Electrónica Analógica
Clase 3: Diodos especiales
Miguel E. Vivert Del Pino
[email protected]Clase 4: Diodos especiales y aplicaciones con
diodos
• Objetivo:
• Conocer los diosdos de propósito particular exsistentes y sus aplicaciones
• Circuitos basados en los diods de uso particular y de uso general
Algunos conceptos de los diodos
Tiempo de recuperación
Corriente de fuga: inversa:
Voltaje umbral: Tiempo que toma el diodo
corriente en
voltaje del diodo en de pasar de encendido a
polaraización inversa
polarización directa apagado
Voltaje de ruptura: Corriente de ruptura: Resistencia interna del
Voltaje máximo de corriente máxima diodo:
polarización inversa tolerada por el diodo resistencia que posee el
diodo, que disipa calor
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Se debe a las
capacitancias parásitas
del semiconductor.
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Diodos de proposito general
Usado en rectificadores, donde no se requiere mucha potencia, ni tiempos de
recuperación inversa tan bajos
Vf=0,3-0,7 V Trr=100 ns- 5 us Ifuga=50 uA rd<1 ohm
Diodos ultra rapidos: 5ns<trr<100ns
Diodo Schottky: No dejan portadores ifuga>1mA, trr= idealmente 0, realmente < 1ns
Diodos de potencia: 500 V < Vbreak<18000 V, 1 V<Vfw<5 V, Ifw<7000 A, 1us<trr<10 us
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Fotodiodo:Gracias al efecto fotoeléctrico, cuando el foto diodo recibe luz, este se
excita, dejando un hueco, cuando está polarizado inversamente. Esto produce
que exista conducción. Si hay más luz, hay más huecos, produciendo un canal
mayor, incrementando su corrente. La excitación depende de la longitud de onda
incidada.
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Diodo Led: Diodo emite luz, cuando se Typical LED Characteristics
encuentra conduciendo. La intensidad de luz Semiconductor
Wavelength Colour VF @ 20mA
depende de la corriente circulante, Material
usualmente el voltaje 0,5<vfw<4 GaAs 850-940nm Infra-Red 1.2v
GaAsP 630-660nm Red 1.8v
GaAsP 605-620nm Amber 2.0v
GaAsP:N 585-595nm Yellow 2.2v
AlGaP 550-570nm Green 3.5v
SiC 430-505nm Blue 3.6v
GaInN 450nm White 4.0v
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Diodo Shockley: Dispositivos PNPN (4 capas) (tiristor), Diodos de efecto tunel: Diodo que en su curva de
Diodo que luego que el voltaje directo supera el funcionamiento tiene una región donde su resistencia es
umbral, este tiene una aburpta caida de tensión, negativa, Esto perimite usar este dispositivo como
elevando su correinte, significativamente elemento activo en una zona de operación
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Diodo Zener: Diodo que tiene un
voltaje de ruptura mucho menor al diodo
convencional, y que permite volver a
regón de bloqueo o conducciónm luego
de entrar a zona de ruptura
Vz=voltaje re ruptura inversa
Vfw= voltaje umbral
Izk= IZ min , para que funcione como zener
IZM=corriente máxima del zener
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𝑉𝑍
𝐼𝑜 - 𝐷𝑍 = 𝑂𝑁 𝑠𝑖 𝑉𝐷 < −𝑉𝑧 𝑜 𝑠𝑖 𝑉𝐷 > 𝑉𝑡ℎ
𝐼𝐷
VD 𝐼𝑜 = −𝐼𝐷 𝐼𝐷
+ 𝑉𝑒 + 𝑉𝐷 = 𝐼𝑜 𝑅
+ 𝑉𝑒 + 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅 = 0
𝑉𝑍
VR si 𝑉𝐷 < −𝑉𝑧
- 𝑉𝐷
𝑉𝑒 − 𝑉𝑧 − 𝐼𝑜 𝑅 = 0 𝑉𝑡ℎ
𝑉𝑒 − 𝑉𝑧
𝐼𝑜 =
𝑅
V𝑡ℎ > 𝑉𝑒 ≻ −𝑉𝑧
𝐼𝑑 = 0
𝑉𝑑 = −𝑉𝑒
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Ejercicio: Sea el siguiente Circuito: determine el valor de RL max y min; para que el diodo zener conduzca en
inversa
Vz=4,7, Rz=3 ohm, Ve=10 V, Izk=5 mA, izM=35mA, R1=130 ohm
𝑉𝑒 = 𝑅1 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 + 𝑉𝑜 10 = 130 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 + 𝑉𝑜
𝑉𝑧 + 𝐼𝑧 𝑅𝑧 = 𝑉𝑜 4,7 + 3𝐼𝑧 = 𝑉𝑜 5,3 = 133𝐼𝑧 + 130𝐼𝐿
+ 5,3 − 133𝐼𝑧𝑀 5,3 − 133𝐼𝑧𝑘
𝑣𝑜 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 =
130 130
−
𝐼𝑧 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = 5 𝑚𝐴 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 = 35,7 𝑚𝐴
𝐼𝐿
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 𝑉𝑜𝑚𝑖𝑛
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 =
𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑧𝑀 𝑅𝑍 + 𝑉𝑧 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑧𝑘 𝑅𝑍 + 𝑉𝑧
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 986 Ω 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 132,24 Ω
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Ejercicio 2: Determine el valor de R1, tal que cuando el circuito no tenga carga (RL=inf), el diodo no sufrádaño y
esté encendido, Dimensionado R1, determine la Corriente máxima perimitida para que el diodo siga encendido,
y con esto, determine RL,
Vz=4,7, Rz=4 ohm, Ve=10 V, Izk=5 mA, izM=50mA
𝐼𝑧
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