Tecnológico Nacional de México,Campus Tuxtla Gutiérrez.

Inventario de dispositivos Semiconductores de Potencia Comunes

Materia: Tecnología de los materiales.

Carrera: Ingeniería Eléctrica. (E2A)

ING: Tovilla Hernandez, Fidel.

Integrantes del equipo:

● Olivera Lopez, Aldair.
● Ruiz dominguez,Maria Jose.
● Barrios Lara, Jarumi Yamilet.

1
Introducción
La segunda revolución electrónica comenzó en 1958, con el desarrollo del tiristor
comercial, por la General Electric Company. Desde entonces se han introducido
diversas formas de dispositivos de electrónica de potencia, la microelectrónica nos
permitió procesar y almacenar una gigantesca información a velocidades
sorprendentes que nos facilita el trabajo y la práctica en el campo industrial desde
sus diferentes aplicaciones.

La electrónica de potencia ya
encontró un lugar importante en
la tecnología moderna y se usa
ahora en una gran sin número de
diversidad de productos como
control de temperatura, de
iluminación, de motores, fuentes
de poder, sistemas de impulsión
de vehículos y sistemas de
corriente directa en altos voltaje.
La electrónica de potencia tiene
sus inicios en 1900 con la
introducción del rectificador de
arco de mercurio, después se
introdujeron el rectificador de
tanque metálico, el de tubo al
vacío controlado por la rejilla, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón
estos dispositivos se aplicaron en el control de la electrónica de potencia hasta la
década de 1950.
La primera revolución electrónica comenzó en 1948. Con la invención del transistor
de silicio por Bell Telephone laboratorios, Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor
parte de las tecnologías modernas de electrónica avanzada se puede rastrear a
partir de ese invento es más la microelectrónica ha avanzado a partir de la creación
de estos elementos semiconductores de silicio. El siguiente adelanto en 1956 fue la
invención del transistor de disparo PNPN, que se definió como tiristor o rectificador
controlado de silicio (SCR).

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Desde que se desarrolló el primer el primer tiristor de CSR a finales de 1957, ha

habido progresos importantes en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían utilizado únicamente para la
aplicación de potencia en usos industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios
tipos de dispositivos semiconductores de potencia, que entraron al comercio.

2
 Estos dispositivos se pueden clasificar
en tres clases en forma general:
1) diodos de potencia, 2) transistores, y
3) tiristores. También se pueden dividir
en general en cinco tipos:
1) diodos de potencia,2) tiristores,3)
transistores de unión bipolar( BJT en
sus siglas en inglés bipolar junction
transistors), 4) transistores de efecto de
campo de óxido de metal semiconductor
(MOSFET de sus siglas en inglés metal
oxide semiconductor field-effect
transistors), 5) transistores bipolares con
compuerta aislada (IGBT de sus siglas
en inglés insulated-gate bipolar
transistors) y transistores de inducción
estática (SIT de sus siglas en inglés
static induction transistors).

1. DIODOS
1.1 Diodos de potencia (no controlados)

Un diodo semiconductor es una

estructura PN que, dentro de sus límites
de tensión y corriente, permite la
circulación de corriente en un único
sentido.

Características:
• Son dispositivos unidireccionales, no
puede circular corriente en dirección
contraria al de conducción que se hace a
través de ánodo a cátodo.
• El único procedimiento de control es
invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
• Activación sin control.
• Desactivación sin control.
• No requiere pulsos de control.

Otras características son:

• Características estáticas:
1. Parámetros en bloqueo (polarización inversa)

3
2. Parámetros en conducción
3. Modelo estático

• Características dinámicas
1. Parámetros de encendido
2. Parámetros de apagado
3. Influencia del trr en la conmutación

• Potencia
1. Potencia máxima disipable
2. Potencia media disipada
3. Potencia inversa de pico repetitivo
4. Potencia inversa de pico no repetitivo
Modelos estáticos

2. TIRISTORES
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una puerta”. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación,
teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia
P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).

La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”) se

realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado
“ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica
para cada tiristor.

4
2.1 SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Características:
• Activación controlada
• Desactivación sin control
• Maneja corrientes
unidireccionales
• Requiere de un pulso de
control

En régimen estático, dependiendo de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo

podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:
A. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): Ésta condición corresponde al estado de
no conducción en inversa, comportándose como un diodo.
B. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparar): El SCR se comporta como un
circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.
C. Zona de conducción (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un
interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una
corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conducción, se mantendrá en
dicho estado si el valor de la corriente ánodo cátodo es superior a la corriente de
mantenimiento.

5
2.2 TRIAC
(“Triode of Alternating
Current”) es un tiristor
bidireccional de tres
terminales. Permite el paso
de corriente del terminal A1
al A2 y viceversa, y puede
ser disparado con tensiones
de puerta de ambos signos.

Cuando se trabaja con

corriente alterna, es
interesante poder controlar
los dos sentidos de
circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el
paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los
fabricantes de semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este
inconveniente. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se
comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma,
tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.

Características:
• Activación controlada
• Desactivación sin control
• Corrientes bidireccionales
• Pulso de control

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo

únicamente un único circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de
puerta. Sin embargo, tal y como está fabricado, es un dispositivo con una capacidad
de control de potencia muy reducida. En general está pensado para aplicaciones de
pequeña potencia, con tensiones que no superan los 1000 V y corrientes máximas
de 15A. Es usual el empleo de TRIAC en la fabricación de electrodomésticos con
control electrónico de velocidad de motores y aplicaciones de iluminación, con
potencias que no superan los 15 kW. La frecuencia máxima a la que pueden trabajar
es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofásica.

6
2.3 GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar

las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa.

Características:
• Activación controlada
• Desactivación controlada
• Corrientes unidireccionales
• Requiere de pulsos de control
• La compuerta soporta voltajes bipolares y unipolares

7
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está
directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente
entre puerta y cátodo.
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se
mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo
atraídos por el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta
corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no
necesita de la señal de puerta para mantenerse en conducción.

El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como:

Facilidad de extracción de portadores por el terminal de puerta – esto es posible

debido al uso de impurezas con alta movilidad.
• Rápida desaparición de portadores en las capas centrales – uso de impurezas con
bajo tiempo de recombinación. Esto indica que un GTO tiene una mayor caída de
tensión en conducción, comparado a un SCR de dimensiones iguales.
• Soportar tensión inversa en la unión puerta cátodo, sin entrar en avalancha –
menor dopado en la región del cátodo.
• Absorción de portadores de toda la superficie conductora – región de puerta
cátodo con gran área de contacto.

3. TRANSISTORES
En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan

8
para que éstos trabajen en la zona de saturación (conducción) o en la zona de corte
(bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores,
como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona
activa o lineal. Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados,
mientras que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta
en conducción. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de
potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos híbridos, como
por ejemplo, los transistores de unión bipolar de puerta aislada (IGBT). A
continuación veremos cada uno de ellos.

3.1 Transistor Bipolar de Potencia (TBP)

Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará existen
dos tipos fundamentales, los “npn” y los “pnp”, si bien en Electrónica de Potencia los
más usuales y utilizados son los primeros.
Características:
• Activación controlada
• Desactivación controlada
• Maneja corrientes unidireccionales
• Requiere de un pulso sostenido de
control
• Capacidad de soportar voltajes
bipolares
• Su capacidad interna de operación
es de baja frecuencia
• Maneja altas potencias
• El pulso de control se genera a partir
del control por corriente y voltaje.

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En Electrónica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la
zona de saturación, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en
consecuencia el rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeño. Además
téngase en cuenta que dado que en Electrónica de Potencia se trabaja con
tensiones y corrientes elevadas, esa disipación de potencia debe evacuarse de
algún modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el semiconductor por una
excesiva temperatura en su interior.

3.2 MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)

Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello se debe al aislamiento
(óxido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos
básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de
Potencia los más comunes son los primeros, por presentar menores pérdidas y
mayor velocidad de conmutación, debido a la mayor movilidad de los electrones con
relación a los agujeros.

Características:
• Activación controlada
• Desactivación controlada
• Corrientes unidireccionales
• Capacidad de manejo de voltajes
bipolares
• Operación a altísima frecuencia
• Soporta bajas potencias
• Controlado por voltaje con corriente cero
(0)

En electrónica de Potencia nos

interesa que un MOSFET trabaje en
corte o en óhmica (interruptor abierto
o cerrado). Uno de los
inconvenientes de los transistores
MOSFET es que la potencia que
pueden manejar es bastante
reducida. Para grandes potencias es
inviable el uso de estos dispositivos,
en general, por la limitación de
tensión. Sin embargo, son los
transistores más rápidos que existen,
con lo cual se utilizan en

10
aplicaciones donde es necesario altas velocidades de conmutación (se pueden
llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los
bipolares).

3.3 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un
dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET
con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está
aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente
sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo
que el interruptor es muy cercano a lo ideal.

Características:
• Activación controlada
• Desactivación controlada
• Corrientes unidireccionales
• Operaciones a altas
frecuencias
• Soporta altas potencias
• Controlado por voltajes
• Maneja voltajes bipolares

11
 Tipos de semiconductores de potencia.

Los semiconductores de potencia son elementos esenciales en la industria

electrónica, permitiendo el control y la gestión eficiente de la energía eléctrica.

● MOSFET: los MOSFET, o transistores de efecto de campo de óxido

metálico-semiconductor, son ampliamente utilizados en la electrónica de

potencia debido a su alta eficiencia y capacidad de funcionamiento a altas

frecuencias. Son ideales para aplicaciones que requieren una conmutación

rápida y una alta densidad de potencia.

● IGBT: el IGBT, o transistor bipolar de puerta aislada, combina las

características de un transistor MOSFET y un transistor bipolar. Estos

dispositivos son capaces de manejar altas tensiones y corrientes, y ofrecen

una baja resistencia de conducción y bloqueo. Los IGBT son ampliamente

utilizados en aplicaciones como sistemas de tracción de vehículos eléctricos,

inversores de energía solar y convertidores de frecuencia.

El IGBT en saturación se ve afectado por una mayor tensión colector –

emisor que el FET que sin embargo se ve compensada a corrientes altas por
una menor resistencia equivalente,en corte se comporta aproximadamente
como un FET, Las pérdidas en saturación son menores que en un FET, pero
mayores que en un bipolar,Un gradiente de tensión Vce origina a través de la
capacidad parásita CCG una corriente que hace que la capacidad parásita
CGE se cargue, si la tensión de esta capacidad, VGE, supera el valor de
umbral del transistor MOS de entrada, el IGBT se hará conductor en instantes
no deseados, con la consiguiente pérdida de control y originando además
pérdidas de potencia

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 El tiempo de excitación del IGBT es similar al del FET, El tiempo de apagado

se encuentra entre el del FET y el bipolar, La velocidad de conmutación, por

tanto, se encuentra entre los dos dispositivos que le preceden, pero más

cercana al FET, La potencia disipada también se encuentra en un lugar

intermedio;.En conjunto, el IGBT combina las características de potencia y

velocidad de los dos tipos de transistores, pero acercándose al mejor de los

casos y, por tanto, al objetivo de alcanzar lo mejor de cada uno.,Un gradiente

de tensión excesivo encontraría cargas atrapadas que no se han extraído

totalmente, por esta razón, el gradiente permitido para este caso será inferior

a el que se permite en régimen estático.

● SCR: el SCR, o rectificador controlado de silicio, es uno de los

semiconductores de potencia más antiguos y se utiliza principalmente en

aplicaciones de control de potencia. Estos dispositivos son ideales para

aplicaciones que requieren una alta confiabilidad y un alto rendimiento, como

el control de motor, la regulación de voltaje y la protección contra

sobretensiones.

Tiristor (SCR) ( Comportamiento estático – estado de bloqueo )

• El tiristor se encuentra bloqueado cuando: – La tensión ánodo

– cátodo es positivo pero la puerta no lo es respecto al cátodo (bloqueo

directo).

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 – La tensión ánodo – cátodo es negativa (bloqueo inverso)

independientemente del estado de la puerta.

• En bloqueo solamente circula la corriente de fugas del dispositivo, que crece

ligeramente con la tensión ánodo

● cátodo y más significativamente con la temperatura.

● En bloqueo directo, puede llegar a alcanzar la intensidad de ruptura

directa de la unión de control y hacer que el tiristor entre en

conducción (no destruye el tiristor).

• Se proporcionan parámetros de tensión análogos a los del diodo, pero para

ambos sentidos:

Tensión de trabajo directo / inverso.

Tensión de pico repetitivo directo / inverso.

Tensión de pico no repetitivo directo / inverso.

Tensión de ruptura directa / inversa.

Tiristor (SCR) -Comportamiento estático – estado de conducción.

• La corriente de ánodo es controlada por el circuito externo (no tiene que ver con la

de puerta) y debe mantenerse por encima del valor de corriente de mantenimiento

para que no se bloquee de forma espontánea.

• La tensión ánodo – cátodo se mantiene en torno a 1 '5 – 2V.

14
• Se proporcionan parámetros asociados análogos a los del diodo:

– Intensidad media nominal (en ocasiones aparece como Intensidad eficaz nominal).

– Intensidad de pico repetitivo.

– Intensidad de pico no repetitivo.

• Pérdidas en conducción: 𝑃𝑃𝑐𝑐 = 1,3 ∗ 𝐼𝐼𝐴𝐴𝐴𝐴 +

𝑟𝑟𝐼𝐼𝐴𝐴 2

– 1,3V: tensión de codo.

– IAm: corriente media de ánodo.

– r: resistencia dinámica del tiristor.

– IA: corriente eficaz de ánodo.

Tiristor (SCR) – Disparo

• El disparo es el paso del tiristor del estado de bloqueo al de conducción de

manera estable.

• Disparo accidental:

– Por tensión excesiva: un exceso de tensión directa ánodo

15
– cátodo provoca que se sobrepase la corriente de ruptura directa.

– Por derivada de tensión: es posible que una tensión ánodo

– cátodo no demasiado alto provoque el paso a conducción si se aplica de una

manera muy rápida.

La pendiente de subida dVAK/dt necesaria depende de la tensión final y la

temperatura (menor, cuanto mayores sean éstas). Se suele proporcionar el
parámetro (dVAK/dt)máx para un determinado valor de tensión final (2/3 de la
tensión de pico repetitivo directo).

• Disparo por impulso de puerta: es el procedimiento habitual de disparo y consiste

en suministrar un impulso eléctrico a la puerta del tiristor (con tensión ánodo –
cátodo positiva).

– Tiempo de retardo a la excitación (td ): tiempo transcurrido desde que se aplica el

impulso en la puerta del tiristor hasta que la corriente de ánodo comienza a elevarse
(10% del valor final).

– Tiempo de subida (tr ): desde que la corriente alcanza el 10% del valor final hasta
el 90%.

– Tiempo de disparo (ton): la suma de los dos anteriores.

• El incremento de corriente en el ánodo en el momento del disparo no debe superar

un valor máximo (diA/dt)máx . Esto es debido a que, tras el disparo, el área de
conducción se reduce a una pequeña parte de la unión pn, próxima al terminal de
puerta. De este modo, la densidad de corriente es temporalmente elevada y puede
producir la destrucción del tiristor.

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17
Tiristor (SCR) – Características de disparo

• Los impulsos aplicados a la puerta del tiristor deben cumplir unas condiciones
determinadas para asegurar el disparo del mismo:

– Deben tener una duración mínima que permita a la corriente de ánodo alcanzar el
denominado valor de enclavamiento (IH).

– La corriente de puerta debe superar el valor de corriente mínima con disparo

(IGT) a la temperatura de trabajo.

– La tensión puerta

– cátodo debe superar el valor de tensión mínima con disparo (VGT) a la

temperatura de trabajo. Esta tensión generará la corriente anterior que es la que
realmente produce el disparo.

• Para evitar disparos accidentales, el fabricante proporciona también:

– Tensión de puerta – cátodo máxima sin disparo (VGD).

– Corriente de puerta máxima sin disparo (IGD).

• Se producen las siguientes circunstancias:

– Un valor de tensión/corriente por encima del mínimo con disparo asegura el

disparo. – Un valor de tensión y corriente por debajo de los máximos sin disparo
asegura que no se produzca un disparo indeseado.

– Cualquier otro valor produce un resultado incierto.

Tiristor (SCR) – Bloqueo

• No es posible forzar el bloqueo del tiristor a través del terminal de puerta.

18
• Una caída de la corriente de ánodo por debajo del valor de mantenimiento
provoca el bloqueo natural del tiristor.

• Si la velocidad de reducción de la corriente de ánodo (diA/dt) es excesiva, al igual

que ocurre en un diodo, el tiristor puede conducir temporalmente en sentido inverso.

– Tiempo de apagado dinámico (tiempo de bloqueo(tq)): mínimo tiempo que debe

transcurrir desde que la corriente de ánodo se invierte hasta que una tensión ánodo
cátodo positiva no puede poner al tiristor en conducción sin disparo.

• Es posible realizar un bloqueo forzado del tiristor:

– Mediante la aplicación de una tensión inversa suficiente entre ánodo y cátodo.

– Mediante la aplicación de una fuente de corriente opuesta a la corriente directa

ánodo – cátodo.

MCT (MOS Controlled Thyristor)

• Se trata de un dispositivo híbrido, al igual que el IGBT.

• Dispone de dos transistores MOS. Uno de ellos pone al tiristor en conducción; el

otro lo apaga.

• En este caso el ánodo es el terminal de referencia.

• En estado de bloqueo directo, una tensión puerta-ánodo negativa pone al MCT en

conducción.

• En conducción, una tensión puerta-ánodo positiva apaga el MCT.

• El apagado es posible si la corriente se encuentra por debajo de un valor

denominado corriente controlable de pico. Por encima de ese valor, un intento de
apagado puede destruir el componente. En tal caso, el MCT funciona como un
tiristor normal.

19
• La anchura de los impulsos de puerta depende de la corriente. Resulta
aconsejable su mantenimiento durante toda la duración de los periodos de
encendido/apagado.

• Están construidos a base de múltiples celdas en paralelo, por lo que admiten

gradientes de corriente más altos.

Diodos de potencia

• Pertenecen a la categoría de componentes que sí tienen equivalente en señal.

• Están formados por una unión p-n igualmente.

• En ellos el área de pastilla y la corriente soportada son mayores.

• Las características que se persiguen en ellos son:

– Que en polarización directa sean capaces de conducir una elevada corriente con
una baja caída de tensión.

– Que en polarización inversa soportan una elevada tensión con una pequeña
corriente de fugas.

– Que sean capaces de recuperar el estado de bloqueo tras la conducción de

manera rápida y con baja corriente inversa.

Diodos de potencia - Bloqueo

• Se produce al aplicar una tensión inversa en los terminales del diodo de manera
que el ánodo sea más negativo que el cátodo.

• Esto provoca:

– Migración de portadores mayoritarios a los extremos de la pastilla.

– Ensanchamiento de la zona de carga espacial.

20
– Aparición de una barrera de potencial en la unión aprox. Igual a la tensión
aplicada.

– Corriente de minoritarios dependiente de la temperatura y no de la tensión.

• Parámetros asociados:

– Tensión inversa de trabajo: puede ser soportada de forma continuada sin peligro .
– Tensión inversa de pico repetitivo: puede ser soportada en periodos de 1 ms
repetidos cada 10 ms.

– Tensión inversa de pico no repetitivo: puede ser soportada cada 10’ durante un
periodo de 10 ms.

– Tensión de ruptura: puede producir la ruptura del diodo.

Diodos de potencia - Conducción

• Se produce al aplicar una tensión directa en los terminales del diodo de manera
que el ánodo sea más positivo que el cátodo.

• Esto provoca: – Migración de portadores mayoritarios hacia la unión.

– Estrechamiento de la zona de carga espacial.

– Corriente de mayoritarios dependiente de la tensión.

• Parámetros asociados: – Intensidad media nominal: valor medio de la máxima

intensidad de impulsos senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la
cápsula mantenida a una determinada temperatura (110ºC). – Intensidad de pico
repetitivo: puede ser soportada cada 20 ms con una duración de 1ms. – Intensidad
de pico no repetitivo: puede ser soportada cada 10’ durante un periodo de 10 ms.

• Pérdidas en conducción:

21
Diodos de potencia – Comportamiento dinámico

• Recuperación inversa: recuperación de la situación de bloqueo tras un estado de

conducción al ser sometido a tensión inversa.

– Forzada: si la reducción de corriente es excesivamente rápida, tras el paso por

cero una cierta cantidad de portadores cambia su sentido de movimiento y permite
que el diodo conduzca en inversa durante un tiempo.

• Tiempo de almacenamiento : desde el paso por cero hasta la máxima corriente

inversa.

• Tiempo de caída: desde que se alcanza la máxima corriente inversa hasta que se
reduce a su 25%.

• Tiempo de recuperación inversa: suma de los anteriores.

• Intensidad de recuperación: corriente de pico inversa alcanzada.

– Natural: si la velocidad de reducción de corriente es baja, los parámetros

anteriores pueden ser despreciables.

● DIODO SCHOTTKY: el diodo Schottky, también conocido como diodo de

barrera de potencial, es un semiconductor de potencia utilizado en

aplicaciones que requieren una rápida conmutación y una baja caída de

voltaje directo. Son especialmente útiles en aplicaciones de alta frecuencia y

alta temperatura, como la rectificación de corriente alterna y la conmutación

de potencia en fuentes de alimentación conmutadas.

● TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN: el transistor bipolar de unión, también

conocido como BJT, es un semiconductor de potencia utilizado en

aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente. Estos dispositivos

22
 son ampliamente utilizados en amplificadores de audio, fuentes de

alimentación reguladas y circuitos de conmutación.

● TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN: el transistor de efecto

de campo de unión, o JFET, es un semiconductor de potencia que utiliza la

región de estrangulamiento para controlar la corriente. Los JFET son

ampliamente utilizados en amplificadores de señal de bajo ruido,

mezcladores de frecuencia y osciladores de bajo ruido.

● MOSFET DE POTENCIA: el MOSFET de potencia es una variante del

MOSFET diseñado específicamente para aplicaciones de alta potencia. Estos

dispositivos son altamente eficientes y ofrecen una baja resistencia de

conducción y bloqueo. Son utilizados en aplicaciones de conmutación de alta

velocidad, como inversores de energía solar, sistemas de tracción de

vehículos eléctricos y fuentes de alimentación conmutadas.

● TRANSISTOR DE COMPUERTA AISLADA: el transistor de compuerta

aislada, o IGBT, es un dispositivo híbrido que combina las características de

un transistor de efecto de campo y un transistor bipolar. Estos dispositivos

son ampliamente utilizados en aplicaciones de alta potencia, como inversores

de energía solar y sistemas de tracción de vehículos eléctricos.

● TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR DE PUERTA AISLADA: el transistor de

unión bipolar de puerta aislada, o IGBT, es similar al IGBT, pero con una

puerta aislada adicional para mejorar la eficiencia. Estos dispositivos son

utilizados en aplicaciones que requieren una alta eficiencia y un alto

rendimiento, como accionamientos de motor y fuentes de alimentación

conmutadas.

23
● RECTIFICADOR: el rectificador es un semiconductor de potencia utilizado

para convertir la corriente alterna en corriente continua. Estos dispositivos

son esenciales en la electrónica de potencia, ya que permiten la alimentación

de dispositivos electrónicos con corriente continua, proporcionando

estabilidad y confiabilidad.

● Otros dispositivos

• GTO (Gate Turn-off Thyristor): se trata de un tiristor que puede ser

bloqueado desde el terminal de puerta.

• DIAC: dispositivo autoprotegido que se vuelve conductor en corriente

directa o inversa, cuando se alcanza la tensión de ruptura.

• TRIAC: DIAC dotado de un terminal de control que le permite entrar en

conducción antes de alcanzar la tensión de ruptura.

• Dispositivos híbridos: además del IGBT y el MCT, los fabricantes

proporcionan múltiples dispositivos híbridos de similares características.

● ¿Cuál es el semiconductor de potencia más eficiente?

El MOSFET de potencia es uno de los semiconductores más eficientes,

gracias a su baja resistencia de conducción y bloqueo.

● ¿Qué aplicaciones requieren el uso de un IGBT?

El IGBT es ampliamente utilizado en aplicaciones como sistemas de tracción

de vehículos eléctricos, inversores de energía solar y convertidores de

frecuencia.

24
● ¿Cuáles son las ventajas del diodo Schottky?

El diodo Schottky ofrece una rápida conmutación y una baja caída de voltaje

directo, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y alta

temperatura.

● ¿Qué características hacen del SCR un semiconductor de potencia

confiable?

El SCR ofrece una alta confiabilidad y un alto rendimiento, lo que lo hace

ideal para aplicaciones de control de motor, regulación de voltaje y protección

contra sobretensiones.

● ¿Cuál es la diferencia entre un transistor BJT y un transistor JFET?

La diferencia principal entre el transistor BJT y el transistor JFET radica en su

principio de funcionamiento. El transistor BJT utiliza uniones pn para controlar

el flujo de corriente, mientras que el transistor JFET utiliza la región de

estrangulamiento.

25
 Marcas de semiconductores del mercado

Intel (Estados Unidos) y Samsung (Corea del Sur) se colocaron como las
mayores empresas por ventas de semiconductores en el mundo a mediados
de 2020, de acuerdo con un análisis del Parlamento Europeo.
Luego siguieron, en orden descendiente: TSMC (Taiwán), SK Hynix (Corea
del Sur), Micron (Estados Unidos), Broadcom (Estados Unidos), Qualcomm
(Estados Unidos), Nvidia (Estados Unidos), Texas Instruments (Estados
Unidos) y HiSilicon (China), propiedad de Huawei.
Los modelos comerciales en la industria de los semiconductores se pueden
dividir en términos generales en:
● Fabricantes de dispositivos integrados (IDM, por su sigla en inglés),
empresas que integran toda la cadena de valor en su modelo
comercial.
● Empresas “Fabless” (sin fábrica) que no producen sus propios chips,
sino que se centran en el diseño, la concesión de licencias de
propiedad intelectual y subcontratan la producción a fábricas o
fundiciones externas.
● Empresas Pure-play (sin tienda física), que constituyen la otra cara de
las empresas Fabless y suelen producir semiconductores por pedido.
Estados Unidos es el líder del mercado en IDM y Fabless, y las empresas con
sede en Estados Unidos tienen una participación de mercado de ventas del
51 y 65 por ciento.

26
27
28
 conclusión.

Para terminar podemos concluir que los dispositivos semiconductores de potencia

son componentes electrónicos que se utilizan en electrónica de potencia. Estos

dispositivos se caracterizan por trabajar con tensiones y corrientes medias y altas.

Algunos de ellos solamente existen como componentes de potencia. Otros son

análogos a sus equivalentes de señal, pero manejando tensiones y corrientes

superiores. Los dispositivos semiconductores de potencia comunes incluyen diodos,

transistores y tiristores . Los diodos de potencia son componentes que tienen un

equivalente en señal. Están formados por una unión p-n igualmente. En ellos el área

de pastilla y la corriente soportada son mayores. Las características que se

persiguen en ellos son: que en polarización directa sean capaces de conducir una

elevada corriente con una baja caída de tensión, que en polarización inversa

soportan una elevada tensión con una pequeña corriente de fugas, y que sean

capaces de recuperar el estado de bloqueo tras la conducción de manera rápida y

con baja corriente inversa . Los transistores de potencia son similares a los

transistores comunes, pero manejan tensiones y corrientes superiores. Los tiristores

son dispositivos de tres terminales que se utilizan para controlar la corriente

eléctrica. Los tiristores son capaces de controlar la corriente eléctrica en un solo

sentido .

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 Referencias
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semiconductores en el mundo. Opportimes.

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Rev. 1, Nov−2006. ON Semiconductor

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