Universidad Autónoma de Nuevo León Facultad de Ingeniería Mecánica
Eléctrica
Materia: Laboratorio de Electrónica 1
Docente: Dr. Arturo Torres Bugdud
Actividad: Experimento 9 Curvas características del JFET canal N
Día Hora/Grupo: Lunes V3-V4/105
Nombre: Ulises García Gudiño
Matricula: 1997668
Carrera: IMTC
San Nicolás de los Garza a 23 de mayo del 2023
Introducción
En esta práctica vamos a realizar un circuito que va a tratar acerca de una conexión
de un JFET en configuración surtidos común, para conectar un osciloscopio y ver la
curva característica de este transistor, el circuito que realizaremos ocupamos dos
fuentes de alimentación una de CD y otra de CA, donde la CA utilizamos un
transformador que nos dará 12 V y que estará conectada a un puente de diodos,
donde la salida de este puente de diodos conectaremos el positivo una resistencia
de 3.3k en paralelo, después una resistencia de 100 al drenador del transistor y en
serie con la resistencia de 3.3k, luego se realiza un divisor de voltaje en la compuerta
del transistor, donde se coloca una resistencia de 100k que estará conectada en el
negativo de la fuente de CD y una resistencia de 3.3k al positivo que estará
conectada a tierra; de igual forma en esta práctica lo que haremos será ir variando
la fuente de voltaje para obtener una caída entre la compuerta y el surtidor del JFET,
de 0 a -3 V, y poder ver el comportamiento de la curva característica del transistor.
Reporte
Materiales y Equipo:
• Protoboard
• Jumpers
• 1 Puente rectificador de 1 Amp. de 50V.
• 1 Transistor 2N5951 ó equivalente.
• 1 Resistencia 100 kΩ, ½ W
• 1 Resistencia 100 Ω, ½ W
• 2 Resistencias 3.3 kΩ, ½ W
• 1 Transformador 120/12 VCA, a 1 Amp.
• Multímetro digital
• Osciloscopio
• Fuente de alimentación variable de 0 a 25 V.
Marco teórico
Las curvas características del JFET, son un conjunto de curvas que describen el
comportamiento de la corriente de salida Id, con respecto al voltaje de salida VDS,
para distintos valores de voltaje de entrada VGS. Ilustración 1 Diagrama del circuito
para trazar las curvas del JFET canal N en el osciloscopio en Multisim.
El circuito de la Ilustración 1, permite por el lado de la (G) compuerta-(S) surtidor,
ajustar el valor del voltaje VGS. Por ejemplo, VGS=0 si la fuente esta desconectada,
o bien VGS puede tomar un valor negativo de: –0.5V si el valor de la fuente se
ajusta. Por el otro lado del circuito (D)drenador (S) surtidor, se aplica una señal
rectificada de onda completa. La caída de voltaje en la resistencia del drenador RD,
es proporcional a la corriente en el drenador ID, por lo que se usará para el eje
vertical (Y) en el osciloscopio. El voltaje entre (D) drenador y (S) surtidor VDS con
signo negativo se aplicará a la entrada horizontal (X) del osciloscopio, operando en
el modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una sola curva característica
del JFET y solo es cuestión de ejecutar de nuevo el voltaje VGS, para observar un
nuevo trazo.
Listado de elementos
1.-Proceso de realización de la simulación
Ilustración 1: Diagrama del circuito para trazar las curvas del JFET canal N en el osciloscopio en Multisim.
Realizamos el siguiente circuito donde tenemos conectado la fuente de corriente
alterna al transformador, que la función de este será transformar de 120V a 12V
para poder alimentar de manera correcta el circuito, siguiendo del transformador
vamos a conectarle el puente de diodos del modelo 1B4B42, después vamos a
conectarle en serie una resistencia de 3.3kΩ, conectando en serie a esta resistencia
otra resistencia de 100Ω, en serie con esta resistencia vamos a conectarle el
transistor 2N5951 que nos pide esta práctica, en la compuerta del transistor se
realiza un divisor de voltaje con una resistencia de 10k y 3.3k, unida a este divisor
conectaremos la fuente de alimentación variable.
2.- Voltajes de entrada
Ilustración 2. Voltaje de entrada 1
Como voltaje de entrada tenemos una de CD variable de 0 a 20 V.
Ilustración 3- Voltaje de entrada 2
También tenemos un voltaje de entrada de CA de 120 V a 60 Hz, que ira
conectada a un transformador 10:1.
3.- Voltajes de salida
Ilustración 4. Voltaje de salida 1
Tenemos el voltaje de salida que nos proporciona el transformador 10:1, que es de
12 V de CA, que estará conectado al puente de diodos
Ilustración 5. Voltaje de salida 2
Tenemos otro voltaje de salida que nos proporciona el puente de diodos, que es
de 9.5V de CD, cuando la fuente de voltaje de CD es de 0 V, pero que estará variando
conforme aumentemos el voltaje de la fuente de CD.
4.- Corriente
Como corrientes tenemos que cuando la fuente de voltaje esta a 0 V, tenemos que
la corriente que pasa por el drenador y el surtidor del transistor son iguales.
De igual forma estas corrientes estarán cambiando, dependiendo del voltaje que
proporciona la fuente de voltaje.
5.- Gráficas
Para la obtención de las graficas en el osciloscopio debemos de:
Primero medir el voltaje entre compuerta-surtido VGS. Iniciar con VGS = 0 volts
desconectando o desactivando la fuente de voltaje de alimentación.
Ilustración 6: Voltaje de caída en RB
Luego se realizan las conexiones del osciloscopio en el circuito, las cuales los
comunes de ambos canales irán conectados en la salida del Drenador del transistor, el
positivo del canal A estará conectado a tierra, en cuanto al canal B estará conectado en el
nodo que une la resistencia de 100 y 3.3k, ya que se hicieron las conexiones tiene que
ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.
Ilustración 7: Ajuste de escalas en el osciloscopio
Ajustamos las escalas adecuadas que nos pedían en la práctica, estas eran poner
el acoplamiento en CD, poner la escala en 200 mV/div y ponerlo en modo XY para
que la gráfica se pudiera observar de una manera nítida y clara.
Procedimiento
1.-Implementar:
Se elabora el siguiente circuito en la protoboard como se mostró en la ilustración 1,
ajustando ya el voltaje en VGS a 0V.
Ilustración 8: Circuito armado
Ilustración 9: VGS calibrado inicialmente a 0V
2.- Observar la curva característica del FET en el osciloscopio
Ilustración 10. Valor de VGS = 0 V. Ilustración 11. Voltaje en RD = -1.88V.
Ilustración 12. Curva característica con VGS = 0V.
3.- Dibujar una familia de curvas características para los siguientes valores de VGS.
Tabla 1. Valores de VGS.
La tabla 1 la llenaremos con los voltajes de VGS y VD en la práctica, que se
mostraran a continuación, en donde aplicaremos la ley de Ohm para encontrar la ID que
pasa por la resistencia de 100Ω.
Ilustración 13. Valor de VGS = -0.5 V. Ilustración 14. Voltaje en RD = -1.4V.
Ilustración 15. Fuente de Voltaje a 2 V.
Ilustración 16. Valor de VGS = -1 V. Ilustración 17. Voltaje en RD = -1.02V.
Ilustración 18. Fuente de voltaje a 4 V.
Ilustración 19. Valor de VGS = -1.5 V. Ilustración 7. Voltaje en RD = -1.4V.
Ilustración 8. Fuente de Voltaje a 6 V.
Ilustración 9. Valor de VGS = -2 V. Ilustración 10. Voltaje en RD = -0.42V.
Ilustración 11. Fuente de Voltaje a 8 V.
Ilustración 12. Valor de VGS = -2.5 V. Ilustración 136. Voltaje en RD = -0.19V.
Ilustración 14. Fuente de Voltaje a 10 V.
Ilustración 158. Valor de VGS = -3 V. Ilustración 16. Voltaje en RD = -1.4V.
Ilustración 17. Fuente de Voltaje a 12 V.
Se muestra la tabla completa, donde se realizó ley de Ohm para encontrar la ID que pasa
por la resistencia RD.
Tabla 2. Resultados de mediciones en VGS y VRD.
4.- Dibujar la familia de curvas características para los valores de VGS de la tabla 2.
Ilustración 18. Curvas de operación para el transistor FET 2N5951.
5.-Registrar la siguiente información:
Equipo utilizado Fabricante-Modelo No de serie
Multímetro Digital XMM1 s.n.
Osciloscopio BK RECISION 2190E
Multímetro STEREN MUL-005
Fuente de voltaje MPS-3003LK-3 s.n.
Tabla 3: Equipo utilizado
Conclusión
En conclusión, en la práctica realizada hicimos un circuito del transistor JFET
2N5951 con la configuración de Surtidor-Común, en donde hicimos una polarización
de divisor de voltaje entre la Compuerta y el Surtidor, colocando una resistencia de
10k en el negativo de la fuente de CD, y una resistencia de 3.3k conectada al
positivo de la fuente, en el drenador se colocó una resistencia de 100 que a su vez
está conectada a una resistencia de 3.3k conectada en paralelo al puente de diodos,
que este estuvo conectado a un transformador 1:10 que nos proporcionaba 12V.
En esta práctica pudimos observar la curva característica del transistor JFET de
canal N en el osciloscopio, que se conectaron las terminales comunes de los
canales A y B en la salida del drenador del transistor y el positivo del canal B se
conectó entre la resistencia de 100 y 3.3k, y para el positivo del canal A se conectó
a tierra, y al conectar un multímetro entre la Compuerta y Surtidor, para verificar el
voltaje VGS pudimos observar que cuando la fuente de voltaje estaba en 0 V, la curva
tenía una altura mucho mayor a comparación de las curvas que obtuvimos al variar
el voltaje en VGS de 0 a -3 V.
Referencias
• Manual de Electrónica Analógica 1. UANL, FIME (2022).
