Escuela Superior De Ingeniería mecánica Y eléctrica
Unidad Profesional Zacatenco
ESIME Zacatenco.
ingeniería En Comunicaciones Y electrónica
(ICE)
Materia: Dispositivos.
Resumen:
SCR y TRIAC
Profesor:
Reyes Aquino José.
Alumno:
Espinoza Blancas Arturo.
Grupo:5CV9
Fecha de entrega: 05/07/2023
Como abrir un latch:
Para poder abiri un latch necesitaremos reducir la tensión de alimentación Vcc a cero. Estto fuerza
a que los transistores conmuten del estado de saturación al corte. A este tipo de apertura se le
denomina Bloqueo por disminución de corriente, porque depende de reducir la corriente del latch
a un valor lo suficientemente bajo como para sacar a los transistores de la saturación.
El diodo Schockley:
El diodo schockley se le denomino así en honor a su inventor. Pero también se conoce con otros
nombres como diodo de 4 capas, diodo PNPN y SUS (silicon unilateral swich, conmutador unilateral
de silicio). Este dispositivo solo permite que la corriente fluya en una dirección.
La forma mas fácil de entender como funciona se muestra en la sig. Figura:
La mitad izquierda es un transistor PNP y la mitad derecha es un
transistor NPN, por lo tanto, el diodo de 4 capas es equivalente al
LATCH de la figura izquierda.
La primera figura muestra el símbolo esquemático de un diodo de
4 capas. La única forma de cerrar un diodo de 4 capas es mediante
una tensión de cebado. La único a manera de abrirlo es mediante
un bloqueo por disminución de corriente, lo que significa reducir
la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento (la cual
se propaga en las hojas de características). La corriente de
mantenimiento (holding corriente) es el menor valor de corriente
para el que el transistor conmuta de la saturación al corte.
Después de cebera un diodo de 4 capas, idealmente la caída de
tensión en el será igual a cero, aunque en realidad, cae una cierta
tencion en el diodo LATCH. La sig. Figura refleja la
corriente en función de la tensión para un diodo
1N5158. Como podremos ver, la tensión en el
dispositivo aumenta cuando la corriente aumenta:
1v para 0.2A: 1.5V para 0.95A: 2V para 1.8A.
Función de transferencia:
En la figura 15,4 se muestra una grafica de la
corriente en función de la tensión de un diodo de
4 capas. El dispositivo dispone de 2 regiones de funcionamiento: corte y saturación. La línea de
trazo indica el camino de la transición del corte a la saturación. Se ha dibujado con trazos para
indicar que el dispositivo conmuta rápidamente entre los estados off y on (corte y saturación).
Fig.15.4: Grafica de la función
de transferencia.
Cuando el dispositivo es en corto, tiene corriente de cero. Pero si la tensión que cae en el diodo
intenta exceder Vb, el dispositivo entra en “disrupción” y se desplaza rápidamente a lo largo de la
línea de tras hasta alcanzar la región de saturación. Cuando el diodo esta en saturación, trabaja en
la parte superior de la recta. A medida que la corriente haciéndose cada vez mas grande que la
corriente de mantenimiento Ih, el diodo permanece anclado en el estado on, el dispositivo
conmutado al estado de corte.
La aproximación ideal de un diodo de 4 capas es un interruptor abierto cuando esta en corte y un
interruptor cerrado esta saturado. La 2da aproximación incluye la tensión de codo Vk, que es una
aproximación igual a 0.7V en la fig. 15.4. Con las aproximaciones de orden superior, deberá
emplearse softwares de simulación por computadora o bien consultar a hoja de características del
diodo de 4 capas en cuestión.
Como se dispara un el LATCH:
Añadiendo un termino de entrada a la base de Q2, como se
muestra en la Fig.15-7ª, considerando una 2da forma de
cerrar el LATCH. La teoría de funcionamiento es la siguiente:
Cuando el LATCH esta abierto, como se ve en la fig.15.7b, el
punto de trabajo se ubica en el extremo inferior de la recta
de carga es continua. Para cerrar el LATCH, podremos acoplar
un impulso de disparo (trigger), es decir un impulso abrupto,
a la base de Q2, como se muestra en la sig. Figura 15.7a . El
impulso de disparo hace que la corriente de base Q2
aumente momentáneamente. De esta forma, se inicia la
realimentación pasiva, que excita ambos transistores hasta
llevarlos a la regulación de saturación o región de saturación.
Cuando esta saturado ambos transistores, se comporta
idealmente como cortocircuito y el LATCH se cierra(fig.15.7c)
idealmente, cuando esta cerrado, el LATCH presenta una tensión
de cero, y el punto de trabajo se sitúa en el extremo superior de
la derecha de la recta de carga(Fig.15.7d).
Disparo de Puerta:
En la fig. 15.8a muestra la estructura del SCR. La
entrada es la puerta, en la parte superior se
encuentra el ánodo y en la inferior el cátodo. El
SCR es mucho mas útil que el diodo de 4 capas
por el disparo de puerta que es mas sencillo que
el disparo mediante la tensión de cebado.
De nuevo podremos visualizar las 4 regiones de
disparo por separado en 2 transistores, como se
muestra en la fig.15.8b, por tanto el SCR es
equivalente a un LATCH con una entrada de
disparo. En lis esquemas se emplean el símbolo indicado de la fig.15.8d. Cuando vea este símbolo,
recuerde que es equivalente a un LATCH con una entrada de disparo.
Como se muestra en la Fig.15.9 se ve que
hay varios SCR típicos.
Puesto que la puerta de un SCR esta
conectada a un transistor interno, se
necesita al menos 0.7V para disparar un
SCR. Las hojas de características
especifican esta tensión como la Tensión
de Disparo de Puerta (gate trigger Voltaje)
Vgt. En lugar de especificar la resistencias
de entrada de la puerta, un fabricante
proporciona la corriente como la Corriente de dpsiaro de prueba (Gate Trigger Current) Igt.
La fuente muestra una hoja de características de la serie 2N6504 de dispositivos SCR. Para esta
serie, os valores típicos de tensión y de corriente de disparo son:
Vgt=1V Igt=9mA
Esto significa que la fuete que excita la puerta de un SCR típico de la serie 2N6504 tiene que
sumistrar 9mA a 1V para cebar el SCR.
Como reiniciar el SCR:
Después que el SCR ha entrado en conducción (estado on), permanecerá en dicho estado incluso
aunque la alimentación de puertas Vim se haga igual a cero. En este caso, la salida permanecerá
indefinidamente a nivel bajo. Para reiniciar el SCR, hay que reducir la corriente del ánodo al cátodo
a un valor menor que su corriente de mantenimiento Ir. Esto se puede hacer reduciendo Vcc a un
valor bajo. La hoja de características del 2N6504 especifica una corriente de mantenimiento tipio
de 18mA. Los SCR con potencia máximas altas y bajas generalmente tienden a tener corriente en
altas y bajas, respectivamente. Dado que la corriente de la alimentación para producir el bloqueo
(estado off) tiene que ser menor que: Vcc= 0.7V + IhRl
Además reduciendo los valores de Vcc, pueden utilizarse otros métodos para reiniciar el SCR. Dos
métodos habituales son la interrupción de la corriente y la conmutación forzada.
Hoja de datos del 2N6504:
Rectificador controlador por silicio: Símbolo: Parámetros:
𝑉𝑃𝑅𝑀 Corriente repetitivo apagado
Tiristores de bloqueo inverso. voltaje directo de estado
Diseñado principalmente para aplicaciones 𝐼𝐷𝑅𝑀 Corriente máxima de bloqueo
de control de C.A de media onda, como 𝑉𝑅𝑅𝑀 Peak repetitive off state Raverse
𝐼𝑅𝑅𝑀 Corriente máxima de bloqueo
controles de motores, controles de
inverso
calefacciones y circuitos de palanca de
𝑉𝑇𝑀 Voltaje pico estrella
fuentes de alimentación.
𝐼𝐻 Holding Current
Características:
• Empalme de vidrio pasivado con SCR:
Center Gate Fire
25 Ampers RMS
para mayor uniformidad y estabilidad
50 a 800Voltio
de parámetros
• Pequeños robustos. Termo vatios
construido para
bajas temperaturas y resistencias a
altas temperaturas
para ser muy durable.
• Voltaje de bloque a 800V
• Capacidad de sobretensión a 300A
• Hay paquetes libres de PB
disponibles
Características de corriente de voltaje de
SCR:
X= 4, 5, 7, 8 y 9
A=Ubicación de montaje
WW= Semana laboral
Asignación de Pin:
1 Cátodo
2 Ánodo
3 Puerta
4 Ánodo
El FET de potencia y el SCR:
Aunque tanto el FET de potencia como el SCR pueden conmutar corrientes altas, los dos
dispositivos son diferentes. La diferencia fundamental se encuentra en la forma de bloquearse.
La tensión de puerta de un FET de potencia puede poner al FET en estado de conducción y de
bloqueo.
Éste no es el caso del SCR: la tensión de puerta sólo
puede ponerlo en conducción. La Figura 15.13
ilustra la diferencia. En la Figura l5.l3a, cuando la
tensión de entrada aplicada al FET de potencia es un
nivel alto, la tensión de salida es un nivel bajo.
Y cuando la tensión de entrada es un nivel bajo, la
tensión de salida es un nivel alto.
En otras palabras, un impulso rectangular de
entrada produce un impulso rectangular invertido
en la salida. En la Figura l5.l3b, cuando la tensión de
entrada aplicada al SCR es un nivel alto, la tensión
de salida es un nivel bajo, pero cuando la tensión de
entrada es un nivel bajo, la tensión de salida se
mantiene en un nivel bajo. En un SCR, un impulso
rectangular de entrada produce un escalón de salida
negativo. El SCR no se reinicia.
Como probar os SCR?
Los tiristores, como por ejemplo los SCR, manejan
corrientes grandes y tienen que bloquear valores
altos de tensión. En estas condiciones, existe la
posibilidad de que fallen. Los fallos comunes son
circuitos abiertos ánodo cátodo, cortocircuitos
ánodo-cátodo y que no exista el control de puerta. La Figura 15.16a muestra un circuito que
permite probar el funcionamiento de los SCR. Antes de cerrar SW con Iak que tiene que ser cero y
Vak deberá ser aproximadamente igual a Va. Cuando se cierra momentáneamente SW, Iak
aumentará hasta un nivel próximo a 1 V, Va y Rl disminuirá aproximadamente hasta I Y. Vt y R
deben seleccionarse para proporcionar los niveles necesarios de corriente y de potencia. Cuando
se abra SW el SCR permanecerá en estado de conducción. La tensión de alimentación del ánodo,
Va, puede entonces disminuir hasta que el SCR salga del estado de conducción. Observando el
valor de la corriente de ánodo justo antes de que el SCR se bloquee, podemos determinar la
corriente de mantenimiento del SCR.
SCR para protección de la carga:
Si en el interior de una fuente de alimentación ocurre cualquier cosa que hace que la tensión de
salida sea excesivamente grande, los resultados pueden ser devastadores. ¿Por qué? Porque
algunas cargas, como por ejemplo, circuitos integrados digitales caros, no pueden soportar una
tensión de alimentación alta demasiado tiempo sin resultar destruidos. Una de las aplicaciones
más importantes del SCR consiste en proteger las cargas delicadas y caras frente a las
sobretensiones de una fuente de alimentación.
Prototipo:
La figura 15.17 muestra una fuente de alimentación Vcc aplicada a una carga protegida. En
condiciones normales, Vcc es menor que la carga de disrupción del diodo Zener. En este caso, no
cae tensión en R, y el SCR permanece abierto. La carga recibe una tensión de igual a Vcc y todo
funciona correctamente. El diodo tener entra en disrupción y cae una tensión en R. Si esta tensión
es mayor que la tensión de disparo de puerta del SCR, el SCR e dispara y se comporta como un
LATCH cerrado. La acción es similar a cortocircuitar las terminales de carga. Dado que el SCR entra
en conducción muy rápido (1us para el 2N4441) la carga se protege rápidamente contra daños
debido a una gran sobretensión. La sobretensión que dispara el SCR es:
Este método de protección, aunque sea bastante drástico, es necesario en muchos circuitos
integrados digitales, ya que no pueden sufrir sobretensión. Por tanto, en lugar de destruir circuitos
integrados caros, podremos utilizar un SCR de este modo para cortocircuitar las terminales de
carga al primer signo de sobretensión que aparezca. Con un SCR empleado para proteger la carga,
es necesario emplear un fusible o un limitador de corriente para impedir que la fuente de
alimentación resulte dañada.
Incremento de la ganancia de tensión:
El circuito de la fig.15.17 es un prototipo, un circuito básico que se puede modificar y mejorar, no
obstante, tal y como esta es adecuado para mucha aplicación. Pero adolece de una puerta en
conducción suave porque el cátodo de la tensión de disrupción del Zener es curva en lugar de
abrupto. Si tenemos en cuenta la tolerancia de las tensiones del Zener, la puerta en conducción
suave puede dar lugar a que la tensión de alimentación se haga peligrosamente grande antes de
que el SCR se dispare.
Una forma de evitar la puerta en conducción suave es añadido alfo de ganancia de tensión, como
se muestra en la fig. 15.18, normalmente el transistor esta en corto. Pero si la tensión de salida
aumenta, el transistor puede empezar a conducir y producir una caída de tensión grande en R4.
Dado que el transistor proporciona una ganancia de tensión de aproximadamente R4/R3, una
sobretensión pequeña puede disparar el SCR.
Observe que se esta utilizando un diodo normalmente, no un diodo Zener. Este diodo compensa
las variaciones de temperatura del diodo base-emisor del transistor. El ajuste de disparo nos
permite fijar el punto de disparo del circuito, normalmente alrededor del 10 al 15 % por encima de
la tensión normal.
Fig.15.17: El SCR
para proteger la
carga.
Fig.15.18:Adición de la ganancia
de un transistor al circuito del
SCR para protección de la carga.
Ganancia de Tensión mediante CI:
La Fig.15.19 muestra una solución aun mejor. El triangulo representa un circuito integrado
amplificador denominado “comparador” (que veremos en capítulos posteriores).este amplificador
tiene una entrada no inversora (+) y una entrada inversora (-). Cuando la entrada no inversora es
mayor que la entrada inversora, la salida es positiva. Cuando la entrada inversora es mayor que la
entrada no inversora, la salida será negativa.
El amplificador tiene una ganancia de tensión muy alta, normalmente de 100.000 o mayor. Gracias
a su alta ganancia de tensión, el circuito puede detectar la mas leve sobretensión. El diodo Zener
produce 10V, que se aplica a la entrada menos del amplificador. Cuando la tensión de alimentación
es de 20V (salida normal), el ajuste de disparo se fija para producir algo menos que 10V en la
entrada positiva. Puesto que la entrada negativa es mayor que la positiva, la salida del amplificador
es negativa y el SCR se abre.
Si la tensión de alimentación sube por encima de los 20 V, la entrada positiva al amplificador se
hace mayor que 10 V. Entonces, la salida del amplificador se hace positiva y el SCR se dispara. Esto
corta rápidamente la alimentación de los terminales de carga cerrando el SCR.
Fig.15.19; Adición
de un circuito
integrado
amplificado al SCR
para protección de
la carga.
Circuito RC para control del Angulo de fase:
En la Figura 15.22a, la tensión alterna de la red eléctrica se aplica a un circuito SCR que controla la
corriente que circula por una carga grande. En este circuito, la resistencia variable R1 y el
condensador C desplazan el ángulo de fase de la señal de puerta. Cuando R1 es cero, la tensión de
puerta está en fase con la tensión de la red y el SCR se comporta como un rectificador de media
onda. R2 limita la corriente de puerta a un nivel seguro.
Sin embargo, cuando R1 aumenta, la tensión alterna de puerta se retrasa un ángulo comprendido
entre 0 y 90" respecto de la tensión de la red, como se muestra en las Figuras 15.22b y 15.22c.
Antes del punto de disparo indicado en la Figura 15.22c, el SCR esta bloqueado y la corriente por la
carga es cero. En el punto de disparo, la tensión de un condensador es lo suficientemente grande
como para disparar el SCR. Cuando esto ocurre, casi toda la tensión de la red aparece en la carga y
la corriente por [a misma se hace muy alta. Idealmente, el SCR permanece cerrado hasta que la
tensión de la red invierte su polaridad- Esto se muestra en las Figuras 15.22d y 15.22e
El ángulo para el SCR se dispara y el cual se denomina como “Angulo de disparo”, y se indica como
en la Fig 15.22a. El ángulo entre el momento en que se incide y termina la condición se denomina
“ángulo de conducción”, y se especifica como. El controlador de fase RC de la fig 15.22a puede
cambiar de conducción varia entre los 180° y 90°
Ls zonas sombreadas en la Fig.15. 22b indican cuando el SCR está en conducción. puesto que R1 es
una resistencia variable, el ángulo de fase de la tensión de puerta puede variar. Esto nos permite
controlar las zonas sobradas de la tensión de la red. Dicho de otra manera, la intensidad de una
lampara o la temperatura de un horno de inducción.
Aplicaremos las técnicas de análisis de circuitos estudiadas en cursos anteriores, podremos
determinar la tensión aproximada desplazada den fase del condensador, lo que nos proporciona el
ángulo de disparo y el ángulo de conducción aproximado del circuito. Para determinar la tensión
en el condensador, debemos seguir estos pasos:
1. Hallamos la reactancia capacitiva de C:
1
𝑋𝐶 =
2𝜋𝐹𝐶
2. La impedancia y el ángulo de fase del circuito RC de desplazamiento de fase es :
𝑍𝑇 = √𝑅 2 + 𝑋𝐶2
3. Así obtendremos la siguiente:
Tabla 15.1: Muestrario de dispositivos SCR:
DISPOSITIVO 𝑉𝐺𝑇 𝑉 𝐼𝐺𝑇 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝐴 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑉
TCR22-2 0.8 200uA 1.5 50
T106B1 0.8 200uA 4 200
S4020L 1.5 15mA 10 400
S6025L 1.5 39mA 25 600
S1070W 2 50mA 70 100
Para:
Utilizando la tensión de entrada como punto de referencia, la corriente que circula por C es:
Ahora podremos calcular la tensión y la fase del condensador:
Entonces el desplazamiento de fase en retraso será ángulo de disparo del circuito. El ángulo de
conducción se halla restando el ángulo de disparo de 180°
Tiristores bidireccionales:
Los dos dispositivos vistos hasta aquí, el diodo de cuatro capas y el SCR, son unidireccionales
porque la corriente sólo puede fluir en una dirección. El diac y el triac son tiristores bidireccionales.
Estos dispositivos pueden conducir en cualquier dirección. En ocasiones, el diac también se
denomina conmutador bidireccional de silicio (SBS, silicon bidirectional switch).
Diac:
El diac permite que la corriente circule en cualquier dirección. El circuito equivalente de un diac
está formado por dos diodos de cuatro capas conectados en paralelo, como se muestra en la
Figura 15.24a,e idealmente es 1o mismo que los latches de la Figura 15.24b, El diac no comienza a
conducir hasta que la tensión que cae en el excede la tensión de disrupción en cualquier dirección.
Por ejemplo, si y tiene la polaridad indicada en la Figura 15.24a, el diodo de la izquierda conduce
cuando v excede la tensión de disrupción. En este caso, el latch de la izquierda se cierra como se
muestra en la Figura 15.24c. Cuando tiene la polaridad opuesta, el latch de la derecha se cierra. La
Figura 15.24d muestra el símbolo esquemático de un diac.
paro negativo hará que el latch de la derecha se cierre. La Figura 15.25c muestra el símbolo
empleado en los esquemáticos para el triac. La Figura 15.26 muestra la hoja de características del
triac FKPF8N80. Como su nombre indica, el triac es un tiristor triodo bidireccional (de alterna).
Observe, al final de la hoja de características, las definiciones de los cuadrantes o modos de
funcionamiento del triac. Normalmente, el triac trabaja en los cuadrantes I y III en aplicaciones
típicas de alterna. Dado que este dispositivo es más sensible en el cuadrante I, a menudo se
emplea un diac junto con el triac para proporcionar una conducción simétrica en alterna.
La Tabla 15.2 especifica algunos triacs comerciales. Debido a su estructura interna, los triacs tienen
tensiones y corrientes de disparo de puerta altas que son comparables a las del SCR. Como puede
ver, las tensiones de disparo de puerta especificadas en la Tabla 15.2 van de 2 a 2,5 V y las
corriente de disparo de puerta varían entre I 0 y 50 mA. Las corrientes máximas de ánodo varían
entre 1 y 15 A.
Fig.15.24: Como
es un diac con
interruptores
Fig.15.25: Triac con
interruptores
Control de Fase:
La Figura 15.27a muestra un circuito RC que varía el ángulo de fase de la tensión de puerta de un
triac. El circuito puede controlar la corriente que circula por una carga grande. Las Figuras 15.27b y
15.27c muestran la tensión de la red eléctrica y la tensión de puerta retrasada. Cuando la tensión
del condensador es lo suficientemente aita como para generar la corriente de disparo, el triac
conduce. Una vez que ha entrado en conducción.
Tabla 15.2: Muestrario de triacs:
DISPOSITIVO 𝑉𝐺𝑇 𝑉 𝐼𝐺𝑇 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝐴 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑉
Q201E3 2 10 1 200
Q4004L4 2.5 25 4 400
Q5010R5 2.5 50 10 500
Q6015R5 2.5 50 15 600
IGBT
EI IGBT es un dispositivo híbrido compuesto por un MOSFET de potencia en el lado de la entrada y
un BJT en el lado de la salida. Esta combinación produce un dispositivo con unos requisitos de
excitación de puerta de entrada simples y bajas pérdidas de conducción en la salida. Los IGBT
tienen ventaja frente a los MOSFET de potencia en las aplicaciones de conmutación que manejan
tensiones y corrientes altas.
Las Figuras 15.3l a y 15.31b muestran dos símbolos esquemáticos para el IGBT de canal n. La Figura
15.31c también muestra un circuito equivalente simplificado de este dispositivo. Como puede ver,
el IGBT es principalmente un MOSFET de potencia en el lado de la entrada y un BJT en el lado de la
salida. El control de entrada es una tensión entre los terminales de puerta y de emisor. La salida es
una corriente entre los terminales de colector y emisor. El IGBT es un dispositivo normalmente en
corte y con una alta impedancia de entrada. Cuando la tensión de entrada, GE, sea lo
suficientemente grande, comenzará a circular al corriente de colector. Este valor mínimo de
tensión es la tensión umbral de puerta, VGE (umbral). La Figura 15.32muestra la hoja de
características de un IGBT FGL60N100BNTD que emplea tecnología NPT-Trench. La tensión. GE(th)
(th =umbral)típica de este dispositivo se especifica como 5,0 V cuando Ic =6 0 mA. La corriente
continua máxima de colectores de 60 A. Otra característica importante es su tensión de saturación
colector-emisor VCE (sat). El valor típico de VCE (sat) especificado en la hoja de características de
1,5 V para una corriente de colector de 10 A y de 2,5 V para una corriente de colector de 60 A.
Otros tiristores
Foto-SCR
La Figura 15.33a muestra un foto-SCR, también conocido como SCR activado por luz. Las flechas
representan la luz incidente que atraviesa una ventana e incide en las zonas de deplexión. Cuando
la intensidad de la luz es lo suficientemente fuerte, los electrones de valencia se desligan de sus
orbitales y se convierten en electrones libres. El flujo de electrones libre da lugar a una
realimentación positiva y el foto-SCR se cierra.
Conmutador controlado por puerta
Como se ha mencionado anteriormente, el bloqueo por disminución de la corriente es la forma
normal de abrir un SCR. Pero el conmutador controlado por puerta está diseñado para abrirse
fácilmente con un disparo polarizado en inversa. Un conmutador controlado por puerta se cierra
mediante un disparo positivo y se abre con un disparo negativo.
La Figura 15.34 muestra un circuito controlado por puerta. Cada disparo positivo cierra el
conmutador controlado por puerta y cada disparo negativo lo abre. De esta forma, obtenemos la
onda de salida cuadrada mostrada. El conmutador controlado por puerta se ha empleado en
contadores, circuitos digitales y otras aplicaciones en las que se disponía de un disparo negativo.
Conmutador controlado por silicio
La Figura 15.35a muestra las regiones dopadas de un conmutador controlado por silicio (SCS,silicon
controlled switch). Aquí un terminal externo se conecta a cada una de las regiones dopadas. Puede
imaginar el dispositivo se- parado en dos mitades, como se muestra en la Figura 15.35b, y deducir
por tanto que es equivalente a un latch con acceso a ambas bases (Figura 15.35c). Aplicar un
disparo de polarización directa a cualquiera de la base hará que el conmutador controlado por
silicio se cierre. Por el contrario, la aplicación de un disparo con polarización inversa a cualquier
base hará que el dispositivo se abra. La Figura 15.35dmuestra el símbolo esquemático de un
conmutador controlado por silicio. La puerta inferior se denomina puerta cátodo y la puerta
superior se denomina puerta ánodo. El conmutador controlado por silicio es un dispositivo de baja
potencia comparado con el SCR, ya que maneja corrientes del orden de miliamperios en lugar de
corrientes del orden de amperios.
Transistor uniunión y PUT
El UJT (unijunction transistor,transistor uniunión) tiene dos regiones dopadas, como se muestra en
la Figura 15.36a. Cuando la tensión de entrada es cero, el dispositivo no conduce. Si aumentamos
la tensión de entrada por encima de la tensión de mantenimiento (standoff voltage) proporcionada
en la hoja de características, la resistencia entre la región p y la región n inferior se hace muy
pequeña, como se indica en la Figura 15.36b. La Figura 15.36c representa el símbolo esquemático
de un UJT.
El UJT puede utilizarse para formar un circuito generador de impulsos denominado oscilador de
relajación UJT, que se muestra en al Figura 15.37. En este circuito, el condensador se carga hasta
Ve. Cuando la tensión en el condensador alcanza un valor igual a la tensión de mantenimiento, el
UJT se pone en conducción. La resistencia de la base inferior interna (región n inferior) disminuye
de valor rápidamente permitiendo así que el condensador s e descargue. La descarga del
condensador continúa hasta que se produce un bloqueo por disminución de la corriente. Cuando
esto ocurre, el UJT se bloquea y el condensador comienza una vez más a cargarse hasta la tensión
VBB. La constante de tiempo RC de la carga, normalmente, es significativamente más grande que la
constante de tiempo del proceso de descarga.
El abrupto tren de impulsos que se desarrolla en la resistencia externa en B se puede utilizar como
origen de disparo para controlar el ángulo de conducción de los circuitos SCR yd e triac. La forma
de onda desarrollada en el condensador puede utilizarse en aplicaciones donde se necesite un
generador de dientes de sierra.
El PUT (programmable unijunction transistor, transistor uniunión programable) es un dispositivo de
cuatro capas pnpn, que se utiliza para generar impulsos de disparo y formas de onda similares a las
de los circuitos UST. El símbolo esquemático se muestra en la Figura 15.38a. Los UJT y los PUT
fueron populares en el pasado para la construcción de osciladores, temporizadores y otros
circuitos. Pero, como ya hemos dicho, los amplificadores operacionales y temporizadores
integrados (como el 555), junto con los microcontroladores han reemplazado a estos dispositivos
en muchas de sus aplicaciones.
Detección de averías
Cuando se buscan fallos en un circuito para localizar resistencias, diodos, transistores, etc.
defectuosos, se trabaja a nivel de componente. Cuando se buscan fallos para localizar un bloque
funcional defectuoso, se trabaja a nivel de sistema.
