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Semiconductor
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Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien
como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico
o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre.1 Los elementos químicos semiconductores de la
tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
Silicio purificado, un semiconductor
Elemento Grupo Electrones de la última capa
Cd 12 2
Al, Ga, B, In 13 3
Si, C, Ge 14 4
P, As, Sb 15 5
Se, Te, (S) 16 6
El elemento semiconductor más usado es el silicio,2 seguido del germanio, aunque
presentan un idéntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos
12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (galio-arsénico, fósforo-
indio, arsénico-galio-aluminio, telurio-cadmio, selenio-cadmio y azufre-cadmio).
Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común
a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración
electrónica s2p2.
Los dispositivos semiconductores pueden presentar una serie de propiedades útiles,
como pasar la corriente más fácilmente en una dirección que en otra, mostrar una
resistencia variable y ser sensibles a la luz o al calor. Dado que las propiedades
eléctricas de un material semiconductor pueden modificarse mediante el dopaje o la
aplicación de campos eléctricos o luz, los dispositivos fabricados con
semiconductores pueden utilizarse para la amplificación, la conmutación y la
conversión de energía.
La conductividad del silicio se aumenta añadiendo una pequeña cantidad (del orden
de 1 a 108) de átomos pentavalentes (antimonio, fósforo o arsénico) o trivalentes
(boro, galio, indio). Este proceso se conoce como dopaje y los semiconductores
resultantes se conocen como semiconductores dopados o extrínsecos. Aparte del
dopaje, la conductividad de un semiconductor puede mejorarse aumentando su
temperatura. Esto es contrario al comportamiento de un metal en el que la
conductividad disminuye con el aumento de la temperatura.
La comprensión moderna de las propiedades de un semiconductor se basa en la física
cuántica para explicar el movimiento de los portadores de carga en una red
cristalina.3 El dopaje aumenta en gran medida el número de portadores de carga
dentro del cristal. Cuando un semiconductor dopado contiene huecos libres se
denomina tipo p, y cuando contiene electrones libres se conoce como tipo n. Los
materiales semiconductores utilizados en los dispositivos electrónicos se dopan en
condiciones precisas para controlar la concentración y las regiones de los dopantes
de tipo p y n. Un solo cristal de dispositivo semiconductor puede tener muchas
regiones de tipo p y n; las uniones p-n entre estas regiones son las responsables
del comportamiento electrónico útil. Utilizando una sonda de punto caliente, se
puede determinar rápidamente si una muestra de semiconductor es de tipo p o n.4
Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores se observaron a
mediados del siglo xix y en las primeras décadas del siglo xx. La primera
aplicación práctica de los semiconductores en electrónica fue el desarrollo en 1904
del detector de bigotes de gato, un primitivo diodo semiconductor utilizado en los
primeros receptores de radio. Los avances de la física cuántica condujeron a su vez
a la invención del transistor en 1947,5 el circuito integrado en 1958 y el MOSFET
(transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) en 1959.
Información general
Los materiales semiconductores provienen de diferentes grupos de la tabla
periódica, sin embargo, comparten ciertas similitudes.
Las propiedades del material semiconductor están relacionados con sus
características atómicas, y cambian de un grupo a otro.
Los investigadores y los diseñadores se aprovechan de estas diferencias para
mejorar el diseño y elegir el material óptimo para una aplicación PV.6
Historia de los semiconductores
Los semiconductores reemplazaron a los tradicionales tubos eléctricos en la
industria desde mediados del siglo xx, gracias a qué estos presentaban muchas
mejoras, tales como la minimización de tamaño, consumo de energía y costo, así como
la maximización de la durabilidad y confiabilidad; lo que significó una revolución
en el sector de la electrónica y la informática.
En 1782 el término semiconductor fue utilizado por primera vez por Alessandro
Volta, y la primera observación documentada sobre el efecto producido por los
semiconductores fue la de Michael Faraday en el año de 1833, quien notó que el
sulfuro de plata disminuía su resistencia si la temperatura bajaba, a diferencia de
lo que se había observado en los metales. Sobre esto se publicó un extenso análisis
en 1851, en donde se hablaba de la dependencia de la conductividad eléctrica del
sulfuro de plata y el sulfuro de cobre(I).7
En 1878 Edwin Herbert Hall descubrió que los portadores de carga eléctrica en
sólidos son desviados del campo magnético, este fenómeno fue conocido con el nombre
de efecto Hall, y fue utilizado posteriormente para estudiar las propiedades de los
semiconductores.
Unos años después del descubrimiento de Hall, en 1905, otro físico, John Ambrose
Fleming se sumergió en la búsqueda de un detector de señales eléctricas y
desarrolló el diodo de vacío, lo que se conoce hoy en día como el primer
dispositivo electrónico. Poco tiempo después, más específicamente en 1907 Lee de
Forest inventó el triodo, un dispositivo que no solo detectaba señales eléctricas,
sino que también era capaz de amplificar señales tan solo añadiendo un tercer
electrodo a la válvula.
Hacia 1915 aproximadamente se comienza a usar el cristal de galena como detector de
señales, y a principios de los años 20 se empiezan a utilizar los rectificadores de
selenio y de óxido de cobre y a su vez, las válvulas de radio sustituyen el
detector de cristal.
Entre 1920 y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y los físicos
elaboran teorías que explican algunos de los fenómenos descubiertos hasta entonces.
En 1923 el físico alemán Walter H. Schottky publica la teoría de los rectificadores
secos, esta es la primera contribución al estudio teórico de los semiconductores.
En esta teoría se aprecia que el uso de la mecánica cuántica resulta indispensable.
En 1928 Vladimir Zworykin desarrolla un dispositivo capaz de transformar una imagen
óptica en una corriente eléctrica: el iconoscopio. Poco después este tubo sufre
modificaciones y así se obtiene el tubo disector de imagen, en el cual la imagen se
consigue a base de presentarla línea a línea en lugar de punto a punto. En 1945 la
televisión se empieza a comerciar en Norteamérica.
La industria electrónica se desarrolla vertiginosamente y surgen técnicas de
miniaturización y empleo de materiales robustos y ligeros en los dispositivos
electrónicos.8
En 1947 John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, elaboraron el primer
transistor, el cual estaba constituido de germanio con algunos contactos eléctricos
sobrepuestos, el cual mejoró el funcionamiento de la válvula termoiónica usada como
instrumento de control, amplificación y generación de señales electrónicas, gracias
a estos aportes fueron acreedores al Premio Nobel en el año 1956.9
Propiedades
Conductividad eléctrica variable
Los semiconductores en su estado natural son malos conductores porque una corriente
requiere el flujo de electrones, y los semiconductores tienen sus bandas de
valencia llenas, impidiendo todo el flujo de nuevos electrones. Varias técnicas
desarrolladas permiten que los materiales semiconductores se comporten como
materiales conductores, como el dopaje o el gating. Estas modificaciones tienen dos
resultados: tipo n y tipo p. Se refieren al exceso o a la escasez de electrones,
respectivamente. Un número desequilibrado de electrones provocaría el paso de una
corriente a través del material.
Heterouniones
Las heterouniones se producen cuando se unen dos materiales semiconductores con
dopaje diferente. Por ejemplo, una configuración podría consistir en germanio
dopado con p y dopado con n. Esto da lugar a un intercambio de electrones y huecos
entre los materiales semiconductores con diferentes dopajes. El germanio dopado con
n tendría un exceso de electrones y el germanio dopado con p tendría un exceso de
huecos. La transferencia se produce hasta que se alcanza un equilibrio mediante un
proceso llamado recombinación, que hace que los electrones que migran del tipo n
entren en contacto con los huecos que migran del tipo p. El resultado de este
proceso es una estrecha franja de iones inmóviles, que provoca un campo eléctrico a
través de la unión.
Electrones excitados
Una diferencia de potencial eléctrico en un material semiconductor hace que éste
abandone el equilibrio térmico y cree una situación de no equilibrio. Esto
introduce electrones y huecos en el sistema, que interactúan mediante un proceso
llamado difusión ambipolar. Siempre que se altera el equilibrio térmico en un
material semiconductor, cambia el número de huecos y electrones. Estas alteraciones
pueden producirse como resultado de una diferencia de temperatura o de fotones, que
pueden entrar en el sistema y crear electrones y huecos. El proceso de creación y
aniquilación de electrones y huecos se denomina generación y recombinación,
respectivamente.
Emisión de luz
En ciertos semiconductores, los electrones excitados pueden relajarse emitiendo luz
en lugar de producir calor. Estos semiconductores se utilizan en la construcción de
diodos emisores de luz y puntos cuánticos fluorescentes.
Alta conductividad térmica
Los semiconductores con alta conductividad térmica pueden utilizarse para disipar
el calor y mejorar la gestión térmica de la electrónica.
Conversión de energía térmica
Los semiconductores tienen grandes factores de potencia termoeléctrica que los
hacen útiles en los generadores termoeléctricos, así como altas figuras de mérito
termoeléctricas que los hacen útiles en los refrigeradores termoeléctricos.
Física de los semiconductores
Bandas de energía y conducción eléctrica
Artículos principales: Teoría de bandas, Conductividad eléctrica y Resistividad.
Los semiconductores se definen por su singular comportamiento de conducción
eléctrica, a medio camino entre el de un conductor y el de un aislante.10 Las
diferencias entre estos materiales pueden entenderse en términos de los estados
cuánticos de los electrones, cada uno de los cuales puede contener cero o un
electrón, por el principio de exclusión de Pauli. Estos estados están asociados a
la estructura de banda electrónica del material. La conductividad eléctrica surge
debido a la presencia de electrones en estados deslocalizados que se extienden por
el material, sin embargo, para transportar electrones un estado debe estar
parcialmente lleno, conteniendo un electrón solo una parte del tiempo.11 Si el
estado está siempre ocupado con un electrón, entonces es inerte, bloqueando el paso
de otros electrones a través de ese estado. Las energías de estos estados cuánticos
son críticas, ya que un estado está parcialmente ocupado solo si su energía está
cerca del nivel de Fermi.
La alta conductividad de un material se debe a que tiene muchos estados
parcialmente llenos y mucha deslocalización de estados. Los metales son buenos
conductores eléctricos y tienen muchos estados parcialmente llenos con energías
cercanas a su nivel de Fermi. Los aislantes, por el contrario, tienen pocos estados
parcialmente llenos, sus niveles de Fermi se sitúan dentro de huecos de banda con
pocos estados de energía que ocupar. Es importante destacar que un aislante puede
convertirse en conductor aumentando su temperatura: el calentamiento proporciona
energía para promover algunos electrones a través de la banda prohibida, induciendo
estados parcialmente llenos tanto en la banda de estados por debajo del banda
prohibida (banda de valencia) como en la banda de estados por encima de la banda
prohibida (banda de conducción). Un semiconductor (intrínseco) tiene una banda
prohibida menor que el de un aislante y, a temperatura ambiente, un número
significativo de electrones puede ser excitado para cruzar la banda prohibida.12
Sin embargo, un semiconductor puro no es muy útil, ya que no es ni un buen aislante
ni un buen conductor. Sin embargo, una característica importante de los
semiconductores (y de algunos aislantes, conocidos como semiinsuladores) es que su
conductividad puede aumentarse y controlarse mediante el dopaje con impurezas y la
activación de campos eléctricos. El dopaje y la activación mueven la banda de
conducción o de valencia mucho más cerca del nivel de Fermi y aumentan en gran
medida el número de estados parcialmente llenos.
Algunos materiales semiconductores de banda ancha se denominan a veces
semiinsuladores. Cuando no están dopados, tienen una conductividad eléctrica más
cercana a la de los aislantes eléctricos, pero pueden doparse, lo que los hace tan
útiles como los semiconductores. Los semiinsuladores tienen aplicaciones
especializadas en microelectrónica, como los sustratos para HEMT. Un ejemplo de
semiinsulador común es el arseniuro de galio.13 Algunos materiales, como el dióxido
de titanio, pueden incluso utilizarse como materiales aislantes para algunas
aplicaciones, mientras se tratan como semiconductores de brecha ancha para otras.
Portadores de carga (electrones y huecos)
Artículo principal: Hueco de electrón
El llenado parcial de los estados en la parte inferior de la banda de conducción
puede entenderse como la adición de electrones a dicha banda. Los electrones no
permanecen indefinidamente debido a la recombinación térmica natural, pero pueden
desplazarse durante algún tiempo. La concentración real de electrones suele ser muy
diluida, por lo que, a diferencia de los metales, es posible pensar en los
electrones de la banda de conducción de un semiconductor como una especie de gas
ideal clásico, en el que los electrones vuelan libremente sin estar sujetos al
principio de exclusión de Pauli. En la mayoría de los semiconductores, las bandas
de conducción tienen una relación de dispersión parabólica, por lo que estos
electrones responden a las fuerzas (campo eléctrico, campo magnético, etc.) de
forma muy parecida a como lo harían en el vacío, aunque con una masa efectiva
diferente.12 Dado que los electrones se comportan como un gas ideal, también se
puede pensar en la conducción en términos muy simplistas, como el modelo de Drude,
e introducir conceptos como la movilidad de los electrones.
Para el llenado parcial en la parte superior de la banda de valencia, es útil
introducir el concepto de agujero electrónico. Aunque los electrones de la banda de
valencia están siempre en movimiento, una banda de valencia completamente llena es
inerte, no conduce ninguna corriente. Si se saca un electrón de la banda de
valencia, la trayectoria que normalmente habría seguido el electrón pierde ahora su
carga. Para los fines de la corriente eléctrica, esta combinación de la banda de
valencia completa, menos el electrón, puede convertirse en una imagen de una banda
completamente vacía que contiene una partícula cargada positivamente que se mueve
de la misma manera que el electrón. Combinado con la masa efectiva negativa de los
electrones en la parte superior de la banda de valencia, llegamos a una imagen de
una partícula cargada positivamente que responde a los campos eléctricos y
magnéticos igual que lo haría una partícula normal cargada positivamente en el
vacío, de nuevo con alguna masa efectiva positiva.12 Esta partícula se llama
agujero, y la colección de agujeros en la banda de valencia puede entenderse de
nuevo en términos clásicos simples (como con los electrones en la banda de
conducción).
Generación de portadores y recombinación
Cuando la radiación ionizante incide en un semiconductor, puede excitar un electrón
fuera de su nivel de energía y, en consecuencia, dejar un hueco. Este proceso se
conoce como generación de pares electrón-hueco. Los pares electrón-hueco también se
generan constantemente a partir de la energía térmica, en ausencia de cualquier
fuente de energía externa.
Los pares electrón-hueco también son aptos para recombinarse. La conservación de la
energía exige que estos eventos de recombinación, en los que un electrón pierde una
cantidad de energía mayor que la brecha de banda, vayan acompañados de la emisión
de energía térmica o de radiación, en ambos casos en forma de fotones).
En algunos estados, la generación y recombinación de pares electrón-hueco están en
equilibrio. El número de pares electrón-hueco en el estado estacionario a una
temperatura dada está determinado por la mecánica estadística cuántica. Los
mecanismos mecánicos cuánticos precisos de generación y recombinación se rigen por
la conservación de la energía y la conservación del momento.
Dado que la probabilidad de que los electrones y los huecos se reúnan es
proporcional al producto de sus números, el producto es en el estado estacionario
casi constante a una temperatura determinada, siempre que no haya un campo
eléctrico significativo, que podría "tirar" portadores de ambos tipos, o moverlos
desde regiones vecinas que contengan más de ellos para que se reúnan, o una
generación de pares impulsada externamente. El producto es una función de la
temperatura, ya que la probabilidad de obtener suficiente energía térmica para
producir un par aumenta con la temperatura, siendo aproximadamente exp(−EG/kT),
donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta y EG es la banda
prohibida.
La probabilidad de encuentro se ve incrementada por las trampas de portadores,
impurezas o dislocaciones que pueden atrapar un electrón o un agujero y retenerlo
hasta que se complete el par. Estas trampas de portadores se añaden a veces a
propósito para reducir el tiempo necesario para alcanzar el estado estacionario.14
Dopaje
Artículo principal: Dopaje (semiconductores)
La conductividad de los semiconductores puede modificarse fácilmente introduciendo
impurezas en su red cristalina. El proceso de añadir impurezas controladas a un
semiconductor se conoce como dopaje. La cantidad de impureza, o dopante, añadida a
un intrínseco (puro) varía su nivel de conductividad.15 Los semiconductores dopados
se denominan extrínseco.16 Añadiendo impurezas a los semiconductores puros, la
conductividad eléctrica puede variar en factores de miles o millones.17
Una muestra de 1 cm3 de un metal o semiconductor tiene el orden de 1022 átomos.18
En un metal, cada átomo dona al menos un electrón libre para la conducción, por lo
que 1 cm3 de metal contiene del orden de 1022 electrones libres,19 mientras que una
muestra de 1 cm3 de germanio puro a 20 °C contiene unos 4,2 < e < 22 átomos, pero
solo para 2,5 < e < 13 electrones libres y 2,5 < e < 13 huecos. La adición de 0,001
% de arsénico (una impureza) dona un extra de 1017 electrones libres en el mismo
volumen y la conductividad eléctrica se incrementa en un factor de 10 000.2021
Los materiales elegidos como dopantes adecuados dependen de las propiedades
atómicas tanto del dopante como del material a dopar. En general, los dopantes que
producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptantes o donantes.
Los semiconductores dopados con impurezas donantes se denominan tipo n, mientras
que los dopados con impurezas aceptantes se conocen como tipo p. Las designaciones
de tipo n y p indican qué portador de carga actúa como portador mayoritario del
material. El portador opuesto se denomina portador minoritario, que existe debido a
la excitación térmica en una concentración mucho menor en comparación con el
portador mayoritario.22
Por ejemplo, el semiconductor puro silicio tiene cuatro electrones de valencia que
enlazan cada átomo de silicio con sus vecinos.23 En el silicio, los dopantes más
comunes son elementos del grupo III y del grupo V. Todos los elementos del grupo
III contienen tres electrones de valencia, por lo que funcionan como aceptores
cuando se utilizan para dopar el silicio. Cuando un átomo aceptor sustituye a un
átomo de silicio en el cristal, se crea un estado vacante (un "agujero" de
electrones), que puede moverse por la red y funcionar como portador de carga. Los
elementos del grupo V tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite
actuar como donantes; la sustitución de estos átomos por silicio crea un electrón
libre adicional. Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un
semiconductor de tipo p, mientras que uno dopado con fósforo da lugar a un material
de tipo n.24
Durante la fabricación, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del
semiconductor por contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado, o bien
puede utilizarse la implantación de iones para posicionar con precisión las
regiones dopadas.
Semiconductores amorfos
Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo, tienen
propiedades semiconductoras. Entre ellos se encuentran el boro, silicio, germanio,
selenio y teluro, y existen múltiples teorías para explicarlos.2526
Tipos de semiconductores
Semiconductor intrínseco
En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes.
Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que
describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor y
también es posible determinar la conductividad eléctrica de cualquier objeto.
Semiconductores intrínsecos
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura, tetraédrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.27 Las energías requeridas a
temperatura ambiente son de 1,12 eV para el silicio y 0,67 eV para el germanio.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde
el estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la
banda de valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como
"recombinación". A una determinada temperatura, las velocidades de creación de
pares electrón-hueco, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración
global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentración de
electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas),
se cumple entonces que:27
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuestión. Los electrones y los huecos reciben el
nombre de portadores. La densidad o concentración intrínseca de portadores es muy
baja.27
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 °C):
ni(Si) = 1,5 × 1010 cm−3
ni(Ge) = 2,4 × 1010 cm−3
En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la
dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a
la de la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas
deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
átomo de silicio.27
Semiconductor tipo N
Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N. Los círculos negros representan
los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que los blancos serían
los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que los electrones son
los portadores de carga mayoritarios.
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo
un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).28
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n
considérese el caso del silicio. Los átomos del silicio tienen una valencia atómica
de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de
silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los
del grupo 15 de la tabla periódica (como el fósforo, arsénico o antimonio) se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese
átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón
extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de
electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón
libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Estructura de bandas de un semiconductor de tipo P. Los círculos negros representan
los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que los blancos serían
los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que los huecos son los
portadores de carga mayoritarios.
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo
un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).28
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados
de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como
material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.29 En el caso
del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica)
se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de
la tabla periódica (como el aluminio, galio, boro o indio), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar
un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la
excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de
boro, son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Unión PN
La unión PN se forma a base de la unión de impurezas de tipo P e impurezas de tipo
N a un material semiconductor. Los electrones libres de la región N que estén más
próximos a la región P se difunden formando una recombinación en los huecos que
estén más próximos a esta región. Al formar una red cristalina, los iones positivos
y negativos se interrelacionan haciendo imposible su recombinación. Esta
distribución de cargas en la unión establece una "barrera de potencial" capaz de
repeler tanto los huecos de la región P y los electrones de la región N,
alejándolos de la unión. Toda unión PN que no se encuentre conectada a un circuito
exterior permanece bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.30
Unión PN polarizada en directo
Si una unión PN es polarizada de forma directa, es decir, el polo positivo de la
pila a la región P y el polo negativo a la región N, la tensión U de la pila
contrarrestara la "barrera de potencial", desbloqueandola y apareciendo una
circulación de electrones en la región N a la región P y una circulación de huecos
en el sentido contrario. Formamos así una corriente eléctrica de vapor elevado, ya
que la unión PN se hace conductora y presenta una resistencia eléctrica muy
pequeña. La pila mantiene el flujo de electrones, esta lo traslada por el circuito
exterior circulando por el sentido eléctrico real.30
Unión PN polarizada en inverso
Al polarizar una unión PN de forma inversa, la tensión U de la pila ensancha la
"barrera de potencial" creada por la distribución espacial de cargas de la unión,
generando un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en la
región N, esto impide la circulación de electrones y huecos a través de la unión.
El comportamiento de la unión PN es asimétrica respecto a la conducción eléctrica;
dependiendo del sentido de la conexión se comporta como un buen conductor
(polarización directa) o un aislante (polarización inversa).30
Crisis de los semiconductores
También conocida como "Armagedón de los microchips" fue el nombre que se le dio al
suceso de la escasez de Microchips que se está dando desde el comienzo de la
pandemia hasta la actualidad.31
Debido al confinamiento obligatorio por parte de la transmisión comunitaria del
virus SARS-CoV-2 la población bajo la necesidad de mantener la rutina se vio en la
necesidad de adquirir equipamiento tecnológico, suceso que abrumó el rubro de la
tecnología aumentando la demanda de componentes de computadora y dando un aumento
del 55 % en el mercado global.
Uno de los sectores que fue severamente afectado es el negocio de las tarjetas
gráficas debido a que presentaba una demanda sumamente desbordada, ya que en la
pandemia se impulsó su consumo de manera disparada al punto de que aún, hoy en día,
no se recupera del todo. Este fenómeno se conoce como la minería de criptodivisas..
Y es que la electrónica de consumo no fue la única industria sobre la que ha
recaído buena parte del peso de esta crisis. Las compañías de automoción, los
fabricantes de electrodomésticos y cualquier otro sector industrial cuya producción
dependa en mayor o menor medida de los semiconductores también se están viendo
profundamente afectados por la escasez de chips. Por ejemplo, compañías como Toyota
o General Motors se han visto obligadas a reducir la producción de coches en
algunas fábricas debido al déficit de estos componentes.32
Expertos en el tema como Mark Papermaster (director de tecnología y vicepresidente
ejecutivo de tecnología e ingeniería de AMD) y Felipe Curcio (Communications
Manager para Latinoamérica de Intel) especulan un alivio de la crisis a mediados de
2023 y normalización de la producción para 2024 respectivamente.
Semiconductores en la informática
Las computadoras personales, los teléfonos inteligentes, los automóviles, los
servidores de centros de datos y las consolas de juegos de hoy en día dependen de
los semiconductores tanto para las operaciones centrales como para las capacidades
avanzadas. Por ejemplo, cuando usamos nuestras computadoras portátiles para
reservar unas vacaciones, encontrar una recomendación de restaurante, reproducir
una película o acceder al correo electrónico, la unidad de procesamiento central
(CPU) y la unidad de procesamiento de gráficos (GPU) basadas en semiconductores de
la computadora portátil implementan funciones informáticas que responden preguntas
al instante.
Los circuitos integrados (IC) hechos de un material semiconductor (como el silicio)
son partes esenciales de los dispositivos electrónicos modernos en las industrias
comerciales y de consumo. Estos circuitos deben tener la capacidad de comportarse
como un interruptor de encendido/apagado controlado eléctricamente (transistor)
para realizar los cálculos lógicos fundamentales en una computadora. Para lograr
esta capacidad de conmutación casi instantánea, los circuitos deben construirse con
un material semiconductor, una sustancia con una resistencia eléctrica entre la de
un conductor y la de un aislante.33
Semiconductores en Argentina
Desde el primer circuito integrado o chip, desarrollado en 1958 hasta la fecha, la
evolución de estos dispositivos ha sido muy vertiginosa.
La Empresa “UnitecBlue” fue la responsable de inaugurar la primera planta dedicada
a la producción de chips que tienen una producción de mil millones de
semiconductores anuales. Gracias a estos avances, científicos de la Universidad
Nacional del Sur lograron desarrollar un prototipo científico de una retina
electrónica inteligente en una novedosa tecnología de chips denominada 3D.
Estos chips, que pueden aplicarse en micro-cámaras inteligentes, tendrán la
capacidad de observar una escena e identificar situaciones para poder resolver
estos escenarios de manera eficaz, esto lo explica el Dr. Pedro Julián, profesor e
investigador del Departamento de Ingeniería Eléctrica y Computadoras de la
Universidad Nacional del Sur e investigador responsable de Tecnópolis del Sur.
Diseñado por el grupo de Microelectrónica de la Universidad Nacional del Sur, el
chip de 2,5 mm × 2,5 mm captura imágenes a la vez que las puede procesar a una tasa
de miles de cuadros por segundo, mientras que una cámara normal solo captura unos
cincuenta cuadros por segundo y no realiza ningún análisis sobre el vídeo
capturado.
La tecnología de chips 3D permite literalmente apilar circuitos integrados
convencionales, e interconectarlos entre sí. Además, tienen la ventaja adicional de
que los chips que constituyen cada uno de los "pisos" del chip 3D, pueden ser de
distintas tecnologías especializadas, por ejemplo, para comunicaciones, para
memoria, para procesamiento, o para sensores.
Los chips tridimensionales están revolucionando la industria de los
semiconductores, dado que los clientes necesitan nuevas maneras de obtener más
performance y funcionalidad.34
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Véase también
Circuito integrado
Conductividad eléctrica
Diodo
Nanotecnología
Silicio
Transistor
Unión PN
Polímero semiconductor
Anexo:Materiales semiconductores
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