• Diplomado en semiconductores

Diplomado en semiconductores.
MÓDUL03.
Técnicas de Diseño de Circuitos Integrados Analógicos con Tecnología CMOS.

-
lt o ;plomad o en semkonducto.es

Objetivo.
Conocer las estructuras básicas para los procesos de diseño de
circuitos integrados analógicos basado en tecnología CMOS, a partir
del análisis paramétrico de los transistores tipo N y Tipo P,
realizando simulaciones de su comportamiento con software
especia 1izado.
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Logros formativos.
• Comprender el uso de los transistores nMOS y pMOS para diseñar circuitos integrados
analógicos.

• Tener la capacidad de utilizar software de simulación de circuitos electrónicos,

utilizando transistores de la tecnología CMOS.

• Tener la capacidad de diseñar y simular circuitos analógicos básicos, tales como

circuitos de polarización y pequeños amplificadores de 1 o 2 transistores.
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o;plomado en semkonductores

Introducción.
En la electrónica, a diferencia de los circuto eléctricos convencionales, las tensiones y
corrientes aplicadas son, en general, señales que contienen información que el circuito
procesará de algún modo.
Como ya se vio en el módulo 2, en los sistemas digitales, las señales son secuencias de
números binarios; los valores altos y bajos de una corriente o tensión representan
respectivamente los valores binarios uno y cero. Los circuitos electrónicos digitales
realizan operaciones aritméticas y otras sofisticadas operaciones de procesamiento de
información binaria, utilizando interconexiones de circuitos electrónicos de propósito
especial llamados compuertas lógicas.
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1ntroducción.
En los sistemas analógicos, la información se codifica en las formas de onda de tensiones
o corrientes y el procesamiento podría traducirse en hacer la señal mayor o menor, en
eliminar ruidos, cambiar su forma, detrminar el valor pico, medio o combinarla con otra
señal.
Podemos identificar los circuitos electrónicos por la presencia de dispositivos especiales
que modifican la forma de la señal o amplificarán su potencia.
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1ntroducción.
Los diagramas que representan circuitos electrónicos muestran a menudo una
resistencia especial en la salida, denominada carga o resistencia de carga, a través de la
cual se transforma la señal de salida. La resistencia de carga representa a veces un
transductor de salida que convierte la energía eléctrica en otra magnitud física.
En otros casos, la resistencia de carga, podría representar la entrada de otro circuito de
procesamiento de señal, o simplemente comportarse como una resistencia.
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Introducción.
Otra idea introducida en la electrónica es la polarización. Los dispositivos solo son
capaces de amplificar señales debido a la conversión de potencia continua en potencia
en la señal.
Por tanto, además de aplicar tensiones y corrientes continuas a las señales, debemos
aplicarlas a los circuitos electrónicos. En consecuencia, en la mayor parte de los circuitos
electrónicos, las señales de tensión y corriente se encuentran superpuestas sobre los
niveles de polarización. Se requiere, por tanto, dos fuentes: una fuente de corriente
directa para polarizar (alimentar) el circuito y una fuente de la señal que se debe procesar
(un transductor, una fuente u otro circuito previo).
Fuente de polarización V PP

VPP - . '·
•
.. 1 .
-
CCI

+
Vi '-----o----0> ""'

-
ENTRADA SAUOA

..

Fuente de señal Vi
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Características Tensión-Corriente y de Transferencia de los dispositivos.

Se utilizan tres descripciones distintas para analizar y diseñar circuitos
electrónicos y ver la forma en que funcionan: (1) Ecuaciones matemáticas, (2)
modelos de circuitos y (3) curvas gráficas.
Las ecuaciones matemáticas dan descripciones cuantitativas precisas de cada
dispositivo. Los modelos de circuitos permiten el análisis sistemático de
elementos conectados entre si mediante el uso de formalismos de la teoría de
circuitos. Las representaciones gáficas facilitan el uso de las características
humanas de reconocimiento de patrones para asociar los elementos con
dispositivos ideales.
El elemento más utilizado es un gráfico que representa la corriente y la tensión
de un dispositivo dado. Estos gráficos son conocidos como curvas vi (tension-
corriente).
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Curvas vi (Tensión-Corriente).
Para introducir la idea de una curva característica, consideremos una
resistencia. A este elemento, siempre que se le incorpora en un circuito, se
le asocian 2 variables, voltaje y corriente. Estos 3 elementos se relacionan
mediante la ley de ohm, que caracteriza la resistencia mediante una relación
ve 1.
i =V/R
La característica vi de la resistencia es una
representación de la ecuación de la Ley de
Ohm en un sistema de coordenadas de
corri ente y tensión. La inversa de la
pendiente de la recta mostrada es la
_ Vl
Jl resistencia R.
R
-------4-------- v
/ o La curva característica es simplemente la
representación gráfica de la ecuación que
carateriza el elemento o la restri cción que
impone el elemento en el circu ito.

Figura. Diagrama esquemático y curva caracterfstica vi.

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Modelado de los transistores MOS

Construcción de los transistores MOSFET. Para comprender el comportamiento
de los tansistores MOS, primero retomaremos la estructura de construcción de
los transistores, a fin de observar el porqué de sus características.
El transistor nMOS está fabricado en un substrato tipo P, que es una oblea de un
solo cristal de silicio que brinda soporte físico al dispositivo (y a todo el circuito,
en el caso de ser integrado). En dicho substrato P se crean dos regiones tipo N
con gran cantidad de impurezas, indicadas en la figura como las regiones n+ de
fuente y drenaje.
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Mosfet de canal N
En la figura se muestra la estructura física del MOSFET de canal n del tipo de
enriquecimiento. El transistor está fabricado en un substrato tipo p, que es una
oblea de un solo cristal de silicio que brinda soporte físico al dispositivo (y a
todo el circuito, en el caso de ser integrado). En dicho substrato p se crean dos
regiones tipo N con gran cantidad de impurezas, indicadas en la figura como las
regiones n+ de fuente y n+ de drenaje.
Contactos metálicos.
Gate
G
Oxido de Silicio
Si0 2

En la misma cara superficial y abarcando el área comprendida entre las regiones de f uente y drenaje, se hace crecer
una delgada capa de óxido del mismo silicio; el dióxido de silicio (Si02), de espesor tox (por lo general de 2 a 50 nm),
que es un excelente aislante eléctrico.
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Mosfet de canal N.
Luego, sobre toda la superficie del Si02, en su parte superior, se realiza una deposición de metal

o polisilicio, para formar el electrodo de compuerta del componente. Así mismo se hacen

contactos metálicos para la región de fuente, del drenaje y del substrato, este último también

conocido como cuerpo (B por Body). Por lo tanto y como lo habíamos adelantado, esto origina

que el componente disponga de cuatro terminales: el de compuerta (G por gate), el de fuente (S

por source), el de drenaje (D por drain) y el terminal del substrato en el cuerpo (B).

Regularmente, en los transistores nMOS, el terminal de source y substrato se conectan juntos al

potencial más bajo de la fuente de polarización, por lo que en ocasiones solo se visualizan 3

terminales en los transistores MOS.

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Observe que el substrato forma uniones PN con las regiones de fuente y

drenaje. En operación normal, estas uniones PN se mantienen todo el tiempo
en polarización inversa. Debido a que el drenaje operará con tensiones
positivas en relación a la fuente, es posible imponer un circuito abierto en las
dos uniones simplemente conectando el terminal de substrato con el
terminal de fuente. Se supondrá que éste será el caso en la siguiente
descripción de la operación del MOSFET. Por lo tanto, aquí se considerará que
el substrato no tiene efecto en la operación del componente, y que el
MOSFET será tratado como un dispositivo de tres terminales: la compuerta
(G), la fuente (S) y el drenaje (D).
Gate
G Drain
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Se demostrará que una tensión aplicada al terminal de compuerta controla el flujo de

corriente entre la fuente y el drenaje. Esta corriente circulará en dirección longitudinal del

drenaje a la fuente, en la región llamada 1/región de canal". Tome nota que esta región

tiene una longitud L y un ancho W que se constituyen en dos parámetros muy

importantes del MOSFET. Por último, tome en cuenta que el MOSFET es un dispositivo

simétrico; por lo tanto, pueden intercambiarse su fuente y su drenaje sin modificar sus

características. El potencial al que se conecte la terminal del transistor es lo que define si

ese terminal es source o drain. El source será el terminal conectado al potencial más bajo.
D
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Operación sin tensión de polarización de compuerta.

Sin aplicar ninguna tensión de polarización en la compuerta, hay dos diodos
conectados en serie entre el drenaje y la fuente. Uno de ellos está formado
por la unión PN entre la región N+ del drenaje y el sustrato tipo P ; el otro
diodo está formado por la unión PN entre el sustrato tipo P y la región N+ de
la fuente. Estos diodos conectados en serie y en contraposición evitan la
conducción de corriente del drenaje a la fuente cuando se aplica una tensión
Vds positiva: se dice entonces que no hay corriente porque el componente no
tiene formado el canal. En realidad, la ruta entre el drenaje y la fuente tiene
una resistencia muy elevada.
G
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Creación de un canal para permitir la corriente.

Si se conectan los terminales de fuente y de drenaje a tierra y se aplica una tensión de
polarización positiva a la compuerta, debido a que la fuente se encuentra conectada a
tierra, la tensión de compuerta genera una diferencia de potencial que aparece
efectivamente entre la compuerta y la fuente, denominada Vgs. La tensión de polarización
positiva en la región de compuerta ocasiona, en primer lugar, que se repelan los huecos
libres (que están cargados positivamente) de la región superficial del substrato, justo
debajo del área cubierta por la zona metálica de compuerta (la región del canal).

El campo eléctrico generado por Vgs, al ser positivo, aleja

los portadores positivos que estan debajo del canal.
i Diplomado en semiconductores

Creación de un canal para permitir la corriente.

Dichos huecos son empujados hacia abajo en el substrato, dejando atrás una región con
carencia de este tipo de portadores, mientras que los minoritarios o electrones libres
siguen permaneciendo en dicha región, que de esta forma cambia la polaridad o tipo de
semiconductor de P (substrato original) a N. Además, dicho potencial positivo en
compuerta atrae electrones libres provenientes de las regiones N+ de fuente y de drenaje
(donde abundan) hacia la región de canal. Cuando se acumula una cantidad suficiente de
electrones cerca de la superficie del substrato, debajo de la compuerta, se crea realmente
una región N que une o conecta las regiones de fuente y drenaje. Se dice que se forma un
canal N entre source y drain, aumentando la conductividad entre éstas 2 terminales.

Un transistor NMOS con una tensión

positiva aplicada en la compuerta y la
variación de la concentración de
portadores en la región superficial del
substrato debajo de la compuerta.
D
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Ahora bien, si se aplica una tensión de polarización entre el drenaje y la

fuente puede establecerse una corriente a lo largo de esta región, sostenida
por los electrones libres generados por este proceso de inducción. Por lo
tanto, la región N inducida forma un canal para permitir el flujo de
corriente entre drenaje y fuente, recibiendo apropiadamente este nombre.

+
l Vds

Canal de conducción inducido al aplicar los vo ltajes Vgs y Vds en el trans istor nMOS
!t Diplomado en semiconductores

Si se le aplica un voltaje entre drenaje y fuente mayor a cero {VDS>O) habrá una corriente en
ese mismo sentido a través del canal. Es por ello que se le denomina MOSFET cana l N o
transistor NMOS. A la región de superficie también se le llama capa de inversión, debido a
que de ser un sustrato tipo P cambia a N {canal).

Para que se forme el canal de inversión,

o ca nal N, se requiere que el voltaje Vgs
sea mayor a un voltaje mínimo,
NMOS denominado voltaj e de um bra l Vth.

11-1m
Vgs > Vth
Vss Vds
11-1m
sv sv

I -
Para un NMOS Vth>O y para un PMOS
Vth<O.

Representación del transistor y diagrama esquemático equivalente

i Diplomado en semiconductores

También existe entre el canal y compuerta una capacitancia, donde la capa de dióxido de
silicio forma el aislante de éste. La carga positiva se acumula en la compuerta y en la placa
inferior la negativa; existiendo un campo eléctrico en la compuerta. Dicho campo eléctrico
determina la corriente que puede fluir de drenaje a fuente variando su conductividad y
controlando la carga móvil del canal; es por ello que se le llama transistor de efecto de
campo. Variaciones en el voltaje Vgs, producirán variaciones en la cantidad de corriente
circulando entre source y drain.

+ La capacita ncia que se forma entre gate

Vds
y substrato se forma de manera
intrínseca al fabricar el transistor, NO ES
UNA CAPACITANCIA AÑADIDA, y su
valor, depende del área de la compuerta
y del espesor del óxido aislante,
principalmente.
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Regiones de operación y punto de operación del transistor.

El punto de operación de un MOSFET canal N de enriquecimiento depende de la tensión de compuerta a
drenaje (Vgs) y la tensión de drenaje a fuente (Vds), para ello se pueden trabajar en tres regiones que son
región de corte, región de triado y región de saturación, las cuales se describen como sigue.

1) Región de corte
Condición de Polarización de compuerta Vgs=O, canal abierto.

Cuando la polarización de compuerta es cero volts (Vgs=O), las dos uniones PN que conforman el
substrato con el material N+ de la fuente, así como la que se genera con la N+ del drenaje, forman dos
diodos en inversa en el sentido de drenaje a fuente, imposibilitando la conducción de corriente si se
aplicara un voltaje de Drenaje a Fuente positivo (Vds>O). Esto es porque el canal no se ha formado y se
considera que tiene una resistencia muy alta, del orden de 1012 ohms y se dice que está en región de
corte o apagado.
G \Id• lds
o
D
Diplomado en semiconductores

Región de triado o Lineal

Condición de Polarización de compuerta Vgs>O y Vds pequeña
Si se t iene inducido el canal, y se le aplica una tensión a Vds, con Vds pequeña, hace que circule corriente de drenaje
a fuente {Id) por el canal N inducido. La magnitud de la corriente depende de la densidad de electrones libres en el
cana l, es decir su dependencia con Vgs. Cuando Vgs=Vth el canal apenas es formado y la corriente que puede haber
es pequeña.

Cuando se incrementa Vgs>Vth, hay más electrones libres en el canal, aumentando la carga negativa en el canal y su
profundidad. Entonces aumenta su conductancia, siendo ésta proporcional a la diferencia de Vgs-Vth.
La corriente lds es proporcional a Vgs-Vth y obviamente a la tensión Vds. En la siguiente figura se muestra esta
relación, en la que se observa como resistencia lineal controlada por la tensión Vgs, a esta zona se le llama región
lineal o de triado.
Vds lds

Vgs
• • NMOS
lds 12
Región lineal o región de triodo

•
10

I
.11Jm
Vgs - Vds
l¡Jm
O.lV
0.6V

o o.o2 o.04 o.06 o.o8 o.1 o.12 o.14 o.16 o.18 Vds
D
o;plomado en semkonducto.es

La siguiente ecuación describe el comportamiento en la región lineal, es decir si

Vds<VDS(sat):

iD= Kn[2(VGS- Vt)VDS- VDS 2 ]

Donde:
K es el parámetro de transconductancia dada por:
Wt-tnCox
Kn 2L
• W es el ancho del canal
• Les la longitud del canal
• Jln movilidad de electrones
• Cox es la ca pacitancia por unidad de área de la compuerta

EOX
Cox
• Eox es la permisividad del óxi do de silicio
tox
• Eox = 3.9 Eo = 3.9 (8.854.1 0- 12 ) = 3.45.10- 11 F jm
• tox = espesor de la capa de óxido.
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tox es el espesor del óxido, definida por el proceso de fabricación del MOSFET

Para el diseño de transistores MOSFET, también se puede encontrar la transconductancia en

función de la relación de geometría:

k'n. W
Kn -- ----
2 L

Siendo K'n = pnCox ; llamada parámetro de conducción, donde puede ser una constante por la
tecnología de fabricación dada.
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Región de Saturación.
Condición de Polarización de compuerta VGS>O y VDS aumenta.

En el caso de tener un Vgs constante, mayor a Vth, y cuando se aumenta la tensión sobre la resistencia del canal Vds;
entonces a medida que se recorre el canal desde la fuente hasta el drenaje, la caída de tensión entre el punto del canal
considerado y la fuente aumenta, empezando desde O volts y llegando al drenaje a un valor de Vds. Esto hace que la
diferencia de potencial entre la compuerta y los puntos del canal considerados (al desplazarse desde la fuente al
drenaje) disminuya, empezando en el valor de Vgs en el extremo de la fuente y hasta el valor de Vgs-Vds en el extremo
del drenaje. Debido a que la profundidad del ca nal depende de esta diferencia de potencial, entonces como
consecuencia se tiene una profundidad variable del canal en su longitud, tomando una figura de trapecio como se
muestra en la siguiente figura

Canal con profundidad variable.

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Si Vds se incrementa, entonces el canal se hace más angosto y por lo tanto se tiene menor
cantidad de electrones libres en el canal, y su resistencia aumenta proporcionalmente; por
lo que ya no se tiene una relación lineal de Id con Vds (como cuando Vds es pequeña), sino
que tiene un comportamiento curvo. Cuando Vds llega a la tensión de Vth hace que se
reduzca la diferencia de potencial entre la compuerta y canal en el extremo del drenaje
(esto se da en Vgd=VT, o Vgs-Vd=Vt ó Vds=Vgs-Vth), la profundidad del canal en el
extremo de drenaje disminuye casi a O volts, y entonces hace que el canal quede
estrangulado en un punto del canal (pinch off). Obteniendo así una corriente id constante
en el valor alcanzado para Vds=Vgs-Vth. A este voltaje Vds, se le denomina Vds(sat). Así se
dice que el valor de corriente de drenaje se satura y el MOSFET ha entrado en la región de
saturación, y se dice que Vds(sat)=Vgs-Vt. En esta zona el MOSFET trabaja como
amplificador lineal.

Vds lds Reglón de saturación Región de lds

constante.

" i NMOS G

_V
dsEliJm
}-'V '"m
I o
o 004 0011 o 11 o 16 o 1 o 74 o 78 o.3J o 36 0.4 044 OAM o.~J o~&
lt Diplomado en semiconductores

Como resumen:
a) Se puede decir que para cada valor de Vgs > Vth hay un correspondiente valor de
Vds(sat) .
b) El dispositivo opera en la región de saturación si Vds> Vds(sat) .
e) A la región de la característica tensión-corriente Id - Vds obtenida para Vds< Vds(sat)
se la denomina región de triado o lineal.
d) Teóricamente, ningún aumento en Vds por arriba de Vds(sat) (que es igual a Vgs - Vt)
tiene efecto en la forma del canal, por lo que la corriente permanece constante, solo
produce el ensanchamiento de la región de vaciamiento del canal vecino a la región
N+ del drenaje.

A la región de saturación, también se le conoce como región activa o región de

estrangulación (pinch off) y a la región de triado, se le denomina región óhmica.
D
Diplomado en semiconductores

Regiones de operación del transistor nMOS

lds vs Vds para valores pequeños de Vds y
diferentes valores de Vgs
Cuando Vth< Vgs < Vds(sat) lO
la corriente aumenta de
manera lineal con el ..s ~---r----.r.-:::-:- Vgs:::l Una vez que se
aumento de Vds. (Región alcanza el voltaje
lineal del transistor) 20
Vds(sat), la corriente
1
permanece
Vgs=0:9 constante (Región
15
lds de saturación).

10

Vgs=0.6

NOTA: Cuando Vgs<Vth la

corriente lds es práctica mente
cero (Región de corte del
transistor)
D
Diplomado en semiconductores

Actividad . Simule el siguiente circuito y llene la tabla con los datos de

corriente circulando por el transistor para diferentes vo ltajes de compuerta.

lds nMOS .,.JJ_. ~ :: -:>

apher ,» Spltt 1) Dibuje el circuito mostrado en la

figura y ajuste los parámetros del
transistor NMOS de la siguiente manera.
ID= NMOS
Vds lds fully conf•rur•bh! n challnrl MOSFET
L=O.lu W=lu
• o w1th asubstt •te ttnnl~. !lee
Mosrns f« more lnformatlon.
VTO = O.SV
•~1 N~OS .,. M~
. ,~ 1
NMOS

. 1~ l Ajuste la Fuente Vgs a Ov.

Ajuste la Fuente Vds a 3.3V
w 1~ m

Vgs · ~
.lum ~ VTO O.S V
() ~ :._ .. )1 Agregue puntos de prueba: de voltaje
o.oov en el gate y drain del transistor y de

I
0 KP
3.3V PI
0 GAMMA
corriente en el drain del transistor.
1
8ody
Renombre los puntos de prueba como
O PHI
Surf se muestra en la figura.
lAMBDA o lN
D
Diplomado en semiconductores

2) Seleccion e la función Transient en multisim.

Seleccione Transient en el
modo de simulación de
multisim
m lds nMOS flJ !!! :: ,

Conserve los
1

Q) 1111- ~lt Ir .1w.11"nt •

parámetros de
lVI>'
/ .;;. • S•mUI-'10"1 tf'lttnp '?1
tiempo de la
tr.-.n*nt función Transient.
NMOS N.¡me Tr ..n-.ltnt 1
PR2 ~t..lttln"" o ...
,.... In<! JI""' 1t 3

/0 1 ....
• lnlll.al c:ondlt~ono..
l'lrt>tl'tmirw itUIOMAtlully

• Mo\.ll•momt~'ll~"f'

Vgs Vds
.1J..Jm • ln!ll.aiUnlf!UtV

- -
--- -r-
--- 1J..Jm
•
!ol<~•l ~ltn&Jiatlnn liJo

S·n·udo~tor optlon\
O.OOV -~ 3.3V • lOI'ICivv.k

• s~~ l t.41tttn¡~ [?]

r> Wldih tOO
f!.IJloi 70

- ...._
-- L.rid

r N"'tU,bflt
eri COIIIJ'O(l<'roJLIIHo"
D
o;plomado en semkonducto.es

3) Iniciar la simulación. Observar las gráficas que se generan para cada

punto de prueba colocado en el circuito: Vgs,
Primero, dar click sobre el botón Split, para poder
Vds e Jds. 1
observar tanto el circuito, como la gráfica. 1
\
1
m 1
1dsnMOS .¡-"'}) ~ :: ,

..~Split
D
"
..... + Transient 1 1 N~me Trans.!cnt 1
OOQ.Wrlent

*'
- "1111\ll
- W ..:V(21
" '~ TYJ)e'

.. PSotJ
Tr.tttsient Gr.1pi1

[?) El eje X de la gráfica, es el

o Vds lds ..... lds: I{NMOS O)

•
Show
tiempo de la simulación,
o 3.5
~ Vg>V(l)
;ooo, ~ Id~ I(NMO S•OI en este caso, 1mS,
NMOS ~ Vd"V(2)
Vgs definido en esta sección

• ~
"-"
1>&.>
• Curson.
r,...
None
[?)
del s¡mulador.
.11Jm
i CUI'SOf 1

1
Vgs Vds j
1¡.Jm
~ ~ c...... 2
o.oov

I
3.3V
·~
1.5
. "- [?)
/oomau

- M Volt-a&~(V)
En este caso, con Vgs=O, la
!100m
""' \1\l Curr~(A}

corriente ld=O.
Tlme(s•

• M1nu•num o ...
'

/· 100,.
Á
;ooo, 300o '"""' 500,. 600u ;ooo, 600u 9001'
Timt(5l
o\
1m
Maxlmum
Voi ~ M
0.001

A la derecha de la gráfica, aparece la escala de corriente.

•

A la izquierda de la gráfica, aparece la escala de voltaje.

t Diplomado en semiconductores

Realice variaciones de Vgs y observe la corriente lds que circula por el transistor.
Llene la siguiente tabla y grafique los datos.

-"'"''.,...,.
_ ... IIQI
.. • C~t~r 2 0.3 6.61 pA
Vds lds fóQo
""
........ 3 0.6
i NMOS . o
154S~II' 714001oAJ """'
l<qo
C......l

""""'
4 0.9
u
o<q,
. "'" ,_... S 1.2
- Vss - Vds .11Jm
11Jm
[

f ' ~ r """"'"" 6 1.5 100 uA

[
Cuna A.l
3.3V 3.3V .....

¡= -
""'' -
n-u

.......... ·~
7
8
1.8
2.1
9 2.4
1
Juste el valar de la
uente de Vgs
la tabla y realice la
a
"""'
o• KQ. JO\¡ XQ; 4((\, ~\1 to:\1
h'MCII
~ ~ IOOJ . . • _
0.1fii'II!W
......-...
·~
10
11
2.7
3.0
simulacian. Registre Dar click sobre la línea Ajustar las valares de la escala
de la gráfica para poder
12 3.3 784 uA
las datas de lds de corriente para
obtenidas para cada obtener el data visualizar correctamente las
valar de Vgs. correspondiente. valares obtenidas.
lt Diplomado en semiconductores

Si se hace una gráfica con los datos obtenidos, tendremos lo siguiente:

Corriente lds en función de Vgs

900

800
Cuando se incrementa Vgs>Vth, hay más
700
600 electrones libres en el canal,
lds 500 aumentando la carga negativa en él y su
400

300
profundidad. Entonces aumenta su
200 conductancia, siendo ésta proporcional
100
O O.OOútrt--1:-~
a la diferencia de Vgs-Vth .
o.! 0.6 0.9 1.2 LS 1.8 2.1 VI 2.7 3 33

Vgs

Para voltajes Vgs<Vth la lds => O (Región de corte del transistor).

D
Diplomado en semiconductores

Repita la simulación para valores pequeños de Vds,

entre O y O.SV y diferentes valores de Vgs.
Llene las siguientes tablas y grafique los resultados.

Vgs =0.3 V Vgs =0.6 V Vgs =0.75 V Vgs =0.9 V Vgs =1 V

Vds (V) lds Vds (V) lds Vds (V) lds Vds (V) lds Vds(V) lds
Vds lds

Vgs
• o
NMOS
o
0.02
o o
0.02
o o
0.03
o
0.04
o
0.04

•
Vgs Vds .li.Jm
0.04

0.06
0.04

0.06
0 .06

0.09
0 .08

0.12
0.08

0.12
li.Jm 0.08 0.08 0.12 0.16 0.16
o.ov

I
.3V
0.10 0.10 0.15 0 .20 0.20

0.12 0.12 0.18 0.24 0.24

-
0.14 0.14 0.21 0.28 0.28

0.16 0.16 0.24 0.32 0.32

0.18 0.18 0 .27 0.36 0.36

i Diplomado en semiconductores

lds vs Vgs para valores pequeños de Vds

30

Vgs=l
Con los datos obtenidos de la
simulación, obtenga las gráficas e
10

Vgs=0.9 identifique las tres regiones de

15
operación del transistor.
10

Vgs=0.75

Vgs=0.6
o

La operaci ón del dispositivo PMOS se obvia debido a que su comportamiento es muy similar al NMOS, solo con
las t ensiones de Vgs, Vds y Vth negativos, así como la corri ente id que entra por la fu ente y sale por el drenaje.
Aunqu e la t ecnología NMOS hacen que los dispositivos sea n más pequeños y por lo t anto más rápidos, la
t ecnología PMOS tambi én es utilizada en diseño de circuitos discretos y MOS complementarios o CMOS.
D
Diplomado en semiconductores

Análisis del punto de trabajo.

Es útil considerar al transistor MOSFET como un dispositivo de 3 estados que tiene una ecuación, un
módelo de circuito y una región concreta de las características de salida asociados a cada estado. Se
utilizan en estado activo en amplificadores y otras aplicaciones lineales. En la region óhmica o resistiva
el FET funciona como resistencia controlada por tensión. En la región de corte, se utiliza como
interruptor activado por tensión.

A continuación se analizarán las ecuaciones y modelos de gran señal de cada estado, mostrando la
relación de éstas con las curvas carcaterísticas del MOSFET.
~ Diplomado en semiconductores

Estado de corte.

• En corte el transistor no tiene canal. Por tanto, cuando Vgs es menor

o igual a Vth la corriente lds =O.

Modelo del transistor en la región de corte, con Vgs>Vth

D
o;plomado en semkonducto.es

Región de triado o región óhmica.

Cuando el voltaje entre gate y source Vgs es mayor que el voltaje de

umbral: Vgs > Vt
Y el voltaje entre drain y gate es menor que -Vth, la ecuación de salida
es:
k
id= [2(Vgs-Vth)Vds -Vds 2 ]
2
Donde la tensión de umbral Vth y el parámetro de transconductancia k
son 2 constantes que caracterizan un MOSFET determinado
(Características del proceso de fabricación).
D
o;plomado en semkonducto.es

En esta ecuación, vamos a suponer que Vds es la variable independiente, Id

la variable dependiente y Vgs como parámetro de control. Los términos Vds
muestran que la ecuación anterior, es la ecuación de una parábola invertida
que está desplazada del origen. Distintos parámetros de la variable Vgs crean
una familia de parábolas con distintos desplazamientos. Es exactamente la
familia de características de salida de la región óhmica del transistor.
Familia de características de salida en la región óhmica o
30

vgs=l
25

Región óhmica ,. Región activa o de saturación G

20
Vgs=0.9
15

10

Vgs=0.75
(/)

Vgs=0.6
Modelo del transistor en la región
o
óhmica, una resistencia controlada
por tension.
~ Diplomado en semiconductores

Si el término Vds en la ecuación

k
id== [2(Vgs- Vth)Vds - Vds 2 ]
2
se mantiene tan pequeño que el término cuadrático sea despreciable, la
corriente de drenaje y el voltaje Vgs cumplen la siguiente relación:

k 1
id== [2(Vgs- Vth)]Vds == R Vds
2 nMOS

Esta ecuación describe la sección lineal de las curvas VI. El valor de la

resistencia controlada es:
1
R -------
nMos - k(Vgs - Vth)
~ Diplomado en semiconductores

Para asegurar que es válida la ecuación de la resistencia

1
R ------
nMos - k(V g s - Vth)
El término cuadrático de la ecuación
k
id= [2(Vgs- Vth)Vds - Vds 2 ]
2
debe mantenerse muy pequeño. En términos de ingeniería, debe ser al menos un
orden de magnitud menor al otro término de la suma, esto es:
1Vds 2 1 << I2(Vgs- Vt)Vds l

1
1Vds 2 1 << ( )12(Vgs - Vt)Vdsl
10

IVdsl < 0.21Vgs - Vtl

Esta restricción debe aplicarse siempre que se trabaje en la región de triodo o
región óhmica.
D
o;plomado en semkonducto.es

Región de saturación o región activa.

Cuando el canal llega al estado de estrangulación
o pinch off (Vds sat), se toma el valor de Vds en
esta condición. Modelo del transistor en la
región activa.

Vds= Vgs- Vth o

Y se sustituye en la ecuación
G

id= z [2(Vgs- Vth)Vds - Vd s

k 2
]

(/)

Lo que nos da la siguiente ecuación del estado En su estado activo el MOSFET es una
activo. fuente de corriente controlada por
k tensión, pero para las señales en
id= (Vgs- Vth) 2 general, esta fuente dependiente es no
2 lineal.
~ Diplomado en semiconductores

Una curva importante en los MOSFET activos es su función de transferencia,

mostrada en la siguiente figura.
Corriente lds en función de Vgs
1000

800 4

600
lds
400

200

o 0.0066i-~~
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3 3.3

Vgs

Para Vgs < Vth el transistor está en corte.

Para Vgs > Vth la función de transferencia es una representacion de la
.,
ecuacton
k
id= (Vgs- Vth) 2
2
~ Diplomado en semiconductores

El parámetro k de las ecuaciónes del MOSFET esta definido mediante :

w
k=- ~nCox
L

Donde C ox es la capacidad por unidad de área del óxido debajo de la

compuerta del transistor y lln es la movilidad de los electrones para un
transistor N y de los huecos para los transistores P. Todos estos
parámetros son dependientes del material semiconductor utilizado y
del proceso de fabricación de los transistores.
c.ox
eox =--
t ox
Eox es la permisividad del óxido de silicio
Eox = 3.9 Eo = 3.9 (8.854. 10- 12 ) = 3.45. 10- 11 F jm
tox = Es el espesor de la capa de óxido.
!t Diplomado en semiconductores

Esta ecuación también predice el espaciado no uniforme de las curvas de la

región activa para incrementos iguales de Vgs.

Curvas de la regían activa

18
Vgs=0.9
16
14

12

10 Espaciado no uniforme de
8 las curvas del estado
Vgs=0.75 activo para variaciones
6
4
iguales de Vgs.
2 Vgs=0.6
o
D
o;plomado en semkonducto.es

En general, todos los MOSFET dentro de un Cl tienen un llnCox idéntico,

por lo tanto, solo se diferencian en los parámetros W y L.

Como estos parámetros se pueden definir mediante las mascarillas de

fotolitografía, su valor se controla de manera fácil y precisa durante
la fabricación del circuito integrado y se convierte en un parámetro
clave del diseño.

Dado que la corriente de drenaje en cada estado de operación del

transistor es proporcional a k, se pueden fabricar dispositivos que
tienen distintas corrientes para los mismos voltajes, solo variando la
relación W /L durante el diseño de las mascarillas de fotolitografía
(Proceso de diseño físico o layout de Cl).
D
o;plomado en semkonducto.es

El punto de trabajo Q del transistor MOSFET

Análisis en estado activo.

Los problemas de análisis de MOSFETs activos llevan asociado el
resolver dos ecuaciones simultáneas, una cuadrática con dos
incógnitas, por lo que se tienen dos soluciones matemáticas de la
función de transferencia, representada por la ecuación de lds mostrada
previamente, pero solo una de ellas tiene sentido físico. Si se expresan
las ecuaciones en función de Vgs y no de Id, se puede reconocer
fácilmente la solución correcta como aquella que pone al transistor en
conducción.
D
Diplomado en semiconductores

Ejemplo.
Para comprender mejor la operación de los transistores MOSFET, consideremos lo
siguiente:
a) El par de terminales GATE-SOURCE es el puerto de entrada, o sea, el voltaje
aplicado en estas terminales es el voltaje de entrada.
b) El par de terminales DRAIN-SOURCE es el puerto de salida, o sea, la caída de
voltaje entre estas terminales es el voltaje de salida.

lg
.
~ ---1 Vds Puerto de salida

Vgs
Puerto de entrada

S
~ Diplomado en semiconductores

La característica vi de salida, es la gráfica de Id en función de Vds, para un

voltaje Vgs determinado.

Curva s de la region activa

18
Vgs=0.9
16
14
La altura general de la curva por
12 encima del eje de los voltajes, es
Id to una función monotónicamente
8
Vgs=0 .75 creciente del voltaje en el puerto de
6
entrada Vgs, como se había
4
2 Vgs=0.6 mencionado anteriormente.
o

Vds

El comportamiento del puerto de salida se describe de una manera más completa graficando su
característica vi para varios valores de Vgs, como se muestra en la figura. Cada una de las curvas de esta
gráfica corresponde a un valor distinto de Vgs. Al conjunto de gráficas parametrizadas se le llama una
familia de curvas. En cualquier momento dado, solo una de estas curvas es válida, dependiendo del valor
instantáneo de Vgs.
~ Diplomado en semiconductores

Aunque las curvas se muestran para valores escogidos de Vgs, se debe

comprender que conforme cambia el voltaje del puerto de entrada, la
característica vi del puerto de salida varía en forma continua entre todas
las posiciones definidas por la familia de curvas.
La curva vi para voltajes menores al voltaje de umbral Vth, estará sobre el
eje horizontal, implicando que la corriente Id será O para todos los valores
de entrada Vgs<Vth.
En términos generales, el punto de operación, punto de trabajo o punto
Q, consiste en encontrar el valor del voltaje Vds y la corriente Id para
ciertas condiciones del circuito, o, desde el punto de vista del diseño,
proveer las condiciones necesarias a un circuito para ubicar el punto de
operación (Id y Vds) en un valor específico, acorde a las necesidades
requeridas de alguna aplicación en particular.
D
o;plomado en semkonducto.es

Actividad. Encontrar el punto de operación del siguiente

circuito.
1) Dibujar el circuito en el simulador
multisim.
R1 _ VDD
2) Obtener la curva vi para un Vgs=SV.
7SOQ I 9V
Para obtener la curva, obtenga el valor
de corriente Id para diferentes valores
de VDD y grafique los resultados en una
MN1
grafica x-y.

Considere los siguientes parámetros

_[ VGS
para el transistor MNl.
sv
L=O.l~m W=l~m Vth=O.SV
y R= 750 ohms.
~ Diplomado en semiconductores

Realizar el análisis tra nsit orio para diferentes

valo res de VDD y regist ra r los dat os de volt aje y
corriente del nodo de salida para cada va lor de
Sd>om.>t>< VDD.
.. Sim ~t~S('tt~ {?]

- VOD
ov N.,... Tr..u.nt 1

I StMtl'"'-
Endtimo

• lnolc:ondiliOnl
o
lo3 1
2
0.613
1.266
0.514
0.979
• M.. nunc-. ..ttp

VGS • Jflttl;tlt!fMSffP 3 1.963 1.381

p 5lMI <ln'C!btlon •
4 2.719 1.707
• ~JtoropUora

_l VGS • LDskiMb S 3.549 1.934

sv .. ~tlflt~ (?1
W.lth 100 6 4.4813 2.025
Hol&f'l 70
7 5.481 2.025
. o ,.,L>boh
Gttd

8 6.481 2.025

Seleccionar la opción Transient en el simulador. 9 7.481 2.025

Agregar puntos de prueba en los puertos de entrada y salida . 10 8.481 2.025
• Para la entrada, utilizar un punto de prueba de voltaje . 11 9.48 2.025
• Para la salida, utilizar un pu nto de voltaje/corriente.
12 10.48 2.025
lt o;plomado en semkonducto.es

Grafica r los datos obten idos.

Una vez obte nida la cu rva de corriente
Id para un Vgs=SV, sobre la gráfica se
ubican los datos del ci rcuito.
Curva característica vi y recta de carga
14
VDD=9V
VDD lds=9V/750 oh ms = 12mA.
- - 12
Rl Recta de carga
10 Se traza una línea recta entre esos 2
8
puntos. A ésta recta se le denomina
Id (mA) recta de carga del ci rcuito .
6 Punto de operación
del circuito.
4
El pu nto donde se cruzan la curva de
VGS=SV
2 .025~~ +-----------:::
--~--:.:-.¡..:--:;.::.-=---.....---...,_-¡-...,.__,.__-¡-'~:::-.,.._1... corriente lds con la recta de carga, se le
denomina punto de operación o punto
o
o 2 3 4 5 6 7 8 9 w de trabajo Q. En este caso,
7.481V VDD
Vds (V) corrresponde a:
ld=2.02SmA
Vds=7.481V
!t Diplomado en semiconductores

Algunas consideraciones.

• Los datos para graficar las curvas de corriente se

obtienen calculando la Id con las formulas vistas
previamente, cuando se tienen los parámetros del
• Slmub+Jon ..w..s transistor y del proceso de fabricación .
VDD oc Opontlrc l'olnt • En este caso, lo hemos obtenido utilizando los
9V
N""" OCOPl
datos del modelo del transistor provistos por el
Start~ ·

• Slmul.ltor optlon\
simulador.
• lcctcltvt" • En los simu ladores, regularmente exist e una
.. • ...u,...
~, [?] herramienta para obtener la famila de cu rvas,
100
Wldt~
denominada OC Sweep. En el caso de multisim
Hcl,trt 10

C. Id
online, en su versión gratuita, no está disponible,
por esta razón, hemos rea lizado la obtención de
VGS "' Labtb

SV
mr (lOI1('nl Lab<+l datos paso a paso.
• Por último, el simulador nos entrega el punto de
operación utilizando la opción de simulación OC
Op.

• Físicamente, se utiliza un trazador de curvas para

obtener la fam ilia de curvas.
~ Diplomado en semiconductores

ACTIVIDAD ES.
1) Utilizando el mismo circuito, con VDD=lOV, grafique la curva Id cambiando la
relación W/L del tran sistor a:
a) W=2j.lm y L=O.lj.lm
b) W=4j.lm y L=O.lj.lm
e) W=lj.lm y L=0.21lm
Y obtenga el punto de operación para cada uno.
Llene la tabla siguiente y compare los resultados obtenidos.

¿Cómo va ría la corri ente Id cuando aumenta W ?

0.1 ¿Cómo va ría la corri ente Id cuando aumenta L?
0.1 4
0.2 1
~ Diplomado en semiconductores

Conclusiones de la lección.
• Se hizo un repaso de la construcción del transistor NMOS.
• Se hizo un repaso de la operación del transistor NMOS y la formación del
canal debido a la tensión de compuerta.
• Se definió el concepto de polarización de un circuito electrónico.
• Se definieron las regiones de operación del transistor y las ecuaciones
que representan el comportamiento del mismo.
• Se obtuvieron
., las curvas de lds para las diferentes regiones de
operacton.
• Se obtuvo el punto de operación y la recta de carga del transistor para
condiciones de operación específicas.
lt Diplomado en semkonducto.es

A m piificadores.
D
Diplomado en semiconductores

Amplificación analógica.
En un circuito analógico, los voltajes y las corrientes varían en un
rango contínuo de posibles valores. El más pequeño cambio de una
señal de voltaje o corriente puede llevar información.

Un circuito que actúa como amplificador reproduce los cambios en

su señal de entrada como cambios proporcionalmente más grandes
en su señal de salida. Aunque mediante algunos circuitos pasivos se
pueden obtener incrementos en la amplitud de la señal, este
comportamiento queda por lo general limitado a circuitos
analógicos construidos a partir de circuitos activos de tres
terminales.
D
Diplomado en semkonducto.es

Un circuito analógico se define generalmente como aquel que acepta un voltaje o un

corriente analógico como su señal de entrada y reproduce una señal analógica
relcionada como su salida.
Si la salida es reproducción fiel y proporcional de la entrada, se dice que el circuito es
lineal.
La operación correcta de la mayor parte de los dispositivos de tres terminales require que
se agreguen componentes de cd a los voltajes y corrientes en /os puertos de entrada y de
salida de los dispositivos. Estos componentes de cd existen independientemente de
cualquier fluctuación de la señal y no constituyen parte de la información.
Los componentes de CD füos sobre los que se superponen las señales que contienen
información, se les conoce como componentes de polarización.
Diplomado en semiconductores

El diseño o análisis de un circuito analógico funcional generalmente requiere que se

tomen en consideración el valor total de un voltaje o una corriente {la señal más
polarización).
Cómo ejemplo de un sistema donde la amplificación es importante, considere el
siguiente diagrama, que muestra un sistema de amplificación para un micrófono.
El micrófono, que sirve como fuente de señal de bajo voltaje, alimenta su señal de voltaje
a la entrada de alta resistencia de un amplificador, controlando la potencia de salida del
éste.
POLARIZACION El circuito de polarización aporta la
Cuando se aplica una señal de entrada al
potencia re querida por la etapa de
amplificador, fluirá corrien te desde la
salida para alimentar la carga, todo
fuente de la señal hasta la im pedancia de
esto centro lado por la señal de
entrada del amplificador, re presentada
entrada.
por la resistencia entre las t erminales de + -
entrada del amplificador. i
1
1
1
1
1
\

- Baj a corriente
+- ' ',-
Corriente aIta

.. +-

·~
' ' ,

-
- -
Bajo voltaj e _ Voltaje alto _
- - -
MIC AMPLIFICADOR CARGA
D
Diplomado en semkonducto.es

Se puede ilustrar la idea de la polarización mediante una analogia física. Imagine el

movimiento de un gimnasta "hacienda barra", elevendose y descendiendo
períodicamente sobre una barra horizontal. Si la barra está demasiado cerca del piso,
cuando el gimnasta desciende golpeará el piso con sus pies. De igual manera, si la barra
está demasiado cerca del techo, cuando se levante golpeará el techo con su cabeza. Si el
gimasta debe subir y bajar con igual facilidad, la barra deberá estar soportada a la altura
adecuada para evitar que el gimnasta arrastre los pies o golpee el techo con su cabeza.

Punto de operación o polarización muy alto.

La señal no se puede desarrollar hacia arriba .
Punto de operación
Punto de operación o
o polarización muy
polarización adecuado.
bajo. La señal no se
La señal se puede
puede desarrollar
desarrollar hacia abajo y
hacia abajo.
hacia arriba sin
problema.
Fuente. Circuitos y dispositivos microelectrónicos.

Mark N. Horenstein .
D
Diplomado en semiconductores

Amplificadores.
Un amplificador, es un tipo de circuito electrónico o etapa de éste, cuya función es
incrementar la intensidad de corriente, la tensión o la potencia de la señal que se le aplica
a su entrada; obteniéndose la señal aumentada a la salida. Para amplificar la potencia es
necesario obtener la energía de una fuente de alimentación externa. Un caso muy común
de amplificador es el que usa transistores bipolares, amplificadores operacionales, tubos
o válvulas electrónicas, FETs, etc.

Id +

lg
.. Señal de salida
Vds
<1 . +
G
)
Sel'lal de entrada v::V
S
lt Diplomado en semkonducto.es

Breve historia.
El desarrollo de la tecnología de comunicación de audio en forma de teléfono, patentado
por primera vez en 1876, creó la necesidad de aumentar la amplitud de las señales
eléctricas para extender la transmisión de señales a distancias cada vez más largas.
El primer dispositivo práctico destacado que podía amplificar fue el tubo de vacío de
triodo, inventado en 1906 por Lee De Forest, que condujo a los primeros amplificadores
alrededor de 1912. Los tubos de vacío se usaban en casi todos los amplificadores hasta las
décadas de 1960 y 1970 cuando los transistores los reemplazaron. Hoy en día, la mayoría
de los amplificadores usan transistores, pero los tubos de vacío continúan usándose en
algunas aplicaciones.
lt Diplomado en semkonducto.es

El tubo de vacío amplificador revolucionó la tecnología eléctrica, creando el nuevo campo

de la electrónica, la tecnología activa de dispositivos eléctricos. Hizo posibles líneas
telefónicas de larga distancia, sistema de megafonía, transmisión de radio, el cine sonoro,
grabación de audio, radar, televisión, y los primeros ordenadores. Durante 50 años,
prácticamente todos los dispositivos electrónicos de consumo utilizaron tubos de vacío.
lt Diplomado en semkonducto.es

Considere el siguiente circuito.

Rl
lkQ
I
_ VDD

9V

MD1

_ [ VGS

l sv

Si el voltaje Vgs cambia, también cambia la característica vi del puerto de

salida Vgs.
Si se hace que Vgs sea un voltaje variable, la característica vi del puerto de
salida Vds y el punto de operación variarán en respuesta a los cambios en el
voltaje de entrada Vgs.
Diplomado en semiconductores

Dibuje el circuito en multisim y realice las siguientes simulaciones. Observe y analice los
resultados.

Llene la siguiente tabla y con esos

datos dibuje la gráfica lds vs Vds
R1 _ VDD
ov

P
lkQ

I
ntotV 1.0102e-24v -=-
O
... Model o [?]
1 1.0102e-21A
NMOS .,. 1
MOl

_l
VGS
• vs.oooov
l. 1 -
0.11Jm
l
Channel length

w
0.1¡.¡

1¡.¡
m

m
2
3
VGS Channel width
11Jm
sv m VTO
hreshold voltage
0.5 V
4
S
6
7
1} Obtenga la curva característica vi y
8
recta de carga, dejando fijo Vgs en SV
y variando VDD desde O hasta 10V. 9
10 7.97 2.025
Utilice la opción OC Op de multisim.
~ Diplomado en semiconductores

Grafique los datos obtenidos.

Característica vi para VGS=SV

14 Trace la recta de carga sobre los
12 puntos del circuito
VDD=lOV e lds=VDD/Rl=lOmA
10

8 Repita el procedimiento, con:

6 a) VGS = 4V
b) VGS = 6V
4

2 Dibuje las nuevas características

.
VI.
o
o 2 4 6 8 10 12
D
Diplomado en semiconductores

Características vi para VGS= 4V, SV y 6V.

10

GS=GV
GS=SV
GS=4V

O 1 2 3 4 S 6 :9 10 11 12

Variaciones en el voltaje VGS, producen variaciones en

el punto de operación (Vgs e lds).
D
Dip lom ado en sem iconductores

Ahora dibuje el siguiente circuito.

R1 VDD

Agregar una f uente de

lKQ I lOV

voltaje de CA de O.SV
pico en serie con VGS.
VGS
o
5/GNAL
SIGNAL
+O.SV 1\ 1\ 7"\ 1\ 1\ O.SV La variac1on en el voltaje VGS
Vgs=SV .
.O.SV
V V V V V - 10Hz

O.l¡.¡m
produce variaciones en el voltaje
VGS
l¡Jm VDS y en la corriente Id (en el
sv
punto de operación) .

Al poner en serie una señal de CA con la fuente de VGS

de CD, los voltajes se sobreponen, obteniendose una
señal que varía con respecto al tiempo VGS +/- Vpico.
En este caso SV +/- O.SV
D
Diplomado en semkonducto.es

Realice la simulación del circuito de la siguiente manera.

Seleccionar la opción de Transient y split para
observar los resultados de la simulación. /

(1) Seleccionar End

Time= 0.5 s
N.m~e Tr.anslent 1

Surt Hmt

7m
Endtime .S Con esta simu lación podemos observar
• lnltllilconciltlot~'\
que la variación de Vgs produce una
... • Maxlmumtlmestep

•• • lt'lkl.aol tll'l'ot~tltl) variación en el punto Q.

... ~Kt simut;.t;on ,.
En este caso, el voltaje VQ esta
~
• Silnul•toroPtion!.
VGS
... • Lotlk"""' l'l centrado en 8V, que es el voltaje Q en
Modo 3.3V
CO, y varía por encima y por debajo de
""' OvtputiOW

...
lnpotlow threhokl
este punto, acorde a las variaciones de
'"' ~Ion Input hiah th1~h0k:l V

-- 0.5>

tO
•

V
1]

t!t ~----~
4S
''"

----------"----'-------"'"'
Outputhtf;h

• ShHtMUII'ICJ

Wldth

Helcht
M~ ..
100
70
(>)
VGS.
Otro punto a observar es que cuando el
voltage VGS aumenta, el voltaje VQ
disminuye. Por está razón se dice que el
-
"'
1
Cf ~~
Configurar la fuente de
CA a 0.5 Vp y 10 Hz.
circuito mostrado es un circuito
inversor.
~ Diplomado en semiconductores

m · PuntoQ ca nmos ,..-JJ ~ :: 7

Q) ... 1r itfl\t(•nt • {::::+ Schl'mJtiC r"\,J (,r .lphN Oocumont 11) >

10 lOm rJ P\JntoQ: l(MO! ·O)

- Pilnto()c V{2)
- IIGS V{·ll • Cursen (?)

9
P\JnloQ IMPI PI 9m ,_
NQ<~e ... Puede hacer ajustes en las
8m Cun.cw 1
- VIlO
8
... escalas de voltaje y corriente
"'
IKO ¡ IOV
Cuncw 2
7m
.. para observar mejor las curvas de
w;s · ~ [?) re spuesta del circuito.
• ... 8m

Zocwnoa
$ICNAI.
"'• osv
~m IV\ VOJuseM
De click sobre la ventana de

~~
IOHl
O'
•m
gráficas.
1
- YG5
$V

l 3m

3 /~\ /~\ /'\ /'\ ,.-••• Ajuste el tiempo de simulación a

t \ / \ ./ \ / \ / \. / 2m
'•• • "•.,/ \_/ \,./ 'v· O.Sms
lm
Escala de voltaje= O- lOV
l
o ~ lOOm 1'10m 200m 230m 300m ~<100m 4'1011\ ~
o Escala de corriente O- 10 mA.
TI!M(tl
~ Diplomado en semiconductores

Repita la simulación cambiando la resistencia R1 a un valor de 2K

H! PuntoQ ca nmos .¡o..?) l~ :: )

• Ploh (>1
Se puede observar que el punto de
....
&r; PuntoQ 11121
operación cambia, ahora está centrado
&r; ~!(;S; V{<)

&r; Pun«>> ~MOii>! en 6V y varía por encima y por debajo

('1
• Cuno!•
de este valor.

En este caso el voltaje y la corriente en

el punto de operación tienen una mayor
(>1
lOOfflal
amplitud que en el caso con R1=1K
1 ,l' \.
\/
... '\
i
,......\
/
........\
/\
.........
nm
ohm.
\./ \,j \J -....; \./
lm
Mlnimutl'l

1 o
o 501'1• 100rrt1~2(j()or¡2'5()tn:DJm350111~·4'J()r"! ~

'filM lt)

Definir el punto de operación es muy importante cuando se trabaja con

amplificadores, ya que una mala ubicación de éste, podría producir distorsiones en la
señal de salida.
D
Diplomado en semiconductores

Repita la simulación, cambiando VGS a 7Vy R7=2K ohms.

_.,
::: PuntoQ ca nmos .,.., ~ :· -.
- ~o.tDlQ ...
i • T r- ·r! •

.~
••

........
toJO

..
. ... ..
l!ll """""
l!ll ~ .q
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f• T t01it
r¡j f'WIIt ..tlllfiiOlq

""
•
+ -.... .,.~

..... ----- '

$~
..... .,...,.
l
Tsv ... . ..... Si ajustamos la escala de v~ta~e, podemos apreciar

... -M
c..-w
mejor la curva de VQ.
•
Podemos ver que la curva se achata por la parte

·~ ·
o
O
,.
"'"' l.lMI UOII X01'I ntn XOII ~ 4JCIII <650ft JLo..tll
Dat..
--"'
~

v.-...p'\i
05
superior, esto se debe a que la señal no puede subir
más allá del voltaje VDD, en este caso no puede ir
por encima de lOV.
Cuando la señal de entrada VGS oscila, produce
cambios en el punto de operación, si este punto se
En este caso, bajo estas condiciones del circuito, el
encuentra muy cerca de los límites superior o
punto de operación se ubica en VQ = 9.9V, muy
cerca del límite de lOV, definido por VDD. inferior del rango de voltaje VDD, la señal de salida
no podrá desarrollar su amplitud más allá del
voltaje de polarización VDD.
lt Diplomado en semkonducto.es

Curva de transconductancia del MOSFET

También se puede describir el MOSFET desde otro punto de vista. Se define la
transconductancia de un MOSFET como la relación entre Id y Vgs en la región de
corriente constante.
Una gráfica de Id en función de Vgs bajo esas condiciones se conoce como curva de
transconductancia . Estas gráficas se basan en la ecuación siguiente:
Id = K(V gs- Vth) 2
Y son de forma parabólica para el caso Vgs>Vth. Solo la rama derecha de la parábola
tiene sentido físico para el transistor.

Si la compuerta del MOSFET se

Curva de transconductancia.
_ Vl conecta con su drenaje de
6
manera que Vgs = Vds el
dispositivo tiene un
comportamiento llamado de
MN 11
ley cuadrática", y se dice que
O.liJm
11-1m el transistor tiene
-10 -8 -6 -4 -2 o 4 6 8 10
funcionamiento de diodo.
D
Diplomado en semkonducto.es

Actividad. Obtenga la curva de transconductancia de 2 transistores

diferentes y compare/as. Utilice el simulador multisim.

Transistor 1. L=O.l, W1=2, Vth=O.SV Transistor 2. L=O.l, W1=4, Vth=O.SV

lds lds

vgds l1V
_ Vl
V ¡;s l1V
- Vl

Vds Vds

Varíe el voltaje aplicado Vl en pasos de O.SV y observe la corriente lds.

Grafique los resultados y compare los resultados. Qué se concluye?
D
Diplomado en semiconductores

Considere ahora el siguiente circuito.

La característica de transferencia del circuito inversor, mostrado

previamente, no es lineal aunque el transistor esté operando en la

LJ¿
1
Ji-J .,,., 1- v2
región de corriente constante. Esta característica resulta porque la
corriente de drenaje del MOSFET está en relación al cuadrado del
o.t¡Jm 1 sv voltaje Vgs.

,,m
MNb
~--Si se sustituye la resistencia del circuito inversor mencionado por un
elemento en serie, con una caída de voltaje proporcional a la raíz
'!- cuadrada de la corriente que pase a través de él, debido a que la salida
_ [ VJ
del inversor es igual al voltaje VDD, menos la caída de tension a través
del elemento en serie, la característica de este nuevo circuito será
lineal.
~ o; plomado en sem;conductores

Actividad. Simule el siguiente circuito y obtenga su curva característica.

Utilice el simulador multisim.

Característica de transferencia vi

1
10 1
9

LJJ M Na

0.11Jm
-
I
V2
1V
8

4
51Jm
3
Vg _lds1 2

,e o
MNb
o 3 5 6 8 9

___c---V3
sv
~~l"m 1Jm
La respuesta es lineal en un amplio sector de
la curva característica del circuito previo.

I La dependencia de la ganancia sobre Vin del inversor con

resistencia se elimina mediante el uso del MOSFET M na,
NMOS L=O.lu W=Su VTH=O.SV
conectado como dispositivo de respuesta cuadrática.
~ Diplomado en semiconductores

Actividad. Repita la simulación con un transistor con una W=70u y

compare la curva de respuesta con la del ejercicio anterior.

Características de transferencia de los circuitos

con W=Su y W 01.1
20

1S

0.11Jm 10
S1.1m
S

MNb o
O 0.5 1 1.5 2 2S 3 3.5 4 45 S 55 6 6.5 7 7 .S 8

_ [ V3

Se puede observar que al aumentar el ancho W

de los transistores, la pendiente de la curva
aumenta.
~ Diplom ad o en sem iconductores

Configuración de seguidor de voltaje.

Un seguidor de voltaje se utiliza como circuito acoplador, tanto en aplicaciones analógicas
como digitales. El término acoplador se refiere a la capacidad del circuito para reproducir
su voltaje de entrada y entregarlo a la carga con una corriente alta, mientras que la
corriente de entrada se mantiene en un valor muy bajo.
6 lm
- t'Uni<>O V(4'
-~.,..K>ul VIl)
_,fllaolloQ I(SK.NAl) '10011
_ VDD .....,..,..IOul IIRIJ

I lOV
MNl -=-

_ j14-t---lll Voltaje de entrada . 4 ¡\ 700!1

_ - Voltaje de salida.
Señal de ........ !\
entrada.
5/GNAL
o.sv
- 10Hz
oo Señal de salida
lkQ '
20C\J

Corriente de entrada . ' _.- Corriente de salida.

Transistor MOSFET en configuración de
ld => O .-~ ,.V
seguidor de voltaje . O ··· · · .... .. ... · · .......... · ..... O
() ;om lOOm l:IOm 200m 750m ..otm J:IOm 400m 4 50m 500m
Tíme (SJ
~ Diplomado en semiconductores

En este circuito, la salida se toma en el elemento de carga (la resistencia) y no en el

dispositivo activo. En este caso los lazos de entrada y salida comparten el elemento
de carga, de manera que el voltaje de entrada del dispositivo (Vgs) no es el mismo
que el voltaje de entrada al circuito.
En este circuito, el voltaje Vgs esta determinado de la siguiente manera:

Vgs =Vseñal -Vout

El voltaje de salida Vout se determina mediante la corriente /out y la característica

vi del elemento de carga. El valor de /out queda determinado por el voltaje Vgs y la
característica
,
vi del MOSFET. A este circuito, se le denomina amplificador de drenaje
comun.
Al acoplamiento entre la señal de entrada, Vgs y la señal de salida se le llama
retroalimentación, ya que tanto el voltaje de entrada como el de salida comparten
el elemento resistivo.
lt Diplomado en semkonducto.es

Si no hay flujo de corriente hacia afuera del circuito, el voltaje Vout queda
determinado mediante:

V out= lsRs =IdRs

Donde ls es la corriente de la fuente del MOSFET, y por tanto, igual a la
corriente de drenaje Id.
En la configuración de seguidor se tiene lo siguiente:

Vin -Vout = Vin - IdRs

En este circuito, no necesariamente el transistor se encontrará en la

región de corriente constante o de triado, require un análisis más
completo y las ecuaciones que modelan el circuito son más complejas.
D
Diplomado en semkonducto.es

Considere ahora este circuito en configuración de seguidor, pero utilizando

un transistor MOSFET como carga.
Cuando MDl opera en la región de corriente
constante, su corriente se define mediante:
_ VDD

ld1 idl == Kl(Vgsl- Vth) 2

MN1 == Kl(Vin- Vout - Vth) 2
Dispos¡tivo de entrada.
.----~~~~~------1111 El transistor MD2 estará automáticamente en la
+
VIN t 0.11Jm
ltJm
región de corriente constante, ya que su
lV Vgsl "'.. _
10Hz
compuerta está conectada a su drenaje.
oo ld2
La corriente id2 queda determinada por:
MN2
+ ~Dispositivo de carga. id2 == K2(Vout - Vth) 2
O.l!Jm Cómo la corriente idl=id2 se tiene lo siguiente:
Vgs~ _ ='"m
Kl(Vin- V out- Vth) 2 == K2(Vout- Vth) 2
D
Diplomado en semkonducto.es

Actividad. Use multisim para simular el circuito mostrado.

Coloque puntos El voltaje de polarización
de prueba V/A VDD VDD=lOV.
en los nodos de

I
lOV
Configure la Fuente de
entrada y salida.
entrada a 1Vp, 1000Hz Realice la simulación del
MN1
y V offset de SV. Vin circuito.
Utilice t ransistores
iguales L=O.lu, Utilice la opción
ID VIN
W =lU y Vth=O.SV Transient del simulador y
Type AC Voltage

• Descriptlon ID MNI
observe la respuesta del
out
circuito.
AC (sine) voll3ge source.

• Model D [?]
o typo NMOS4T

Fultvcontlcur.lble n-th..,tw-1 MOSffl

Peak_Volt3ge wUh ~ IUbW.itfl tt«rirul SH

VA V
MN2
MOsrErs for more lnfornutlon.
Luego cambie el tamaño
• Mod.. • 1]
Voltagt (Pkl
NMOS de los transistores.
Freq 1000 Hz Q_t., m
Ajuste la W de ambos
w 1~ m
VO
Volt.ge olfset
5 V lh transistores:
L'!'jj VTO .S V
Phase o a) W=2u
b) W=lOu
Compare las curvas de
Seguidor de voltaje con MOSFET de carga.
salida para cada opción
D
Diplomado en semiconductores

L=O.Su, W =l, Vth =O.SV L=O.Su, W=2, Vth =O.SV L=O.Su, W=lO, Vth =O.SV
/m /m 65
- Vol•t VIII - Vout VIII - Vout V(ll ] /m
- VInVPI - VInVPI - Vin. VIJI
..... Voul I(MNIS) ..... V0\11 I(MNI~)
6
..... VIn I{VINI ,.,.,V1n I(VIN)
61n ..........···········•... &.6.250mA
Vin >$ Vin ~-~ i

l::t::/ \\
~m Sm

... •m \
.. l
.4 4m

.. i
\
. ..
...
\
•·.. ....
./
. ...
Jf11
l
'• ...····
···.....•..·· 2.25mA
2m 2m

lm lm

,¡. . ._
1o ut J_ . ._.. . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0.625mA
9ó22SmA
1 ~ ••••••_ _ _ ..._ ........._ .._ _ _ _ _ _ _ .. ____ ..1 o
~~ --- ..--·-··-... ·-·-·· • o
O 10011 20011 30011 400IJ 50011 ~ 10011 80()¡¡ 90011 lm O 10011 200v JOOjJ 40011 50011 600tJ 10011 80()¡¡ 900u 1m O 10011 700tJ 30011 40011 500!1 60011 700v 800tJ 900u lm
llme(t) llm~ (t) Tone (a)

Observe la variac1on de corriente con respecto a los parámetros del transistor. En este caso particular, respecto al
parámetro W. Como ejercicio adicional, mantenga fijo el parámetro W y realice ajustes en L. Observe las variaciones de
corriente.
~ Diplomado en semiconductores

Considere el siguiente circuito.

Un amplificador nMOS está totalmente fabricado a partir de transistores MOSFET de canal N, sin
resisto res. Considere el siguiente circuito, que forma un inversor con un transistor de carga M N2 y se
alimenta por una fuente de señal Vin y polarizado por una fuente de compuerta VGG.

l YJ
MN2, con su compuerta Si MDl está polarizado en la
conectada al drenaje, opera en región de corriente constante, el
I
lOV
MN2
forma automática en la región valor de polarización de la
+ de corriente constante. corriente de drenaje a través de
Vgs2 MDl estará dada por:
Si MDl debe operar en la región
MNl Vout
de corriente constante, el ld1 = Kl(VGG- Vth1) 2
voltaje de porlarización VGG
~·
11

+ Olpm debe exceder el voltaje de Esta corriente también circula a

Vgsl lpm
umbral Vthl de MDl y la través de MD2 y debe cumplir la
condición Vout>VGG-Vthl debe siguiente relación :
¡ SV cumplirse . En este caso
Vdsl=Vout. Id2 = K2(Vg s 2 - Vth2) 2
i Diplomado en semiconductores

La ecuación puede invertirse para expresarla en

términos de Vgs2, que se genera cuando fluye la
corriente ld2.
Si Kl=K2 y Vthl = Vth2 la relación
{ld2 que define a Vgs2 se reduce a
Vgs2 = ~Kz+ Vth2 Vgs2=VGG.

Y como ld2=1d1 se puede obtener la siguiente

En la práctica, las relaciones de
relación:
varios parámetros K son definidos
por el diseñador, para conseguir el
valor deseado de ganancia de
amplificador, de ahí que el valor de
El valor de Vout = Vdd - Vgs2. Sustituyendo de la polarización de Vgs2 no será igual a
ecuacion anterior.
VGG.
i Diplom ado en semiconductores

Considere el siguiente ejemplo.

Se desea diseñar un amplificador como el mostrado previamente, con una ganancia de -5.
Como el proceso de fabricación de circuitos integrados entrega dispositivos con voltajes de
umbral iguales de O.SV, especifique la relación Kl/K2, escoja un valor apropiado para VGG
tal que Vout quede polarizado en la región de corriente constante.
El problema requiere que la relación dimensional Kl/K2 y el valor de VGG sean
seleccionados de manera que se cumplan las especificaciones de ganancia y polarización.

La ganancia Vout/Vin del amplificador está definida principalmente por:

Los parámetros W y L
son los únicos que
están a disposición del
diseñador, los demás
Y K está dado por
son parte del proceso
Kn = k 'n . w de fabricación o de la
2 L física de los materiales.
~ Diplomado en semiconductores

Una relación dimensional K1/K2 de 5( dará la ganancia solicitada de -5. Dado que el valor K de
cualquier transistor es proporciona a la relación W/L, es posible conseguir la relación
requerida de la siguiente manera:

Wl
Kl Ll W1L2
K2 W2 W2Ll
L2
Como la ganancia del amplificador depende de J*, para este caso,

(w 1
~ ) = 5 2 = 25 .
2
que se solicita una ganancia de ISI, KKl2 =
W2 1

El valor de VGG puede obtenerse resolviendo la ecuación, en función de VGG sujeto a las
restricciones para poner a MDl en la región de corriente constante:

(10
Vg s2 = ~Kz (VGG- Vthl) + Vth2
!t Diplomado en semiconductores

El voltaje VGG debe cumplir ciertas restricciones. Primeramente que los

voltajes de umbral Vthl y Vth2 sean iguales y que coloque a MDl en la
región de corriente constante.

Vgs2
{K1
= ~](2 (VGG - Vthl) + Vth2 D
+
Vgs2
~ t~
Qt
1¡¡m
~

-ffi
t---il>
Vg s 2 - Vth2 Mili \WI

VGG = K1
+ Vthl
K2

Si sugerimos un VDD=S, Vgs2=1/3 de VDD, calculamos VGG.

VGG = 1 ' 667S- o.s + 0.5 = 0.7334

D
Diplomado en semkonducto.es

Utilice multisim para similar el circuito y comprobar los resultados.

El amplificador debe t~r~n(a~:~~n)ci: de -:~

~Kz - W2L1 - ,.fs - S

- V1
sv

1•
MN2

111
l En base a esta relación, se deben sugerir valores de W y L para los
transistores, de tal manera que cumplan la relacion previa.
En este caso usa remos W1=10u, W2=2u, Ll=O.lu y L2=0.5u
O.S¡.Jm
outl-lm
o 10 * 0.5 S
- - - = - = 25
MN1 Vout
2 * 0.1 .2
Vin
1' 111

O.l¡.Jm Con esto se cumple la relación para la magnitud de la ganancia que es

10¡.Jm S, el signo negativo viene de que el amplificador es una configuración
oo de inversor.
VGG
¡ 0.7334V
El VGG calculado es de O. 7334V.
Utilice un voltaje de seña l de O.lV@ 1kHz.
Diplomado en semiconductores

Realice la simulación del circuito y compruebe los resultados.

::: · Amplificador V'-"» ~ :: :>
Se puede observar
•••
que el voltaje de
Tr<~nsient
entrada varía en
S 200¡J
_ Vout: V(Voul} Name Transient 1 +/- 0.1V alrededor
,O Voltaje de salida - VinV[4)
.....Vout: -I(MN2:S)
Start time o de VGG.
4.5
175p End time le-3
~

$ - Vl
3.833V
• lnitlal condltíons
Y el de salida varía
l
SV • Maximum time step
150v
MN2 -/+O.SV alrededor
!>- • lnitial time step

--
~
111

2.S3"3V
125p
•

" •
Slart simulation 1>

Slmulator optlons
del
punto
voltaje

operación.
del
de
..e. Loglclevels [?)

~ ~ ==-~
_...._
Voul

a ' // \ . . .\ Corriente de salida "'"' Por tanto, se

V
[8 7511
obtuvo la ganancia
_../ \ ... Input hlgh threshold V
~ 1.5 ... •...
1 V esperada de -5.
:e>-

¡ VGG=0.7334V O.B 334 V \\\ ...//!"" ::::.., 100

[?)

Para obtener el
50Drií"' ----:..-._ .,. .•...,,...,~~-s:r-·:-:-v 25p
0 6 4
Helght 70
punto de
/ o ~
U Netlabels
operación uti lice la
Vo ltaje de entrada o
o
o
100p 200¡J 300p 400p 500p 600p 700p 800p 90()¡¡
nme(s}
1m
~ Componen! Labels opcion DC Op de
multisim.
D
Diplom ad o en sem konducto.es

Repita el ejercicio modificando el voltaje Vgs2, manteniendo el resto de los parámetros iguales.
Observe y contraste los resultados obtenidos. Pruebe con un voltaje menor y otro mayor al
utilizado en el ejercicio anterior. Al mover Vgs2, se modifica el punto de operación del circuito.

m ·Amplificador
Q) .. lrans1ent • -t>+S<:hemattc '\..,Grapher

Vgs2=1/6 de VDD, calcular VGG.

VGG =
0.8333-0.5
S + 0.5 = 0.56 ílfvl
- Vout vry,
- VonV(4)

9-
..... Vout ·I(M
175~

~~l• ~sv
150¡J

.. 4

125~

Con este voltaje en VGS2, se obtiene un e>

punto de operación VQ=4.2V

..~ 10011
¡..
Vout f >
75~
Tenemos una señal de salida achatada
en la parte superior.

··········.
o,...········.... ·············.........................................J o
10011 20011 300¡¡ 40011 500tJ 600tJ 70011 80011 900IJ 1m
O
Timo(s¡ ________.
D
Dip lom ado en semiconductores

Repita el ejercicio modificando el voltaje Vgs2, manteniendo el resto de los parámetros iguales.
Observe y contraste los resultados obtenidos. Pruebe con un voltaje menor y otro mayor al
utilizado en el ejercicio anterior. Al mover Vgs2, se modifica el punto de operación del circuito.
m ·Ampliflcador
Vgs2=4/5 de VDD, calcular VGG.
6 ~
- Vout: V(Vout)
- Vin:V(4)
•...• Vout: ·I!MN2 S)
4 - 0.5 175~

VGG = S + 0.5 = 1.2

D
V1
SV
~~

t>-
Con este voltaje en VG$2, se obtiene un .. 1

125~

punto de operación VQ=lV ~

o

Vour
3 100\J ~
Tenemos una señal de salida achatada Vin ~

en la parte inferior.
•
Vm /5~

2
~
o•
[~1 - VGG
Es importante la ubicación del punto de
operación para obtener una señal de r l2V

25~
salida sin distorsiones.
o o
O 100\J ~ 300\J 400\J 500¡J 600\J 700~ 800~ 900IJ lm
Time (a)
lt Diplomado en semkonducto.es

Ejercicio. Diseñe un circuito amplificador inversor con ganancia de 15. Utilice

una señal de entrada de O.OSVCA @ 1kHz y un VDD de SV. Simule y
compruebe los resultados. Proponga un punto de operación adecuado para
tener una señal de salida sin distorsión.
30011
- Vout V(Vo!Jtl
_ v¡n:V("')
..... Vout IIMN2SI
1

M Na
\ ""
l
3 , /....·"············•..

75 / \

15011

MNb / IOO!J

:
./
/
,../ 5<l\l
OOm
···...............·····

I o
O IOO!J 700!J 30011 ~ 500!J 600\J l'OOIJ 80011
TirM S)
~ 1m
o
~ Diplomado en semiconductores

Ejercicio. Diseñe un circuito amplificador inversor con ganancia de 10. Utilice

una señal de entrada de 0.02VCA @1kHz, un VDD de 3.3V y voltajes de
umbral para los transistores de 0 .2V. Simule y compruebe los resultados .
Proponga un punto de operación adecuado para tener una señal de salida sin
distorsión .

M Na

I
MNb

I
lt Diplomado en semkonducto.es

Ejercicio. Para el diseño anterior con VDD=3.3V, encuentre el rango

de voltaje VGG que permite una amplificación sin distorsión para los
valores establecidos.

MNa

l
MNb

_[

1
lt Diplomado en semkonducto.es

Amplificador
Diferencial.
lt Diplomado en semkonducto.es

Amplificador diferencial.
Existe una topología especial de circuitos de dos transistores
llamada amplificador diferencial. Este amplificador diferencial se
encuentra en muchos circuitos electrónicos, incluyendo
amplificadores de baja y alta frecuencia, moduladores analógicos y
compuertas lógicas digitales.

Casi siempre se utiliza alguna forma de amplificador diferencial

como etapa de entrada de un amplificador operacional en circuito
integrado. Una etapa de entrada diferencial le da a los
amplificadores operacionales una resistencia de entrada muy alta y
su capacidad de amplificacion diferencial.
~ o; plomado en sem;conductores

Resulta algo complicado diseñar amplificadores de uno o 2 transistores con

una ganancia muy grande y polarización estable que no sea sensible a las
variaciones de parámetros de los transistores.
El amplificador diferencial esta bien adecuado para su uso en circuitos
integrados. En un entorno de circuito integrado, todos los dispositivos se
fabrican de manera simultánea en una base o substrato de semiconductor,
esto permite tener dispositivos con parámetros altamente pareados
(parametros iguales) con mucha precisión. Estos dispositivos pareados son
críticos para poner en práctica con éxito los circuitos de amplificador
diferencial. Se verán más detalles al respecto de transistores pareados en
el módulo 4 del diplomado.
lt Diplomado en semkonducto.es

Topología básica del amplificador diferencial.

Una polarización estable en un amplificador de un solo transistor requiere que se inserte
un resistor de retroalimentación o un elemento de alta impedancia entre el nodo común
del dispositivo activo y el canal de alimentación o tierra. Sin embargo, estos elementos
reducen la ganacia del inversor, limitan la respuesta en pequeña señal del amplificador.

I 12V 2kQ
Resistencia o
carga .

.11Jm
11Jm
1V
- 1kHz Resistencia o
oo -2kQ elemento de
retroalimentación .
lt Diplomado en semkonducto.es

La siguiente topología muestra la base de la configuración del amplificador diferencial. El

dispositivo MDl, junto con su elemento en serie o carga, lleva a cabo la función inversora,
en tanto que MD2, ejecuta una función de derivación. Un elemento de carga se agrega a
MD2, creando un circuito simétrico. La función de derivación en pequeña señal no queda
afectada por la presencia de esta segunda carga.

VPOS

2
Elemento de carga l. R Elemento de carga 2.
lkQ

Inversor. Derivación.

V2
lV
- 1kHz
oo

/ 11 derivación.
Nodo común a ser lA Topología de un amplificador diferencial.
derivado a tierra. Corriente de polarización en CD.
lt Diplomado en semkonducto.es

En el circuito mostrado previamente, el transistor MDl funciona como inversor y MD2

como dispositivo de derivación. Al ser un circuito simétrico, MD2 puede ser el inversor y
M Dl el de derivación.
En general, se pueden aplicar de manera simultánea señales de entrada a ambos
transistores, como se puede ver en la figura anterior.
La respuesta del amplificador en este último caso depende en una forma muy especial de
la relación entre las dos señales de entrada. Específicamente, un amplificador diferencial
correctamente diseñado amplificará la diferencia entre sus señales de entrada en un
factor grande de ganancia y el componente promedio de sus señales de entrada por un
factor de ganancia mucho mas pequeño.
D
Diplomado en semkonducto.es

La diferencia entre las señales de entrada Vl y V2, llamado el modo diferencial de

la entrada, se define como:

Vidm == V1 - V2
Vid m> Voltaje de entrada en modo diferencial.

De manera similar el valor promedio, o en modo común, de las señales de entrada

queda definido como:

Vl + V2
Vicm ==
2
Vid m> Voltaje de entrada en modo común.

Las definiciones de modo diferencial y modo común se pueden aplicar a

cualquiera de las dos señales del amplificador
D
Diplomado en semiconductores

Si se toma un segundo voltaje de salida Vout2, las

VPOS
componentes de modo diferencial y modo común de las
señales de salida se convierten en:
R1 R2
lkQ lkQ
Vodm = Voutl- Vout2
Vout1 Vout2 Voutl + Vout2
Vocm =
MOl MD2 2
11Jm 11Jm
l¡¡m 1¡Jm
Donde:

11 Voutl = Vocm + ( Vodm)

2
1A

Vout2 = Vocm + ( Vodm)

2

Si el comportamiento en pequeña señal del amplificador es lineal, su respuesta a dos entradas simultáneas
puede ser encontrada mediante superposición. Específicamente, la salida neta de la señal consistirá en la suma
del componente diferencial de las señales de entrada multiplicada por la ganancia diferencial y el componente
común de las señales de entrada, multiplicada por la ganancia común.
lt Diplomado en semkonducto.es

Los circuitos de polarizción que utilizan resistencias no son apropiados para circuitos que se
fabrican con tecnología de circuitos integrados. En el diseño con tecnología MOS de circuitos
integrados, no se recomienda el uso de resistencias, ya que ocupan mucho espacio dentro del
11
chip, y eso se considera COstoso" en términos de economía de fabricación de circuitos
integrados.

Por otro lado, los resistores suelen presentar grandes desviaciones en sus parámetros, a
diferencia de los transistores, que ocupan mucho menos espacio y sus parámetros están más
controlados. Entonces, en términos generales, la filosofía a seguir es utilizar resistores Jo
menos posible y utilizar transistores que realicen una amplia variedad de funciones necesarias
en el diseño de circuitos electrónicos.
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Fuentes de corriente básicas con MOSFET.

Una fuente de corriente es un dispositivo que es capaz de proveer una corriente
constante a pesar de los cambios en la resistencia de los circuitos que alimenta.
La polarización de amplificadores MOS de circuito integrado requiere fuentes de
corriente constante. Específicamente, una corriente constante se genera y luego
se repite en varios lugares del circuito integrado para obtener corrientes de cd de
polarización para las diversas etapas del amplificador.
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Diplomado en semiconductores

En la siguiente figura se muestra la topología de un circuito de una

fuente simple de corriente constante con transistores MOS. El
transistor MNl es el dispositivo clave en la funcionalidad del circuito.
Tiene su drenaje en corto circuito con el gate, por lo que opera en la
región de corriente constante. La corriente Id estará dada por la
siguiente ecuación.

En esta ecuación no se ha tomado en cuenta el

parámetro de modulación de longitud de canal,
un efecto que produce un acortamiento de la
región de canal, que a su vez produce un
incremento de la corriente esperada de
drenaje.
Topología del circuito de Fuente de Corriente MOS
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Diplomado en semiconductores

La corriente de salida, que pasa a través de MN2 estará dada por la

siguiente ecuación:

Se pueden relacionar ambas corrientes lo e lref mediante la siguiente

.,
ecuac1on:

lo (!f) 2

Iref (W)
T l
~ Diplomado en semiconductores

Esta última relación muestra que la conexión especial entre MNl y

MN2, produce una corriente de salida lo que está relacionada con la
corriente de referencia lref debido a la relación de tamaño de los
transistores, es decir, la relación entre lo e lref está determinada solo
por la geometría de los transistores. En el caso especial de transistores
idénticos lo=lref y el circuito simplemente se duplica o refleja la
corriente de referencia en la terminal de salida. Esto ha dado al circuito
compuesto de MNl y MN2 el nombre de Espejo de Corriente.
VDD

lref
lo _ (!f) 2

lre f- (V[)
1
MN2
l¡.¡m La ganancia de corriente o razón de
l¡.¡m
transferencia de corriente del espejo
está dada por está relación .
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Diplomado en semiconductores

Amplificador diferencial nMOS.

En este caso, el circuito esta elaborado únicamente con transistores nMOS, tanto la parte de la entrada,
como las secciones de carga. El circuito mostrado en la siguiente figura es el típico de los que se encuentran
en los circuitos amplificadores operacionales de circuito integrado, donde los resistores prácticamente no se
utilizan, a excepción de aplicaciones muy particulares.

VDD
ld4 .

Dispositivos de carga .

ld6
•
Dispositivos de entrada
vfsf 6+
inversora .
1JJm
l¡Jm - _Vgs6
V2
ld7 1V
• - 1kHz
O'
Id S
•
Espejo de corriente Topo logía de
amp lificador diferencial.
o
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Diplomado en semiconductores

Los voltajes y las corrientes de polarización en el circuito previo se originan en la

rama de referencia y en el espejo de corriente formados por MNRef, MNS, MN6 y
MN7. El espejo de corriente MOSFET ajusta los voltajes de nodo a valores de
polarización independientes de parámetros. Esta capacidad depende de la
disponibilidad de dispositivos pareados con el mismo valor de voltaje de umbral.
Estos dispositivos están disponibles en un circuito integrado, donde todos los
transistores tienen procesos idénticos de fabricación.

Los substratos de los MOSFET están conectados a VSS (tierra), que es el punto
más negativo del circuito. Este sistema de conexión es típico de circuitos NMOS
fabricados en una oblea de circuito integrado. Debido a esta conexión a tierra,
todos los transistores, excepto MN7 y MNS, su potencial de fuente es diferente a
su potencial de substrato, ya que la fuente de los transistores esta conectada a un
punto de potencial diferente a tierra, excepto MN7 y MNS, como se mencionó
previamente. Esta diferencia de potencial entre source y substrato de cada
transistor se le denomina efecto cuerpo (Body effect) y afecta el voltaje de
umbral del dispositivo.
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El efecto cuerpo afecta los niveles de corriente, pero solo causa pequeños
cambios en los voltajes de los nodos del circuito. Como el proceso de
polarización se basa en fijar los voltajes de los nodos y no las corrientes,
por el momento se ignorará el efecto cuerpo y se hará un análisis
aproximado del diseño de polarización.

Por otro lado, es posible establecer valores relativos del parámetro de

transconductancia K al elegir la relación W /L de cada dispositivo previo a
la fabricación del circuito integrado. Tal es el trabajo del diseñador del Cl.

En el circuito mostrado, las relaciones W /L de los transistores de carga

MN3 y MN4 se diseñan para que sean exactamente de la mitad del
dispositivo de referencia MNref, de manera que K3=K4 =Kref/2.
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Diplomado en semiconductores

Los transistores MNS, MN6, MN7 se fabrican con el mismo valor de W/L
que MNref, por lo tanto tendrán la misma K.
Los dispositivos MNRef, MN6 y MN7 estan pareados y tienen la misma
corriente de drenaje en CD. Ignorando el efecto cuerpo, podemos decir que
los tres transistores tienen el mismo voltaje Vgs. La caída de tension de
VDD a VSS se dividirá en partes iguales entre los tres transistores.

VDD- VSS
V gs6 == V gs7 == V gsRef ==
3

Los dispositivos MNRef, MN6 y MN7 tienen sus compuertas conectadas a

sus drenajes, o sea que Vds = Vgs para cada uno de los dispositivos, por
tanto los tres transistores estan en la región de corriente constante.
~ Diplomado en semiconductores

La corriente a través de la rama de MNRef, MN6 y MN7 está dada por:

2
2 VDD- VSS )
lref = Id6 = Id7 = Kref(VgsRef- Vth) = Kref ( - Vth
3

lref depende de manera importante de los parámetros Kref y Vth. Esta

corriente será replicada como ld5 en MNS, ya que MNS y MN7 tienen el mismo
Vgs, independientemente del parámetro K de dichos transistores o de
cualquier desviación en lref debida al efecto cuerpo, solo se requiere que MDS
se mantenga en la región de corriente constante. El diseño de la polarización
del amplificador diferencial deberá asegurar que se cumpla dicha condición.
~ Diplomado en semiconductores

La corriente ldS está formada por la suma de las corrientes de las ramas
simétricas del amplificador diferencial, de manera que:

ld1 = ld2 = ld3 = ld4 =/~S lr;f

Los transistores de carga MN3 y MN4 que tienen sus compuertas conectadas a
sus drenajes, siguen la relación vi que se muestra a continuación:

Iref
Id3 == Jd4 == == Kp(Vds3 - Vth) 2
2
Kp=parámetro K de MD3 y MD4.
También se puede utilizar Vds4 en la ecuación, ambos tienen el mismo efecto.
~ Diplomado en semiconductores

• Si MN3 y MN4 se fabrican de tal forma que Kp = Kref/2, todo se puede

simplificar para obtener Vds3 o Vds4 de la siguiente manera:

Vdd- Vss
Vds3,4 = 3
Este voltaje es independiente de los parámetros K del mosfet y del voltaje de
umbral. El voltaje de salida Voutl también es independiente de K y del voltaje de
umbral.

Vout1 = V dd - V ds3 = ( 2VDD)

3
+ Vss
3

Una consideración similar resulta para Vout2.

El voltaje de salida Vout 1 está polarizado a una tercera parte de la trayectoria
entre Vdd y Vss.
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Resumen.
El origen de la condición requerida Kp=Kref/2 puede encontrarse a partir
de una consideración de la geometría de los MOSFET MNRef, MN3 y
MN4.
Si todos los dispositivos tienen la misma longitud L, pero el ancho de los
dispositivos de carga es la mitad de los del dispositivo de referencia,
entonces K3 y K4 serán la mitad de Kref y los MOSFET cumplirán el
requisito de K3,4 = Kref/2.
Para fines de polarización MN3 y MN4 pueden pensarse como las mitades
en paralelo de un dispositivo ancho 2W, de forma que MN3 y MN4 en
paralelo formen un dispositivo similar a MNref.
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Si MN3 y MN4 en paralelo tiene la misma corriente de polarización de

Mnref, entonces los 3 dispositivos tendrán el mismo Vgs. Cada uno de los
dispositivos tiene su compuerta conectada a su drenaje, por lo que
Vds=Vgs. En consecuencia, los voltajes Vds3 y Vds4 serán iguales a VdsRef.
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Conclusiones.
En este módulo se han estudiado algunas estructuras básicas de diseño de circuitos
analógicos, tales como algunos esquemas de polarización, conceptos de amplificación y
amplificadores simples, espejos de corriente y amplificadores diferenciales.
Existen aún muchos conceptos por estudiar, parámetros que no han sido tomados en
cuenta, como las capacitancias parasíticas que se generan alrededor de las terminales de
los dispositivos, entre las terminales y entre las conexiones que unen los dispositivos
durante el proceso de fabricación y que afectarán en las aplicaciones de amplificación de
señales de alta frecuencia principalmente.
Además de una gama muy amplia de circuitos que se utilizan en la resolución de
problemas y diseño de aplicaciones en el entorno del uso de los circuitos integrados, tales
como convertidores analógico digital ADC y digital analógico DAC, amplificadores
operacionales de instrumentación, PLLs, moduladores para Comunicaciones inalámbricas
e inclusive algunas secciones de memorias RAM dinámicas o DRAM.
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Bibliografía.
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[2] Gray, P., Meyer, R. Analysis and Design of Ana/og lntegrated Circuits. Wiley.
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[4] Sedra, A. Circuitos Microelectrónicos. Oxford University Press.
[S] Soy/estad, R. Electronic Devices and Circuit Theory. Pearson.