TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS SEMICONDUCTORES

Un material semiconductor es un material que tiene un nivel de

conductividad intermedio entre un aislador y un conductor.

Un diodo semiconductor es un dispositivo electrónico de 2

terminales hecho a base de material semiconductor.

El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un

flujo generoso de carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud
limitada se conecta a través de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de

conductividad bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada.

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 DIODOS SEMICONDUCTORES

Características Generales del Material Semiconductor:

Conductividad: σ 1
Resistividad: ρ =

El término resistividad se usa para comparar los niveles de
resistencia de diferentes materiales.

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RA
Ecuación Básica de Resistencia: R =ρ l ρ =
A l
R

ρ
A RT
ℓ

Al hacer la medición de R con equipo se agrega la resistencia del

contacto
RT = R + r

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La resistencia del contacto óhmico es una resistencia adicional

introducida por los contactos metálicos en la muestra.

Ej.: Conductor Semiconductor Aislante

Cobre Mica
ρ= 10-6 Ω .cm ρ= 50 Ω .cm ρ = 1012 Ω .cm
ρ= 50X103 Ω.cm

Entre los semiconductores más conocidos tenemos al Silicio (Si) y al

Germanio (Ge).

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1.- El Si y el Ge se pueden fabricar con niveles muy altos de pureza.

1 parte de impureza ante 10.000´000.000 de partes de material puro.

2.- Tanto el Si como el Ge pueden cambiar sus propiedades con la

introducción de impurezas adecuadas (dopaje).

3.- Tanto el Si y el Ge pueden cambiar significativamente sus propiedades

ante la aplicación de luz y calor

Ej.: protón 4 4
neutrón Si 8 GE 18
electrón 2 8
2
+14 +32

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Gracias a los electrones de valencia los átomos de Ge y Si se usan en una

estructura sólida llamada cristal.
Ej.:

Una unión de átomos fortalecida por el comportamiento de electrones se

denomina unión covalente.

A – 273 ºC tenemos la estructura de arriba, por lo tanto aparece el cristal

pefecto y será un aislador

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Un material semiconductor que ha sido cuidadosamente refinado para reducir

las impurezas a un nivel muy bajo se conoce como material intrínseco.

Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un

incremento sustancial en el número de electrones libres en el material
Ej.: A 25 ºC si tenemos una muestra de 1 cm.3
de Silicio 1.5x1010 electrones libres
de Germanio 2.5x1013 electrones libres
t => R coeficiente negativo de temperatura

A temperatura ambiente un cristal de Si tiene < e- libres que un cristal de Ge

por esta razón el Si es considerado el principal material semiconductor para
fabricación de dispositivos electrónicos.

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Niveles y Bandas de Energía

Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el

estado de energía, y cualquier electrón que haya dejado su átomo, tiene
un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura
atómica.

Ej.: Niveles de energía de un átomo de Si

[ev] órbita de valencia

2da órbita
1era órbita
del núcleo
Cuando los átomos se combinan en un cristal las órbitas de
los e- se van influenciadas por las cargas de sus propios
núcleos sino también por la cargas de los núcleos y de los
electrones de los átomos vecinos

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Energía

Electrones libres para

establecer la conducción
Electrones de valencia
unidos a la estructura atómica

Eg = 1.1 e v (Si)
Eg = 0.67 e v (Ge)
Eg = 1.41 e v (Ga As) Arseniuro de Galio

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Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso

de dopado se conoce como material extrínseco. Los
materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio

➢ Tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza
que contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el
antimonio, el arsénico
y el fósforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en
la figura 1.7

➢ Tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio
puro con átomos de impureza que tienen tres electrones de
valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son
boro, galio e indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en
una base de silicio se indica en la figura 1.9.

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➢ Flujo de electrones contra flujo de huecos

Si un electrón de valencia adquiere suficiente
energía cinética para romper su enlace
covalente y llenar el vacío creado por un hueco,
entonces se creará un vacío o hueco en la
banda covalente que cedió el electrón. Existe

➢ Portadores mayoritarios y minoritarios

En un material tipo p, el hueco es el portador

mayoritario y el electrón el minoritario.

En un material tipo n el electrón se llama

portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.

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 DIODOS SEMICONDUCTORES

El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de

mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más
que eso; sólo la unión de un material con un portador mayoritario de
electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La simplicidad
básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área
de estado sólido

Se dispone entonces de tres opciones: sin polarización, polarización en

directa y polarización en inversa.

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Sin polarización aplicada (V=0v)
Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región
de “empobrecimiento”, debido a la disminución de portadores libres en
la región.

Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor,

el flujo neto de carga en una dirección es cero.

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 DIODOS SEMICONDUCTORES
Polarización INVERSA (Vd< 0v)

Se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con

la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa
conectada al material tipo p

La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama

corriente de saturación en
inversa y está representada por Is.

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➢ Polarización DIRECTA (Vd>0v)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece

aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al
tipo n.
La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a
los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para
que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de
la región de empobrecimiento como se muestra en la figura

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 DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS SEMICONDUCTORES
◼ Video Para revisar

◼ [Link]
Gw_c-Nn4&feature=emb_logo

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 DIODO IDEAL VS REAL

DIODO IDEAL

• El diodo semiconductor se
comporta como un interruptor
mecánico en el sentido de que
puede controlar el flujo de
corriente entre sus dos
terminales.

• El diodo semiconductor es
diferente del interruptor
mecánico en el sentido de que
cuando éste se cierra sólo
permite que la corriente fluya
en una dirección.

DIODOS SEMICONDUCTORES

Diodo Ideal
El diodo ideal es un dispositivo de 2 terminales que tiene el sig símbolo
ID El ánodo nos indica la dirección
Ánodo Cátodo de la corriente a través del diodo.
A + VD - K VD = VA - VK
Ej.: 10v 4v
Switch cerrado VD = 10 - 4
1er cuadrante VD = 6v Conduce
VD(V) Ej.: -5v -6v
Switch abierto VD = -5 - (-6)
3er cuadrante VD = -5 + 6
Región de VD = +1v Conduce
Polarización inversa. Ej.: +3v +5
VD = +3v – 5v
VD = -2v No conduce

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 DIODOS SEMICONDUCTORES

Ej.: Para el siguiente circuito grafique Vo vs t

y Vo vs Vi
Vi
+ VD -

+ + t
Vi Vo

- -

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Vi
1.- Voltaje positivo Vi => diodo en
conducción (switch cerrado).

Vo 2.- Voltaje negativo en Vi => diodo

como (switch abierto)
Vo
Vo = Vi – VD
VD

Vi

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 Aplicaciones de Diodos
Análisis mediante la Recta de Carga

La carga que se aplica determina el punto de operación del diodo. Se la

obtiene dibujando una línea recta que representa a la carga y que se
intersecta con la característica propia del diodo.
ID + VD -
ID

+ +
E R VR E/R
- -

Con la ley de Kirchhoff IDQ

E = VD +ID (R) Q

Con VD = 0 => ID=E/R

Con ID = 0 => VD = E VDQ E VD (v)

Teorema de Thevenin
Para hallar VTH se puede calcular o medir el voltaje del
circuito abierto.
A +
Circui VTH
to B -

Para encontrar la RTH se reducen a cero todas las fuentes

AC o DC y se calcula la resistencia entre los puntos A y B.
Para esto: Se cortocircuitan las fuentes de voltaje y,
se dejan en circuito abierto las fuentes de corriente.

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 Configuraciones Serie y Paralelo
de Diodos
◼ En general un diodo está en estado de “encendido” si la
corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su
dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo, y
VD≥0,7V para el Si y VD≥0,3V para el Ge
◼ Método rápido:
◼ Reemplazar por una R mental al diodo.
◼ Observar la dirección de la I resultante
◼ Si la dirección de I es igual a la flecha del símbolo del diodo
=> encendido.
◼ Reemplazar por una fuente de 0,7V.

Ej.: Para el siguiente circuito hallar el punto de

operación Q del diodo

ID = ?
Q
VD = ?

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 Aplicaciones de Diodos

Ej.: Para el siguiente circuito hallar el punto de operación Q del diodo

V1 − V2 RTH= R1 R2 + R3
VTH = (R 2 ) + V2
R1 + R 2 RTH= 0.75+0.25K
(5 − 1) RTH= 1K
VTH = (1K) + 1v
(3K + 1K)
VTH = 2V R TH ID

+ +
VTH 1K VD
2v
− −

Aplicaciones de Diodos

Ejercicio: Determinar Vo, I1, ID1, ID2:

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Aplicaciones de Diodos

Vo = 0.7V
10 − 0.7V
I1 = = 28.18mA
0.33K
I 28.18mA
I D1 = I D 2 = 1 =
2 2
I D1 = 14.09mA

Aplicaciones de Diodos

◼ Ejercicio: E1 − E2 − VD
Determine I I=
R
20 − 4 − 0.7V
I=
2.2 K
I = 6.95mA

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Aplicaciones de Diodos
◼ Ejercicio: Determinar Vo
VDGE = 0.3V
VDSi = 0.7V

Vo = 12 − 0.3V
Vo = 11.7V

Aplicaciones de Diodos
◼ Ejercicio: Determinar las corrientes
I1, I2 e ID2

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Aplicaciones de Diodos
0.7
VK 1 = 0.7 ⎯
⎯→ I1 = = 0.21mA
3.3K
VR 2 = 20 − 1.4V = 18.6V
entonces
18.6
I2 = = 3.32mA
5.6 K
I 2 = I1 + I D 2
I D 2 = I 2 − I1 = 3.32mA − 0.21mA
I D 2 = 3.11mA

Aplicaciones de Diodos
◼ Ejemplo: Encuentre Vo e I (Puerta OR)

Vo = 10 − 0.7V = 9.3V
9.3V
I= = 9.3mA
1K

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 Aplicaciones de Diodos

◼ Ejemplo: Encuentre Vo e I (Puerta AND)

10 − 0.7
I= = 9.3mA Vo = 0.7V
1K

DIODO ZENER

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 DIODO ZENER

DIODO ZENER

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 APLICACIONES CON DIODOS

APLICACIONES CON DIODOS

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