones TE y TM se presentan como
función del ángulo de incidencia, el potencial quı́mico del grafeno y la frecuencia de plasma del
metamaterial. Se muestra que este sistema modifica su respuesta óptica a la polarización TM
con la variación del potencial quı́mico del grafeno, lo cual puede ser observado como una banda
de transmisión o de reflexión alrededor de la frecuencia del plasmón-polaritón del metamate-
rial, con un ancho de banda que depende no sólo del ángulo de incidencia sino también de la
frecuencia de plasma del metamaterial. También estos resultados son observados para sistemas
finitos 1D cuando hay absorción en el metamaterial. Las condiciones para la formación de estas
bandas se muestra analı́ticamente. Consideramos que este estudio puede guiar nuevas formas en
el diseño de dispositivos fotónicos basados en DGM-CF.
2.2. Introducción
En el caso de CFs construidos con materiales dieléctricos, ha sido encontrado que las BFs
dependen del contraste entre los ı́ndices de refracción, ası́ como de la proporción y distribución
de los materiales en los CFs [34,84]. Otros resultados han mostrado la aparición de BFs no usuales
conocidas como non-Bragg gaps al considerar materiales dispersivos. Este tipo de BFs presentan
comportamientos muy diferentes a las usuales BFs de Bragg y son fácilmente observables gracias
a su dependencia caracterı́stica con el ángulo de incidencia ası́ como con la polarización de la
luz [42]. Un ejemplo de este tipo de comportamientos se observa en CFs 1D formados por
dieléctricos y metales, los cuales para la polarización TM presentan una BF localizada alrededor
de la frecuencia del plasmón eléctrico del metal, la cual aumenta su ancho de banda con el ángulo
de incidencia. También, estudios en los cuales se han considerado metamateriales con ı́ndice de
27
28 2.2. Introducción
refracción negativo (también conocidos como materiales doblemente negativos -DNs), los cuales
son estructuras artificiales cuyas propiedades eléctrica y magnética, están basadas en circuitos
resonantes (también conocidos como Split Ring Resonators - SRRs por sus siglas en ingles), han
mostrado la formación de una brecha fotónica, que es independiente de la escala del sistema,
localizado en frecuencias donde el ı́ndice de refracción efectivo del CF es cero [88,89]. En general,
los metamateriales presentan anisotropı́a en sus propiedades eléctricas y magnéticas, debido a
la dependencia de las corrientes inducidas en los SRRs con la polarización de la luz, ası́ como de
su ángulo de incidencia y el tipo de SRRs considerado, parámetros que caracterizan las bandas
de trabajo del metamaterial [95–97]. También, este tipo de sistemas pueden ser eléctricamente
negativos (ENs), magnéticamente negativos (MNs), o doblemente negativos (DNs) si su función
dieléctrica y diamagnética toman valores negativos en un rango de frecuencias.
A pesar de estos descubrimientos, la modificación dinámica de las BFs depende de la posibilidad
de modificar las propiedades de los materiales con agentes externos. En esa dirección, los CFs
construidos con materiales ferromagnéticos, superconductores entre otros materiales han sido
propuestos, mostrando gran versatilidad en esta tarea [11, 12, 81].
En años recientes, se ha prestado especial atención a la inclusión de grafeno en los CFs, debido a
las propiedades extraordinarias de este alótropo del carbono como: ser un conductor transparen-
te, tener una dureza mayor que la del acero, poseer una alta conductividad térmica entre otras,
las cuales son resultado de su particular disposición hexagonal 2D, con una estructura de bandas
electrónica en forma de conos y con una relación de dispersión lineal cerca a los bordes de la
zona de Brillouin, lo que hace que los electrones presenten una masa efectiva igual a cero [55].
Esto permite que sus propiedades puedan ser moduladas por un voltaje externo al modificar el
nivel de Fermi y por ende la concentración de portadores de carga. A pesar de su flexibilidad,
la alta movilidad de los portadores de carga y su estabilidad, el grafeno tiene propiedades ópti-
cas en el rango de los THz resultado de su conductividad eléctrica la cual puede ser descrita en
términos de los aportes de dispersión entre bandas electrón-fotón y a las transiciones electrónicas
interbandas [56], que permite su implementación en sistemas fotónicos 1D. Algunos resultados
han mostrado la formación de una BF no usual debida exclusivamente a la inclusión de grafeno
en los CFs formados con dieléctricos, la cual es independiente de la polarización y al ángulo de
incidencia [98–102]. Ası́ mismo, gracias a las corrientes superficiales que se forman en el grafeno,
se han desarrollado propuestas de sistemas en donde se logra una respuesta óptica hiperbólica,
debido a que la permitividad dieléctrica efectiva del sistema es anisotrópica y su relación de
dispersión esta descrita en términos de los diferentes componentes de la permitividad, los cuales
toman valores tanto positivos como negativos para una misma frecuencia [60, 61].
Por otra parte, los semiconductores altamente dopados (SCADs), los cuales son semiconductores
dopados tipo n o p también presentan propiedades ópticas interesantes en el rango de los THz
[90–93]. La respuesta eléctrica de los SCADs depende del nivel de dopaje, además puede ser
descrita como un metal tipo Drude junto a un conjunto de múltiples osciladores, los cuales están
relacionados con la redistribución de los portadores de carga en las bandas de conducción ası́
como con el cambio de la masa efectiva de los portadores en el material. Algunos resultados
usando SCADs han mostrado la existencia de una alta absorción con el incremento del nivel
de dopaje, donde el parámetro de absorción es del orden de la frecuencia de plasma del SCAD,
haciendo de estos materiales excelentes absorbedores en el rango de los THz.
2. Respuesta óptica variable en un cristal fotónico 1D formado por dieléctrico, grafeno y
metamaterial. 29
(TM) E
N – unit cells
H
k
y
εA εB εM ….
z x
k
E
σg
(TE) H
En este capı́tulo, se estudian las propiedades ópticas de un sistema formado por dieléctrico,
grafeno y metamaterial con una respuesta tipo Drude, el cual puede ser construido con SCADs o
con metamateriales en el rango de los THz. La transmisión es calculada, utilizando el formalismo
de la matriz de Scattering, como función de ángulo de incidencia, el potencial quı́mico del grafeno
y la frecuencia de plasma del metamaterial. La matriz transferencia para estructuras con grafeno
es descrita en la sección 2.3. Los diferentes resultados numéricos y las conclusiones de este estudio
son mostrados en las secciones 2.4 y 2.5, respectivamente.
Considérese el sistema fotónico mostrado en la Fig. 2.1 formado por múltiples capas de dieléctrico
y metamaterial anisotrópico uniaxial. Los materiales dieléctricos A y B están separados por una
capa de grafeno, la cual tiene una conductividad superficial resultante de las contribuciones de
las transiciones interbandas de los electrones asi como de su conducción intrabanda, la cual esta
descrita por [55, 56]
30 2.3. Matriz transferencia para sistemas con inclusiones de grafeno
e2 i
16kB T µg
σgintra = ln 2 cosh , (2.2)
4~ 2π ~ω 2kB T
e2 ~ω − 2µg
1 1
σginter = + arctan
4~ 2 π 2kB T
!
i (~ω + 2µg )2
− ln , (2.3)
2π (~ω − 2µg )2 + (2kB T )2
donde
k02 j,zz − ky2 −→ TE,
Q2j = (2.5)
j,yy
k02 j,yy − ky2 j,xx −→ TM,
Debido a la conductividad superficial de las capas de grafeno localizadas entre las capas de
dieléctrico, una corriente superficial debe ser considerada con la consecuente modificación de la
continuidad de la componente del campo magnético de la radiación incidente denotada por
~nj,j+1 × H~ j+1 − H
~ j = σg E
~t , (2.6)
2. Respuesta óptica variable en un cristal fotónico 1D formado por dieléctrico, grafeno y
metamaterial. 31
donde ~nj,j+1 es el vector normal a la superficie en la frontera de las capas j-esima y (j +1)-esima,
yE~ t es la componente tangencial del campo eléctrico en la superficie.
Debido a esto la matriz transferencia toma la forma
(D ∓ g)e−iQj−1 aj−1
(C − g)eiQj−1 aj−1
Mj,j−1 = , (2.7)
con Z0 la impedancia del espacio vacı́o, fj = 1 (fj = j,yy ) y g = k0 σg Z0 /2Qj (g = σg Z0 Qj−1 /2k0 fj−1 ),
para la polarización TE (TM).
En este trabajo no se consideran capas de grafeno en la frontera entre dieléctrico y metamaterial,
por lo cual para esta frontera g = 0. Los coeficientes de transmisión (T ) y de reflexión (R) para
la radiación incidente de un sistema finito, como el presentado en la Fig. 2.1 están dados por
2
P
T = S3N +1,0 1,1
, (2.11)
y
2
P
R= S3N +1,0 2,1
, (2.12)
donde S3N +1,0 es la matrix de scattering del sistema multicapa, el cual puede ser calculado
usando las relaciones de recurrencia mostradas en la sección 1.3.2 [85].
A dA + B dB + (M,||) dM
(ef f,||) = , (2.13)
dT
A dA + B dB + (M,⊥) dM iσg Z0
(ef f,⊥) = + , (2.14)
dT k0 dT
donde dT = dA + dB + dM , siendo dA , dB , y dM los anchos de las diferentes capas de material
dieléctricos A y B, y metamaterial, respectivamente.
Como se puede observar (ef f,⊥) depende de la conductividad del grafeno.
2.4. Resultados
En el caso isotrópico, se estudia el sistema formado por capas de materiales dieléctricos con
A = 5.0 (SiO2 , baquelita) y B = 2.5 (poliimida entre otros dieléctricos orgánicos) [98,100,105],
y capas de metamaterial con una respuesta isotrópica tipo Drude
ωp2
M = 1 − , (2.15)
ω (ω + iγωp )
siendo ωp /2π la frecuencia de plasma caracterı́stica en el rango de los THz y γ el parámetro de
absorción. Esta suposición es soportada en los avances de la miniaturización de los metamateria-
les, ası́ como en los estudios en los SCADs los cuales presentan excitaciones eléctricas en el rango
del infrarrojo lejano [86, 90–93, 95–97, 106]. Los anchos de las capas son dA = dB = dM = 10µm,
la temperatura del grafeno T = 300K y el número de celdas unitarias es Nc = 10.
En la Fig. 2.2 se observa la transmisión para el sistema DGM-PC como función del ángulo de
incidencia, para diferentes valores de ωp /2π: (a) 0 THz, (b) 0.5 THz, (c) 1.5 THz y (d) 3.0
THz, los parametros considerados son µg = 0.2eV y γ = 0. Con el propósito de comparar con
resultados previos [98, 100–102], en la Fig. 2.2(a) se considera el caso con ωp = 0. Como ha
sido reportado, a bajas frecuencias se observa la formación de la brecha fotónica inducida por
grafeno (BFIG) debido a la presencia de las capas de grafeno entre los materiales dieléctricos
A y B. Esta brecha es omnidireccional e independiente de la polarización (un ancho constante
para las dos polarizaciones principales TE y TM), aun cuando pequeñas variaciones en su ancho
2. Respuesta óptica variable en un cristal fotónico 1D formado por dieléctrico, grafeno y
metamaterial. 33
Figura 2.2: Espectro de transmisión para las polarizaciones TE y TM del DGM-CF como función del
ángulo de incidencia, para diferentes valores de ωp /2π.
34 2.4. Resultados
son observadas para la polarización TE cerca de φ = 90o . También son observados las usuales
brechas fotónicas de Bragg, las cuales están asociadas a la periodicidad del sistema dieléctrico,
ası́ mismo podemos destacar que para incidencia normal no existe diferencia en la respuesta del
sistema a las dos polarizaciones. En contraste en la Fig. 2.2(b) para un metamaterial con una
frecuencia de plasma al interior de la BFIG del sistema presentado en (a), se encontró una banda
de transmisión para la polarización TM (la cual esta indicada con una flecha verde). Esta banda
se localiza en frecuencias alrededor de la frecuencia del plasmón-polaritón del metamaterial
(frecuencia para la cual M (fepp ) = 0) e incrementa su ancho de banda con el aumento del
ángulo de incidencia. Esta banda tiene su origen en la excitación del modo eléctrico de plasmón-
polaritón en las capas de metamaterial [88, 89]. En este caso, la incidencia oblicua para la
polarización TM está relacionada con el acople del campo eléctrico de la radiación incidente con
el plasma en el metamaterial. Este acople crece con el ángulo de incidencia, tal como ha sido
encontrado. Para la polarización TE, se observan pequeñas variaciones del ancho del BFIG en
comparación con el caso mostrado en la Fig. 2.2(a) debido a la rápida variación de M con la
frecuencia. En la Fig. 2.2(c) se observa una nueva brecha para la polarización TM, localizada
alrededor de fepp la cual crece con el ángulo de incidencia, para valores de ωp /2π al interior de
la primera banda de transmisión del sistema mostrado en Fig. 2.2(a). También, se observa el
incremento del ancho de la BFIG para ambas polarizaciones, debido a la frecuencia de plasma
de las capas de metamaterial. La dependencia de ef f con la frecuencia determina la formación
de las bandas de transmisión para la polarización TM. La condición Re[ef f,⊥ (fBG )] = 0 está
relacionada con el ancho de la BFIG. En caso de fBG > fepp , para la polarización TM se
observa una banda de transmisión alrededor de fepp , como fue presentado en la Fig. 2.2(b). En
cambio, si fBG < fepp , una brecha fotónica aparece, tal como se observa en Fig. 2.2(c). Estos
resultados brindan la posibilidad de controlar la formación de bandas de transmisión en un
ancho de frecuencias alrededor de la frecuencia del plasmón-polaritón del metamaterial, debido
a la dependencia de ef f,⊥ con µg , el cual puede ser modificado por un voltaje externo. En la
Fig. 2.2(d), se muestra la transmisión para ωp localizada en el primera brecha fotónica de Bragg
para el sistema presentado en la Fig. 2.2(a). Como es esperado, el incremento en el valor de ωp
contribuye con el crecimiento de la BFIG. Para la polarización TM, se observa la formación de
una banda de transmisión por encima de fepp , como fue mostrado en Fig. 2.2(b). También se
observa la disminución del ancho de banda de la primera banda de transmisión con el incremento
de φ.
Con el propósito de mostrar la versatilidad del sistema DGM-CF, en la Fig. 2.3 se presenta
para la polarización TE y TM el espectro de transmisión como función del potencial quı́mico
del grafeno, µg , para un ángulo de incidencia oblicua φ = 45o y γ = 0. En la Fig. 2.3(a) se
2. Respuesta óptica variable en un cristal fotónico 1D formado por dieléctrico, grafeno y
metamaterial. 35
Figura 2.3: Espectro de transmisión para las polarizaciones TE y TM del DGM-CF variando µg para un
ángulo de incidencia φ = 45o . Los valores considerados de ωp /2π son: (a) 0 THz, (b) 1.0 THz, (c) 2.0
THz y (d) 3.5 THz.
36 2.4. Resultados
muestra el caso con ωp = 0. Como ha sido reportado en otros trabajos [98, 99], se observa la
modificación usual de la BFIG y el corrimiento de las brechas de Bragg a mayores frecuencias con
el incremento de µg . Con la inclusión de las capas de metamaterial, la transmisión se modifica
de diferentes formas no reportadas con anterioridad, de hecho en la Fig. 2.3 (b) donde capas
de metamaterial con ωp /2π = 1.0 THz son consideradas y para la polarización TM, existen dos
brechas fotónicas de interés para valores de µg < 0.25 eV. Una de ellas es la brecha usual BFIG
la cual crece con µg y la otra localizada alrededor de fepp , la cual es debida a la excitación de
plasmón-polaritón en las capas de metamaterial (se indican con una flecha verde). Como ha
sido discutido en la Fig. 2.2 la dependencia de ef f con la frecuencia determina la formación de
estas dos brechas. En contraste una banda de transmisión para la polarización TM localizada
alrededor de fepp se observa para valores de µg > 0.25 eV para la cual se cumple que fBG > fepp .
Como se observa esta banda de transmisión puede ser considerada independiente de µg , y solo
depende de la frecuencia de plasma del metamaterial. La modificación dinámica de la respuesta
óptica del sistema DGM-CF con µg alrededor de fepp , abre una ruta al diseño de polarizadores
variables alrededor de fepp , pues la luz con polarizaciones mixta TE y TM puede ser filtrada solo
en polarización TE o TM dependiendo del potencial quı́mico del grafeno. Para la polarización
TE, se observa el aumento del ancho en la BFIG con el valor de µg , tal como fue discutido
en Fig. 2.2. En caso de valores mayores de ωp , como se muestra en las Figs. 2.3(c) y 2.3(d), el
aumento en el ancho de la BFIG para la polarización TE es observada, comportamiento que
ya fue discutido en la Fig. 2.2. En caso de la polarización TM se observa la formación de las
brechas fotónicas alrededor de la frecuencia de plasmón-polaritón para las cuales sus lı́mites
superiores presentan menores cambios con la variación de µg , en comparación con sus lı́mites
inferiores. También, se observa que el ancho de estas brechas depende de la frecuencia de plasma
del metamaterial, incrementándose con esta. Como una observación especial, en la Fig. 2.3(d)
para la polarización TM se observa un banda de transmisión completa centrada alrededor de
4.0 THz, la cual es independiente de µg .
Figura 2.4: Espectro de transmisión para las polarizaciones TE y TM del DGM-CF variando ωp para un
ángulo de incidencia φ = 45o . Los valores considerados de µg son: (a) 0 eV y (b) 0.5 eV.
de una brecha fotónica alrededor del valor de la frecuencia de plasma, la cual está relacionada
con la excitación eléctrica de plasmón-polaritón. En contraste, cuando el grafeno es introducido
entre las capas dieléctricas, caso mostrado en la Fig. 2.4(b), para la polarización TE se observa
la formación de la BFIG, cuyo ancho de banda se incrementa con el valor de ωp , tal como fue
discutido antes en la Fig. 2.3. En cambio, para la polarización TM, se observa la formación de una
banda de transmisión alrededor de la frecuencia de plasma para frecuencias donde fBG > fepp ,
tal como fue discutido en la Fig. 2.2. También, se muestra una brecha fotónica en la transmisión
asociada a la excitación eléctrica de plasmón-polaritón la cual crece con el valor de la frecuencia
de plasma y para la cual se satisface la condición fBG < fepp .
Como ha sido observado, la variación en el valor del potencial quı́mico del grafeno, modifica la
respuesta óptica del sistema DGM-CF alrededor de la frecuencia fepp del metamaterial, lo cual
puede ser asociado con la formación de una banda de transmisión o reflexión para la
En la Fig. 2.5 se muestra el espectro de transmisión del sistema mostrado en la Fig. 2.1 para
la polarización TM, como función del parámetro de absorción γ en las capas de metamaterial,
para tres diferentes valores de Nc . Como es bien conocido en el caso de sistemas fotónicos 1D la
transmisión de luz decrece no sólo con el aumento de la absorción sino también con el aumento
de la cantidad de material [20]. En efecto, para valores pequeños de γ, en la Fig. 2.5 se observan
bandas de transmisión al interior de la BFIG, aún para sistemas con Nc = 20, no obstante el
incremento en el parámetro de absorción contribuye con la disminución de la transmisión para
todos los sistemas estudiados, siendo más evidente para el caso con mayor número de celdas
unitarias. También es importante notar la formación de la banda de transmisión aun con pocas
capas como lo es el caso correspondiente con Nc = 2.
38 2.4. Resultados
Figura 2.5: Espectro de transmisión para la polarización TM del DGM-CF variando γ para φ = 45o , µ =
0.5eV y ωp /2π = 0.5THz. Nc toma los valores de 2, 10 y 20 en los paneles (a), (b) y (c) respectivamente.
En este caso se estudian sistemas formados por capas de materiales dieléctricos, como en la sec-
ción 2.4.1, junto con capas de metamaterial anisotrópico uniaxial, con una respuesta dieléctrica
tensorial descrita por sus componentes [104]
ω||2
(M,||) = 1 − , (2.16)
ω2
ω2
(M,⊥) = 1 − ⊥2 , (2.17)
ω
con ω|| y ω⊥ correspondientes a las frecuencias de plasma angular en las direcciones x y el plano
y − z respectivamente.
En la Fig. 2.6 se presenta el espectro de transmisión para la polarización TM del DGM-CF
con capas de metamaterial uniaxial anisotrópico como función del ángulo de incidencia. Los
paneles superiores corresponden a los casos con ω⊥ /2π = 2.0THz y (a) ω|| /2π = 0.5THz, (b)
ω|| /2π = 1.0THz y (c) ω|| /2π = 2.0THz. Los paneles inferiores corresponden a los casos con
ω|| /2π = 1.8THz y (d) ω⊥ /2π = 0.0THz, (e) ω⊥ /2π = 2.0THz y (f) ω⊥ /2π = 5.0THz. El valor
de µg es 0.5 eV.
2. Respuesta óptica variable en un cristal fotónico 1D formado por dieléctrico, grafeno y
metamaterial. 39
Figura 2.6: Espectro de transmisión para la polarización TM del DGM-CF con capas de metamaterial
uniaxial anisotrópico como función del ángulo de incidencia, para diferentes valores de ω⊥ /2π y ω|| /2π.
Como se observa para la polarización TM, el ancho de la BFIG depende de la relación Re (ef f,⊥) =
0, mientras que la resonancia de plasmón-polaritón se localiza en el valor de frecuencia para el
cual (M,||) = 0, resultados que se encuentran en concordancia con aquellos que fueron presen-
tados en la sección anterior. Como se observa en las Figs. 2.6 (a), 2.6 (b) y 2.6 (c), es posible
controlar la posición de la banda de transmisión o reflexión alrededor de la frecuencia de la reso-
nancia de plasmón-polaritón descrita por la relación (M,||) = 0, sin la modificación del ancho de
la BFIG. En contraste, el ancho de la BFIG puede ser controlada no sólo con el valor del poten-
cial quı́mico del grafeno sino también con el valor de la frecuencia de plasma del metamaterial
en el plano y − z, tal como es presentado en las Figs. 2.6 (d), 2.6 (e) y 2.6 (f). Para el caso de la
polarización TE fueron hallados resultados similares a los mostrados en el caso con isotropı́a.
40 2.5. Conclusiones
2.5. Conclusiones
En resumen, en este capı́tulo se presentó el estudio de cristales fotónicos 1D formados por
capas de dieléctricos y metamaterial anisotrópico uniaxial con grafeno localizado en las fronteras
dieléctrico-dieléctrico (DGM-CF). Se encontró para la polarización TE, el aumento del ancho
de la brecha fotónica inducida por grafeno (BFIG) con el aumento de la frecuencia de plasma
de la componente perpendicular del tensor dieléctrico del metamaterial. Variando el potencial
quı́mico del grafeno µg , se encontró que para la polarización TM las capas de grafeno modifican la
respuesta óptica del DGM-CF alrededor de la frecuencia para la cual se cumple (M,||) (fepp ) = 0.
Debido a la dependencia de (ef f,⊥) con las propiedades del grafeno, fue posible caracterizar la
formación de las bandas de transmisión al interior de la BFIG con la condición Re[ef f,⊥ (fBG )] =
0. En el caso que fBG > fepp , se encontró la formación de una banda de transmisión al interior del
BFIG, con un ancho de banda que depende no sólo de la frecuencia de plasma sino también del
ángulo de incidencia. En cambio, para la condición fBG < fepp una banda de reflexión aparece.
Cuando se consideraron pérdidas en el metamaterial, se pudo observar la banda de transmisión
al interior de la BFIG. Como era esperado, la transmisión para esta banda disminuye con el
aumento no sólo del parámetro de absorción sino también con el número de celdas unitarias.
Como un resultado especial, la respuesta óptica caracterı́stica del sistema DGM-CF se pudo
observar en sistemas con sólo dos celdas unitarias.
Se espera que las propiedades de los sistemas DGM-CF puedan ser usadas para el desarrollo de
dispositivos fotónicos, como polarizadores o filtros variables entre otros, gracias a la modulación
de sus propiedades ópticas cuando voltajes externos son aplicados sobre las capas de grafeno.
Capı́tulo 3
3.1. Resumen
Como se mostró en los capı́tulos anteriores la interacción de plasmón-polaritón en metamateriales
juega un papel importante en las propiedades ópticas de los sistemas fotónicos 1D. En este
capı́tulo se explorara como esta interacción determina la propiedades ópticas de un sistema
2D donde es considerada una distribución material con una geometrı́a que presenta superficies
planas. Para esto usando el método de ondas planas revisado, se calcula la estructura de bandas
fotónica para la polarización TE de un cristal fotónico 2D formado por un arreglo cuadrado de
barras rectangulares de metamaterial en aire. En el caso de barras cuadradas y para diferentes
valores de la frecuencia de plasma del metal, se encontró una distribución de bandas relacionada
con la existencia de modos localizados en la superficie de las barras. Se encontró que este tipo de
geometrı́a favorece altas intensidades de la radiación electromagnética cerca de las esquinas de
las barras de metal. En el caso de barras rectangulares y variando la longitud de uno de sus lados,
se encontró que la estructura de bandas fotónicas presenta una reorganización en comparación
con el caso de barras cuadradas, relacionadas con una fuerte localización de la radiación en la
superficie de las barras.
3.2. Introducción
Como ya ha sido mencionado en los capı́tulos anteriores, los sistemas conocidos como cristales
fotónicos han sido objeto de múltiples investigaciones relacionadas con la distribución geométri-
ca de los materiales que los conforman, abarcando desde estructuras 1D formadas por múltiples
capas de diferentes materiales, hasta complejas disposiciones fractales 3D las cuales tienen res-
puestas ópticas auto-similares [1, 2, 11, 13, 34, 39, 84, 107–109]. También, algunos estudios han
incluido defectos en la geometrı́a cristalina, lo cual afecta su simetrı́a de traslación y permite
la aparición de modos altamente localizados, que han sido usados para la construcción de guı́as
de onda entre otras tecnologı́as. Ası́ mismo, cuando materiales dispersivos son incluidos en los
cristales fotónicos, se han podido lograr modos localizados para la radiación electromagnética,
41
42 3.2. Introducción
gracias a las excitaciones colectivas de carga que resultan del acople entre los campos de la
radiación incidente con las cargas libres del material, [30].
A pesar de los grandes avances en este tipo de sistemas, ha sido difı́cil establecer cuáles son los
mecanismos que influyen directamente en la formación de los modos localizados y su relación
con la distribución geométrica de los materiales.
En efecto Kusmiak et al. [15] estudiaron un sistema 2D formado por un arreglo de barras
paralelas de metal en aire, usando la expansión de los campos en ondas planas, mostrando
que a pesar de considerar un material dispersivo, el problema del cálculo de la estructura de
bandas fotónica se puede reducir a un problema de valores propios estándar. Ellos mostraron la
existencia de modos localizados para la polarización TE los cuales deberı́an corresponderse con la
interacción de los modos de excitación individuales de cada barra metálica, los cuales se solapan
en el cristal fotónico formado bandas planas. Esta observación fue corregida por Ito et al. [22],
quienes presentaron un cálculo basado en la implementación del método de diferencias finitas
en dominio temporal junto a una excitación de radiación bipolar, mostrando que la radiación
electromagnética presentaba una distribución altamente localizada en la superficie de las barras
metálicas, las cuales estaban muy cerca de las frecuencias de resonancias correspondientes a una
sola barra, correspondientes a las excitaciones localizadas de plasmón-polaritón en el metal. Mas
tarde Esteban Moreno et al. [23], demostraron que la hipótesis de Ito et al. sobre la radiación
dipolar para la excitación de modos de superficie localizados en el cristal fotónico, no es suficiente
para una geometrı́a arbitraria de las barras, siendo necesaria una generalización de método de
diferencias finitas en dominio temporal usando un conjunto de dipolos en las celda unitaria.
Es importante mencionar que la localización mostrada por Ito et al., ası́ como los resultados
obtenidos por Esteban Moreno et al. muestran que el campo en la superficie de las barras
metálicas es distribuido satisfaciendo alguna de las simetrı́as de la sección transversal para las
barras. También mostraron que la estructura de bandas fotónica para la sección circular tiene
bandas con poca dispersión por debajo de la frecuencia del plasmón superficial. Estas bandas
planas son distribuidas alrededor de las frecuencias correspondientes a modos resonantes de las
barras metálicas. Ahora que Esteban Moreno et al. también presentaron el estudio de cristales
fotónicos formados por barras con sección transversal triangular, mostrando la existencia de
bandas planas por encima y debajo de la frecuencia de plasmón superficial, demostrando que
las bandas planas son distribuidas alrededor de los frecuencias correspondientes a los modos
permitidos para las barras metálicas, pero que la distribución de las bandas por encima de la
frecuencia del plasmón superficial dependen fuertemente de la geometrı́a de la sección transversal
para las barras.
En este capı́tulo se estudia un cristal fotónico formado por un arreglo cuadrado de barras metáli-
3. Cristales fotónicos 2D formados por barras rectangulares de metamaterial en aire 43
cas rectangulares inmersas en aire. Usando el método de ondas planas revisada se calcula la es-
tructura de bandas fotónica y algunas distribuciones de |Hz |2 y |E|2 en la celda unitaria definida
para el cristal. En un primer caso, se considera un cristal fotónico formado por barras con un
perfil cuadrado, con el propósito de entender como la estructura de bandas fotónica depende de
la frecuencia de plasma del metal. Como segunda parte de este estudio, se considera un cristal
fotónico formado por barras rectangulares de metal en aire, modificando el largo de uno de los
lados de las barras metálicas y mostrando la dependencia de la estructura de bandas fotónica
con esta variación. También se presenta la distribución de campo, lo cual nos ayuda a entender
como la formación de modos localizados puede darse en estos sistemas.
~ = m · a~x + n · a~y ,
R (3.1)
y
~ = m · b~x + n · b~y ,
G (3.2)
son los vectores de traslación en el espacio real y recı́proco, respectivamente, relacionados por
a~i · b~j = 2πδi,j . Debido a la periodicidad del sistema y con ayuda del teorema de Bloch, podemos
escribir para los campos eléctrico y magnético
44 3.3. Método de Ondas Planas Revisado
~ r) = ~ ~ ei(~k+G)·~
~ r
X
E(~ EG , (3.3)
~
G
~ r) = ~ ~ ei(~k+G)·~
~ r
X
H(~ H G , (3.4)
~
G
∂Hz ω
= −i Ex ,
∂y c
∂Hz ω
= i Ey , (3.5)
∂x c
∂Ey ∂Ex ω
− = i µHz .
∂x ∂y c
Remplazando las Eqs. (3.3) y (3.4) en las Eqs. (3.5), y tomando un número finito N de términos
para las expansiones de los campos podemos escribir en forma matricial
(kx I + [[Gx ]]) [Ey ] − (ky I + [[Gy ]]) [Ex ] = k0 [[µzz ]] [Hz ] ,
ω
donde k0 = c, Gx(y) G,G0 = Gx(y) δG,G0 , son matrices diagonales de orden N e I es la matriz
identidad de orden N . Los vectores [Ex ], [Ey ] y [Hz ] son de orden N y están construidos con los
coeficientes de las expansiones (3.3) y (3.4). Las matrices [[xx ]], [[yy ]], [[µzz ]] son construidas
siguiendo las reglas de Li para el producto de funciones periódicas [110, 111], véase el apéndice
3. Cristales fotónicos 2D formados por barras rectangulares de metamaterial en aire 45
A.
Combinando las ecuaciones (3.6), tenemos que
k02 [[µzz ]] − (ky I + [[Gy ]]) [[xx ]]−1 (ky I + [[Gy ]])
[Ey ] −k0 [[Gx ]] [Ey ]
1
kx = ,
k0
[Hz ] k02 [[yy ]] −k0 [[Gx ]] [Hz ]
(3.7)
o
k02 [[µzz ]] − (kx I + [[Gx ]]) [[yy ]]−1 (kx I + [[Gx ]])
[Ex ] k0 [[Gy ]] [Ex ]
1
ky =− ,
k0
[Hz ] k02 [[xx ]] k0 [[Gy ]] [Hz ]
(3.8)
Como se observa, para un valor dado de ω y una dirección definida en la primera zona de
Brillouin para el cristal en donde kx o ky sean fijos según corresponda, es posible calcular
la otra componente del vector de onda resolviendo un problema de autovalores estándar, en
donde ~k : ~k (ω). También podemos ver que el problema de autovalores asociado es de orden 2N .
Además de esto las matrices, no son hermı́ticas, razón por la cual los autovalores en general serán
complejos. Para calcular la estructura de bandas fotónica de nuestro sistema, sólo escogeremos
aquellos autovalores que tengan una parte imaginaria nula. Estas soluciones corresponderán a
los modos propagantes en el cristal.
~ = (Hx , Hy , 0), E
Para el caso de la polarización TM (H ~ = (0, 0, Ez )), y siguiendo un pro-
cedimiento análogo al mostrado para la polarización TE, se puede encontrar un problema de
autovalores similar, en el cual
k02 [[zz ]] − (ky I + [[Gy ]]) [[µxx ]]−1 (ky I + [[Gy ]])
[Hy ] k0 [[Gx ]] [Hy ]
1
kx =− ,
k0
[Ez ] k02 [[µyy ]] k0 [[Gx ]] [Ez ]
(3.9)
o
k02 [[zz ]] − (kx I + [[Gx ]]) [[µyy ]]−1 (kx I + [[Gx ]])
[Hx ] −k0 [[Gy ]] [Hx ]
1
ky = ,
k0
[Ez ] k02 [[µxx ]] −k0 [[Gy ]] [Ez ]
(3.10)
46 3.3. Método de Ondas Planas Revisado
1
[Ex ] = − [[xx ]]−1 (mkx I + [[Mb ]]) [Hz ] , (3.11)
k0
1
[Ey ] = [[yy ]]−1 (kx I + [[Gx ]]) [Hz ] , (3.12)
k0
donde
[[Mb ]] = bI + [[Gy ]] . (3.13)
Definiendo el vector
[A] = [Ey ] − m [Ex ] , (3.14)
se halla que
[A] [A]
−1
kx =M N , (3.15)
[Hz ] [Hz ]
donde las matrices M y N pueden escribirse como
0 [[M1 ]]
M = , (3.16)
k0 I [[M2 ]]
con
y
k0 I − [[N1 ]]
N = , (3.19)
0 [[N2 ]]
donde
[[N2 ]] = k02 [[µzz ]] − [[Gx ]] [[yy ]]−1 [[Gx ]] − [[Mb ]] [[xx ]]−1 [[Mb ]] . (3.21)
Ahora que para la polarización TM también se puede hallar un problema de autovalores equi-
valente en el caso de ky = mkx + b, para el cual
1
[Hx ] = [[µxx ]]−1 (mkx I + [[Mb ]]) [Ez ] , (3.22)
k0
1
[Hy ] = − [[µyy ]]−1 (kx I + [[Gx ]]) [Ez ] , (3.23)
k0
y definiendo el vector
[B] = [Hy ] − m [Hx ] , (3.24)
se obtiene que
[B] [B]
−1
kx =M N , (3.25)
[Ez ] [Ez ]
donde las matrices M y N en este caso toman las formas
0 [[M1 ]]
M = , (3.26)
k0 I − [[M2 ]]
48 3.3. Método de Ondas Planas Revisado
con
y
−k0 I − [[N1 ]]
N = , (3.29)
0 − [[N2 ]]
con
[[N2 ]] = k02 [[µzz ]] − [[Gx ]] [[µyy ]]−1 [[Gx ]] − [[Mb ]] [[µxx ]]−1 [[Mb ]] . (3.31)
Como podemos ver la Eq. 3.25 también es un problema de autovalores estándar para kx .
Considérese las ecuaciones matriciales base de la formulación RPWM, Eqs. 3.6, para el problema
de polarización TE aplicado a un cristal fotónico 2D, formado por materiales lineales e isotrópicos
(la discusión que ahora se dará también aplica para el caso de la polarización TM),
(kx I + [[Gx ]]) [Ey ] − (ky I + [[Gy ]]) [Ex ] = k0 [[µzz ]] [Hz ] ,
Como ya se mostró, en el caso de usar la dependencia explicita de una de las componentes del
~ en términos de Hz (por ejemplo Ex ), se obtiene un problema lineal en kx que puede
campo E
ser resuelto por técnicas estándar de álgebra lineal, en el cual kx es el autovalor asociado a una
matriz que es función de ky y ω, ası́
3. Cristales fotónicos 2D formados por barras rectangulares de metamaterial en aire 49
[Ey ] [Ey ]
TE
kx = Mkx (ky , ω) , (3.33)
[Hz ] [Hz ]
donde la matriz MkTxE tiene una dependencia explicita con ky y ω. Este problema se puede
resolver completamente para valores fijos de ky , obteniendo soluciones que relacionan valores
de kx con ω. Lo anterior es particularmente sencillo en las direcciones preferenciales de la zona
reducida de Brillouin para el cristal estudiado, en las cuales es posible fijar uno de los valores
del vector de onda para la direccional especifica calculada.
Como ya se ha expresado antes, los autovalores calculados para una representación de N ondas
planas deben ser clasificados, para ası́ poder obtener información sobre la estructura de bandas
fotónica del cristal considerado, en nuestro caso las ondas que se propagan en el cristal deben
tener un ~k real, en otra circunstancia la onda presentarı́a un comportamiento evanescente o
también un comportamiento que harı́a que su módulo creciera de manera infinita en su viaje a
través del cristal, por esta razón escoger los autovalores con vector de onda cuya componente
imaginaria es nula, se hace esencial para obtener información acerca de la estructura de bandas
fotónica del cristal. Por otra parte vectores de onda complejos son posibles en sistemas finitos.
También hemos de mencionar que los cristales fotónicos formados con materiales que presentan
absorción generalmente no permiten la propagación de la luz debido a la naturaleza de pérdidas
en los materiales, sin embargo el tratamiento del cálculo de la estructura de bandas fotónica, ası́
como de la seudo-estructura de bandas fotónica en las cuales se calcula la componente imaginaria
del vector de onda, nos puede proveer información sobre el comportamiento de la luz en sistemas
finitos, pues en estos casos la componente imaginaria del vector de onda da información sobre
la longitud de penetración de la luz en una estructura finita [20].
Resuelto el problema de como escoger los valores de ~k, se hace necesario describir una forma de
proceder para el cálculo de la estructura de bandas fotónica, para el caso de direcciones en la
zona reducida de Brillouin en donde alguna de las componentes del vector de onda es función
de la otra, para una disposición cristalina cuadrada esto sucede en la dirección M − Γ.
En los casos de las direcciones Γ − X y X − M se fijan los valores de ky = 0 y kx = π/a
respectivamente, calculando el resto de la estructura de bandas escogiendo valores de:
método al caso más general de ky = mkx + b, lo que permite calcular la estructura de bandas
fotónica en direcciones arbitrarias en la zona de Brillouin.
Sin embargo, más allá de esta formulación la pregunta de interés es acerca de las representa-
ciones posibles para el cálculo de la estructura de bandas fotónica usando las ecuaciones antes
mostradas.
−1
[Ex ] = [[xx ]]−1 (ky I + [[Gy ]]) [Hz ] , (3.34)
k0
1
[Ey ] = [[yy ]]−1 (kx I + [[Gx ]]) [Hz ] , (3.35)
k0
n o
kx2 [[yy ]]−1 + ky [[yy ]]−1 [[Gx ]] + [[Gx ] [[yy ]]]−1 + RkTxE [Hz ] = 0, (3.36)
donde
RkTxE = [[Gx ]] [[yy ]]−1 [[Gx ]] − k02 [[µzz ]] + ky2 [[xx ]]−1
+ky [[xx ]]−1 [[Gy ]] + [[Gy ] [[xx ]]]−1 + [[Gy ]] [[xx ]]−1 [[Gy ]] . (3.37)
Una formulación alterna a este problema será en la cual usemos las tres ecuaciones e intentemos
construir un problema de autovalores, esto nos lleva en el caso de buscar kx con ky fijo a algo
de la forma:
3. Cristales fotónicos 2D formados por barras rectangulares de metamaterial en aire 51
0 0 0 [Ex ] −k0 [[xx ]] 0 ky I + [[Gy ]] [Ex ]
kx
0 I 0
[Ey ]
= ky I + [[Gy ]]
− [[Gx ]] k0 [[µzz ]] [Ey ] ,
0 0 I [Hz ] 0 k0 [[yy ]] − [[Gy ]] [Hz ]
(3.38)
pero como podemos ver no es un problema usual de autovalores dado que la matriz de la izquierda
no es invertible.
Para resumir la gran diferencia entre las tres formas de resolver el problema es el tamaño de la
matriz, ası́ pues
3.4. Resultados
Con la ayuda de la Eq. 3.7, se calcula la estructura de bandas fotónica de un cristal fotónico
2D formado por un arreglo cuadrado de barras rectangulares de un metamaterial con respuesta
tipo Drude inmerso en aire como se muestra en la Fig. 3.1, donde a es el parámetro de red y
las longitudes de los lados de las barras están descritas por los valores de bx y by . La constante
dieléctrica de las barras se asume de la forma,
ωp2
m = 1 − , (3.39)
ω (ω + iγ)
Figura 3.1: Representación de la celda unitaria de un arreglo cuadrado de barras rectangulares de meta-
material en aire. La constante dieléctrica del metamaterial es m , a es el parámetro de red, bx y by son
las longitudes de los lados de las barras.
!% !% #
!%
"#$
!" #
!" #
!"#
!"# $
!$ !$
!" !$
!# !# !#
&
!" !"# !" !"
! ! !
%
(a) (b) (c)
2 2 2 2
|Hz | |E| |Hz | |E|
!"# !"# !"# !"#
* ) ) )
$%( $%(
$%' $%'
$%& $%&
$ $
$ $
!"# !"#
!"# $ !"# !"# $ !"#
2 2
Figura 3.3: Algunas distribuciones de |Hz | y |E| en la celda unitaria de un cristal fotónico formado
por barras cuadradas de metamaterial en aire, para las cuales bx = by = 0.25a y ωp a/2πc = 1.0. Las
intensidades de las distribuciones están en unidades arbitrarias.
frecuencias por encima del valor de ωp no solo la formación de bandas planas sino también de
nuevas bandas dispersivas.
En la Fig. 3.3, se presentan algunas distribuciones de |Hz |2 y |E|2 en la celda unitaria para
ωp a/2πc = 1.0, las frecuencias consideradas se corresponden con las marcas (a-e) en la Fig.
3.2(c). Se observa que para bajas frecuencias y en una banda dispersiva la Fig. 3.3(a) presenta
a |Hz |2 y |E|2 distribuidos principalmente fuera de las barras, debido principalmente al gran
valor negativo de m , se observa además que |E|2 presenta una alta intensidad en las esquinas
de las barras, lo cual debe estar relacionado con las oscilaciones del plasma en el metamaterial.
Por otra parte las Figs. 3.3(b) y 3.3(c), muestran la distribución de campo para frecuencias por
debajo y por encima de la frecuencia del plasmón superficial, en bandas con poca dispersión,
mostrando una fuerte localización en las superficies de las barras, como una firma caracterı́stica
de la existencia de modos de plasmón superficial localizados, se ha de señalar que la frecuencia
de plasmón superficial es la frecuencia a la cual un modo de superficie localizado es formado en
la frontera de separación entre medios semi-infinitos de un material con respuesta metalica y
dieléctrico [30]. Para frecuencias por debajo y por encima de ωp , las Figs. 3.3(d) y 3.3(e) muestran
una distribución similar para el campo |Hz |2 , tomando valores altos de intensidad en el espacio
ı́nter-barras y en las esquinas de las barras, en contraste con la distribución para |E|2 la cual por
debajo de ωp muestra que este campo es forzado a ingresar en la región del metamaterial, debido
al bajo valor absoluto del ı́ndice de refracción para el metamaterial, mientras que por encima
de ωp el campo eléctrico está distribuido principalmente al interior de las barras, pero también
con altos valores de intensidad en las regiones de aire. En este caso, los materiales que forman
el cristal fotónico, tienen un ı́ndice de refracción positivo, no obstante el metamaterial tiene el
ı́ndice de refracción menor, lo cual hace que el campo presente altas intensidades principalmente
al interior de las barras.
"#$%&'()( *"#$%&'
! "#$%&'()( *"#$+#'
!
"#$%&'()( *"+$##'
!
&!" &!" &!"
"
&! &! &!
#
!% !% !%
!" #
!" #
!" #
!$ !$ !$
!# !# !#
!" !
!" !"
! ! !
$
(a) (b) (c)
mostrando un re-ordenamiento de las bandas planas hacia frecuencias mayores y menores. Este
cambio está relacionado exclusivamente con la geometrı́a de las barras, lo cual a su vez está rela-
cionado con el factor de llenado (mayor cantidad de metal en la celda unitaria). Es de esperarse
que las bandas planas estén relacionadas con la existencia de modos resonantes superficiales
localizados en las barras de metamaterial. De la misma forma se observa la modificación de la
primera banda dispersiva a bajas frecuencias que con el incremento de by desaparece en el caso
lı́mite 1D, donde by = 1a. Es este caso la primera brecha fotónica se puede relacionar con un
valor de frecuencia de plasma efectiva para la celda unitaria, la cual escuda la propagación de
la radiación electromagnética en esta estructura.
En el caso mostrado en 3.4(a), las bandas con poca dispersión alrededor de la frecuencia del
plasmón superficial están relacionadas con una fuerte localización de la radiación en los lados
de las barras, comportamiento que ya fue discutido en la Fig. 3.3.
La Fig. 3.5 muestra algunas distribuciones de |Hz |2 y |E|2 en la celda unitaria para las frecuencias
señaladas en la Fig. 3.4(b) para el caso con bx = 0.25a y by = 0.80a. Se observa que para bajas
frecuencias, Fig. 3.5(a), |Hz |2 - |E|2 están principalmente distribuidos en la región de aire,
debido al alto valor negativo de m . En el caso de la distribución para |E|2 , se observa una alta
localización en la región de aire en los extremos de las barras orientada en la dirección y.
Para una banda con poca dispersión, Fig. 3.5(b), las distribuciones para |Hz |2 - |E|2 muestran
una alta localización sobre los lados más largos de las barras, lo cual sugiere la existencia de
modos superficiales, con una alta intensidad de |E|2 en las esquinas de la barras, este compor-
56 3.4. Resultados
2 2 2 2
|Hz | |E| |Hz | |E|
"#$ "#$ "#$ "#$
" % % %
!% !$ !$ !$
!$ !# !# !#
! !# ! !" ! !" ! !"
! "
!
!# !
!" !
!# !
!"
! " !"
2 2
Figura 3.5: Algunas distribuciones de |Hz | y |E| en la celda unitaria de un cristal fotónico formado por
barras rectangulares de metamaterial en aire, para las cuales bx = 0.25a, by = 0.80a y ωp a/2πc = 1.0.
Las intensidades de las distribuciones están en unidades arbitrarias.
tamiento también fue observado y discutido para los resultados mostrados en Fig. 3.3. Para una
frecuencia por debajo de ωp , la Fig. 3.5(c), muestra para |E|2 una distribución que ocurre prin-
cipalmente al interior de las barras de metamaterial. Tal como ya fue discutido en Fig. 3.3(d),
en este caso la localización es debida al bajo valor negativo de la función dieléctrica para el
metamaterial en comparación con la constante dieléctrica del aire, lo cual fuerza al campo a
ingresar en la región de las barras. Mientras que para una frecuencia por encima del valor de ωp ,
en la Fig. 3.5(d) se observa que |E|2 está localizado tanto al interior como al exterior de las ba-
rras de metamaterial, alcanzando altos valores de intensidad cerca de sus esquinas. Un resultado
similar fue mostrado y discutido para la Fig. 3.3(e) en el caso de una geometrı́a cuadrada. En
cuanto a la distribución de |Hz |2 , para las dos frecuencias cercanas a ωp no se observan mayores
diferencias.
Es importante mencionar que la alta localización debajo para frecuencias por debajo de ωp se
refuerzan gracias a la proximidad de las barras rectangulares en la dirección y, lo cual a su vez
está relacionado con una longitud de onda más corta para el plasmón.
Abs(kIa/p) Abs(kIa/p)
g=0.001wp g=0.010wp
0.0 0.5 1.0 0.0 0.5 1.0
1.0 1.0
(a) (b)
0.8 0.8
0.6 0.6
wa/2pc
wa/2pc
0.4 0.4
0.2 0.2
0.0 0.0
0.0 0.5 1.0 0.0 0.5 1.0
kra/p kra/p
componentes imaginarias para el vector de onda, por lo cual se hará referencia a una seudo-
estructura de bandas, en donde además de la componente real del vector de onda, la cual está
relacionada con el comportamiento oscilante de la radiación al interior del cristal, se presenta
la componente imaginaria del vector de onda la cual estará relacionada con un decaimiento de
los campos al interior del sistema, por lo que los resultados hallados solo podrán ser aplicados a
estructuras finitas.
En el trabajo de Soto-Puebla et al. [20], en donde se propone un cristal fotónico 1D formado por
capas de metal en aire, siendo la frecuencia de plasma del metal ωp = 10eV (≈ 15 × 1015 s−1 ). El
cristal fotónico tiene un parámetro de red d = 100nm y un factor de ocupación para las capas
metálicas de a/d = 0.1 donde a es el ancho de la capa metálica, se muestra que el aumento del
coeficiente de absorción deforma la estructura de bandas del cristal fotónico lo que solo puede
interpretarse con el valor no nulo de su componente imaginaria, la cual está relacionada con la
penetración de la radiación en un sistema finito. En esta descripción las dos componentes del
vector de onda definen lo que se conoce como una seudo-estructura de bandas, la cual puede
ser usada para pronosticar como será el comportamiento de la radiación al atravesar un sistema
finito donde hay absorción, siendo expresada la longitud de penetración de la radiación en el
sistema por medio de la componente imaginaria del vector de onda. Es ası́ como a través de la
descripción de la seudo-estructura de bandas la información que se obtiene de un cristal fotónico
puede ser extendida a estructuras finitas.
Para demostrar la utilidad del método de ondas planas revisado en el caso de sistemas con
absorción, en la Fig. 3.6 se presenta la seudo-estructura de bandas fotónica para la polarización
58 3.4. Resultados
Abs(kIa/p) Abs(kIa/p)
g=0.001wp g=0.010wp
0.0 0.5 1.0 0.0 0.5 1.0
1.0 1.0
(a) (b)
0.8 0.8
0.6 0.6
wa/2pc
wa/2pc
0.4 0.4
0.2 0.2
0.0 0.0
G X G X
3.5. Conclusiones
En este trabajo, se utilizó el método de ondas planas revisado para calcular la estructura de ban-
das fotónica en la dirección Γ - X para un cristal fotónico 2D formado por barras rectangulares
de metamaterial tipo Drude en aire, para la polarización TE. En el caso de barras cuadradas de
metamaterial sin absorción, se encontró que la estructura de bandas para el cristal fotónico se
modifica con la variación de la frecuencia de plasma del metamaterial . También, la estructura de
bandas presenta bandas con poca dispersión por debajo de ωp , distribuidas alrededor del valor
de la frecuencia del plasmón superficial. Para bajas frecuencias las distribuciones de |Hz |2 y |E|2
en la celda unitaria muestra que la radiación es localizada principalmente en la región de aire,
debido al alto valor negativo de m . También se muestra una alta intensidad de |E|2 localizada
principalmente en las esquinas de las barras, la cual debe estar asociada a las oscilaciones del
plasma en el metamaterial con el campo eléctrico. Para las frecuencias cercanas a la frecuencia
del plasmón superficial se observó una alta localización de los campos en las superficies de las
barras. Para las frecuencias entre el plasmón superficial y la frecuencia de plasma, la disminu-
ción en el |m | está relacionado con el aumento de la localización para |E|2 en el interior de las
barras, aun para frecuencias cercanas a ωp . En contraste para frecuencia por encima de ωp , la
distribución de |E|2 se observa al interior y exterior de las barras con altas intensidades en las
esquinas de las barras.
Para el caso de barras rectangulares, se encontró la reorganización en la estructura de las bandas
de las bandas con poca dispersión con la variación del la longitud de uno de los lados de las
barras de metamaterial. Nuestros resultados mostraron una alta concentración del campo |E|2
en las esquinas de las barras, para todas las frecuencias estudiadas. Por otro lado las distribu-
ciones de |Hz |2 mostraron la formación de modos superficiales localizados para las frecuencias
60 3.5. Conclusiones
estudiadas en las bandas con poca dispersión, comportamiento que también fue observado para
las distribuciones de |E|2 . Para las frecuencias cercanas a la frecuencia de plasma, se encontró
que la distribución de |E|2 ocurre principalmente en la región interior de las barras metálicas,
tal como en el caso de barras cuadradas.
Al considerar absorción se encontró una modificación significativa de la estructura de bandas,
debido a la existencia de la componente imaginaria del vector de onda la cual está relacionada
con la longitud de penetración de la radiación para un sistema finito, mostrando además la
desaparición de los modos altamente localizados con el aumento de la absorción. Ası́ mismo, se
mostró que la longitud de penetración varı́a dependiendo de la frecuencia considerada lo cual se
observa en la seudo-estructura de bandas como máximos y mı́nimos locales para los valores de
la componente imaginaria del vector de onda. Esto demuestra la utilidad del método de ondas
planas revisada en un régimen no explorado anteriormente, en donde la información de la seudo-
estructura de bandas puede ser usada para el estudio de la propagación de la luz en estructuras
finitas formadas con materiales dispersivos con absorción.
Capı́tulo 4
Conclusiones finales
En el caso de disposiciones materiales tipo graded, se estudiaron estructuras formadas con una
disposición gradual de los anchos de bi-capas de metal y aire siguiendo una sucesión aritmética,
descrita en términos de un parámetro de gradado, en donde la cantidad de material permanece
constante. Se encontró que la transmisión de la radiacion electromagnética en estos sistemas
depende del valor del parámetro de gradado, mostrando una redistribución del campo eléctrico
al interior del sistema, lo cual permite tener bandas de transmisión en regiones de frecuencia en
la cual usualmente sistemas periódicos con igual cantidad de material presentan bajas transmi-
siones. Estos resultados pueden ser implementados en cristales fotónicos basados en los sistemas
propuestos tipo graded, gracias a que las múltiples subestructuras que los forman permitirán
tener una respuesta óptica más variada que los cristales fotónicos usuales formados por un solo
tipo de subestructura.
Ası́ mismo, pudimos hallar que sistemas formados con metateriales con una respuesta eléctrica
anisotrópica uniaxial tipo Drude y capas de grafeno, cambian su respuesta óptica para la polari-
zación TM, gracias a la variación de las propiedades ópticas de las capas de grafeno con agentes
externos, lo cual se puede observar como en la formación de una banda estrecha de transmi-
sión o de reflexión alrededor de la frecuencia de plasma del metamaterial cuando el potencial
quı́mico del grafeno se modifica. Este tipo de respuesta puede emplearse en la fabricación de
dispositivos ópticos como sensores ası́ como polarizadores, pues los diferentes parámetros de los
materiales considerados, permiten tener rangos de frecuencia de trabajo bien diferenciados para
las polarizaciones TE o TM.
Por último, en cristales fotónicos 2D formados por barras rectangulares de metamaterial inmer-
sas en aire, hallamos la formación de modos altamente localizados de campo eléctrico en las
superficies de las barras, los cuales dependen de su geometrı́a transversal. Estos modos pueden
ser desplazados hacia diferentes valores de frecuencia, gracias a la dependencia de la estructura
de bandas fotónica con la geometrı́a. Por otro lado, encontramos que el método de ondas planas
revisado puede ser extendido al calculo de la seudo-estructura de bandas fotonica de cristales
formados por materiales que presentan absorción, la cual impide la formación de los modos alta-
mente localizados la estructura. Los resultados hallados pueden ser implementados en sistemas
quı́micos en donde la intensidad del campo eléctrico sea un principio catalizador de la reacción.
61
Capı́tulo 5
Perspectivas
Los métodos numéricos y sistemas estudiados en el presente trabajo, permiten explorar sistemas
1D y 2D formados por distribuciones tipo graded de los materiales, en donde la geometrı́a juega
un papel importante, al igual que la acción de agentes externos que modifiquen de manera
dinámica las propiedades de los materiales que constituyen los diferentes sistemas ópticos a
estudiar. Es de resaltar la versatilidad del método de ondas planas revisado, el cual mostramos
en este trabajo que puede ser extendido al cálculo de las seudo-estructura de bandas fotónica, la
cual permite investigar cual será el comportamiento de la radiación electromagnética cuando se
incluyen materiales con absorción en sistemas finitos 2D. Esto permitirá extender los resultados
de este trabajo a sistemas más complejos en donde se busque optimizar respuestas ópticas, bien
sea fijando rangos de frecuencias donde la transmisión sea máxima o sistemas donde la radiación
electromagnética este muy localizada, lo que podrı́a ser aplicado en celdas solares o dispositivos
opto-electrónicos. Ası́ mismo, la posibilidad de estudiar sistemas fotónicos con inclusiones de
grafeno y capas de superconductor ofrecen una perspectiva llamativa, debido a que se puede
incluir junto con la modificación del potencial quı́mico del grafeno, la variación del parámetro de
la temperatura del superconductor, lo que enriquecerı́a significativamente la estructura fotónica
de sistemas en donde estos dos tipos de materiales estén incluidos. Ası́ mismo, las disposiciones
tipo graded de dieléctricos que han demostrado su gran utilidad en el campo de la electrónica,
como el Alx Ga1−x As en donde el parámetro de gradado sea la concentración de Al, permitirı́an
crear dispositivos con propiedades ópticas dependientes de la temperatura y el nivel de dopaje
del semiconductor.
62
Trabajos publicados
Capitulo 1
Optical properties of one dimensional metal-air graded system. D. M. Calvo-Velasco y
Nelson Porras-Montenegro.
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 105, (2019), 224–230.
DOI 10.1016/[Link].2018.09.013
Capitulo 2
Tunable optical response at the plasmon-polariton frequency in dielectric-graphene-metamaterial
systems. D. M. Calvo-Velasco y Nelson Porras-Montenegro.
Superlattices and Microstructures 116, (2018), 244-252.
DOI 10.1016/[Link].2018.02.029
Capitulo 3
High plasmon concentration on the surfaces of rectangular metallic rods embedded in air
in a 2D photonic crystal. D. M. Calvo-Velasco y Nelson Porras-Montenegro.
Appl. Phys. A, (2016), 122:431.
DOI 10.1007/s00339-016-9867-3
63
Participación en eventos de
divulgación
64
Agradecimiento a las instituciones
65
Apéndice A
1
2
N a
y
z x
Figura A.1: Representación en la celda unitaria de una red cuadrada de múltiples capas rectangulares de
materiales con diferentes propiedades ópticas. El material en la capa i tiene una constante dieléctrica i
y una permitividad magnética µi . Además ax,i y ay,i son las longitudes exteriores en la dirección x y en
la dirección y respectivamente de la capa i y el parámetro de red es a.
66
A. Reglas de Li y los cristales fotónicos 2D 67
∞
X
hn = fn−m gm . (A.1)
m=−∞
donde fn y gn son los coeficientes de las expansiones de Fourier de las funciones f (x) y g(x)
respectivamente. Este resultado es conocido como la regla de Laurent, la cual es correcta cuando
la suma se extiende a infinito. Li muestra que esta regla de formación no es necesariamente
correcta cuando la suma es truncada a un número finito de términos, es decir el problema real
al calcular computacionalmente, siendo necesario el uso de las siguientes reglas para la correcta
formación de la función producto:
(i) Dada h(x) = f (x)g(x) y alguna de las funciones f (x) o g(x) es continua en un punto x = x0 ,
la otra función puede ser discontinua en este punto. Entonces la regla de Laurent se puede usar
y en este caso podemos escribir
donde [g] denota un vector construido a partir de los primeros N términos de la expansión de
Fourier de g(x) y [[f ]] denota a la matriz de orden N cuyo elemento (n, m) es fn−m .
(ii) Dada h(x) = f (x)g(x) y siendo las funciones f (x) y g(x) discontinuas en un punto x = x0 ,
pero el producto h(x) es continuo en este punto, entonces la regla inversa debe aplicarse. Esto
es,
−1
1
[h] = [g] . (A.3)
f
hh ii
1
aqui los elementos de f son construidos usando los coeficientes de la función inversa de f (x).
(iii) Dada h(x) = f (x)g(x) y las funciones f (x) y g(x) son discontinuas en un punto x = x0 y
también la función h(x) es discontinua en este punto, entonces el producto no puede ser formado.
Con el ánimo de aplicar estas reglas al caso de un cristal fotónico 2D, es decir una situación
en la cual existe una superficie donde el producto de dos funciones debe ser formado, Lalanne
en su trabajo [111], propone una forma de construir el producto de la permitividad y el campo
eléctrico que satisface las reglas de Li, cuando las superficie de los materiales que forman nuestro
sistema son planas.
En nuestro caso aplicaremos estos resultados al sistema mostrado en la Fig. A.1, que es un sistema
de multiples capas concentricas de materiales con diferentes permitividades y permeabilidades.
En el caso de la polarización TE, es posible observar que la componente Ex es continua a lo
largo de la dirección x, mientras que Ex es continua a lo largo de la dirección y, por esta razón
la regla inversa debe aplicarse a lo largo de la dirección x, mientras que la regla de Laurent debe
aplicarse a lo largo de la dirección y para la construcción de la matriz que representa a en el
68
Z ay /2
1 −1 0
[[xx ]]mn,m0 n0 = Ax m,m0 e−i(n−n )gy y dy, (A.4)
ay −ay /2
Z ax /2
1 1 −i(m−m0 )gx x
[[Ax ]]m,m0 = e dx, (A.5)
ax −ax /2
Z ax /2
1 −1 0
[[yy ]]mn,m0 n0 = Ay n,n0 e−i(m−m )gx x dx, (A.6)
ax −ax /2
Z ay /2
1 1 −i(n−n0 )gy y
[[Ay ]]n,n0 = e dy. (A.7)
ay −ay /2
N
X
(x, y) = 1 + (i − i−1 ) Si (x, y), (A.8)
i=2
donde Si es una función que es 1 en la región del sistema que contiene al material i y 0 fuera
de esta región. Es posible mostrar que la matriz [[xx ]] tiene la forma
hh
N
ii hh ii hh ii
−1 1
A−1 A−1 , n = n0
P
A ay,j −
1,x + ay,1 j,x j−1,x
m,m0 m,m0 m,m0
j=2
[[xx ]]mn,m0 n0 =
N
hh
sen((n−n0 )gy ay,j /2)
ii hh ii
−1 −1
1
, n 6= n0
P
Aj,x − Aj−1,x ay,j ((n−n0 )gy ay,j /2)
ay,1
m,m0 m,m0
j=2
(A.9)
donde
A. Reglas de Li y los cristales fotónicos 2D 69
1
1 , m = m0
[[A1,x ]]m,m0 = (A.10)
0 , m 6= m0
ax,j
[[Aj−1,x ]]m,m0 + ax,1
1
j − 1
j−1 , m = m0
[[Aj,x ]]m,m0 = (A.11)
sen((m−m0 )gx ax,j /2)
ax,j 1
− 1
, m 6= m0 ,
[[A
j−1,x ]]m,m0 + ax,1 j j−1 (m−m0 )gx ax,j /2
para todo j = 2, .., n. Una expresion similar es obtenida para [[yy ]].
Las expresiones calculadas para las matrices [[xx ]] y [[yy ]] se emplearán en el problema de
autovalores asociado al método de ondas planas revisado, para el cálculo de la estructura de
bandas de nuestro cristal fotónico.
Por otra parte en el caso de la matriz asociada a la permeabilidad magnética, para la polarización
TE la componente de campo Hz y la función µ son continuas en el plano x − y, por lo cual
podemos usar la regla de Laurent para su producto. De esta forma podemos escribir para la
función µ
X ~
µ (~r) = µG~ eiG·~r , (A.12)
~
G
de donde Z
1 ~
µG~ = µ (~r) e−iG·~r d2 r. (A.13)
Ac Ac
N
X
µ (~r) = µ1 + (µj − µj−1 ) Sj (~r) , (A.14)
j=2
N
~ ,
X
µG~ = µ1 δG,0
~ + (µj − µj−1 ) fj Fj G (A.15)
j=2
siendo
~ = lı́m sin (hx aj /2) sin (hy bj /2) ,
Fj G (A.16)
~h→G ~ (hx aj /2) (hy bj /2)
70
y
aj bj
fj = , (A.17)
Ac
y por lo tanto los elementos de matriz estarán dados por
[[µzz ]]G,
~ G~ 0 = µG−
~ G~0 . (A.18)
En el caso de la polarizacion TM las consideraciones son similares, con los respectivos cambios
de → µ y viceversa.
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