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Clase 1

Este documento presenta el plan de estudios para el curso de Electrónica I. Cubre cinco temas: nociones físicas de semiconductores, circuitos con diodos, circuitos con transistores, análisis en pequeña señal y análisis en gran señal. Incluye cuatro evaluaciones parciales que cubren los diferentes temas. También lista tres libros de referencia para el curso.

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Este documento presenta el plan de estudios para el curso de Electrónica I. Cubre cinco temas: nociones físicas de semiconductores, circuitos con diodos, circuitos con transistores, análisis en pequeña señal y análisis en gran señal. Incluye cuatro evaluaciones parciales que cubren los diferentes temas. También lista tres libros de referencia para el curso.

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Electrónica I

EL 1154

Dr. Gabriel Noriega


[email protected]
Electrónica I - Lapso 2021.2
L28/06 – V20/08

Tema I Evaluaciones
Nociones Físicas de
Semiconductores 1er Parcial (Tema I, II) – J16/07
2do Parcial (Tema III) – J29/07
Tema II 3er Parcial (Tema IV) – J12/08
Circuitos con Disopsitivos de 2 4to Parcial (Tema V) – J19/08
terminals (Diodos)

Tema III
Circuitos con Dispositivos de 3 Bibliografía
terminales (Transistores)
Microelectrónica: Circuitos y
Tema IV Dispositivos. Horenstein
Análisis en Pequeña Señal
Electrónica. Boylestad
Tema V
Análisis en Gran Señal Diseño Electrónico. Savant
Electrónica I
Unidad I - II

Dr. Gabriel Noriega


Electrónica

Electricidad
Carga Eléctrica

1e=-1.602564 x 10-19Culombios
Conducción

1mA≈6.250.000.000.000.000 electrones/seg
Aislantes

Fósforo Cloro

Semiconductores

Silicio Germanio

Conductores

Cobre Plata Oro


Banda de
Conducción

Banda 1,1eV (Si)


Eg >5eV Eg
Prohibida 0,67eV (Ge)

Banda de
Valencia

Aislantes Semiconductores Conductores


Semiconductor Puro ni : Concentration intrínseca
(Intrínseco) no : Concentración de electrones
po : Concentración de huecos
po  no  ni A : Constante de Proporcionalidad
5,06x1043 m-6 x ⁰K-3 (Silicio)
 E g kT T : Temperatura en grados Kelvin
ni2  AT 3e k : Constante de Boltzmann
1,38066x10-23 J/⁰K
no po  ni2 Eg : Brecha de la Banda Prohibida
1,12eV (Silicio)
ND : Concentración átomos donores
Semiconductor Contaminado NA : Concentración átomos aceptores
(Extrínseco)

po  N D  N A  no
0,05eV (Si)
Eg
0,01eV (Ge)
 E g kT
ni2  AT 3e

no po  ni2
Tipo N Tipo P
Diodo

A K

P N
Diodo
A K

Tipo P Tipo N
Diodo
A K

Tipo P Tipo N
Diodo
A K

Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Diodo
A K
Iminoritaria = Is

Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto

Polarización Inversa
Diodo
A K

Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Diodo
A K
Imayoritaria
Iminoritaria = Is

Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto

Polarización Directa
Diodo
A K

iD  I S evD VT  1

Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto

Polarización Directa
Diodo
A K

iD  I S evD VT  1 
iD = Corriente del Diodo
IS = Corriente de Saturación (nanoamperios – microamperios)
vD =Tensión del Diodo
η = Coeficiente de Emisión (1 – 2)
VT = Voltaje térmico

VT  kT  25,88mV
q
k = Constante de Boltzmann (1,38 x 10-23 J/K)
T = Temperatura en grados Kelvin (27⁰C ≈ 300⁰K)
q = Carga eléctrica del electrón (1,6 x 10-19 C)
Diodo
A K
 
iD  I S evD VT  1

Región de Polarización Directa


Región de
Polarización Inversa

Región de Ruptura
o
Región Zener
Resistencia DC Resistencia AC
o o
Resistencia Estática Resistencia Dinámica

VD
rD 
I D
V
rD  T
ID
VD
RD 
ID
Determinar la resistencia estática y dinámica para Q1 (25mA; 0.79V) y Q2 (2mA; 0.7V)

2
Aproximación por
Segmentos Lineales
Capacitancia del Diodo

1
XC 
2fC
Tiempo de Recuperación Inverso trr

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