Diodo

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Este aviso fue puesto el 16 de agosto de 2016.

Diodo

Diodo en primer plano. Nótese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto
 negro de la izquierda).

Tipo Semiconductor

Principio de funcionamiento emisión termoiónica

Invención John Ambrose Fleming (1904)

Símbolo electrónico

Terminales Ánodo y Cátodo

[editar datos en Wikidata]

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la

circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, 1 bloqueando
el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación
de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo
tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y
otra en contra de la corriente (polarización inversa).2

Estructura del diodo.

Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más
común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a
dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa,
excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos:
una lámina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les
suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la
parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua.3 Su principio de funcionamiento está basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen
un filamento (el cátodo) a través del cual circula la corriente, calentándolo
por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al
calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son
conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa
razón, los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que
las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban
con mucha facilidad.

Historia[editar]

Diodo de vacío, usado comúnmente hasta la invención

del diodo semiconductor, este último también llamado diodo de estado sólido.
Aunque el diodo semiconductor de estado sólido se popularizó antes del diodo
termoiónico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de operación de los
diodos térmicos. Guthrie descubrió que un electroscopio cargado positivamente
podía descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que
este lo tocara. No sucedía lo mismo con un electroscopio cargado negativamente,
lo cual indicaba que el flujo de corriente era posible solamente en una dirección.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880, Thomas A. Edison redescubre el
principio. Edison investigaba por qué los filamentos de carbón de las bombillas se
quemaban al final del terminal positivo. Él había construido una bombilla con un
filamento adicional y una con una lámina metálica dentro de la lámpara
eléctricamente aislada del filamento. Al usar este dispositivo, confirmó que una
corriente fluía del filamento incandescente a través del vacío a la lámina metálica,
pero esto solo sucedía cuando la lámina estaba conectada positivamente.
Edison diseñó un circuito que reemplazaba la bombilla por un resistor con un
voltímetro de CC, y obtuvo una patente para este invento en 1884. El circuito
aparentemente no tenía uso práctico para esa época, por lo cual, la patente era
probablemente para precaución, en caso de que alguien encontrara un uso al
llamado efecto Edison.
Aproximadamente 20 años después, John Ambrose Fleming (científico asesor
de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta de que el
efecto Edison podría usarse como un radio detector de precisión. Fleming patentó
el primer diodo termoiónico en Gran Bretaña el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió que poseen los
cristales semiconductores de conducirla corriente eléctrica en una sola dirección .
Braun patentó el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de óxido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la
década de los 1930.
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal
semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de
señales inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quién inventó un detector de
cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de ello el 20 de noviembre de 1906.
Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, entre las cuales se
usó ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento
ligeramente mayor, pero la galena fue el que más se usó porque tenía la ventaja
de ser barato y fácil de obtener. Al principio de la era de la radio, el detector de
cristal semiconductor consistía de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de
gato) el cual se podía mover manualmente a través del cristal para así obtener una
señal óptima. Este dispositivo problemático fue rápidamente superado por los
diodos termoiónicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvió a usarse
frecuentemente con la llegada de los económicos diodos de germanio en la
década de 1950.
En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acuñó el término diodo del
griego dia, que significa separado, y ode (de ὅδος), que significa ‘camino’.

Diodos termoiónicos y de estado gaseoso[editar]

 Símbolo de un diodo de vacío o gaseoso. De arriba
abajo, sus componentes son, el ánodo, el cátodo, y el filamento.
Los diodos termoiónicos son dispositivos de válvula termoiónica (también conocida
como tubo de vacío), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un
vidrio al vacío. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lámpara
incandescente.
En los diodos de válvula termoiónica, una corriente a través del filamento que se
va a calentar calienta indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado con
una mezcla de Bario y óxido de estroncio, los cuales son óxidos alcalinotérreos; se
eligen estas sustancias porque tienen una pequeña función de trabajo (algunas
válvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno actúa como
calentador y como cátodo). El calentamiento causa emisión termoiónica de
electrones en el vacío. En polarización directa, el ánodo estaba cargado
positivamente por lo cual atraía electrones. Sin embargo, los electrones no eran
fácilmente transportados de la superficie del ánodo que no estaba caliente cuando
la válvula termoiónica estaba en polarización inversa. Además, cualquier corriente
en este caso es insignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de válvula termoiónica se usaron en
aplicaciones de señales análogas, rectificadores y potencia. Actualmente, los
diodos de válvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
rectificadores en guitarras eléctricas, amplificadores de audio, así como equipo
especializado de alta tensión.

Diodo semiconductor[editar]
 Formación de la región de agotamiento, en la
gráfica z.c.e.
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el
otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los
electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p
(Je). Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.4
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el
diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa de un diodo[editar]
 Polarización directa del diodo pn.
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo
de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones
podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es
mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la
zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de
átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de un diodo[editar]
 Polarización inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como
se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos solo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la
zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA)
denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto
hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p,
tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin
dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturación, la corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.
Curva característica del diodo[editar]

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de
polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga
espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 °C en la
temperatura.
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial
de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente
inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se

generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a
su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una
corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión
superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el
material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el
campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V
entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·10 5 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como
los Zener, se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemáticos[editar]
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:
Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación (aproximadamente )
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura
cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:
Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la
unión pn, y q es la magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental).
La ecuación de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir
que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al
campo eléctrico), difusión, y la recombinación térmica. También asume que la
corriente de recombinación en la región de agotamiento es insignificante. Esto
significa que la ecuación de Shockley no tiene en cuenta los procesos
relacionados con la región de ruptura e inducción por fotones. Adicionalmente,
no describe la estabilización de la curva I-V en polarización activa debido a la
resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuación del diodo es
insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de I s. La región
de ruptura no está modelada en la ecuación de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la región de polarización directa, se puede eliminar
el 1 de la ecuación, quedando como resultado:
Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean
modelos aún más simples, que modelan las zonas de funcionamiento del
diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o
de Ram-señal. El más simple de todos es el diodo ideal.

Tipos de diodo semiconductor[editar]

Varios diodos semiconductores, abajo:

un puente rectificador. En la mayoría de los diodos, el terminal cátodo se
indica pintando una franja blanca o negra.
Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico,
impurezas, uso de electrodos, que tienen características eléctricas
particulares usados para una aplicación especial en un circuito. El
funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de
la mecánica cuántica y teoría de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describía más arriba, se
hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de
estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el óxido cuproso y
el selenio: su baja eficiencia le dio una caída de tensión muy alta (desde
1,4 a 1,7 V) y requerían de una gran disipación de calor mucho más grande
que un diodo de silicio. La gran mayoría de los diodos pn se encuentran
en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos
otros diodos internos.

 Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en dirección

contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de
ruptura, también se conocen como diodos TVS. Electricámente
son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro
fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo
eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de
ionización, similar a una avalancha, produciendo una corriente.
Los diodos avalancha están diseñados para operar en un voltaje
inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo
avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de
aproximadamente 6,2 voltios) y el diodo zener es que el ancho
del canal del primero excede la «libre asociación» de los
electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el
camino. La única diferencia práctica es que los dos tienen
coeficientes de temperatura de polaridades opuestas (la
disipación de calor máxima es mayor en un diodo zener, es por
ello que estos se emplean principalmente en circuitos
reguladores de tensión). Este tipo de diodos se emplean para
eliminar voltajes y corrientes transitorios que pudieran provocar
un mal funcionamiento de un bus de datos que conecte dos
dispositivos sensibles a voltajes transitorios.

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y,

alineados, constituyen detectores multicanal que permiten
obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que
los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con
huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones).
La radiación comunica la energía para liberar los electrones que
se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente
eléctrica proporcional a la potencia radiante.
 Diodo de cristal: Es un diodo de punta (ver diodo de punta). El
diodo consiste en un hilo de metal afilado en su punta
presionado contra un cristal semiconductor, (de ahí la
denominación de "diodo de cristal"), generalmente un cristal
de galena o de un cristal de carborundo (carburo de silicio), u
otros cristales semiconductores. El hilo de metal forma el ánodo
y el cristal semiconductor forma el cátodo. Los diodos de cristal
tienen una gran aplicación en las radio de galena. Los diodos de
cristal están obsoletos, pero todavía pueden conseguirse diodos
de cristal de germanio de algunos fabricantes. Al hilo de metal en
inglés le llaman "cat whisker", y de ahí se ha traducido
literalmente al español como "bigote de gato".

 Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su

compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador
de corriente de dos terminales análogo al diodo Zener, el cual
limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para
alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor
específico. También suele llamarse CLDs (por sus siglas en
inglés) o diodo regulador de corriente.

 Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que

produce una resistencia negativa debido al efecto túnel,
permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples que
poseen dos estados. Debido a la alta concentración de carga, los
diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas
muy bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en entornos
con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en
viajes espaciales.

 Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de

materiales como GaAs o InP que produce una resistencia
negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio
del dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo
osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.

Ledes de distintos colores.

 Diodo emisor de luz o LED del acrónimo inglés, light-emitting
diode: Es un diodo formado por un semiconductor con huecos en
su banda de energía, tal como arseniuro de galio, los portadores
de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando se
recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden
producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de onda
cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos
dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V
corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron
rojos y amarillos. Los ledes blancos son en realidad
combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul
revestido con un centelleador amarillo. Los ledes también
pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en
aplicaciones de señales. Un led puede usarse con un fotodiodo o
fototransistor para formar un optoacoplador.

 Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una

cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se
puede formar un láser. Los diodos láser se usan frecuentemente
en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la
comunicación óptica de alta velocidad.

 Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos

convencionales usados para monitorear la temperatura a la
variación de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores
termoeléctricos para la refrigeración termoeléctrica. Los
refrigeradores termoeléctricos se hacen de semiconductores,
aunque ellos no tienen ninguna unión de rectificación,
aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga
de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

 Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a

portadores de carga ópticos. Generalmente es un efecto no
deseado, por lo que muchos de los semiconductores están
empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los
fotodiodos tienen la función de ser sensibles a la luz (fotocelda),
por lo que están empacados en materiales que permiten el paso
de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo más sensible a
la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares,
en fotometría o en comunicación óptica. Varios fotodiodos
pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o
como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben
confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

 Diodo de punta de contacto: Funcionan igual que los diodos

semiconductores de unión mencionado anteriormente aunque su
 construcción es más simple. Se fabrica una sección de
semiconductor tipo n, y se hace un conductor terminado en punta
aguda con un metal del grupo 3 (generalmente acero-wolframio),
de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del
metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequeña
región de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de
fabricación alemana) aún se usa en receptores de radio como
diodo detector y ocasionalmente en dispositivos analógicos
especializados.

 Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o
en otras palabras una capa intrínseca formando una estructura
p-intrínseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia
y atenuadores. También son usados como detectores de
radiación ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los
diodos PIN también se usan en la electrónica de potencia y su
capa central puede soportar altos voltajes. Además, la estructura
del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de
potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

 Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un

metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensión de
ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensión de ruptura
en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual
los hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de
saturación en un transistor. También se pueden usar como
rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente de fuga es
mucho más alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son
portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de
problemas de almacenamiento de los portadores de carga
minoritarios que ralentizan la mayoría de los demás diodos (por
lo que este tipo de diodos tiene una recuperación inversa más
rápida que los diodos de unión pn). Tienden a tener una
capacitancia de unión mucho más baja que los diodos pn que
funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de
alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.

 Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en

Directa) es un tipo especial de diodo de silicio cuyas
características de tensión en directa son extremadamente
estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para
aplicaciones de estabilización en bajas tensiones donde se
requiera mantener la tensión muy estable dentro de un amplio
rango de corriente y temperatura.
  Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de
capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha
determinadas técnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensión aplicada, como
un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo
electrónico presenta características que son de suma utilidad en
circuitos sintonizados (L-C),5 donde son necesarios los cambios
de capacidad.

Aplicaciones del diodo[editar]

 Rectificador de media onda
 Rectificador de onda completa
 Rectificador en paralelo
 Duplicador de tensión
 Estabilizador Zener
 Led
 Limitador
 Circuito fijador
 Multiplicador de tensión
 Divisor de tensión

Referencias[editar]
1. ↑ Montaje de componentes y periféricos microinformáticos. IFCT0108,  en
Google libros (enlace roto disponible en Internet Archive; véase el historial, la primera
versión y la última).
2. ↑ Artero, Óscar Torrente (2013-02). Arduino  : curso práctico de formación. RC
Libros. ISBN 9788494072505. Consultado el 9 de febrero de 2018.
3. ↑ Nieves, Antonio Aguilera (26 de abril de 2011). Montaje y mantenimiento de
los sistemas de control y regulación de parque eólico. Editorial
Vértice. ISBN 9788499312934. Consultado el 9 de febrero de 2018.
4. ↑ Miguel, Pablo Alcalde San (2014). Electrónica. Ediciones Paraninfo,
S.A. ISBN 9788428398787. Consultado el 9 de febrero de 2018.
5. ↑ Montero, Alfonso Carretero (2009). Electrónica. Editex. ISBN 9788497715379.
Consultado el 9 de febrero de 2018.

Bibliografía[editar]
 Manual de Diodos semiconductores. 2ª edición 1985. Francisco
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 Tooley, Mike (2012). Electronic Circuits: Fundamentals and
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 Motorola Master Selection Guide TVS/Zeners 5.2–1 TVS/Zeners
Transient Voltage Suppressors Zener Regulator and Reference
Diodes.
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