FUNDACIÓN CENTRO COLOMBIANO DE ESTUDIOS PROFESIONALES
FCECEP
FACULTAD DE INGENIERÍAS
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
TECNOLOGÍA EN GESTIÓN DE AUTOMATISMOS MECATRÓNICOS
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
Taller No 01
Profesor: Ing Alex Calero Miranda. MSc.
Parte I
Marque falso o verdadero según corresponda:
1. Un átomo es la partícula más pequeña en un elemento. V_______ F_______
2. Un electrón es una partícula cargada negativamente. V_______ F_______
3. Un átomo está compuesto por electrones, protones y neutrones. V_______ F_______
4. Los electrones so una parte del núcleo de un átomo. V_______ F_______
5. Los electrones de valencia existen en la capa externa de un átomo. V_______ F_______
6. Se forman cristales mediante el enlace de átomos. V_______ F_______
7. El silicio es un material semiconductor. V_______ F_______
8. Todos los diodos tienen una unión pn. V_______ F_______
9. Las regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso lamado ionización. V_______
F_______
10. Las dos regiones de un diodo son el ánodo y el colector. V_______ F_______
11. Un diodo puede conducir corriente en dos direcciones con igual facilidad. V_______ F_______
12. Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en directa. V_______ F_______
13. Cuando está polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto. V_______ F_______
14. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de huecos. V_______ F_______
Parte II
Marque la respuesta correcta con una x.
1. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente de
polarización en directa:
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
2. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltjae de polarización se incrementa, el voltaje a
través del diodo (de acuerdo con el modelo práctico):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
3. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente
en inversa (de acuerdo con el modelo práctico):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
4. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente
(de acuerdo con el modelo completo):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
5. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el voltaje a
través del diodo (de acuerdo con el modelo completo):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
6. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se incrementa, el voltaje en el diodo (de acuerdo
con el modelo práctico):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
7. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se reduce, el voltaje en el diodo (de acuerdo
con el modelo completo):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
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8. Si se excede el potencial de barrera de un diodo, la corriente de polarización en directa: (a) se
incrementa (b) se reduce (c) no cambia.
Parte III
Autoevaluación
1. Cada elemento conocido tiene:
(a) El mismo tipo de átomos.
(b) El mismo número de átomos.
(c) Un tipo único de átomo.
(d) Varios tipos diferentes de átomos.
2. Un átomo está compuesto por:
(a) Un núcleo y sólo un electrón.
(b) Un núcleo y uno o más electrones.
(c) Protones, electrones y neutrones.
(d) Respuestas b y c.
3. El núcleo de un átomo está compuesto por:
(a) Protones y neutrones.
(b) Electrones.
(c) Electrones y protones.
(d) Electrones y neutrones.
4. Los electrones de valencia están:
(a) En la órbita más cercana al núcleo.
(b) En la órbita más distante del núcleo.
(c) En varias órbitas alrededor del núcleo.
(d) No asociados con un átomo particular.
5. Un ion positivo se forma cuando:
(a) Un electrón se escapa del átomo.
(b) Hay más huecos que electrones en la órbita externa.
(c) Dos átomos se enlazan entre sí.
(d) Un átomo adquiere un electrón de valencia extra.
6. El material semiconductor más utilizado en dispositivos electrónicos es el:
(a) Germanio.
(b) Carbón.
(c) Cobre.
(d) Silicio.
7. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es:
(a) Una banda prohibida más amplia entre la banda de valencia y la banda de conducción.
(b) El número de electrones libres.
(c) La estructura atómica.
(d) Respuestas a, b y c.
8. La banda de energía en la cual existen los electrones libres es la:
(a) Primera banda.
(b) Segunda banda.
(c) Banda de conducción.
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(d) Banda de valencia.
9. En un cristal semiconductor, los átomos se mantienen unidos por:
(a) La interacción de los electrones de valencia.
(b) Las fuerzas de atracción.
(c) Los enlaces covalentes.
(d) Respuestas a, b y c.
10. El número atómico del silicio es:
(a) 8.
(b) 2.
(c) 4.
(d) 14.
11. El número atómico del germanio es:
(a) 8.
(b) 2.
(c) 4.
(d) 32.
12. La capa de valencia en un átomo de silicio tiene la designación de número de:
(a) 0.
(b) 1.
(c) 2.
(d) 3.
13. Cada átomo de un cristoal de silicio tiene:
(a) Cuatro electrones de valencia.
(b) Cuatro electrones de conducción.
(c) Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos.
(d) Ningún electrón de valencia porque todos son compartidos con otros átomos.
14. Los pares de electrón-hueco se producen por:
(a) Recombinación.
(b) Energía térmica.
(c) Ionización.
(d) Dopado.
15. Ocurre recombinación cuando:
(a) Un electrón caen en un hueco.
(b) Un ion positivo y ion negativo se enlazan.
(c) Un electrón de valencia se convierte en un electrón de conducción.
(d) Se forma un cristal.
16. La corriente en un semiconductor es producida por:
(a) Sólo electrones.
(b) Sólo huecos.
(c) Iones negativos.
(d) Tanto electrones como huecos.
17. En un semiconductor intrínseco:
(a) No hay electrones libres.
(b) Los electrones libres son producidos térmicamente.
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(c) Sólo hay huecos.
(d) Hay tantos electrones como huecos.
(e) Respuestas b y d.
18. El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco se llama:
(a) Dopado.
(b) Recombinación.
(c) Modificación atómica.
(d) Ionización.
19. Se agregan impurezas trivalente al silicio para crear:
(a) Germanio.
(b) Un semiconductor tipo p.
(c) Un semiconductor tipo n.
(d) Una región de empobrecimiento.
20. El propósito de una impureza pentavalente es:
(a) Reducir la conductividad del silicio.
(b) Incrementar el número de huecos.
(c) Incrementar el número de electrones libres.
(d) Crear portadores minoritarios.
21. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son:
(a) Huecos.
(b) Electrones de valencia.
(c) Electrones de conducción.
(d) Protones.
22. Los huecos en un semiconductor tipo n son:
(a) Portadores minoritarios producidos térmicamente.
(b) Portadores minoritarios producidos por dopado.
(c) Portadores mayoritarios producidos térmicamente.
(d) Portadores mayoritarios producidos por dopado.
23. Se forma una unión pn mediante:
(a) La recombinación de electrones y huecos.
(b) Ionización.
(c) El límite de un material tipo n y uno tipo p.
(d) El choque de un protón y un neutrón.
24. La región de empobrecimiento se crea po:
(a) Ionización.
(b) Difusión.
(c) Recombinación.
(d) Respuestas a, b y c.
25. La región de empobrecimiento se compone de:
(a) Nada más que portadores minoritarios.
(b) Iones positivos y negativos.
(c) Nada de portadores mayoritarios.
(d) Respuestas b y c.
26. El término polarización es:
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(a) La relación de los portadores mayoritarios a los portadores minoritarios.
(b) La cantidad de corriente a través de un diodo.
(c) Un voltaje de cc aplicado para controlar la operación de un dispositivo.
(d) Ni a, ni b, ni c.
27. Para polarizar en directa un diodo:
(a) Se aplica un voltaje externo positivo en el ánodo y negativo en el cátodo.
(b) Se aplica un voltaje externo negativo en el ánodo y positivo en el cátodo.
(c) Se aplica un voltaje externo positivo en la región p y negativo en la región n.
(d) Respuestas a y c.
28. Cuando un diodo está polarizado en directa:
(a) La única corriente es la de huecos.
(b) La única corriente es la de electrones.
(c) La única corriente es la producida por los portadores mayoritarios.
(d) La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones.
29. Aunque la corriente está bloqueada con polarización en inversa:
(a) Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritarios.
(b) Hay una corriente muy pequeña debido a los portadores minoritarios.
(c) Hay una corriente de avalancha.
30. Para un diodo de silicio, el valor del voltaje de polarización en directa en general:
(a) Debe ser mayor que 0.3 V.
(b) Debe ser mayor que 0.7 V.
(c) Depende el ancho de la región de empobrecimiento.
(d) Depende de la concentración de portadores mayoritarios.
31. Cuando se polariza en directa un diodo:
(a) Bloquea la corriente.
(b) Conduce corriente.
(c) Tiene una alta resistencia.
(d) Reduce un voltaje grande.
32. Un diodo opera normalmente es:
(a) La condición de ruptura con polarización en inversa.
(b) La región de polarización en directa.
(c) La región de polarización en inversa.
(d) Respuesta b o c.
33. La resistencia dinámica puede ser importante cuando un diodo:
(a) Se polariza en inversa.
(b) Se polariza en directa.
(c) Se encuentra en la condición de ruptura con polarización en inversa.
(d) No está polarizado.
34. La curva V-I para un diodo muestra:
(a) El voltaje a través del diodo con una corriente dada.
(b) La cantidad de corriente con un voltaje de polarización dado.
(c) La disipación de potencia.
(d) Ninguna de estas situaciones.
35. Idealmente, un diodo puede ser representado por:
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(a) Una fuente de voltaje.
(b) Una resistencia.
(c) Un interruptor.
(d) Todas las anteriores.
36. En el modelo práctico de diodo:
(a) El potencial de barrera se toma en cuenta.
(b) La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta.
(c) Ninguna de las anteriores.
(d) Tanto a como b.
37. En el modelo completo de diodo:
(a) El potencial de barrera se toma en cuenta.
(b) La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta.
(c) La resistencia con polarización en inversa se toma en cuenta.
(d) Todas las anteriores.
38. Cuando un diodo de silicio funciona apropiadamente, un DMM puesto en la posición prueba de diodo
indicará:
(a) 0 V.
(b) OL.
(c) Aproximadamente 0.7 V.
(d) Aproximadamente 0.3 V.
39. Cuando un diodo de silicio está abierto, un DMM indicará en general:
(a) 0 V.
(b) OL.
(c) Aproximadamente 0.7 V.
(d) Aproximadamente 0.3 V.
