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Practica 2

Este documento describe una práctica de laboratorio sobre diodos rectificadores, diodos Zener y diodos emisores de luz (LED). Explica los tipos de materiales conductores, aislantes y semiconductores, y cómo el dopaje altera las características de los semiconductores. Describe las características de operación y las curvas de voltaje-corriente de los diodos rectificadores, Zener y LED, así como cómo identificar la polaridad de un LED. El objetivo es que los estudiantes se familiaricen con los diferentes tip
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Practica 2

Este documento describe una práctica de laboratorio sobre diodos rectificadores, diodos Zener y diodos emisores de luz (LED). Explica los tipos de materiales conductores, aislantes y semiconductores, y cómo el dopaje altera las características de los semiconductores. Describe las características de operación y las curvas de voltaje-corriente de los diodos rectificadores, Zener y LED, así como cómo identificar la polaridad de un LED. El objetivo es que los estudiantes se familiaricen con los diferentes tip
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UNIVERSIDAD NACIONAL ATÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES “ARAGÓN”


INGENIERÍA INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL


PRACTICA NO.2: DIODOS –RECTIFICADOR, ZENER Y EMISOR DE LUZ–
(CUESTIONARIO PREVIO)

ALUMNO: MARTINEZ RODRIGUEZ DANIEL

GRUPO: 8518

PROFESOR: ING. VICTOR MANUEL GONZALES MONDRAGON.


UNIVERSIDAD NACIONAL ATÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES “ARAGÓN”
INGENIERÍA INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL


PRACTICA NO.2: DIODOS –RECTIFICADOR, ZENER Y EMISOR DE LUZ–
(REPORTE DE PRACTICA)

ALUMNO: MARTINEZ RODRIGUEZ DANIEL

GRUPO: 8518

PROFESOR: ING. VICTOR MANUEL GONZALES MONDRAGON.


Práctica 2.
Diodos –Rectificador, Zener y Emisor de Luz–

Objetivos
• Que el alumno conozca los diferentes tipos de diodos que existen.
• El alumno identificará las características más importantes de los diodos.
• Que el alumno determine las características y la región de operación para un diodo semiconductor, un diodo Zener y un diodo emisor de
luz (LED).
• Que el alumno se familiarice con la información proporcionada por la hoja de datos o datasheet.

Introducción
En electricidad, existen diferentes tipos de materiales y cada uno tiene sus propias características. Podemos encontrar los conductores:
son los que presentan una resistencia mínima al flujo de la corriente

Los aislantes o dieléctricos que son aquellos que presentan una resistencia muy alta al flujo de la corriente.

Los semiconductores son los que bajo ciertas circunstancias tienen las características de ambos; poseen cuatro electrones de valencia. La tabla
1.1 muestra algunos ejemplos de estos materiales.

Semiconductores
Las características de los materiales semiconductores pueden alterarse de manera importante mediante la adición de ciertos átomos al material
semiconductor puro, a este proceso se le llama dopaje o adición de impurezas

Para obtener un exceso de huecos se utiliza una impureza trivalente, es decir un elemento cuyos átomos contengan solo tres electrones de
valencia, como por ejemplo el aluminio, el boro o el galio. Y para el aumento de electrones se les agrega un el elemento pentavalente, es decir
que contiene cinco electrones de valencia, por ejemplo el arsénico, el antimonio y el fósforo.
Tabla 1.1. Ejemplos de los distintos tipos de materiales.

Tipo de Material Ejemplos

• • Conductores • Oro
Cobre
Aluminio
• Hierro


• Vidrio
Cerámica
• Goma
Dieléctricos o aislantes • Papel
• Madera seca
• Porcelana

• Silicio
Semiconductores • Germanio
• Cadmio
• Carbono
.

Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro, controlando así la
cantidad de impurezas. Inicialmente era más sencillo producir cristales puros de Germanio. Por esta razón los primeros dispositivos estaban
hechos a base de este material. Hoy en día es más frecuente encontrar dispositivos hechos a base de Silicio, puesto que es uno de los elementos
más abundantes en el mundo.
Cuando el Silicio es dopado con una impureza pentavalente, se le llama semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo. Como los
electrones superan a los huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les llaman portadores
minoritarios. Cuando el Silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a

positivo y a los huecos se les llama portadores mayoritarios y a los electrones portadores minoritarios.
Diodos
El diodo semiconductor o simplemente diodo es un dispositivo electrónico construido uniendo un material semiconductor del tipo n con uno
de tipo p (figura 2.1). La separación o frontera física entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se le llama unión p-n o región de agotamiento.

(a) (b)

Figura 2.1. Diodo semiconductor: (a) Construcción interna (b) Símbolo eléctrico del diodo

A continuación se muestran las tres formas de polarizar un diodo:

1. Diodo no polarizado (VD=0) (figura 2.2). En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga en cualquier dirección
para un diodo semiconductor es cero.

Figura 2.2. Diodo sin polarizar.


2. Diodo polarizado en inversa (VD < 0V): Un diodo se encuentra polarizado en inversa cuando se conecta la terminal p a la terminal negativa
de la fuente y la terminal n a la terminal positiva de la fuente. Si hacemos la analogía con un interruptor, se encontraría en estado abierto.
Tenemos que tener en cuenta la corriente de saturación inversa (figura 2.3).
(a) (b)

Figura 2.3. Diodo polarizado en inversa: (a) Conexión del diodo (b) Circuito equivalente

3. Diodo polarizado en directa (VD>0 V): Un diodo se encuentra polarizado en directa cuando se conecta la terminal p del diodo con la
terminal positiva de la fuente y la terminal n con la terminal negativa de la fuente, por lo tanto hay un flujo de carga. Al contario del
anterior, este sería un interruptor cerrado, por lo tanto hay flujo de corriente.(Figura 2.4)

La ecuación 2.1 modela las características de un diodo semiconductor mediante el empleo de la física del estado sólido.

𝑘𝑉𝐷 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆(𝑒 𝑇𝑘 − 1) (2.1)

Dónde

𝐼𝑆 = 𝐶𝑜𝑟𝑟i𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐ió𝑛 i𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎


11600
𝑘= , 𝑛 = 1 (𝐺𝑒)𝑦 𝑛 = 2 (𝑆i)
𝑛
𝑇𝑘 = 𝑇𝑐 + 273°

(a) (b)

Figura 2.4. Diodo polarizado en directa: (a) Conexión del diodo (b) Circuito equivalente.

La figura 2.5 muestra la curva característica del diodo semiconductor, tanto para su región de polarización en directa como en inversa.

Diodos Especiales • Diodo Zener


A diferencia del diodo rectificador, el diodo zener fue diseñado en la región de ruptura; es decir, cuando es polarizado en inversa, fija o se
mantiene en un cierto voltaje determinado por el fabricante, 3.3V, 5.1V, etc. Al ser polarizado en directa su funcionamiento es el mismo que el
diodo. La figura 2.6 muestra la gráfica correspondiente al diodo zener y su símbolo eléctrico. Sus principales aplicaciones se encuentran en las
fuentes de alimentación.
Figura 2.5. Curva característica del diodo semiconductor

(a)
(b )

Figura 2.6. Diodo Zener: (a) Curva característica (b) Símbolo eléctrico

LED ( Light Emitting Diode)


Este tipo de diodo tiene el mismo funcionamiento que el diodo semiconductor, con la diferencia que al ser polarizado en directa emite luz visible.
Su símbolo se muestra en la figura 2.7

Figura 2.7. Diodo Emisor de Luz (LED)


Para identificar la polaridad de un LED se pueden ver tres cosas:

1. En el interior del LED (figura 2.8a), en donde inician las terminales la parte más gruesa corresponde al cátodo y la más delgada al ánodo.
2. El cuerpo del LED tiene un lado aplanado (figura 2.8b), esa terminal corresponde al cátodo.
3. Si aún no se han cortado las terminales del LED, la terminal más larga (figura 2.8c) corresponde al cátodo y la más corta al ánodo.

(a) (b) (c)

Figura 2.8. Identificación de las terminales del LED: (a) Terminales internas (b) Lado aplanado del LED (c)
Terminal más larga

Hoja de datos ( DataSheet)


Para saber los datos específicos de construcción de un dispositivo electrónico tenemos que consultar su hoja de datos (DataSheet). Por lo
general todos los dispositivos tienen su hoja de datos, en la figura 2.8 se muestra el ejemplo de algunos diodos entre ellos el 1N4006.

Es importante conocer ciertos parámetros importantes para realizar la compra de algún diodo, en general: Voltaje máximo, potencia máxima,
voltaje de polarización, entre otros.
Figura 2.9.Caracteristicas del Diodo 1N4006
Equipo para el desarrollo de la práctica 2.

• Generador de Funciones • Fuente de alimentación


Trabajo de Laboratorio

Experimento 1.

1.1 Arme el circuito de la figura 2.10a, cerciórese de la polaridad del diodo.

1.2 Ajuste la fuente de C.D. a 0 V.

1.3 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.1, anote los valores medidos.

1.4 Apague la fuente C.D.

1.5 Cambie la polaridad del diodo como se muestra en la figura 2.10b.

1.6 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.1, anote los valores medidos.

1.7 Apague la fuente.

Tabla 2.1. Lecturas del experimento 1.

VFUENTE (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 5 10 15


Figura VD (V) 2.5mV 202.5 mV 381.4mV 459.3mV 493.8mV 515.1mV 569.7mV 624.5mV 661.2mV 681.7mV
2.10a ID(A) 0.5𝜇𝐴 0.4 𝜇𝐴 16.5 𝜇𝐴 118.5 𝜇𝐴 256.2 𝜇𝐴 404.5 𝜇𝐴 1.25 m𝐴 3.91 m𝐴 8.54 m𝐴 13.27
m𝐴
Figura VD (V) 2.4 mV 202.6mV 402mV 602.7mV 803mV 1002.7mV 2003mV 5003mV 10005mV 15.01V
2.10b ID(mA) 0 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.4𝜇𝐴 0.1𝜇𝐴 0.1𝜇𝐴 0.1𝜇𝐴
(a) (b)

Figura 2.10. Circuito para el experimento 1: (a) Diodo polarizado en directa (b) Diodo polarizado en inversa

1.8 Con los valores obtenidos en la tabla 2.1 trace las curvas características del diodo rectificador, en el siguiente espacio cuadriculado. Utilice
el eje vertical para la corriente y el horizontal para el voltaje; utilice el primer cuadrante para el diodo polarizado en directa (figura 2.10a)
y utilice el tercer cuadrante para el diodo polarizado en inversa (figura 2.10b).
Experimento 2.

2.1 Arme el circuito de la figura 2.11a con un diodo zener 1N733A. Asegúrese de la polaridad del diodo zener.

2.2 Ajuste la fuente de C.D. a 0 V.

2.3 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.2, anote los valores medidos.

2.4 Apague la fuente de C.D.

2.5 Cambie la polaridad del diodo zener (figura 2.11b)

2.6 Ajuste la fuente de C.D. a 0 V.

2.7 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.2, anote los valores medidos.

2.8 Apague la fuente de C.D.

(a) (b)
Figura 2.11. Circuito para el experimento 2: (a) Diodo polarizado en directa (b) Diodo polarizado en inversa

Tabla 2.2. Lecturas del experimento 2.

VFUENTE (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 5 10 15


Figura VD (V) 2.4mv 202.3mv 401.8mv 422mv 675mv 701.15mv 741.6mv 775mv 797mv 809.8
2.11a ID(mA) 0.5 𝜇𝐴 0.5 𝜇𝐴 0.5 𝜇𝐴 5.6 𝜇𝐴 96.8 𝜇𝐴 0.24 m𝐴 0.2 m𝐴 3.67 m 𝐴 8.29mA 13.05mA
Figura VD (V) 2.4mv 195mV 402mv 602mv 803mv 1002.7mv 2002mv 4.2v 4.7v 4.91v
2.11b ID(mA) 0.5 𝜇𝐴 0.5 𝜇𝐴 0.5 𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5𝜇𝐴 0.5 𝜇𝐴 0.67𝑚𝐴 4.61mA 9.10 mA

2.9 Con los valores obtenidos en la tabla 2.2, trace las curvas características del diodo zener, en el siguiente espacio cuadriculado. Utilice el eje
vertical para la corriente y el horizontal para el voltaje; utilice el primer cuadrante para el diodo polarizado en directa (figura 2.11a) y utilice
el tercer cuadrante para el diodo polarizado en inversa (figura 2.11b).
Experimento 3.
3.1 Intercambie el diodo zener por un LED (figura 2.12a).

3.2 Ajuste la fuente de C.D. a 0 V.

3.3 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.3, anote los valores medidos.

3.4 Apague la fuente de C.D.

(a) (b)

Figura 2.12. Circuito para el experimento 3: (a) LED polarizado en directa (b) LED polarizado en inversa

3.5 Cambie la polaridad del LED (figura 2.12b).

3.6 Ajuste la fuente de C.D. a 0 V.

3.7 Aumente de forma gradual el voltaje de acuerdo a los valores de la tabla 2.3, anote los valores medidos.
3.8 Apague la fuente de C.D.

Tabla 2.3. Lecturas del experimento 3.

VFUENTE (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 5 10 15


Figura VD (V) 2.4mv 202.6mv 401.9mv 602.6mv 803.7mv 1002.5mv 1736mv 1855mv 1932mv 1963mv
2.9a ID(mA) 0 0 0 0 0 0 0.19mA 2.50mA 2.59mA 11.73mA
Figura VD (V) 2.7mv 202.7mv 402mv 602.6 803mv 1002.5mv 2002mv 50001mm 10000mv 15000mv
2.9b ID(mA) 0 0 0 0 0.5 𝜇𝐴 0.4 𝜇𝐴 0.3 𝜇𝐴 0.1 𝜇𝐴 0.1 𝜇𝐴 0.3 𝜇𝐴
Conclusiones.
Simulaciones

Tabla 2.1. Lecturas del experimento 1.


Polaridad en directa
Polaridad en inversa
Tabla 2.2. Lecturas del experimento 2.
Polaridad directa
Polaridad inversa
Experimento 3

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