TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO
Instituto Tecnológico de Tijuana
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
Materia: electronica analogica
Practica de Lab. Transistor FETEquipo 2
Ingeniero:
Enrique Huerta Lopez
Alumnos:
Franco Rivas Carlos Fabián. 20212906
Mora Mazariegos Daniel de Jesus. 21210208
Moreno Hernandez Miguel Angel. 21210783
Perez jaime Gustavo 21211503
Rincon Lopez Zaid Armando. 21211512
Lección 1: LAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
1. OBJETIVOS
Al completar esta lección, usted habrá aprendido a:
1. Trazar la curva característica de drenaje a partir de valores conocidos
2. Trazar la curva característica de transferencia a partir de valores medidos
3. Determinar la resistencia del canal (RDS) a partir de valores medidos
4. Conocer el FET en un circuito atenuador
5. Determinar la transconductancia hoy del FET a partir de valores medidos
2. EQUIPOS NECESARIOS
1 computador base PU-2000
1 tablero maestro
1 tarjeta de circuito impreso EB-112
1 generador de funciones
1 multímetro
1 osciloscopio de 2 canales
3. CORRELACIÓN CON LA TEORÍA
El FET tiene 2 modos principales de funcionamiento:
1. Con tención VDS reducida, Y VDS/IDS constante V llamado RDS.
2. Con tensión VDS elevada, mayor qué VP (también denominada VDS (off), e ID casi invariable con
el aumento de VDS).
En el primer modo él FET se usa como atenuador o como resistor variable.
En el segundo modo el FET se utiliza como amplificador o como fuente de corriente.
En esta lección se usa un FET de canal N.
NOTA: Existe dispersión de parámetros entre FETS de un mismo tipo, por ejemplo, VP puede valer
-0, 5V en una unidad y -6V en otra.
4. PROCEDIMIENTO
1. Enchufe la tarjeta EB-112 introduciéndola por las guías del PU-2000 hasta él conector.
2. Enciende el tablero maestro.
3. Ejecute los pasos de la Fig 1. de la información general para iniciar el PU-2000.
4. Busque en circuito de la Fig. 1 en la tarjeta.
5. Conecte los puentes como se indica en la Fig. 1. Las flechas ( ) hoy indican los puntos de
conexión de los puentes.
LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENAJE
6. Tecleé “*” para llevar al índice 2.
7. Haga VGS = 0 ajustando la fuente de poder PS-2 a 0. Varíe VDS ajustando la fuente de poderPS-1
para obtener los valores de tensión indicados en la Fig. 2. Mida y anote los valores de tensión y de
corriente de drenaje ID para cada caso.
8. Repite el paso 7 para los demás valores de VGS especificados en la Fig. 2.
9. En la Fig 3. Traste las curvas características de drenaje, graficando los valores de la Fig. 2.
PREGUNTA
¿Cuánto valen IDSS y VP (cuándo VGS = 0V)?
IDSS = mA VP= V
10. El siguiente paso del experimento consiste en analizar la característica de transferencia.
Usando los resultados de la Fig. 2 hola anote la variación de la corriente de drenaje ID
correspondiente a la variación de tensión de compuerta VGS, para los 3 valores de tensión de
drenaje indicados en la Fig. 4.
11. En la Fig. 5 grafique los valores de la Fig. 4 obteniendo la característica de transferencia.
LA RESISTENCIA DEL CANAL (RDS)
12. Conecte el circuito de prueba en la Fig. 6. para determinar la resistencia del canal (RDS). Para
ello conecte el borne Ven 1 (Vin 1) al borne de la fuente de alimentación PS-1 con un cable de
conexión.
13. Presione (*) para llevar el índice a 3
14. ajuste la fuente de poder PS-1 a 1 V.
15. Mida la atención de drenaje VDS y anótela en la Fig. 7.
16. Calcula la resistencia de conducción RDS (on) con la siguiente expresión:
donde R3 = 10 KΩ.
17. Ponga la fuente de poder PS-1 en 2V y repita las mediciones.
Anote la lectura en la Fig. 5. ¿Ha cambiado RDS (on)? Si
PREGUNTA
¿Porqué VDS debe ser un valor reducido?
Esto se debe a que al estar en ON el voltaje no fluye al surtidor si no que se va a la tierra en G
EL ATENUADOR
18. Tecleé “*” para llevar el índice a 4.
19. Conecta el FET como atenuador, como se muestra en la Fig. 8.
20. Ajuste VGS (PS-2) a 0V.
21. Ajuste la frecuencia del generador de señales a 1KHz y su amplitud a 200mV P-P con un offset
a 100 mV hola, como se indica en la Fig.9.
22. Mida la atención de drenaje VDS y anótela en la Fig.10. Al mismo tiempo mida y anote el valor
de la tensión de entrada Ven.
23. Cambia el valor de VG según la Fig. 10. Complete la tabla de la Fig.10. ¿Es lineal la variación
VDS? ¿Por qué?
NOTA: RDS toma un valor diferente para cada VGS
24. Aumente Ven a 3V P-P con 1.5 V de offset. Cambie VGS de 0V a -5V y observe el cambio VDS.
PREGUNTA
¿Se observa distorsión? Si
Explique los motivos.
ocurre con la cantidad de corriente; esto sucede cuando los valores son bastante similares entre sí,
por lo tanto, los resultados que se obtengan no mostrarán una variación significativa.
LA TRANSCONDUCTANCIA
25. Arme el circuito de la Fig. 11 para medir la transconductancia del FET.
26. Teclee “*” para llevar el índice a 5. Ajuste VGS (PS-2) a 0 voltios.
27. Ajuste la fuente de poder PS-1 para obtener ID = IDSS de su FET.
28. Ajuste la frecuencia de salida del generador de señales a 1KHz y la amplitud a 100 mV P-P.
29. Mida la tensión de drenaje con acoplamiento de CA y la tensión de compuerta que la causa, y
calcule la transconductancia con la siguiente fórmula:
(NOTA: este parámetro difiere para cada FET debido a la dispersión de las características)
VDS = __440__mV p-p Ven = __227_mV p-p
Donde R2 = 2,2K. 𝑉𝐷𝑆
NOTA: para VGS = 0, gm se denomina gmo.
Existe otra fórmula para gmo
Calcúlela con esta expresión y compárela con el resultado que obtuvo anteriormente.
Conclusión.
Como se evidenció en el inicio, el FET presenta dos modos de funcionamiento principales: uno con
una reducción en la tensión VDS y una relación VDS/Ids constante, conocido como RDS; y otro con
una elevación en la tensión VDS, mayor que vp (también denominada VDS (off)), con ID
prácticamente constante ante el aumento de VDS. En el primer modo, el FET se emplea como
atenuador o resistor variable, mientras que en el segundo modo se utiliza como amplificador o
fuente de corriente.
En el transcurso de esta práctica, se logró manipular el transistor en ambos modos de
funcionamiento para observar sus valores y comprender su comportamiento, además de graficar
los resultados obtenidos. Esta práctica adquiere una relevancia significativa, ya que nos brinda la
oportunidad de confirmar y aplicar la teoría aprendida en clase, permitiendo una mejor
comprensión de los conceptos teóricos mediante la experimentación práctica.
Lección 2: EL AMPLIFICADOR A FET
1. OBJETIVOS
Al completar esta lección, usted habrá aprendido a:
1.1 medir los valores de CD del circuito amplificador a FET
1.2 determinar la respuesta de frecuencia a partir de valores medidos
1.3 determinar cómo se modifica la ganancia de tensión a causa de variaciones del resistor de
carga
2. EQUIPOS NECESARIOS
1 computador base PU-2000
1 tablero maestro
1 tarjeta de circuito impreso EB-112
1 generador de funciones
1 multímetro
1 osciloscopio de 2 canales
3. CORRELACIÓN CON LA TEORÍA
El amplificador a FET es similar al amplificador a transistor en el hecho que necesita polarización
de CD y que invierte la señal.
El FET puede usarse como amplificador de fuente común, de drenaje común, en cascada y en otros
circuitos que también se implementan con transistores.
El amplificador a FET tiene menos ganancia pero más impedancia, hoy menos sensibilidad a la
radiación y bajo ruido.
4. PROCEDIMIENTO
1. Enchufe la tarjeta EB-112 introduciéndola por las guías del PU-2000 hasta el conector.
2. Enciende el tablero maestro.
NOTA: Ponga al PU-2000 en el mismo modo de funcionamiento y con el mismo índice de
experimento que tenía al final de la lección anterior.
LAS CARACTERÍSTICAS DEL AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN
3. Tecleé “*” para poner el índice 6
4. Busque el circuito de la Fig. 1 en la tarjeta EB-112.
5. Ajuste la fuente de poder PS-1 para obtener VDD = 12V.
6. ajuste la tensión de polarización a VD=1/2 X VDD con RV1,
7. Mida las tensiones directas del FET hoy y anótelas hoy en la Fig. 2.
8. Conecte el osciloscopio a la salida del amplificador, como se muestra en la Fig. 3 (RL=R1=10KΩ),
9. Conecte el generador de señales a Ven2. Ajuste la frecuencia a 1 KHz y la amplitud de 200 mV
pp.
10. Tecleé “*” para poner el índice en 7.
11. Mida las tensiones de entrada y salida y anótelas en la Fig. 4. (En caso de ser necesario, corrija
la polarización variando a RV1; con esto aumentará la ganancia)
12. Hoy varíe la frecuencia del generador de señales según la tabla de la FIig. 4. y anote las
tensiones de salida obtenida. Cuide siempre que la tensión de entrada no cambie.
13. Calcule la ganancia de tensión AV = Vsal /Ven y anote los resultados en la Fig. 4.
PREGUNTA
Compare los resultados con los que se obtienen usando la fórmula AV = -gmRL, con el valor gmo
hp que usted haya yo en la lección 1.
VARIACIÓN DE LA CARGA
14. Ajuste la frecuencia del generador de señales a 1 KHz.
15. Tecleé (*) para poner el índice en 8.
16. Mide y anote los valores de Ven Y Vsal con RL = R1, en la Fig. 5.
17. Calcule la ganancia y anotarla en la Fig. 5.
18. Varie RL a R2 y repita las mediciones y cálculos. anótelos en la Fig. 5. La tensión de entrada
debe ser igual a la del paso 9.
4.0 PROCEDIENTO
1. Enchufe la tarjeta EB-112 introduciéndola por las guías del PU-2000 hasta el conector.
2. Encienda el tablero maestro.
NOTA: ponga el PU-2000 en el mismo modo de funcionamiento y con el mismo índice de
experimentos que tenía al final de la lección anterior.
3. Teclee "*" para poner el índice en ll.
4. Busque el circuito de la Fig. l en la tarjeta EB-112.
5. Ajuste VGS =0 con la fuente de poder PS-2 y mida la corriente de drenaje ID para los distintos
valores de VDS mostrados en la Fig. 2.
6. Repita las mediciones para los demás valores de VGS de la Fig. 2. Observe que V2 es la salida
invertida de la fuente de poder PS-2. Primero ajuste v2 y luego desconecte la punta de prueba del
osciloscopio de la compuerta. Luego mida ID para los valores indicados de Vout 2.
Con este método obtendrá resultados más precisos
PREGUNTA
¿Por qué VDS nunca alcanza a VDD? Cuando VGS esta (on), el drenador no va a surtidor
7. Dibuje las Curvas características en la Fig. 3 para los diferentes valores de VDS y VGS que figuran
en la Fig. 2.
El resultado será una serie de 8 curvas diferentes.
PREGUNTA
¿A qué otro dispositivo se parece el VMOS? ¿Cuál es la principal diferencia entre ambos? Es igual a
cualquier otro Mosfet, su transconductancia es alta y la longitud del canal es corta
LA RESPUESTA A LA ONDA CUADRADA
8. Arme el circuito mostrado en la Fig. 4.
9. Teclee "*" para poner el índice en 12.
10. Ajuste el generador de señales en onda cuadrada de 0 a 5v (o salida TTL), con 10KHZ. Ajuste la
fuente de poder PS-1 a 5V.
11. Mida con el osciloscopio las ondas de entrada y de salida. Dibújelas en la Fig. 5 indicando los
valores de tensión.
12. Repita las mediciones con los siguientes valores de frecuencia: 1Hz, 10Hz, 100Hz, 1KHz, 100KHz
y 1MHz.
PREGUNTA
¿Cómo es la respuesta en frecuencia? ¿Hay distorsión? Compare la linealidad con un circuito
similar pero construido con transistor bipolar. Si se obtiene distorsión
13. Observe las ondas para distintos valores de la fuente de poder PS-1 (use frecuencia de 10KHz a
la entrada).
LA LLAVE ANALOGICA
14. Conecte el VMOS FET como llave analógica, como se indica en la Fig. 6.
15. Teclee "*" para poner el índice en 13.
16. Al conectar R6 a +5V o a masa se hace conmutar al VMOS FET a conducción o a corte,
respectivamente. Nunca ponga ambos puentes a la vez.
17. Ajuste el generador de señales a onda senoidal, con Ven entre 0.2<y<4 volts, 1KHz de
frecuencia.
18. Conmute el VMOS FET a conducción y a corte, y dibuje las ondas de entrada y de salida en la
Fig. 7.
19. Conmute el VMOS al corte y determine si actúa como llave ideal a frecuencias 10Hz, 100Hz,
10KHz, y 100KHz.
20. Cambie la forma de onda a onda cuadrada. ¿Cómo es la res- puesta del VMOS?
21. Ponga el generador de señales en onda sinusoidal de -3V< Vin<+3V y observe la onda de salida
con el osciloscopio, conmutando el VMOS de conducción a corte
PREGUNTA
¿El VMOS FET es una llave analógica bidireccional? Si
¿Qué ocurriría si usted usara V2 (variable) en lugar de +5V? Aplicaría el corte de manera
proporcional al voltaje inducido
Conclusion.
Durante nuestras observaciones, destacamos un hallazgo clave relacionado con el FET: notamos
una perturbación cuando operaba a 100 Hz, pero a partir de 1 kHz y más, su funcionamiento fue
óptimo, sin experimentar cambios significativos. Este resultado nos lleva a la conclusión de que el
amplificador FET exhibe un rendimiento notablemente superior a frecuencias elevadas.
Por otro lado, al medir la tensión que atraviesa la compuerta (VG), observamos un valor
excepcionalmente bajo en la lectura del multímetro. Llegamos a la conclusión de que esta
discrepancia se debe a que, a pesar de la necesidad de un voltaje negativo, persistía una pequeña
cantidad de voltaje en la resistencia de la compuerta, y este remanente era la lectura que
registraba el multímetro. Este hallazgo resalta la importancia de considerar incluso las pequeñas
cantidades de voltaje residual al analizar las mediciones en el contexto del rendimiento del
amplificador FET.
