SISTEMAS DIGITALES
Transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor
(MOSFET)
ING. CARLOS ALBERTO ZENIL PÉREZ
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Tipos de MOSFET.
El MOSFET es la segunda categoría del transistor de efecto de
campo.
El MOSFET difiere del JFET en que no tiene estructura de unión PN;
en vez de ello, la compuerta del MOSFET está aislada del canal por
medio de una capa de bióxido de silicio (SiO2).
Existen dos tipos fundamentales de MOSFET:
1. MOSFET de empobrecimiento
2. MOSFET de enriquecimiento
Estos a su vez pueden ser de canal N ó de canal P.
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Símbolos de (MOSFET-D).
Empobrecimiento, es el proceso de quitar o empobrecer el canal de
los portadores de carga, disminuyendo así la conductividad del canal.
Dentro de los símbolos la característica es el sentido de la flecha del
sustrato hacia adentro es para el canal N y el sentido de la flecha de
sustrato hacia afuera es para el canal P.
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MOSFET de Empobrecimiento (MOSFET-D).
El MOSFET de empobrecimiento de canal N consiste en un sustrato
de material tipo P (silicio contaminado o dopado con impurezas tipo
P) en el que se han difundido dos regiones de material tipo N. Estas
dos regiones forman la fuente o surtidor (S) y el drenaje o drenador
(D), constituyendo conexiones de baja resistencia entre los extremos
del canal N y los contactos de aluminio de la fuente y el drenador.
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MOSFET de Empobrecimiento.
•Al aplicar una tensión VDS entre el drenaje y la fuente, se originará la
circulación de una corriente ID entre ambos terminales.
•Si se aplica una tensión negativa VGS entre la compuerta y la fuente,
se produce la salida de los electrones de la región del canal
“empobreciéndolo”.
•Cuando VGS alcanza el valor VP , el canal se estrangula, provocando
que cese la circulación de la corriente ID.
•Por el contrario si la VGS aplicada fuese positiva, los valores positivos
de esta tensión aumentarían el tamaño del canal, dando por
resultado un aumento de la corriente ID.c
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Símbolos (MOSFET-E).
Enriquecimiento, es el proceso de crear un canal o incrementar la
conductividad del canal mediante la adición de portadores de carga.
Los símbolos esquemáticos para los MOSFET-E de canal N y de
canal P. Las líneas discontinuas simbolizan la ausencia de un canal
físico. Así como el MOSFET-D, algunos dispositivos tienen una
conexión por separado para el sustrato.
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MOSFET de Enriquecimiento (MOSFET-E).
El MOSFET de enriquecimiento de canal N difiere constructivamente
del de empobrecimiento de canal N en que no tiene capa de material
N, sino que requiere de una tensión positiva entre la compuerta y la
fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la acción de
una tensión positiva compuerta-fuente (VGS), que atrae electrones de
la región del sustrato ubicada entre el drenador y la compuerta que
están formados por material semiconductor tipo P.
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Curva Característica del MOSFET.
Con un voltaje de compuerta se crea un canal artificial que une a la
fuente con el drenador, el ancho del canal será mayor mientras
mayor sea el voltaje de compuerta, y por ende mayor será la
corriente entre fuente y drenador.
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Factor K ó Transconductancia.
Representa la relación entre ID y VGS y se mide en A / V2, siendo este
el equivalente del HFE en transistores BJT.
Donde para cada valor de voltaje VGS existirá una corriente de
drenador ID. También se comprueba que para un VGS = VT el MOSFET
se encuentra en modo de corte y que sus relación con ID no es lineal
como se observa con la ecuación anterior.
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Parámetros del MOSFET.
•Máxima Corriente de Drenador (IDMAX): Se encuentra valores desde 0.1
A a 200 A, en general los MOSFET pueden soportar mayor cantidad de
corriente que los BJT. Para valores más elevados de corriente se conectan
MOSFET en paralelo.
•Máximo Voltaje Drenaje Fuente (VDSMAX): Este valor es muy importante
cuando el MOSFET trabaja como interruptor. Su valor se encuentra entre 10V
hasta 600V.
•Voltaje de Umbral (VT): Su valor se encuentra entre 1V hasta 6V.
•Transmitancia: No es muy común encontrar valores numéricos de este
parámetro sino mas bien se lo obtiene en base a curvas o a valores de
referencia de ID, VGS y VT, dadas por el fabricante utilizando la ecuación antes
mencionada.
•Resistencia de Encendido (rd_on): Solo tiene utilidad cuando el MOSFET
trabaja como interruptor, representa la resistencia del canal artificial cuando
el MOSFET está cerrado. Su valor varia entre 5mΩ a 10Ω.
•Máxima Potencia de Disipación (DP): En general depende del tipo de
empaque utilizado. Su valor se encuentra entre 0.1W a 150W. Debido a la
baja resistencia de encendido los MOSFET no disipan tanta potencia como los
BJT por lo que pueden ser mas pequeños.
•Tipo de Empaque: Todos los empaques analizados para transistores BJT
son aplicables a transistores MOSFET.
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Conmutación de MOSFET.
En general todas las aplicaciones realizables con transistores BJT,
SCR y TRIAC pueden ser realizadas con MOSFET, de hecho estos
transistores cada vez más están reemplazando a los anteriores,
debido en gran manera a sus características, tales como:
•Mayor velocidad de conmutación.
•Menor perdida de potencia por calentamiento.
•Facilidad para controlar el circuito de salida (control por voltaje).
•Menor tamaño de encapsulado para similares características de
otros dispositivos.
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Conmutación de MOSFET.
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Consideraciones de Conmutación.
•Es común que VDD sea mayor que VGG.
•El voltaje VGG siempre se debe aplicar entre compuerta y fuente.
•Un MOSFET canal N necesita un voltaje más positivo que VT para operar, en
cambio un MOSFET canal P necesita un voltaje negativo más negativo que –
VT.
•El interruptor que activa la base puede ser entre otros. Una compuerta
digital, un puerto de un microcontrolador, un transistor, un optotransistor, etc.
•Siempre que RD sea tipo inductiva, se debe colocar D1, a fin de evitar que la
tensión inversa generada por bobina dañe al transistor.
•D1 puede ser colocado en paralelo a RD o al transistor.
•El conjunto de formulas es aplicable para MOSFET canal N como para el
canal P.
•El sufijo “min”, hace referencia a que VT puede ser mayor que el valor
calculado, garantizando que el MOSFET este completamente cerrado, sin
embargo se debe evitar valores exagerados del voltaje VGS.
•El calentamiento producido en el MOSFET se debe a la resistencia de
encendido, mientras mayor sea su valor, mayor calor producirá.
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Polarización Fija MOSFET
Empobrecimiento.
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Polarización de Divisor de Tensión
MOSFET Empobrecimiento.
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Configuración de Realimentación
MOSFET Enriquecimiento.
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Polarización de Divisor de Tensión
MOSFET Enriquecimiento.
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Aplicaciones del MOSFET.
El MOSFET de enriquecimiento se usa mucho, tanto en circuitos
discretos como integrados.
1.- En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia,
que significa conectar y desconectar corrientes grandes.
2.- En circuitos integrados su uso principal es en conmutación digital,
proceso básico que fundamenta los ordenadores modernos.
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Aplicaciones: circuitos lógicos
tecnología CMOS
Inversor (NOT)
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Aplicaciones: memorias RAM
DRAM BIT
D Se almacena un “1” en la celda cargando el
G condensador mediante una VG en fila y VD en
bit
S La lectura se hace aplicando VG en fila y
midiendo la corriente en la línea bit
FILA La lectura es un proceso destructivo. Hay que
restaurar el valor leído
SRAM
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Aplicaciones: memorias ROM
MOSFET ROM
EPROM
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Aplicaciones: CCD
CMOS sensor
CCD
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Aplicaciones: TFT
Estructura DRAM con celda
RGB
LCD i LED
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