Defectos
Defectos
Vacancia
distorsi n
de planos
autointersticio
distorsi n
de planos
intersticio
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Defec t o s punt u a les en c e r á micos
Vacancias
Existen en los cer micos para cationes y aniones
• Sitios intersticiales
Existen para los cationes
No se observan en los aniones normalmente porque los aniones son grandes relativamente para los
sitios intersticiales
Cati n Intersticial
Vacancia de cati n
Vacancia de anion
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Defectos puntuales: F renkel y Sc h o ttky
•Defecto de Frenkel: Para mantener la neutralidad de la carga, debe ocurrir en conjunto un par de
vacancia de cati n - intersticio de cati n. El cati n deja su posición normal y se mueve al sitio intersticial,
es decir, es el conjunto formado por un tomo intersticial y el hueco que ha dejado tras el salto.
•Defecto de Schottky: aparece para mantener la electroneutralidad del material. Se generan vacancias
de iones de signo contrario para anularse de forma estequiom trica, con el fin de mantener una carga
total neutra. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.
Defecto de Schottky
Defecto de Frenkel
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Concent r a c ión de equilibrio:
Def e c t o s puntuales
• La concentraci n de equilibrio var a con la temperatura.
Energ a de activaci n: Energ a requerida
N mero de defectos para la formaci n de una vacancia
Nv pendiente
Nv
ln
N
N
-Q v /k
Dependencia
del exponencial
T 1/T
Concentraci n de defectos
ó
EstiThación de la concentración de vacancias
Encuentre el n mero de vacancias en equilibrio en 1m3 de Cu a 1000 °C, dado que
• La mayor a de los metales son aleaciones. En las aleaciones los tomos de impurezas se
agregan intencionalmente para impartir caracter sticas espec ficas al material. El aleado
se realiza para mejorar la resistencia mec nica, la resistencia a la corrosi n, la ductilidad,
disminuir la temperatura de fusi n.
• Ejemplo: la plata esterlina es una aleaci n de plata 92.5%-7.5% Cu. A Tamb, la plata "pura" es
altamente resistente a la corrosi n, pero tambi n muy suave. La adici n de Cu mejora la
resistencia mec nica y mantiene un buen comportamiento a la corrosi n.
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Solución s ó lida (SS)
• La adicion de tomos de impureza a un metal da como resultado la
formaci n de una solución sólida y/o una nueva segunda fase
• El solvente representa el elemento que est presente en mayor
cantidad (host atoms), mientras que el soluto es el elemento que est
presente en menor concentraci n
• Se forman cuando los tomos de soluto se agregan al solvente,
asumiendo que la estructura cristalina se mantiene y NO se forman
nuevas estructuras
• Su composici n es homogénea; los tomos del soluto son aleatoria y
uniformemente dispersados dentro del s lido
• Los defectos puntuales de impurezas en la SS son de sustitución o
intersticiales.
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¿Qué resulta de a g r e g a r átomos de iThpurezas (B) a átomos de (A)?
SS sustitucional SS intersticial
([Link] en Ni) o (ej.C en Fe)
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EjeThplo de solución sólida sustitucional: Cobre y níquel
Elemento Radio Estructura Electro- Valencia
Atómico cristalina nega-
(nm) tividad
Cu 0.1278 FCC 1.9 +2
C 0.071 2.5 +2
O 0.060
Ag 0.1445 FCC 1.9 +1
Al 0.1431 FCC 1.5 +3
Co 0.1253 HCP 1.8 +2
Cr 0.1249 BCC 1.6 +3
Fe 0.1241 BCC 1.8 +2
Ni 0.1246 FCC 1.8 +2
Pd 0.1376 FCC 2.2 +2
Zn 0.1332 HCP 1.6 +2
Solución sólida inter s t icial
• Es cuando un tomo m s peque o de soluto entra
en la red del solvente y ocupa posiciones intersticiales
dentro de la red. Por ejemplo, el carbono forma una
soluci n s lida intersticial cuando se agrega al Fe;
por lo que la concentraci n m xima de C que puede
agregarse es ~ 2%.
• El r C << que r Fe (0.071nm vs 0.124 nm).
• Para las SS intersticiales, las reglas de Hume-Rothery son:
[Link] tomos de soluto deben ser menor que los huecos de
la estructura del solvente.
[Link] soluto y el solvente deben tener electronegatividades similares
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Para las SS intersticiales, los tomos de impurezas llenar n los intersticios entre los
tomos del solvente. Para los materiales met licos que tiene relativamente altos
factores de empaquetamiento (APF), estas posiciones intersticiales son relativamente
peque as.
Por lo tanto, el di metro at mico de una impureza
intersticial debe ser sustancialmente m s peque o que el
de los tomos del solvente. Normalmente, la
concentraci n m xima permisible es baja (menos del 10%).
Aun y cuando los tomos de impurezas muy peque os son
por lo general mayores que los sitios intersticiales, y
como consecuencia, introducen cierta deformaci n a la
estructura sobre los tomos adyacentes del solvente.
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Sitios i n t e r sticiales
Sitios o c t a é d r i c o s en la e s t r u c t u r a bcc
Se sitúan en las aristas de la celda y en los centros de las caras
Sus posiciones son (½,1,0) , (½ ,1,½) y sus
equivalentes y hay un total de 6 intersticios
octaédricos por celda.
direcci n de
movimiento
L nea de dislocaci n
Vector de
Burgers b
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Dislocación de tornillo
L nea de dislocaci n b
Vector de (b)
Burgers b
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Región de un cristal que contiene una dislocación
B
A
C
C
Borde
tornillo
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En resumen
• Dislocaciones de borde: se localizan en la arista de un plano at mico extra y se
denotan por ┴ de forma que el trazo recto marca el plano de deslizamiento de la
dislocaci n y el rabito de la ┬ la posici n del plano extra. En esa direcci n el cristal se
encuentra localmente en compresi n por la inclusi n del semiplano extra, mientras
que en la direcci n opuesta el cristal est localmente en tensi n (si dos dislocaciones
opuestas se encuentran, se aniquilar an entre s ).
• Dislocaciones helicoidales o de tornillo: la disposici
n de los tomos est en forma de
h lice alrededor de la l nea de la dislocaci n que se genera debido a un desplazamiento
at mico paralelo a dicha l nea. Este tipo de dislocaciones puede deslizar en m ltiples
planos, siendo por tanto mucho m s m vil que las dislocaciones de borde.
• Dislocaciones mixtas: La mayor a de las dislocaciones reales se presentan en forma de
l neas curvas que presentan un car cter distinto en cada punto, dependiendo de la
direcci n de la l nea de la dislocaci n en dicho punto.
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Dislocaciones durante el t r a b ajado en f r í o
• superficies externas
• l mites de grano
• l mites de fase
• l mites de macla y
• fallas de apilamiento
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Superficies extern a s
L mites de grano
a) Regiones entre cristales debido a un desajuste en el ordenamiento de los tomos, por lo que
se tiene una transisi n a partir de una orientaci n cristalina de un grano a la orientaci n de
otro grano adyacente. Es la superficie de separaci n entre dos cristales de un
mismo grano policristal. Surge como consecuencia del mecanismo del crecimiento de grano, o
cristalizaci n, cuando dos cristales que han crecido a partir de n cleos diferentes se
"encuentran".
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LíThites de g r a no
Separa dos granos que tienen
diferente orientaci n cristalogr fica.
Se tiene un ligero desorden de un
grano a otro
Son sitios e alta energ a en los que se
llevan a cabo ciertos procesos como
son precipitaci n de fases, inicio de la
nucleaci n para la transformaciones
de fase, difusi n de tomos
Cuando el desalineamiento entre los
granos vecinos es >15°,el l mite es
llamado límite de grano de ángulo
grande, si es menor, se considera
l mite de grano de ngulo peque o <
10°
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•Los tomos se unen con menos regularidad a lo largo de un l mite de grano y, en
consecuencia, hay una energ a de interfase energ a de l mite de grano similar a la
energ a de superficie.
•Los l mites de grano son qu micamente m s reactivos que los granos en s debido a
esta energ a de l mite.
•Adem s, los tomos de impurezas a menudo segregan preferentemente a lo largo de
estos l mites debido a sus estados de energ a de interfase que son m s altas.
•La energ a de interfase total es menor en los
materiales de grano grueso en comparaci n con
los de grano fino, porque hay menos rea de
l mite total en el de grano grueso.
•Los granoscrecen a temperaturas elevadas
para reducir la energ a total del l mite
grano grueso grano fino
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Microestructura de una aleaci n de Microestructura de una aleaci n de
aluminio A356 (vaciada) aluminio Al-Zn-Mg-Cu
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Micrograf as de microscop a
electr nica de barrido (MEB) de un
cer mico con composici n de:
99.3% SnO2 + 0.5% MnO2 + 0.2%Nb2O5
sinterizado a 1300 °C para: (a) 1h; (b) 4 h.
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Microestructura de acero inoxidable d plex
ASTM A 890-5A fundido (Fe-0.03% C-1.5% Mn- 1%
Si-25% Cr-7% Ni-4.,5% Mo-0.2% N) en la
condici n de solubilizado y recocido. Ataque
qu mco para reverla microestructura con
LB1 (100 ml de agua, 20 g de NH4FHF y 0,5 g de
K2S2O5).
La austenita est coloreada y la ferrita no se
ve afectada. Debido a que est fundido, no
hay maclas de recocido en la austenita.
La barra de aumento tiene 100 µm de largo.
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Granos equiaxiales de un lat n forjado con plomo Granos columnares de lat n vaciado con plomo
Cu 60.0-63.0, Zn 33.0-37.0, Pb 2.5-3.7, Fe 0.35 Cu 59.0-64.0, Zn 34.5-40.0, Pb 0.8-1.4, Fe 0.10
L mites de grano
• son imperfecciones
• Son más susceptibles a un
ataque qu mico
• Se revelan como l neas oscuras
• Cambia la orientación del cristal a
trav s del l mite
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Dimensio nes de
los r a s g o s
estructurales