Electrónica Discreta

Integrada
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:

conductores, semiconductores y aislantes.

Aislantes

Un aislante es un material que no conduce corriente eléctrica en condiciones normales. La

mayoría de los buenos aislantes son materiales compuestos, es decir, no formados por sólo un
elemento. Los electrones de valencia están estrechamente enlazados a los átomos; por
consiguiente, en un aislante hay muy pocos electrones libres.

Conductores

Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente. La mayoría de los

metales son buenos conductores. Los mejores conductores son materiales de sólo un elemento,
tales como cobre, plata, oro y aluminio, que están caracterizados por átomos con sólo un
electrón de valencia muy flojamente enlazado al átomo.

Semiconductores

Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo

que a su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. En su estado natural, no son buenos
conductores, pero al realizarles un dopaje con algunas impurezas, se pueden cambiar sus
propiedades.

Están caracterizados por átomos con cuatro electrones de valencia.

En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo forman
un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes, como se muestra en la figura.

Este enlace de átomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente. De esta
manera se logra conformar un octeto de electrones en la ultima orbita de cada átomo, por la
cual el material será muy estable.

SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P

1
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Como ya antes se indicó, las características de un material semiconductor se pueden modificar

de manera significativa con la adición de átomos de impureza específicos al material

semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque sólo se agregan en 1 parte en 10
millones, pueden alterar la estructura lo suficiente para cambiar del todo las propiedades
eléctricas del material.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como

material extrínseco.

Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos

semiconductores: materiales tipo n y tipo p.

Material tipo n

Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones
de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo. El efecto de tales
elementos de impureza se indica en la figura. Observe que los cuatros enlaces covalentes
permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el
cual no está asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrón restante, enlazado
de manera poco firme a su átomo padre (antimonio), está en cierto modo libre para moverse
dentro del material tipo n recién formado, puesto que el átomo de impureza insertado ha
donado un electrón relativamente “libre” a la estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos donadores.

Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran número de portadores libres se ha
establecido en el material tipo n, sigue siendo eléctricamente neutro puesto que de manera
ideal el número de protones de carga positiva en los núcleos sigue siendo igual al de los
electrones de carga negativa libres y en órbita en la estructura.

Portadores mayoritarios y minoritarios

Como la mayoría de los portadores de corriente son electrones, el silicio (o el germanio) dopado
con átomos pentavalentes es un semiconductor tipo n (n expresa la carga negativa de un
electrón). Los electrones se conocen como portadores mayoritarios en material tipo n. Aunque
la mayoría de los portadores de corriente en un material tipo n son electrones, también existen
algunos huecos que se crean cuando térmicamente se generan pares electrón-hueco (estos

2
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

huecos no se producen por la adición de átomos de impureza pentavalentes). Los huecos en un

material tipo n reciben el nombre de portadores minoritarios.

Material tipo p

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza
que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son
boro, galio e indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio se indica
en la figura.

Observe que ahora el número de electrones es insuficiente para completar los enlaces
covalentes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco y se denota con
un pequeño círculo o un signo más, para indicar la ausencia de una carga negativa. Por lo tanto,
el vacío resultante aceptará con facilidad un electrón libre:

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.

El material tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material

tipo n.

Portadores mayoritarios y minoritarios

Como la mayoría de los portadores de corriente son huecos, el silicio (o germanio) dopado con
átomos trivalentes se llama semiconductor tipo p. Los huecos son los portadores mayoritarios
en un material tipo p. Aunque la mayoría de los portadores de corriente en un material tipo p
son huecos, también existen algunos electrones de banda de conducción que se crean cuando
térmicamente se generan pares electrón-hueco. Estos electrones de banda de conducción no se
producen por la adición de átomos de impureza trivalentes. Los electrones libres en un material
tipo p son los portadores minoritarios.

EL DIODO

Si un trozo de silicio intrínseco es dopado de tal forma que una parte

es tipo n y la otra tipo p, se forma una unión pn en el límite entre las dos regiones y se crea un
diodo, como se indica en la figura. La región p tiene muchos huecos (portadores mayoritarios)
por los átomos de impureza y sólo unos cuantos electrones libres térmicamente generados

3
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

(portadores minoritarios). La región n tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios)

por los átomos de impureza y sólo unos cuantos huecos térmicamente generados (portadores
minoritarios).

Símbolo del diodo

En la figura siguiente se proporciona el símbolo de un diodo semiconductor para mostrar su

correspondencia con la unión p-n.

La región n se llama cátodo y la región p ánodo. La “flecha” en el símbolo apunta en la dirección

de la corriente convencional (opuesta al flujo de electrones).

Polarización del diodo

Un diodo semiconductor es un dispositivo que tiene la capacidad para conducir la corriente

eléctrica en ciertas condiciones, y de comportarse como un aislador en otras. Las razones de
estos comportamientos fueron explicadas en la sección anterior; ahora veremos las formas en
que se puede utilizar un diodo como conductor o bien como aislador, dependiendo de la manera
en que se polarice; es decir, la forma en que se le aplique un voltaje de una fuente externa. Un
diodo semiconductor puede encontrarse en una de las tres condiciones siguientes:

a) sin polarización (sin aplicarle ningún voltaje externo); es decir, VD = 0 V,

b) en polarización inversa, con un potencial negativo entre sus terminales (VD < 0 V)

c) en polarización directa, cuando se le aplica un voltaje positivo entre terminales (VD > 0 V).

Sin polarización aplicada (V = 0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de
la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la
unión, como se muestra en la figura. Observe que las únicas partículas mostradas en esta región
son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los portadores libres han sido
absorbidos.

4
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de “empobrecimiento”,

debido a la disminución de portadores libres en la región.

La condición mostrada en la figura anterior es la situación sin polarización porque no hay

ningún voltaje externo aplicado. Es un diodo con dos cables conductores que yace aislado
sobre un banco de laboratorio.

Polarización directa (VD>0 V)

Se dice que un diodo semiconductor está polarizado directamente cuando se le aplica una
fuente de voltaje externo a sus terminales, de manera que el positivo de la fuente hace contacto
con el material tipo p (ánodo), y el negativo de la fuente con el material tipo n (cátodo); esto es,
que la fuente y el diodo hacen contacto entre sí con sus respectivas polaridades del mismo signo
directamente.

Si atendemos al sentido real de la corriente (son los electrones los que se desplazan) veremos
que el polo positivo de la fuente externa ejerce atracción sobre los portadores mayoritarios del
material tipo n transmitiéndoles la energía cinética necesaria para acercarlos a la unión p-n, al
mismo tiempo que el polo negativo de la fuente ejerce sobre ellos una fuerza de repulsión, cuyo
efecto es el de empujarlos también hacia la unión p-n, dando por resultado final que los
electrones adquieran tal energía cinética que son capaces de recombinarse con los iones
cercanos a la unión, reduciéndose el ancho de la región de agotamiento. En estas condiciones
los portadores mayoritarios del material tipo n, los electrones, pueden superar la barrera de
energía presente en la unión y logran atravesar la frontera desde el material tipo n hasta el
material tipo p. Al encontrarse en el material tipo p, de inmediato ocupan algún hueco
disponible, temporalmente, para continuar su viaje por el efecto de atracción de la terminal
positiva de la fuente externa y repulsión de la terminal negativa.

Pueden continuar su viaje a través del material tipo p hasta llegar al polo positivo de la fuente,
que los atrae, para ingresar en ésta y volver a emerger por el polo positivo de la misma,
repitiéndose el ciclo y dando por resultado un lujo continuo de cargas, a lo que se le denomina
corriente del diodo ID. Si se coloca un amperímetro de cd en serie con el diodo y la fuente se
podrá observar la intensidad de esta corriente. El fenómeno de polarización directa se
representa en la figura.

5
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Entre mayor sea la magnitud del voltaje de polarización en el diodo, más disminuirá su ancho la
región de agotamiento, y los electrones del material tipo n podrán luir más fácilmente y en
cantidades mayores.

Polarización inversa (VD<0 V)

Se dice que un diodo semiconductor está polarizado inversamente cuando se le aplica una
fuente de voltaje externo a sus terminales, de manera que el positivo de la fuente hace contacto
con el material tipo n (cátodo), y el negativo de la fuente con el material tipo p (ánodo); o sea
que la fuente y el diodo hacen contacto entre sí con sus polaridades invertidas. El complicado
fenómeno que se presenta por esta causa, se puede explicar con sencillez, de la siguiente
manera:

Si atendemos al sentido real de la corriente (los electrones son los que se desplazan) veremos
que el polo positivo de la fuente externa ejerce atracción sobre los portadores mayoritarios del
material tipo n al que está conectado, al mismo tiempo que el polo negativo, en el otro extremo,
ejerce repulsión sobre los mismos, resultando en una fuerza total que los aleja de la unión p-n.
Mientras tanto, lo electrones que “envía” el polo negativo de la fuente hacia el material tipo p,
van ocupando sucesivamente los huecos disponibles hasta toparse con la barrera que
representa la zona de empobrecimiento. Esto trae por resultado que cada vez habrá menos
portadores mayoritarios cerca de la unión, y la zona de empobrecimiento se va ensanchando
aún más, y con ella crece la barrera de energía que se opone al paso de cargas eléctricas. Los
electrones provenientes de la fuente de voltaje no luyen más, lo que significa que se tiene una
corriente debida a portadores mayoritarios igual a cero. Se dice que el diodo en polarización
inversa actúa como un circuito abierto.

Sin embargo, observemos que la polarización inversa para los portadores mayoritarios, resulta
ser polarización directa para los portadores minoritarios. Y de acuerdo a lo que ya sabemos que
sucede en polarización directa podemos deducir que existirá una corriente debida a los
portadores minoritarios cuando el diodo está en polarización inversa. A ésta se le llama corriente
de saturación inversa, se acostumbra representarla por IS, y es de un valor que se encuentra casi
siempre en los niveles de nanoamperes para dispositivos de silicio, y del orden de los
microamperes para el germanio.

6
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

En la explicación anterior, tanto para polarización inversa como para la directa, se indicó que se
asumiría el sentido real de la corriente, el de los electrones, ya que facilita la comprensión del
fenómeno; sin embargo, recordemos que es de uso generalizado el empleo del sentido
convencional de la corriente eléctrica. En la figura, se muestra la polarización del diodo
empleando la simbología apropiada para el análisis.

Figura. Polarización del diodo a) Directa: el dispositivo actúa como un interruptor cerrado. b).
Inversa: el diodo actúa como circuito abierto; sólo está la corriente de saturación inversa debido
a portadores minoritarios.

Ruptura en inversa

Normalmente, la corriente en inversa es tan pequeña que se puede despreciar. No obstante, si

el voltaje de polarización en inversa externo se incrementa a un valor llamado voltaje de ruptura,
la corriente en inversa se incrementará drásticamente.

Esto es lo que sucede. El alto voltaje de polarización en inversa proporciona energía a los
electrones minoritarios, así que a medida que adquieren velocidad a través de la región p chocan
con átomos con suficiente energía para sacar a los electrones de valencia de su órbita para

7
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

enviarlos hacia la banda de conducción. Los electrones de conducción recién creados también
contienen mucha energía y repiten el proceso. Si un electrón expulsa a sólo otros dos electrones
de su órbita de valencia durante su recorrido a través de la región p, los números se multiplican
con rapidez.

A medida que estos electrones de alta energía pasan a través de la región de empobrecimiento,
su energía es suficiente para atravesar la región n como electrones de conducción en lugar de
combinarse con huecos.

La multiplicación de los electrones de conducción recién descrita se conoce como efecto

avalancha y la corriente en inversa puede incrementarse dramáticamente si no se toman las
medidas pertinentes para limitar la corriente. Cuando no se limita la corriente en inversa, el
calentamiento resultante daña permanentemente el diodo. La mayoría de los diodos no son
operados en condición de ruptura en inversa, pero si se limita la corriente (por ejemplo
mediante la adición de un resistor limitador en serie), el diodo no sufre daños permanentes.

Característica V-I en condición de polarización en directa

Cuando se aplica un voltaje de polarización en directa a través de un diodo se produce corriente.

Esta corriente se conoce como corriente de polarización en directa y se expresa como IF. La
figura ilustra lo que sucede a medida que el voltaje de polarización en directa se incrementa
positivamente desde 0 V. Se utiliza el resistor para limitar la corriente de polarización en directa
a un valor que no sobrecaliente el diodo y no provoque daños.

Con 0 V a través del diodo, no se produce corriente de polarización en directa. A medida que se
incrementa gradualmente el voltaje de polarización en directa, la corriente de polarización y el
voltaje a través del diodo se incrementan gradualmente, como se muestra en la figura (a) lo
muestra. Una parte del voltaje de polarización en directa decae a través del resistor limitador.

Cuando el voltaje de polarización en directa se incrementa a un valor en el que el voltaje a través

del diodo alcanza aproximadamente 0.7 V (potencial de barrera), la corriente de polarización en
directa comienza a incrementarse con rapidez, como muestra la figura (b).

Conforme el voltaje de polarización en directa se incrementa, la corriente continúa

incrementándose muy rápidamente, aunque el voltaje a través del diodo se incrementa sólo

8
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

gradualmente por encima de 0.7 V. Este pequeño incremento en el voltaje del diodo por encima
del potencial de barrera se debe a la caída de voltaje a través de la resistencia dinámica interna
del material semiconductor.

Trazo de la curva V-I

Si se grafican los resultados del tipo de mediciones mostradas en la figura en un gráfico, se

obtiene la curva de característica V-I para un diodo polarizado en directa, como se muestra en
la figura (a). El voltaje de polarización en directa del diodo (VF) se incrementa hacia la derecha
a lo largo del eje horizontal y la corriente de polarización en directa (IF) se incrementa hacia
arriba a lo largo del eje vertical.

Como se puede ver en la figura (a), la corriente de polarización en directa se incrementa muy
poco hasta que el voltaje de polarización en directa a través de la unión pn alcanza
aproximadamente 0.7 V en la inflexión de la curva. Después de este punto, el voltaje de
polarización en directa permanece en aproximadamente 0.7 V, pero IF se incrementa con
rapidez. Como se mencionó, VF se incrementa un poco por encima de 0.7 a medida que la
corriente aumenta, debido principalmente a la caída de voltaje a través de la resistencia
dinámica. La escala IF por lo general está en mA, como se indica.

En la figura (a) se muestran tres puntos A, B, y C sobre la curva. El punto A corresponde a una
condición de polarización cero. El B corresponde a la figura (a) donde el voltaje de polarización
en directa es menor que el potencial de barrera de 0.7 V. El C corresponde a la figura (a) donde
el voltaje de polarización en directa es aproximadamente igual al potencial de barrera. A medida
que el voltaje de polarización externa y la corriente de polarización en directa continúan
incrementándose por encima de la inflexión de la curva, el voltaje de polarización en directa se
incrementará un poco por encima de 0.7 V. En realidad, el voltaje de polarización en directa
puede ser aproximadamente como de 1 V, según la corriente de polarización en directa.

Resistencia dinámica

La figura (b) es una vista ampliada de la curva de característica V-I de la parte (a) e ilustra la
resistencia dinámica. A diferencia de la resistencia lineal, la resistencia del diodo polarizado en
directa no es constante a lo largo de toda la curva. Como la resistencia cambia al ir recorriendo

9
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

la curva V-I, se llama resistencia dinámica o de ca. Las resistencias internas de los dispositivos
electrónicos en general se expresan mediante la letra r minúscula cursiva con un apóstrofo, en
lugar de la R estándar. La resistencia dinámica de un diodo se expresa como Debajo de la
inflexión de la curva, la resistencia es más grande porque la corriente se incrementa muy poco
con un cambio dado del voltaje La resistencia comienza a disminuir en la región de la inflexión
de la curva y se vuelve pequeña por encima de la inflexión donde la corriente sufre un gran
cambio con un cambio dado del voltaje.

Característica V-I para polarización en inversa

Cuando se aplica un voltaje de polarización en inversa a través de un diodo, existe sólo una
corriente en inversa extremadamente pequeña (IR) a través de la unión pn. Con 0 V a través del
diodo, no existe corriente en inversa. A medida que se incrementa gradualmente el voltaje de
polarización en inversa, existe una corriente en inversa muy pequeña y el voltaje a través del
diodo se incrementa. Cuando el voltaje de polarización aplicado se incrementa a un valor en el
que el voltaje en inversa a través del diodo (VR) alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente
en inversa comienza a incrementarse con rapidez.

A medida que continúa incrementándose el voltaje de polarización, la corriente continúa

incrementándose muy rápido, pero el voltaje a través del diodo se incrementa muy poco por
encima de VBR. La ruptura, con excepciones, no es un modo normal de operación de la mayoría
de los dispositivos con unión pn.

Trazo de la curva V-I. Si se marcan los resultados de mediciones de polarización en inversa en

una gráfica, se obtiene la curva de característica V-I de un diodo polarizado en inversa. La figura
muestra una curva típica. El voltaje en inversa en el diodo (VR) se incrementa a la izquierda a lo
largo del eje horizontal y la corriente en inversa (IR) se incrementa hacia abajo a lo largo del eje
vertical.

Existe muy poca corriente en inversa (casi siempre

mA o nA) hasta que el voltaje en inversa a través
del diodo alcanza aproximadamente el valor de
ruptura (VBR) en la inflexión de la curva.

Después de este punto, el voltaje en inversa

permanece a aproximadamente VBR, pero IR se
incrementa muy rápido y el resultado es un
sobrecalentamiento y posibles daños si la
corriente no se limita a un nivel seguro. El voltaje
de ruptura para un diodo depende del nivel de
dopado, establecido por el fabricante, según el
tipo de diodo. Un diodo rectificador típico (el tipo
más ampliamente utilizado) tiene un voltaje de
ruptura de más de 50 V. Algunos diodos
especializados tienen un voltaje de ruptura de sólo
5 V.

La curva de característica V-I

Si combinara las curvas tanto de polarización en directa como de polarización en inversa,

obtendría la curva de característica V-I de un diodo, como la que muestra la figura.

10
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente seleccionados para

que representen mejor las características terminales reales de un dispositivo o sistema en una
región de operación particular.

En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, el símbolo del dispositivo puede
ser eliminado de un esquema y el circuito equivalente insertado en su lugar sin afectar
gravemente el comportamiento real del sistema. Con frecuencia, el resultado es una red que se
puede resolver con técnicas tradicionales de análisis de circuito.

Circuito equivalente por segmentos

Una técnica para obtener un circuito equivalente de un diodo es simular con más o menos
precisión las características del dispositivo mediante segmentos de línea recta, como se muestra
en la figura. El circuito resultante equivalente se llama circuito equivalente por segmentos.

11
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Deberá ser obvio por la figura que los segmentos de línea recta no duplican con exactitud las
características reales, sobre todo en la región acodada. Sin embargo, los segmentos resultantes
son suficientemente parecidos a la curva real como para establecer un circuito equivalente que
producirá una excelente primera aproximación del comportamiento real del dispositivo. En la
sección inclinada de la equivalencia la resistencia de ca promedio es el nivel de resistencia que
aparece en el circuito equivalente de la figura junto al dispositivo real. En esencia, define el nivel
de resistencia del dispositivo cuando se encuentra en el estado de “encendido”. El diodo ideal
se incluye para establecer que sólo hay una dirección de conducción a través del dispositivo, y
una situación de polarización en inversa producirá el estado de circuito abierto del dispositivo.
Como un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que VD
alcanza 0.7 V con una polarización en directa (como se muestra en la figura), debe aparecer una
batería VK opuesta a la dirección de conducción en el circuito equivalente como se muestra en
la figura. La batería especifica que el voltaje a través del dispositivo debe ser mayor que el voltaje
de umbral de la batería antes de la conducción a través del dispositivo antes de que se pueda
establecer la dirección dictada por el diodo ideal. Cuando se establezca la conducción, la
resistencia del diodo será el valor especificado de rprom.

12
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Circuito equivalente simplificado

En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia rprom es suficientemente pequeña para ser

ignorada en comparación con los demás elementos de la red. La eliminación de rprom del
circuito equivalente es lo mismo que suponer que las características del diodo son las que se
muestran en la figura. En realidad, esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de
circuitos semiconductores.

Manifiesta que un diodo de silicio polarizado en directa en un sistema electrónico en condiciones

de cd experimenta una caída de 0.7 V a través de éste en el estado de conducción a cualquier
nivel de corriente en el diodo (dentro de valores nominales, por supuesto).

Circuito equivalente ideal

Ahora que se eliminó rprom del circuito equivalente, llevemos el análisis un paso adelante y
establezcamos que el nivel de 0.7 V con frecuencia puede ser ignorado en comparación con el
nivel de voltaje aplicado. En este caso el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal
como se muestra en la figura.

13
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores específicos

en una de dos formas. Con más frecuencia, dan una descripción muy breve, tal vez limitada a
una página. En otras ocasiones proporcionan un examen completo de las características
mediante gráficas, material gráfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas con datos
específicos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen:

1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)

2. La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada)

3. La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados)

4. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del término

“breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]

5. El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular

6. Niveles de capacitancia

7. Tiempo de recuperación en inversa trr

8. Intervalo de temperatura de operación

14
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Aplicaciones del diodo

Anteriormente se presentaron la construcción, las características y los modelos de diodos

semiconductores. Ahora conoceremos el funcionamiento del diodo en varias configuraciones,
utilizando modelos adecuados al área de aplicación.

ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

15
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

El circuito de la figura es la más sencilla de las configuraciones de diodo, y servirá para

describir el análisis de un circuito con un diodo empleando sus características reales.

Antes de revisar los detalles del trazo de la recta de carga en la gráfica de características,
tenemos que determinar la respuesta esperada del circuito sencillo de la figura. Observe en
esta figura que el efecto de la “presión” establecida por la fuente de cd es establecer una
corriente convencional en la dirección indicada por la flecha en el sentido de las manecillas del
reloj. El hecho de que la dirección de esta corriente sea la misma que la de la flecha que
aparece en el símbolo del diodo revela que éste está “encendido” y que conducirá un alto nivel
de corriente.

En otras palabras, el voltaje aplicado produjo una situación de polarización en directa. Con la
dirección de la corriente establecida, las polaridades del voltaje a través del diodo y el resistor
se pueden superponer. La polaridad de VD y la dirección de ID revelan con claridad que el
diodo sí se encuentra en estado de polarización en directa, lo que produce un voltaje a través
del diodo de aproximadamente 0.7 V y una corriente de 10 mA o más.

En la figura las características del diodo se colocan en el mismo sistema de ejes como una línea
recta definida por los parámetros de la red, la cual se llama recta de carga porque la carga
aplicada R define la intersección en el eje vertical. Por consiguiente, el análisis a seguir se llama
análisis por medio de la recta de carga. La intersección de las dos curvas definirá la solución
para la red, así como los niveles de corriente y voltaje.

16
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

Las intersecciones de la recta de carga con las características de la figura se determinan

aplicando primero la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj, lo que
da por resultado

Las dos variables de la ecuación (2.1), VD e ID son las mismas que las del diodo que aparecen en
los ejes de la figura. Esta semejanza permite graficar la ecuación (2.1) en las mismas
características de la figura.

Las intersecciones de la recta de carga con las características se determinan fácilmente sabiendo
que en cualquier parte del eje horizontal ID = 0 A, y que en cualquier parte del eje vertical VD =
0 V.

Si establecemos que VD =0 V en la ecuación (2.1) y resolvemos para ID, obtenemos la magnitud

de ID en el eje vertical. Por consiguiente, con VD = 0 V, la ecuación (2.1) se vuelve

como se muestra en la figura. Si establecemos que ID= 0 en la ecuación (2.1) y resolvemos para
VD, obtenemos la magnitud de VD en el eje horizontal. Por consiguiente, con ID = 0, la
ecuación (2.1) se vuelve

17
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

como se muestra en la figura. Una línea recta trazada entre los dos puntos definirá la recta de
carga como se ilustra en la figura. Si cambia el nivel de R (la carga), la intersección con el eje
vertical también lo hará. El resultado será un cambio de la pendiente de la recta de carga y un
punto de intersección diferente entre ésta y las características del dispositivo.

Ahora tenemos una recta de carga definida por la curva de la red y la curva de las
características definidas por el dispositivo. El punto de intersección entre las dos es el punto de
operación de este circuito. Basta trazar una línea hasta el eje horizontal para que podamos
determinar el voltaje del diodo VDQ, en tanto que una línea horizontal desde el punto de
intersección hasta el eje vertical proporcionará el nivel de IDQ. La corriente ID es en realidad la
que circula a través de toda la configuración en serie de la figura. En general, el punto de
operación se llama punto quiescente (abreviado “punto Q”) para reflejar sus cualidades “fijas,
inamovibles” como definidas por una red de cd.

18
 Electrónica Discreta Integrada I
Escuela Técnica OEA – Tartagal Salta

ENTRADAS SENOIDALES

RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA

Ahora ampliaremos el análisis de diodos para incluir funciones que varían con el tiempo, como
la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. Sin duda, el grado de dificultad se incrementará,
pero una vez que se entiendan algunas maniobras fundamentales, el análisis será directo y
seguirá una ilación común.

Las más sencillas de las redes que se van a examinar con una señal que varía con el tiempo,
aparecen en la figura 2.44. Por el momento utilizaremos el modelo ideal (note la ausencia de la
etiqueta Si, Ge o GaAs) para que el método no se empañe por la complejidad matemática
adicional.

A lo largo de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.44, el valor promedio (la
suma algebraica de las áreas arriba y debajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.44, llamado
rectificador de media onda, generará una forma de onda vo que tendrá un valor promedio de
uso particular en el proceso de conversión ca (corriente alterna) a cd (corriente continua).
Cuando se emplea en el proceso de rectificación, un diodo en general se conoce como
rectificador. En general, sus capacidades de potencia y corriente son mucho más altas que las
de los diodos empleados en otras aplicaciones, como computadoras y sistemas de
comunicación.

Durante el intervalo t = 0 T/2 en la figura 2.44 la polaridad del voltaje aplicado vi es tal
que ejerce “presión” en la dirección indicada y enciende el diodo con la polaridad que aparece
arriba de él. Sustituyendo la equivalencia de cortocircuito en lugar del diodo ideal se tendrá el
circuito equivalente de la figura 2.45, donde es muy obvio que la señal de salida es una réplica
exacta de la señal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están conectadas
directamente a la señal aplicada por conducto de la equivalencia de corto circuito del diodo.

Para el periodo T/2 T, la polaridad de la entrada vi es como se muestra en la figura 2.46

y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado de “apagado” con un
equivalente de circuito abierto. El resultado es que no hay una ruta para que fluya la carga y
vi = iR = (0)R = 0 A para el periodo T/2 T. La entrada vi y la salida vo aparecen juntas en
la figura 2.47 para propósitos de comparación. La señal de salida vo ahora tiene un área neta
po-

sitiva sobre el eje durante un periodo completo y un valor promedio determinado por

19