Escuela Técnica 4-104 “Ingeniero Carlos Fader”

APUNTE TEÓRICO DE
ELECTRÓNICA

Curso: 4° ELECTROMECÁNICA
Profesora: Romina Méndez Román
Alumno:

Electrónica – 4° Año Electromecánica Profesora Romina Méndez Página 1

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ÍNDICE
pág

- Tema 1: DIODOS 3

- Tema 2: REGULADORES DE TENSIÓN INTEGRADOS 15

- Tema 3: TRANSISTOR 24

- Tema 4: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 32

- Tema 5: TIRISTORES 36

- Tema 6: MULTIVIBRADORES 44

- Tema 7: AMPLIFICADOR OPERACIONAL 49

- ANEXOS 57

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TEMA N°1: DIODOS

Materiales semiconductores
Estructura del átomo

El átomo está compuesto por un núcleo que contiene subpartículas: protones

(carga positiva) y neutrones (sin carga). En su periferia, orbitando alrededor del
núcleo se encuentran los electrones con mucha menor masa que las partículas
del núcleo (unas 2000 veces menor). Estos electrones pueden ser de dos tipos:

Electrones ligados al núcleo: orbitan capas interiores del átomo, cerca de

este y muy difícilmente pueden escapar del mismo.

Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del átomo, en niveles

superiores de energía y pueden escapar en determinadas condiciones del átomo.
Del mismo modo, el átomo acepta en tales niveles electrones externos. Los
electrones de valencia de cada material determinan las propiedades químicas y
eléctricas; así tenemos:

1. Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura cristalina,

esto es, los núcleos de los átomos que componen un metal están
perfectamente ordenados y los electrones de valencia de los mismos están
tan débilmente atados a sus respectivos átomos.

2. Material aislante: Los electrones de valencia están ligados fuertemente a

sus respectivos núcleos atómicos. Los electrones de uno de sus átomos no
son compartidos con otros átomos.

3. Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como

aislantes a bajas temperaturas pero a temperaturas más altas se comportan
como conductores. La razón de esto es que los electrones de valencia
están ligeramente ligados a sus respectivos núcleos atómicos, pero no lo
suficiente, pues al añadir energía elevando la temperatura son capaces de
abandonar el átomo para circular por la red atómica del material. En cuanto
un electrón abandona un átomo, en su lugar deja un hueco que puede ser
ocupado por otro electrón que estaba circulando por la red. Los materiales
semiconductores más conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge).

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Semiconductores extrínsecos

Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en

mínimas proporciones (una partícula entre un millón). A este proceso de
contaminación se le denomina dopaje.

Según el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:

• Tipo N: En este caso se contamina el

material con átomos de valencia 5, como son
Fósforo (P), Arsénico (As) o Antimonio (Sb).
Al introducirlos, fuerzo al quinto electrón de
este átomo a vagar por el material
semiconductor, pues no encuentra un lugar
estable en el que situarse. Al conjunto de
estos electrones se les llama electrones
mayoritarios.
Al material tipo N se le denomina también donador de electrones.

• Tipo P: En este caso se contamina el

material semiconductor con átomos de
valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o
Indio (In). Si se introduce este átomo en el
material, queda un hueco donde debería ir un
electrón. Este hueco se mueve fácilmente por
la estructura como si fuese un portador de
carga positiva. En este caso, los huecos son
portadores mayoritarios.
Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o aceptador de
electrones).

DIODO

El diodo es un componente electrónico

que consiste simplemente en la unión de dos
cristales semiconductores extrínsecos, uno
tipo N y otro tipo P.
Al unirlos, parte del exceso de electrones
del tipo N pasa al cristal tipo P, y parte de los
huecos del tipo P pasan al cristal tipo N.

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Creándose en la unión una franja llamada

zona de transición que tiene un campo eléctrico
que se comporta como una barrera que se opone
al paso de más electrones desde la zona N hacia
la zona P y de huecos desde la zona P a la zona
N.

¿Qué pasaría si se conecta un diodo a una pila?

Pueden ocurren dos casos:

- Polarización directa: En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el

polo negativo al cristal N. Esto hace que la zona de transición se haga mucho más
estrecha, rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. En
este caso, el diodo conduce.

- Polarización inversa: En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el

polo negativo al cristal P. Esto hace que la zona de transición se haga mucho más
ancha, reforzando la barrera que impide el paso de la corriente. En este caso el
diodo no conduce.

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Símbolo

El contacto que se corresponde con el cristal

semiconductor tipo P se llama ánodo (terminal
positivo) y se simboliza con un pequeño triángulo y
el cristal semiconductor tipo N se llama cátodo
(terminal negativo) y se simboliza con una pequeña
línea vertical. Los diodos vienen forrados de una
cápsula de plástico (normalmente negra) y un anillo
de color blanco que indica el cátodo.

Curvas característica
La curva característica del diodo, la da el fabricante, y depende de la elaboración
del componente (Silicio o Germanio).

Tensión umbral (Vγ): Tensión necesaria para

activar el diodo (cerrar el interruptor). Este valor
es 0,7V para el silicio y 0,2V para el germanio
(según sea con cuál de los dos este hecho el
diodo)
Corriente máxima de polarización directa
(Imax): Es la intensidad de corriente máxima que
puede conducir el diodo sin dañarse por efecto
Joule (calor). Dado que es función de la cantidad
de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseño del mismo.
Corriente inversa de saturación (Is ): Es la
pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la temperatura.
Tensión de ruptura o tensión pico inversa (Vr ): Es la tensión inversa
máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha y generar
una reacción en cadena no controlada, la cual producirá una gran corriente sobre
el diodo originando una gran cantidad de calor que el mismo no podrá disipar y por
lo tanto puede destruirse.

Aplicaciones del diodo

Las aplicaciones del diodo son múltiples. Sin embargo, la aplicación más
conocida e importante es la que lo emplea como rectificador. Un rectificador es un
sistema capaz de convertir una señal de entrada alterna senoidal en otra que

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tenga el mismo sentido, paso previo para convertir corriente alterna en continua.
Antes de rectificar la corriente, se emplea un transformador que reduce el valor de
la tensión.

- Rectificador de media onda:

Es un rectificador que consta

de un solo diodo, el cual sólo
deja pasar media onda de la
señal alterna. Así, se elimina la
parte negativa de la onda
alterna.
Esto se debe a que el diodo
sólo permite el paso de la
corriente si está polarizado
directamente. Esto es, si la
corriente sigue el sentido del
ánodo (+) al cátodo (-).
Inconveniente: Se pierde la mitad de la potencia del generador.

- Rectificador de onda completa:

Un Rectificador de onda completa es

un circuito empleado para convertir una
señal de corriente alterna de entrada (Vi)
en corriente continua de salida (Vo)
pulsante. A diferencia del rectificador de
media onda, en este caso, la parte
negativa de la señal se convierte en
positiva o bien la parte positiva de la
señal se convertirá en negativa, según se
necesite una señal positiva o negativa de
corriente continua.
Hay varios rectificadores de onda
completa, pero el más conocido es el
puente rectificador o puente de Graetz.

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- Rectificador de onda completa con transformador de punto medio:

Este rectificador de onda completa

tiene sólo dos diodos y que requiere
un transformador con derivación
central (o con punto medio) para
establecer la señal de entrada a través
de cada sección del secundario del
transformador.

Durante la parte positiva de vi aplicada al primario del transformador, el

diodo D1 asume el
equivalente de cortocircuito y
el D2 el equivalente de
circuito abierto, como lo
determinan los voltajes
secundarios y las direcciones
de la corriente resultantes.

Durante la parte negativa de la entrada los roles de los diodos se invierten

pero mantienen la misma polaridad del voltaje a través de la resistencia de
carga R. El efecto neto es la misma salida con los mismos niveles de cd.

Un diodo especial: “Diodo Zener”

El diodo Zener es un diodo de cromo que se ha construido

para que funcione en las zonas de rupturas.
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente eléctrica del
ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características
de un diodo rectificador básico, pero si se le suministra
corriente eléctrica de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara
pasar un voltaje constante. Es decir; el diodo Zener debe ser polarizado en inversa
para que adopte su característica de regulador de tensión.

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Su símbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los

lados.

Curva característica
Podemos distinguir:

1. Vz nom,Vz: Tensión nominal del

zener (tensión en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el zener). ´

2. Iz min: Mínima corriente inversa

que tiene que atravesar al diodo a partir de
la cual se garantiza el adecuado
funcionamiento en la zona de disrupción (Vz
min).

3. Iz max: Máxima corriente inversa

que puede atravesar el diodo a partir de la
cual el dispositivo se destruye (Vz max).

4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.

proximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

Circuito Regulador de Tensión con Diodo Zener

A- Vi y R fijas:

El voltaje de dc aplicado es fijo, así como la resistencia de carga. El análisis

puede hacerse fundamentalmente en dos pasos.

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1) Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la

red y calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante.

Donde:

Si V ≥ Vz, el diodo Zener está en estado "encendido". Si V< Vz, el diodo está en
"apagado"

2) Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las

incógnitas deseadas.

Dado que:

La corriente en el Zener es:

La potencia disipada por el diodo

es:

El primer paso se utilizó sólo para determinar el estado del diodo Zener. Si el
diodo Zener está en estado "encendido", el voltaje a través del diodo no es de V
volts. Cuando el sistema se enciende, el diodo Zener se encenderá tan pronto
como el voltaje a través de él sea de V, volts. Se "atará" en este nivel y nunca
alcanzará un nivel más alto de V volts.
Para los valores de voltaje aplicado mayores que el que se requiere para
encender el diodo Zener, el voltaje a través de la carga se mantendrá en V, volts.
Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia, ofrecerá un nivel para
compararlo en función de otros voltajes.

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Ejercicio N°1:

a) Para la red de diodo Zener de la figura, determinar VL, Vz, Iz y Pz.

b) Repetir el inciso a con RL = 3 KΩ.

B- Vi fijo, RL variable:

Debido al voltaje Vz, existe un rango de valores de resistencias (y por tanto, de

comente de carga) que asegurará que el dispositivo Zener está en estado
"encendido". Una resistencia de carga RL muy pequeña generará un voltaje V, a
través de la resistencia de carga menor que Vz y el dispositivo Zener estará en
estado "apagado". Para determinar la resistencia de carga mínima que encenderá
el diodo Zener, simplemente se calcula el valor de RL, y dará como resultado un
voltaje de carga VL = Vz.

Donde:

Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL asegurará que el diodo

Zener está en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado por su
fuente equivalente Vz.
La condición que establece el RL mínimo, pero a su vez especifica el IL, máximo
como:

Una vez que el diodo está en estado "encendido", el voltaje a través de R

permanece constante en:

IR permanece fija en:

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La corriente Zener:

Resultando un Iz, mínimo cuando IL, es un máximo, y un IZ máximo cuando IL,

es un valor mínimo debido a que IR es constante. Dado que Iz, está limitada a IZM,
afecta el rango de
RL, y por tanto de IL. Sustituyendo IZM por IZ establece el IL mínimo como:

y la resistencia de carga máxima como:

Ejercicio N°2:

a) Para la red de la figura determinar el rango de RL y de IL, que

resultará que VRL se mantenga en 10 V.
b) Determinar el valor de la disipación máxima en watts del diodo.

C- RL fija, Vi variable:

Para los valores fijos de RL, el voltaje Vi, debe ser lo suficientemente grande
para encender el diodo Zener. El voltaje de encendido mínimo V i = Vim está
determinado por:

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El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima IZM .

Debido a que IL está fijo en Vz/RL y que IZM es el valor máximo de IZ el máximo;
Vi se define por:

Ejercicio N°3:

Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la

figura en estado "encendido".

Ejercicios de Aplicación:

Ejercicio N°4:

a) Determinar VL. IL e IR para la red de la figura; si RL = 180 R.

b) Repita el inciso a si RL = 470 R.
C) Determine el valor de RL que establecerá las condiciones máximas de
potencia para el diodo Zener.
d) Determine el valor mínimo de RL para asegurar que el diodo Zener está en
estado "encendido".

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Ejercicio N°5:
a) Diseñe la red de la figura para mantener VL en 12 V para una variación en la
carga IL desde O hasta 200 mA. Esto es, determine Rs y VZ.
b) Determine PLM para el diodo Zener del inciso a.

Ejercicio N°6:

Para la red de la figura, determinar el rango de Vi que mantendrá VL en 8V y no

excederá el valor máximo de potencia del diodo Zener.

Ejercicio N° 7:

Diseñar un regulador de voltaje que mantendrá un voltaje de salida de 20 Va

través de una carga de 1KΩ con una entrada que tendrá una variación entre 30 y
50 V. Esto es: determine el valor adecuado de Rs y la comente máxima IZM.

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TEMA N°2: REGULADORES DE TENSIÓN INTEGRADOS

Introducción:

Existe una gran variedad de circuitos integrados líneas por regulación de

tensión con n° de pines que van de 3 a14. Algunos reguladores integrados se
utilizan en aplicaciones especiales en las que las resistencias externas establecen
la limitación de corriente, la tensión de salida, etc. Los reguladores integrados
usados mayoritariamente son los que tienen únicamente tres pines: uno para la
tensión de entrada sin regular, otro para la tensión de salida regulada y un tercero
de toma tierra.

Disponibles en encapsulados de plástico o de metal, los

reguladores de tres terminales han terminales han llegado a
ser extremadamente populares debido a que son baratos y
fáciles de usar. Aparte de dos condensadores de desacoplo
opcionales, los reguladores de tensión integrados de tres
terminales no necesitan de componentes externos.

La mayoría de los reguladores integrados tiene alguno de los siguientes tipos

de salida: positiva fija, negativa fija o ajustable. Los reguladores integrados con
salida positiva o negativa están ajustados de fábrica para obtener diferentes
tensiones fijas en un rango que va de los 5 a los 24 V. Los reguladores integrados
con salida variable pueden cambiar los valores de la tensión de salida desde
menos de 2V hasta más de 40V.

Los reguladores integrados estándar están diseñados para aplicaciones

sencillas y no críticas. Pueden soportar corrientes de más de 1A, con disipadores
de calor. Los reguladores integrados de baja potencia serán los adecuados
cuando las corrientes por la carga no superan los 100mA.

La serie LM78XX:

La serie LM78XX (donde XX= 05, 06, 10, 12, 15, 18 0 24) está compuesta por
reguladores de tensión típico de tres terminales. . Las dos primeras letras y dos
número corresponden a la denominación, mientras que los dos últimos XX deben
ser reemplazados por la tensión de salida requerida. Las tensiones disponibles de
observan en la siguiente tabla:

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Tensión de
Número
salida

LM7805 5 Voltios

LM7806 6 Voltios

LM7808 8 Voltios

LM7809 9 Voltios

LM7812 12 Voltios

LM7815 15 Voltios

LM7818 18 Voltios

LM7824 24 Voltios

LM7830 30 Voltios

Diagrama de bloques funcional

Una tensión de referencia Vref incluida en él alimenta la entrada no inversora del

amplificador. La regulación de tensión es parecida a la estudiada anteriormente.
Un divisor de tensión compuesto por R1 y R2 muestrean la tensión de salida y
devuelven una tensión de realimentación a la entrada inversora de un amplificador
de alta ganancia. La tensión de salida viene dada por:

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La tensión de referencia es equivalente a la tensión de zener de los ejemplos

anteriores. La R1 y la R2 son internas al circuito integrado. Estas resistencias
están reguladas de fábrica para conseguir las distintas tensiones de salida (de 5 a
24 V) de la serie 78XX. La tolerancia de la tensión de salida es de +/- 4%. Puede
soportar corrientes de carga de 1 A, siempre que cuente con el disipador de calor
adecuado

Incluyen también una protección térmica y limitación de corriente. La protección

térmica provoca la caída del funcionamiento del chip cuando la temperatura
interna se hace demasiado alta, del orden de los 175°C. Ésta es una precaución
para evitar la excesiva disipación de potencia, la cual depende de la temperatura
ambiente, tipo del disipador y otras variables. La existencia de la protección
térmica y de la limitación de corriente hacen de la serie 78XX unos dispositivos
casi indestructibles.

- Regulador Fijo:

El pin 1 es la entrada, el pin 2 la salida y el 3 la toma a tierra. El LM7805 tiene

una tensión de salida de +5V y una corriente por la carga máxima sobre 1 A. la
regulación de carga típica es de 10mV para una corriente por la carga de entre
5mA y 1,5 A. La regulación típica de la red es de 3 mV para una tensión de
entrada de entre 7 a 25V. Tiene un rechazo al rizado de 80 dB, lo que significa que
reducirá el rizado de entrada en un factor de 10.000. Con una resistencia de salida
de aproximadamente 0,01Ω, el LM7805 es una fuente de tensión muy estable para
todas las cargas en este rango de corriente.
Cuando un circuito integrado está conectado a unos cuantos centímetros del
filtro capacitivo de la fuente de alimentación no regulada, la inductancia de los
terminales de conexión puede producir oscilaciones dentro del integrado.

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Se utiliza un condensador de desacoplo C1 en el pin 1. Para mejorar la

respuesta transitoria de la tensión de salida regulada, se usa algunas veces un
condensador de desacoplo C2. Valores típicos van desde 0,1 a 1uF. La hoja de
datos sugiere C1= 0,22uF y C2= 0,1uF.
Cualquier dispositivo de la serie LM78XX necesita una tensión de dropout de 2
o 3V, dependiendo de la tensión de salida. Esto quiere decir que la tensión de
entrada debe ser al menos 2 o 3V mayor que la tensión de salida. De otra manera,
el circuito dejará de regular.

Para realizar una fuente de alimentación fija completa, observemos la figura

siguiente que constituye sólo una modificación de la anterior:

En este diseño partimos directamente de la tensión alterna de red (220v), para

lograr una tensión perfectamente estable. Primeramente, como es lógico, la
tensión es reducida mediante un transformador. Luego, esta tensión alterna de
bajo valor es rectificada por el puente D1, obteniéndose así una señal rectificada
de onda completa. Después la señal se filtra por medio de C1 consiguiéndose de
esta forma una tensión continua no estabilizada, que es inyectada al circuito
anterior para su regulación.

Características de las fuentes con reguladores integrados:

Vimos como se puede realizar de forma muy sencilla una fuente de tensión fija
regulada. Examinemos ahora las excelentes características que ésta posee a
pesar de lo simple de su diseño.
Comencemos por la regulación de línea, que es un parámetro que establece
cuánto varía la tensión de salida frente a variaciones en la tensión de entrada. Es
posible comprobar que para un cambio de 20 voltios a la entrada se produce una
variación de sólo 4 milésimas de voltio a la salida, con lo cual, podemos suponerla
inmune a los cambios de tensión de entrada.
Otro parámetro importante es la denominada regulación de carga, que indica
cuánto varía la tensión de salida cuando la corriente varía de un mínimo al
máximo. Nuevamente los resultados obtenidos son excelentes: para una variación

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de corriente de 1,5 amperes, la tensión de salida solamente se modifica en 10

milésimas de voltio.

También es vital el denominado rechazo al riple. Este valor indica cuántas veces
más chico es el valor de la tensión de rizado a la salida con respecto a la entrada.
Con el capacitor de salida se obtienen valores típicos de 75 dB. Esto implica que
la tensión de rizado a la salida es 5000 veces menor que a la entrada. Esta
característica posibilita la disminución de la capacidad de C1, con la reducción de
costo y tamaño que esto trae aparejado.

Finalmente la corriente que este tipo de dispositivo es capaz de entregar:

Para un LM7805 ésta adopta un valor de 2 amperios. Si, en cambio, se trata de

un LM7808 a un 7815 ésta es de 1,5A, mientras para reguladores de tensión
superiores la corriente es de 1,2A. Es importante aclarar que estos valores son
válidos cuando se utiliza un disipador adecuado y cuando la tensión de entrada no
es superior en más 15 voltios con respecto a la de salida. Es decir que V ent-
Vsal<15V. Igualmente veremos algunos métodos para obtener mayor corriente de
salida de estos dispositivos.
Otra característica importante de esta línea es la protección térmica y contra
corriente excesiva: cuando la corriente que atraviesa al integrado adquiere un
valor demasiado elevado o cuando su temperatura es excesiva, el integrado
disminuye la tensión de salida en forma automática a cero. Debido a estas últimas
características estos dispositivos son casi indestructibles.
En resumen, con unos pocos componentes es posible fabricar, mediante el uso
de reguladores de tensión, una fuente de tensión fija con una salida tipo de 1,5A,
cuya salida no varía en más de 15mV para cualquier condición. Este tipo de fuente
es más que suficiente para la mayoría de las aplicaciones electrónicas.

La serie LM79XX:

Hasta ahora hemos conocido los reguladores fijos cuya tensión de salida es
positiva con respecto a masa. Sin embargo, también existe la serie análoga a la
LM78XX, de similares características, cuyas tensiones de salida son negativas con
respecto a tierra. Dicha serie es la 79XX. Donde nuevamente las X son
reemplazadas por los valores anteriormente mencionados.
Las características de esta serie son similares a la anterior en lo que respecta a
regulación de carga, de línea, rechazo al rizado y corriente de salida. La única
diferencia, además claro está de ser reguladores de tensión negativa, en la
distribución de pines en el encapsulado.

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A través de la combinación de ambas series es perfectamente factible el diseño

de una fuente de tensión simétrica como la indicada en la figura:

De esta forma obtenemos una fuente simétrica con las características de la

anterior fuente simple. Es necesario aclarar que, aunque no es conveniente, las
tensiones de salida del regulador positivo y negativo no tienen por qué ser las
mismas. Sin embargo, es recomendable que no sean muy diferentes una de la
otra.

Reguladores de tensión variable

En ciertas ocasiones, sobre todo cuando realizamos alguna aplicación de

laboratorio, es necesario disponer de una fuente que posea una tensión de salida
regulable. Como no podía ser de otra forma existen distintas formas muy simples
de realizarlas con reguladores integrados.
La primera forma que veremos es a través de la utilización de la, a esta altura
conocida, serie LM78XX. Este diseño sirve tanto para generar una fuente
regulable, como para una fuente fija que provea un valor de tensión no
convencional. Por ejemplo, a través de este circuito es factible el desarrollo de una
fuente fija de 7,2V con todas las ventajas que los reguladores integrados ofrecen.
Un posible diseño es el siguiente:

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El principio de funcionamiento de esta configuración no resulta para nada

complicado. Entre sus terminales GND y OUT del regulador se desarrolla una
tensión de XX voltios. Esta tensión aparece sobre los bornes de R1
desarrollándose así una corriente I de XX/R1 amperios. Ahora bien, la tensión de
salida es I*(R1+R2), osea (XX/R1)*(R1+R2). Es decir que, la tensión de salida es
de XX*(R2/R1+1) voltios.
Si R2 es un potenciómetro, entonces disponemos de una fuente de tensión
regulable. Basta variar R2 para que la tensión de salida varíe a un valor deseado.
Una vez fijado este valor, se mantiene casi constante ya que sólo depende XX
(salida del regulador) que es casi constante. Si, por el contrario, R2 es un Preset o
una resistencia fija, La tensión de salida se mantendrá casi constante en el valor
prefijado creando así una fuente de tensión de un valor no estándar.
Un detalle importante a resaltar, que surge de la observación del término entre
paréntesis de la expresión de salida, es que la tensión de salida mínima es la
propia tensión nominal del regulador, cualquiera sea la relación R2/R1 escogida.
Es por este motivo, y teniendo en cuenta que la mínima tensión nominal de la
línea 78/79XX es de cinco voltios, que este diseño no es útil para el diseño de una
fuente de tensión versátil de laboratorio. Para ello recurriremos a otro tipo de
regulador integrado.

La serie LM317:

Para las aplicaciones en las que se requiere diseñar específicamente una fuente
regulable de amplio margen de salida, es altamente recomendable utilizar otro
regulador el LM317. En principio sus características son similares a cualquier
78XX, es decir un regulador positivo. Sin embargo, posee una diferencia
fundamental que lo hace ideal para fuentes regulables: su tensión de referencia (la
XX de la expresión anterior) es de sólo 1,25V, con lo ofrece la posibilidad de un
amplio rango de tensiones de salida.
Un diseño estimativo de una fuente de laboratorio, con las excelentes
características de regulación y rechazo de rizado ya comentadas, capaz de
proveer una tensión de salida entre 1,25V y 25V es el siguiente:

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Se observa que fueron agregados dos diodos y un capacitor con respecto al

último circuito. Tanto D2 como D3 evitan que se descargue el nuevo capacitor
incluido a través del integrado. A su vez dicho capacitor (C4 en este caso) mejora
el rechazo al rizado elevándolo hasta los 80dB.
Para obtener el rango de salida indicado en la figura R1 debe ser de 220 ohm,
R2 un potenciómetro de 5 kΩ y D1 y D2 cualquier diodo pequeño como, por
ejemplo, 1N4001.
En cuanto a la corriente de salida, es de 1,5 amperios si se utiliza un disipador
adecuado.

Ejercicios prácticos:

Ejercicio N°1:

Dado el siguiente circuito:

Si R1= 2KΩ y R2= 22KΩ. ¿cuánto vale tensión de salida? Si R2 aumenta a 46KΩ,
¿cuánto valdrá ahora la tensión de salida?

Resolución:

L a tensión de salida:

Cuando R2 aumenta a 46KΩ, la tensión de salida aumenta hasta:

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Ejercicio N°2:

Diseñe una fuente regulada cuya tensión de salida esta comprendida entre 8 y 16
V, mientras que la corriente máxima no ha de superar 1A.

Ejercicio N°3:

Determine los valores máximos y mínimos de la tensión de salida del siguiente

circuito. Especifique la tensión de entrada mínima necesaria.

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TEMA N°3: TRANSISTOR

Construcción del transistor:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor
pnp.

La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un
poco dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del
material tipo p o n emparedado. Las terminales se identificaron por medio de las
letras mayúsculas E para emisor, C para colector y B para base. La conveniencia
de esta notación se pondrá de manifiesto cuando analicemos la operación básica
del transistor. La abreviatura BJT (de bipolar junction transistor) se suele aplicar a
este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que
huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
opuestamente polarizado.

Operación del transistor:

A continuación se describe la operación básica del transistor utilizando el

transistor pnp. La operación del transistor npn es exactamente la misma con los
roles de los electrones y huecos intercambiados.
En la siguiente figura se observa un transistor pnp sin polarización entre la
base y el emisor.

El ancho de la región de empobrecimiento

se redujo a causa de la polarización aplicada
y el resultado fue un intenso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al
material tipo n.

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Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp .

El flujo de portadores mayoritarios es cero, y el

resultado es sólo un flujo de portadores
minoritarios.

Por consiguiente:

“La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se

polariza en directa.”

Si se aplican ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, con los

flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados; se observa
los anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cuál
unión es polarizada en directa y cual lo está polarizada en inversa.

Una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión

p–n polarizada en directa hacia el material tipo n. La pregunta es entonces si estos
portadores contribuirán directamente con la corriente de base IB o si pasarán
directamente al material tipo p. Como el material tipo n emparedado es muy
delgado y su conductividad es baja, un número muy pequeño de estos portadores
tomarán esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de
base es por lo general del orden de microamperes, en comparación con los
miliamperes de las corrientes del emisor y el colector. El mayor número de estos
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en inversa
hacia el material tipo n conectado al colector. La razón de la facilidad relativa con
que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión polarizada en inversa
es fácil de entender si consideramos que en el caso del diodo polarizado en
inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
minoritarios en el material tipo p. En otras palabras, ha habido una inyección de
portadores minoritarios en el material tipo n de la región de la base.
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Si se combina esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios de la

región de empobrecimiento atravesarán la unión polarizada en inversa de un diodo
explica el flujo.

Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor como si fuera un

nodo único obtenemos:

IE = IC + IB

La corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los

portadores mayoritarios y los minoritarios. El componente de corriente de
portadores minoritarios se llama corriente de fuga y se le da el símbolo ICO

IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios

Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperes e ICO en

microamperes o nanoamperes. ICO, como la Is para un diodo polarizado en
inversa, es sensible a la temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se
consideren aplicaciones de amplios intervalos de temperatura.

Configuración en Emisor Común:

La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra aparece

para los transistores pnp y npn se llama configuración en emisor común. El emisor
es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este
caso es común para las terminales base y colector).
Para describir el comportamiento de la configuración en emisor común se
necesita un circuito de entrada o de base-emisor y un circuito de salida o de
colector-emisor.

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Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección

convencional real. Aun cuando la configuración del transistor cambió, las
relaciones de corriente previamente desarrolladas siguen siendo válidas:
IE = I C + I B
Para la configuración en emisor común, las características de salida son una
gráfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un
intervalo de valores de la corriente de entrada (IB).

Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB)

contra el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida
(VCE).

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Beta (β):

Los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad llamada beta y

definida por la siguiente ecuación:
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
Donde IC e IB se determinan en un punto de operación particular en las
características. Para dispositivos prácticos el nivel de β por lo general varía de
aproximadamente 50 a más de 400, con la mayoría de los valores en el intervalo
medio.
En las hojas de especificaciones casi siempre se incluye β como hFE. El
nombre formal de β es “factor de amplificación de corriente en directa en
emisor común”.

Límites de operación:

Para cada transistor hay una región de operación en las características que
garantizará que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal
de salida exhiba distorsión mínima.

PCmáx = VCE . IC

Ejemplo de Polarización:

Polarización de Emisor

El análisis lo realizaremos examinando primero la malla base-emisor y luego

utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor.

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Malla base-emisor:

Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor

de la malla indicada en el sentido de las manecillas
del reloj obtenemos la siguiente ecuación:

+VCC - [Link] - VBE - [Link] = 0

Sustituyendo IE en la resulta:

VCC - [Link] - VBE – (β+ 1). IB. RE = 0

Agrupando los términos y resolviendo obtenemos IB:

𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑬

Malla colector-emisor:

Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de

la malla indicada en el sentido de las manecillas del
reloj obtenemos la siguiente ecuación:

+IERE + VCE + ICRC - VCC = 0

Sustituyendo 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 y agrupando los términos da:

VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0

Obtenemos: VCE = VCC – IC(RC + RE)

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Ejemplo de Aplicación:

Dado el siguiente circuito, calcular los valores de IC, IB y VCE.

Recta de carga:

Con los valores obtenidos en el ejercicio anterior podemos ubicar el punto de

trabajo del transistor:

La ecuación de la malla colector-emisor

que define la recta de carga es:

VCE = VCC – IC(RC + RE)

Al elegir IC= 0mA tenemos:

Al elegir VCE=0 V obtenemos:

El transistor como interruptor:

La forma más fácil de utilizar un transistor es como interruptor, significa que debe
operarse en el punto de saturación o de corte y no en alguna otra parte de la
trayectoria de la línea de carga.

Cuando un transistor se satura, actúa como un interruptor cerrado entre colector

y emisor. Cuando un transistor está en corte, actúa como un interruptor abierto.

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(Transistor en Saturación) (Transistor en Corte)

Punto de Corte y Saturación:

Cuando la corriente de base es cero (Ib = 0) se dice que el transistor esta el

punto de corte o en corte. En este punto, la corriente de de colector es
extremadamente pequeña (Ic ≈ 0). En el punto de corte, el diodo emisor ha salido
de polarización directa y la operación normal de transistor se ha perdido. Con una
buena aproximación, el voltaje colector-emisor (Vce) es igual a la tensión de la
fuente Vcc.

Cuando la corriente de colector alcanza un nivel máximo, y no continua

amplificando la corriente de base, se dice que el transistor esta en saturación. La
corriente de base que satura al transistor se denomina IB(saturación). La corriente
de colector de saturación se puede calcular así:

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TEMA N°4: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto campo es un dispositivo de tres terminales con una
terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. El término efecto de
campo explica que en el FET las cargas presentes establecen un campo eléctrico,
el cual controla la ruta de conducción del circuito de salida sin que requiera un
contacto directo entre las cantidades de control y las controladas.

Construcción:

La construcción básica del JFET (transistor de efecto campo de juntura) de

canal n la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el
canal entre las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n
está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como drenaje
(D), en tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante
un contacto óhmico a una terminal conocida
como fuente (S). Los dos materiales tipo p están
conectados entre sí y a la terminal de compuerta
(G). En esencia, por consiguiente, el drenaje y la
fuente están conectados a los extremos del canal
tipo n y la compuerta a las dos capas de material
tipo p. Sin potenciales aplicados, el JFET tiene
dos uniones p-n en condiciones sin polarización,
y por consiguiente es incapaz de conducir.

Analogía del mecanismo de control:

La fuente de la presión de agua puede ser vinculada al

voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece
un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La
“compuerta” gracias a una señal aplicada (potencial),
controla el flujo de agua (carga) dirigido hacia el “drenaje”.
Las terminales del drenaje y la fuente se encuentran en
los extremos opuestos del canal.

Conducción (VGS=0V, VDS positivo):

Si se aplica un voltaje positivo VDS a través del canal y la compuerta está

conectada directamente a la fuente (VGS=0V). El resultado son una compuerta y
una fuente al mismo potencial. En el instante en que se aplica VDD (VDS), los
electrones son atraídos hacia el drenaje y se establece la corriente convencional
ID. La trayectoria del flujo de carga revela claramente que las corrientes a través
del drenaje y la fuente son equivalentes (ID=IS).

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Es importante observar que la región de

empobrecimiento es más ancha cerca de la parte
superior de ambos materiales tipo p. La región
superior del material tipo p se polarizará en
inversa alrededor de 1.5 V, con la región inferior
polarizada en inversa con sólo 0.5 V. De acuerdo
al análisis de la operación de un diodo que cuanto
más grande es la polarización en inversa
aplicada, más ancha es la región de
empobrecimiento: de ahí la distribución de la
región de empobrecimiento. El hecho de que la
unión p-n se polarice en inversa a lo largo del canal produce una corriente de cero
amperes en la compuerta. El hecho es que IG=0A es una característica importante
del JFET. Conforme el voltaje VDS aumente de 0 V a algunos volts, la corriente
también lo hará de acuerdo con la ley de Ohm. Si VDS se incrementa a un nivel
donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocarán” se
originará una condición conocida como estrangulamiento. El nivel de VDS que
establece esta condición se conoce como voltaje de estrangulamiento y lo denota
Vp. En realidad, el término estrangulamiento es un nombre incorrecto en el sentido
de que sugiere que la corriente ID se reduce a 0A. Sin embargo, difícilmente se dé
este caso, pues ID mantiene un nivel de saturación definido como IDSS. La
notación IDSS se deriva del hecho de que es la
corriente del drenaje a la fuente con una conexión de
cortocircuito desde la compuerta hasta la fuente. En
realidad, sigue existiendo un canal muy pequeño, con
una corriente de muy alta densidad. El hecho de que
ID no se reduzca durante el estrangulamiento y de
que mantenga el nivel de saturación lo comprueba el
siguiente hecho: sin corriente de drenaje se eliminaría
la posibilidad de que los diferentes niveles de
potencial a través del material tipo p establezcan los
niveles variables de polarización en inversa a lo largo
de la unión p-n. El resultado, ante todo, sería la pérdida de la región de
empobrecimiento que provocó el estrangulamiento.

VGS

El voltaje de la compuerta a la fuente, denotado VGS, es el voltaje de control del

JFET. Para el dispositivo de canal n el voltaje de control VGS se vuelve más y más

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negativo a partir de su nivel VGS 0 V. En otras palabras, la compuerta se

establecerá a niveles de potencial cada vez más bajos al compararla con la fuente.

El efecto del VGS de polarización negativa es establecer regiones de

empobrecimiento similares a las obtenidas con VGS 0 V, pero a niveles más bajos
de VDS. Por consiguiente, el resultado de la
aplicación de polarización negativa a la compuerta
es alcanzar el nivel de saturación a un nivel más
bajo de VDS. El nivel de saturación resultante para
ID se redujo y de hecho continuará haciéndolo a
medida que VGS se haga más y más negativo.
Con el tiempo, VGS cuando VGS=-Vp sea lo
bastante negativo para establecer un nivel de
saturación que básicamente sea de 0 mA, y para
todo propósito práctico el dispositivo se haya
“apagado”.

El nivel de VGS que produce ID=0mA está definido por VGS= Vp, con Vp
convirtiéndose en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje
positivo para JFET de canal p.

Curva característica:

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Símbolo electrónico:

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TEMA N°5: TIRISTORES

Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos
estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa
de una estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales
el más empleado con mucha diferencia es el rectificador controlado de silicio
(SCR), por lo que suele aplicarse el nombre genérico de tiristor.

Cómo la terminología lo indica, el SCR es un rectificador controlado de silicio con

una tercera terminal para propósitos de control. La operación básica es diferente
de la del Diodo semiconductor ya que cuenta con una tercera terminal, llamada
compuerta, que determina cuando el rectificador cambia del estado abierto al de
cortocircuito. No basta con simplemente polarizar en directo la región del ánodo al
cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica en
general es de 0,01Ω a 0.1Ω, mientras que la resistencia inversa suele ser de
100KΩ o más.

Símbolo electrónico y estructura interna:

Para que se establezca la conducción directa el ánodo debe ser positivo con
respecto al cátodo. Éste, sin embargo, no es un criterio suficiente para encender el
dispositivo. También se debe aplicar un pulso de magnitud suficiente a la
compuerta para establecer una corriente de encendido en la compuerta,
simbolizada por IGT.

Además del disparo por medio de la compuerta, los SCR también pueden ser
encendidos elevando significativamente la temperatura del dispositivo o elevando
el voltaje del ánodo al cátodo al valor de ruptura.

Un SCR no se puede apagar simplemente con eliminar la señal en la compuerta

y sólo algunos especiales se pueden apagar aplicando un pulso negativo a la
compuerta. Los dos métodos generales para apagar un SCR se caracterizan como
interrupción de la corriente en el ánodo y conmutación forzada (corriente de
dirección opuesta a la de conducción).

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Curva característica:

Se observa que las características del SCR, son muy parecidas a las del Diodo
semiconductor de dos capas básico excepto por la rama horizontal antes de entrar
a la región de conducción. Esta región horizontal sobresaliente es la que permite a
la compuerta controlar la respuesta del SCR.

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Construcción cápsula del SCR

Aplicaciones del SCR

1- Interruptor estático en serie.

Si el interruptor esta cerrado, durante la parte positiva de la señal de

entrada fluirá una corriente de compuerta y el SCR se encenderá. El resistor
R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se
enciende, el voltaje del ánodo al cátodo (VF) se reducirá al valor de
conducción, y la corriente de compuerta se reduce en gran medida con una
pérdida mínima en el circuito de la compuerta. Para la región negativa de la
señal de entrada, el SCR se apagará puesto que el ánodo es negativo con
respecto al cátodo. Se incluye el diodo D1 para impedir una inversión en la
corriente de compuerta.

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El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga.

Si se desea una conducción de menos de 180°, el interruptor se puede
cerrar a cualquier desfasamiento durante la parte positiva de la señal de
entrada. El interruptor puede ser electrónico, electromagnético o mecánico,
dependiendo de la aplicación.

2- Control de fase de resistencia variable.

El circuito es capaz de establecer un ángulo de conducción de entre 90° y

180°; es similar al anterior excepto por la adición de una resistencia variable
y la eliminación del interruptor. La combinación de las resistencias R y R1
limita la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de
entrada. Si R1 se establece a su valor máximo, es posible que la corriente
de compuerta nunca alcance una magnitud de encendido. A medida que R1
se reduce a partir de su valor máximo, la corriente de compuerta se
incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma, se puede
establecer una corriente de compuerta de encendido requerida en cualquier
punto entre 0° y 90°.
Si el valor de R1 es bajo, el SCR se encenderá de inmediato, y el
resultado será conducción 180°; si R1 se incrementa, se requerirá un mayor
voltaje de entrada (+) para encender el SCR.
El control no se puede ampliar más allá del desfasamiento de 90° puesto
que la entrada alcanza su valor máximo en este punto.
El control de fase de resistencia variable de media onda es un método
efectivo de controlar la corriente rms y por consiguiente la potencia a la
carga.

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3- Control de temperatura.

El circuito esta diseñado para que el calefactor de 100W se encienda y

apague por medio de termostatos. Los termostatos de mercurio en cápsula
de vidrio son muy sensibles a los cambios de temperatura. En realidad,
pueden detectar cambios hasta 0.1°C. Sin embargo, su aplicación es imitada
ya que sólo pueden manejar corrientes inferiores a 1mA.
En esta aplicación el SCR sirve como amplificador de corriente de un
elemento de conmutación de carga, por ser un dispositivo cuyo más alto
nivel de corriente es controlado por el comportamiento del termostato.
Sobre el SCR existe un voltaje rectificado de onda completa. Cuando el
termostato se abre, el voltaje a través del capacitor se cargará a un potencial
de encendido de compuerta mediante cada pulso de la señal rectificada. El
producto de RC determina la constante de tiempo de carga y dispara el SCR
durante cada semiciclo de la señal de entrada, lo que permite un flujo de la
carga (corriente) hacia el calentador. A medida que se eleva la temperatura,
el termostato conductor pondrá en cortocircuito el capacitor y así elimina la
posibilidad de que el capacitor se cargue al potencial de encendido y active
el SCR. La resistencia de 510KΩ mantendrá entonces la corriente a un nivel
muy bajo (menos de 250µA) a través del termostato.

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4- Sistema de iluminación de emergencia.

El sistema de iluminación de emergencia de una sola fuente mantendrá la carga

de la batería de 6V garantizando su disponibilidad y que proporcione energía a un
foco cuando haya una baja de potencia. A través de la lámpara de 6V aparecerá
una señal rectificada de onda completa debido a los diodos D2 y D1. El capacitor
C1 se cargará a un voltaje a un voltaje un poco menor que la diferencia entre el
valor pico de la señal rectificada de onda completa y el voltaje de continua a través
de R2 establecido por la batería de 6V. En todo caso, el cátodo del SCR, está a un
nivel más alto que el ánodo y el voltaje de compuerta al ánodo es negativo, lo que
garantiza que el SCR no sea conductor. La batería se carga por medio de R1 y D1
a un ritmo determinado por R1. La carga sólo ocurrirá cuando el ánodo de D1 es
más positivo que su cátodo. El nivel de continua de una señal rectificada de onda
completa garantizará que el foco permanezca encendido cuando la potencia este
activa. Si la energía fallara, el capacitor C1 se descargará a través de D1, R1 y R3
hasta que el cátodo del SCR sea menos positivo que el ánodo. Al mismo tiempo la
unión de R2 y R3 se hará positiva y establecerá un voltaje suficiente de compuerta
al cátodo para activar el SCR. Una vez activado, la batería de 6V se descarga a
través del SCR, energiza la lámpara y mantiene su iluminación. Una vez que se
recupera la energía, el capacitor C1 se recarga y restablece el estado no
conductor del SCR, como se describió antes.

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DIAC

El DIAC es básicamente una combinación inversa en paralelo de dos terminales

de capas semiconductoras que permite la activación o disparo en cualquier
dirección. Las características del dispositivo demuestran con claridad que existe
un voltaje de conducción en cualquiera de las dos direcciones. Se puede
aprovechar al máximo la condición de encendido en cualquiera de las dos
direcciones en aplicaciones de CA.

En la disposición básica de las capas semiconductoras del diac se observa que

ninguna de las terminales se designa como cátodo. En cambio, hay un ánodo 1 y
un ánodo 2. Cuando el ánodo 1 es positivo con respecto al ánodo 2, las capas
semiconductoras de interés particular son p1 n2 p2 y n3. Para el ánodo 2 positivo
con respecto al ánodo 1, las capas aplicables son p2 n2 p1 y n1.

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TRIAC

El triac es fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para

controlar las condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de
las dos direcciones. En otras palabras, para cualquier dirección la corriente de
compuerta puede controlar la acción del dispositivo de una manera muy parecida
a la demostrada para un SCR. Sin embargo, las características del triac en el
primero y el tercer cuadrante son diferentes a las del diac. Pero la corriente de
mantenimiento en cada dirección no aparece en las características del diac.

Para cada una de las posibles direcciones de conducción hay una combinación
de capas semiconductoras cuyo estado controlará la señal aplicada a la terminal
de compuerta.

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TEMA N°6: Multivibradores

Una de las aplicaciones más importantes del transistor es como interruptor o
conmutador, además de la ya conocida como amplificador. El transistor tiene tres
regiones de operación: la región de corte, la región activa y la región de
saturación. Como amplificador el transistor opera en la región activa y como
interruptor en las regiones de corte y saturación. El paso de la región de corte a
saturación y viceversa es instantáneo y debido a esto se requieren transistores de
alta velocidad, de tal forma, que la respuesta a un pulso rectangular tenga tiempos
de subida y bajada muy pequeños.

El transistor de conmutación opera entre la región de corte y región de

saturación. La región de corte corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación
en el modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto. La
Región de saturación corresponde a una polarización directa de ambas uniones.
La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el
modo encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado.

Utilizando dos transistores realimentados entre sí y redes de resistencias y

condensadores se puede definir los periodos de inestabilidad de un multivibrador.
Un multivibrador es un circuito oscilador capaz de generar una onda cuadrada.
Según su funcionamiento, los multivibradores se pueden dividir en dos clases:

• De funcionamiento continuo, astable o de oscilación libre: genera

ondas a partir de la propia fuente de alimentación.
• De funcionamiento impulsado: a partir de una señal de disparo o
impulso sale de su estado de reposo.
• Si posee dos de dichos estados, se denomina biestable.
• Si poseen uno, se le llama monoestable.

Multivibrador astable

Es un circuito generador de onda cuadrada, donde la frecuencia de salida

depende de la carga y descarga de los condensadores. Dispone de dos salidas
desfasadas 180°, esto es, cuando una salida se encuentre en estado alto, la otra
se hallará en estado bajo. No necesita excitación externa ya que presenta dos
estados metaestables.

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Aunque el circuito fuera simétrico, es imposible que los componentes sean

completamente iguales, debido a tolerancias, procesos de fabricación, etc. Esto
hace que un transistor conduzca antes que otro, lo que va a significar que un
transistor va a estar saturado y otro cortado, alternativamente.

Multivibrador monoestable

Tiene un estado estable y otro metaestable.

El circuito inicialmente se encuentra en reposo en su estado estable y, al

aplicarle una excitación exterior denominada disparo, cambia al estado
metaestable para, transcurrido un tiempo, volver al estado estable o de reposo.

Multivibrador biestable

Aunque el circuito sea simétrico es imposible que sean completamente iguales.

Esto hace que un transistor conduzca antes que otro, por consiguiente,
inicialmente un transistor se va a encontrara en saturación y otro en corte. El
circuito permanece indefinidamente en un estado estable, hasta que se aplica un
impulso de disparo que provoque el cambio de estado. Entonces permanecerá en
este otro estado indefinidamente hasta un nuevo disparo.

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Circuito integrado 555

El temporizador IC 555 es un circuito integrado que se utiliza en la generación
de temporizadores, pulsos y oscilaciones. Puede ser utilizado para proporcionar
retardos de tiempo, como un oscilador, y como un circuito integrado flip flop.

• GND (1): es el polo negativo de la alimentación, generalmente tierra (masa).

• Disparo (2): Es donde se establece el inicio del tiempo de retardo si el 555 es
configurado como monoestable. Este proceso de disparo ocurre cuando esta
patilla tiene menos de 1/3 del voltaje de alimentación. Este pulso debe ser de
corta duración, pues si se mantiene bajo por mucho tiempo la salida se
quedará en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez.
• Salida (3): Aquí veremos el resultado de la operación del temporizador, ya sea
que esté conectado como monoestable, estable u otro. Cuando la salida es
alta, el voltaje será el voltaje de alimentación (Vcc) menos 1.7 V. Esta salida se
puede obligar a estar en casi 0 voltios con la ayuda de la patilla de reinicio (4).
• Reinicio (4): Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone la patilla de
salida a nivel bajo. Si por algún motivo esta patilla no se utiliza hay que
conectarla a alimentación para evitar que el temporizador se reinicie.
• Control de voltaje (5): Cuando el temporizador se utiliza en el modo de
controlador de voltaje, el voltaje en esta patilla puede variar casi desde Vcc (en
la práctica como Vcc -1.7 V) hasta casi 0 V (aprox. 2 V menos). Así es posible
modificar los tiempos. Puede también configurarse para, por ejemplo, generar
pulsos en rampa.

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• Umbral (normalmente la 6): Es una entrada a un comparador interno que se

utiliza para poner la salida a nivel bajo.
• Descarga (normalmente la 7): Utilizado para descargar con efectividad el
condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento.
• Voltaje de alimentación (VCC) (normalmente la 8): es el terminal donde se
conecta el voltaje de alimentación que va de 4.5 V hasta 16 V.

Especificaciones

El circuito integrado 555 posee dos modos de operación:

Multivibrador astable

Se caracteriza por una salida continua de forma de onda cuadrada (o

rectangular), con una frecuencia específica. La resistencia R1 está conectada a la
tensión designada como Vcc y al pin de descarga (pin7), la resistencia R2 se
encuentra conectada entre el pin de descarga (pin7), el pin de disparo (pin2); el
pin 6 y el pin 2 comparten el mismo nodo. Asimismo el condensador se carga a
través del R1 y R2, y se descarga sólo a través de R2. La señal de salida tiene un

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nivel alto por un tiempo t1 y un nivel bajo por un tempo t2, esto debido a que el pin
7 presenta una baja impedancia a GND durante os pulsos bajos del ciclo de
trabajo. Un multivibrador astable no tiene estado estable y varia, por lo tanto una y
otra vez entre dos estados inestables, sin utilizar un circuito de disparo externo.

El ciclo de trabajo presenta los estados alto y bajo, la duración de los tiempos
en cada uno de los estados depende de los valores de R1, R2 y C:

Multivibrador monoestable

El circuito entrega un solo pulso de un ancho establecido por el diseñador. La

fórmula para calcular el tiempo de duración (tiempo en que la salida está en nivel
alto) es:

En este caso, es necesario que la señal de disparo sea de nivel bajo y de muy
corta duración para iniciar la señal de salida.

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TEMA N°7: Amplificador Operacional

Un amplificador operacional es un amplificador de muy alta ganancia que tiene
una impedancia de entrada muy alta (por lo general de algunos megaohms) y una
impedancia de salida baja (de menos de 100Ω). El circuito básico se construye
utilizando un amplificador diferencial de dos entradas (positiva y negativa) y por lo
menos una salida. La entrada positiva produce una salida que está en fase con la
señal aplicada, en tanto que la entrada negativa produce una salida de polaridad
opuesta.

Un circuito de amplificador operacional ideal tendría una impedancia de

entrada infinita, una impedancia de salida cero y una ganancia de voltaje infinita.

Amplificador operacional básico

Dicho circuito funciona como un multiplicador de ganancia constante. Se aplica

una señal de entrada V1 a través de un resistor R1 a la entrada negativa. La salida
se conecta de nuevo a la misma entrada negativa por medio de un resistor Rf. La
entrada positiva se conecta a tierra. Como la señal V1 se aplica esencialmente a
la entrada negativa, la fase de la salida resultante es la opuesta a la de la señal de
entrada.

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Ganancia unitaria:

Si Rf = R1, la ganancia es

de modo que el circuito proporciona una ganancia unitaria de voltaje con una
inversión de fase de 180°. Si Rf es exactamente igual a R1, la ganancia de voltaje
es exactamente igual a 1.

Amplificador inversor

El circuito amplificador de ganancia constante más ampliamente utilizado es el

amplificador inversor. La salida se obtiene multiplicando la entrada por una
ganancia fija o constante establecida por el resistor de entrada (R1) y el resistor de
realimentación (Rf), la salida también se invierte a partir de la entrada.

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Amplificador no inversor

En un circuito amplificador operacional que funciona como amplificador no

inversor o multiplicador de ganancia constante, observe que el voltaje a través de
R1 es V1 puesto que Vi ≈ 0V. Éste debe ser igual al voltaje de salida, a través de
un divisor de voltaje de R1 y Rf, de modo que:

Seguidor unitario

El circuito de seguidor unitario proporciona una ganancia unitaria (1) sin

inversión de polaridad o fase.

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Amplificador sumador

El circuito muestra un circuito de amplificador sumador de tres entradas, el cual

permite sumar algebraicamente tres voltajes, cada uno multiplicado por un factor
de ganancia constante. Podemos expresar el voltaje de salida en función de las
entradas como:

Cada entrada agrega un voltaje a la salida multiplicado por su multiplicador de

ganancia constante distinta. Si se utilizan más entradas, cada una de ellas agrega
un componente adicional a la salida.

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Multiplicador de ganancia constante

- Multiplicador de ganancia constante inversor:

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- Multiplicador de ganancia constante no inversor:

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- Ganancia de múltiples etapas:

Cuando varias etapas se conectan en serie, la ganancia total es el producto de

las ganancias de cada una de las etapas.

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- Suma de voltajes:

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Anexos

Protoboard
La protoboard / breadboard es un dispositivo muy utilizado para probar
circuitos electrónicos. Tiene la ventaja de que permite armar con facilidad un
circuito, sin la necesidad de realizar soldaduras.
Si el circuito bajo prueba no funciona de manera satisfactoria, se puede
modificar sin afectar los elementos que lo conforman. La protoboard tiene una
gran cantidad de orificios en donde se pueden insertar con facilidad los terminales
de los elementos que conforman el circuito. Se puede conectar casi cualquier tipo
de componente electrónico, incluyendo diferentes tamaños de circuitos integrados.
Los únicos elementos que no se pueden conectar a la protoboard son elementos
que tienen terminales muy gruesos.

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