Semiconductores y unión p-n

Corriente eléctrica
La corriente eléctrica es la rapidez con que fluye la
carga a través de un superficie en un conductor.

Q
I prom 
t + +

+ +
dQ
I + +
dt A
 Modelo microscópico de la corriente

x
n – densidad de portadores de vd
carga.
A
q
vd – velocidad arrastre
x = vdt
t – intervalo de tiempo
Q = nqAvdt = número de portadores en una
sección de longitud x.
La corriente es: Q
I prom   nqvd A
t
 Ley de Ohm
La densidad de corriente a través de un
conductor es:
l
J = I/A = nqvd
Para muchos materiales se cumple que I
A
J = sE
Vb Va
Donde s es la conductividad del material.
E
La diferencia de potencial entre a y b es:
Vab = E l Definimos la
resistividad como el
De aquí: recíproco de la
J = sE = s V/l => I/A = s V/l conductividad

V = I l / s A = RI con R = l / s A r = 1/s
 Conducción en aislantes y
metales

mn – movilidad de los
electrones
s – conductividad
I = n q A mn E = n q A mn V/d
 Resistividad para diferentes
materiales
Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los
materiales como conductores, semiconductores y aislantes
Conductor semiconductor aislante
r = 10–6 Ohm/m r = 50 Ohm/m r = 1012 Ohm/m
Cobre Germanio mica
r = 50000 Ohm/m
Silicio
 Estructura de un semiconductor
Los cuatro electrones de la capa exterior se comparten entre los
átomos vecinos.

Estructura de un
cristal de Si o Ge
Enlaces
covalentes

Átomos de Si
o Ge
 Estructura de bandas
Los niveles de energía de los electrones de los átomos de un cristal
se separan en bandas de energía debido al principio de exclusión de
Pauli.
Eg – energía de desdoblamiento. Es la energía necesaria para llevar un electrón de
la banda de valencia a la banda de conducción.

Eg

Eg  10 eV Eg = 1.1 eV (Si) Eg = 0
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (GaAs)
 Semiconductor intrínseco
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen
electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción.

Banda de conducción
Electrón libre

Enlace covalente
roto

Huecos
Banda de valencia

Electrón libre
 Corriente en un semiconductor
Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco, se
produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones
en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo.

I = q A p mp E + q A n mn E = q A (p mp + n mn )E

Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, mp es la

movilidad de huecos y mn es la movilidad de electrones.
A temperatura ambiente n = 1012 para Si y 109 para Ge.

Banda de conducción
E

Banda de valencia
Impurezas donadoras

Electrones libres

Nivel de energía del

donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Electrón de valencia del

antimonio
Impurezas aceptoras

Nivel de energía del

donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Huecos libres

Enlace (hueco) no
completado por el átomo
de B, Ga, In
 Semiconductores dopados
Bandas en semiconductores intrínsecos y dopados:

Los portadores mayoritarios son los portadores que están en exceso en un

semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los
electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llamas
portadores minoritarios.
Propiedades de Si y Ge
 Corriente de difusión
Siempre que hay una diferencia de concentración de algún material, se
produce una corriente de difusión de la zona de alta concentración hacia la
zona de baja concentración.
dp
La corriente sigue la ley de Fick: J p  qD p
dx
dp
J n  qDn
dx
Relación de Einstein:

Dp Dn kT
  VT 
m p mn q
 Unión p-n
Al unir una región tipo p con otra tipo n, se produce una igualación del
nivel de Fermi.
Esto implica que la banda de conducción del lado p se encuentre en un nivel
más alto respecto a la del lado n.
Banda de conducción

Banda de conducción Tipo P

Tipo N Tipo P Tipo N

Nivel de Fermi
Nivel de Fermi
Nivel de Fermi Nivel de Fermi

Banda de valencia Banda de valencia

 Unión p-n en equilibrio
Los huecos del lado p se difunden a través de la unión hacia el lado n y lo
mismo pasa con los electrones del lado n hacia el lado p.
Los electrones difundidos del lado p se combinan con los átomos aceptores
formando una región de átomos cargados negativamente y los huecos que se
difunden del lado n se combinan con los átomos donadores formando una
región de átomos cargados positivamente.
El proceso se interrumpe cuando el potencial formado por las dos regiones
cargadas es suficiente para impedir el flujo de más cargas eléctricas.

El ancho de la región de
 + agotamiento depende de las
 + concentraciones Nd y Na.
P N
 +
 +
Nd
xp  xn
Na
Región de agotamiento
 Polarización inversa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarización jala a los huecos y a los electrones alejándolos de la
unión incrementando el ancho de la región de agotamiento.
Se produce una pequeña corriente de huecos provenientes del lado n y
electrones de lado p llamada Corriente Inversa de Saturación.

p n

 +
 Polarización directa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarización empuja a los huecos y a los electrones acercándolos a la
unión disminuyendo el ancho de la región de agotamiento.
Se produce una corriente de huecos provenientes del lado p y electrones
de lado n. Los huecos insertados en el lado n forman una corriente de
difusión de portadores minoritarios

p n

+ 
 Corriente de portadores minoritarios
en el diodo polarizado directamente
Se puede demostrar que la p n
corriente de huecos inyectada al
lado n es:
V
I pn 0  
Lp

AqD p pn 0 V VT
e 
1
+ 
Similarmente para electrones
NA > ND corriente
I np 0  
Ln

AqDn nn 0 V VT
e 1  I
Ipn(0)

Ipn(x)
Inp(x)
Inp(0)

distancia
 Corrientes de portadores
mayoritarios
Además de la corriente de portadores minoritarios en cada sección del diodo,
deben existir corrientes de arrastre de portadores mayoritarios Ipp y Inn.

NA > ND corriente
La corriente total que circula por
un diodo p-n polarizado está dada I
por:
Inn
 
Ipp
I  I o eV VT  1 Ipn
Inp

distancia
 Característica corriente voltaje del
diodo
La corriente del diodo real en función del voltaje está dada por:


I  I o eV VT  1 
Donde  es 1 para Ge y 2 para Si.
 Voltaje de corte Vg
El voltaje de corte se define donde la curva exponencial de corriente
comienza a subir.
Vg para Si es 0.7 y 0.2 para Ge
Características logarítmicas
Dependencia de la temperatura
La corriente inversa de saturación I0 se duplica cada 10ºC, o sea
I0(T) = I012(t – t1)/10
 Circuito equivalente lineal
Podemos modelar el comportamiento de un diodo con componentes
lineales de circuito como se muestra.
El diodo se comporta como un circuito abierto para V < Vg y se comporta
como una resistencia Rf en serie con una fuente Vg para V > Vg. Rf es la
resistencia dinámica en región de corte y depende del punto de operación

Si Ge
I
Vg  0.7 0.3

Pendiente Circuito equivalente

1/Rf
Vg Rf

V
Vg = 0.7 Diodo ideal
 LED
Cerca de la unión p-n existe un proceso de recombinación de huecos y
electrones. En este proceso se genera energía térmica o luminosa. En diodos
de Si o Ge la mayor parte es energía térmica, pero en diodos de fosfuro
arseniuro de galio GaAsP y fosfuro de galio GaP, se genera suficiente luz
visible.

ID

+ 
VD
 Análisis mediante recta de carga
E – VD – VR = 0
ID
E = V D + VR
+ 
VD + Para trazar la recta de carga se elige VD =
+ 0 para definir un punto de la recta e ID =
R VR 0 para el otro punto.
E
 

En el primer caso ID = E/R

En el segundo VD = E
Ejemplo:
Rectificador de media onda
 Rectificador de onda completa

El PIV (voltaje máximo de

ruptura inversa) debe ser
PIV > Vm