UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, FACULTAD DE INGENIERÍA, ELÉCTRONICA ANÁLOGA I, TALLER DE LABORATORIO 4-2022-2 1

INFORME No. 4: CARACTERIZACIÓN Y

AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTORES
MOSFET
García Eduard, Rincon Maria Fernanda, Acevedo Pablo
(edhgarciacas, marinconv, pacevedob) @unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia

Resumen—En este informe se muestra la caracterización del

transistor MOSFET, en este caso el de referencia BSS138, y
la amplificación con este tipo de transistores de acuerdo a la
configuración de estos (Fuente común y drenado común)
Index Terms—Transistor, amplificador, MOSFET, drenador,
fuente, compuerta, triodo, saturación, corte, tensión, corriente,
resistencia, circuito, integrado.

Figura 1: Esquema MOSFET [1]

I. INTRODUCCIÓN

Al igual que en un diodo, la unión de materiales de diferen-

tes propiedades eléctricas, permite generar distintos fenómenos La tensión mínima para crear esa capa de inversión se
en el flujo de cargas a través de un conductor; este es le caso denomina tensión umbral o tensión de threshold (Vth ) y es
del transistor. Este semiconductor de tres terminales, es mucho un parámetro característico del transistor. Si la VGS <VGSth ,
más útil que el de dos terminales porque pueden emplearse en la corriente de drenador - fuente (VDS ), es nula (ID ). Según
gran cantidad de aplicaciones, desde amplificación de señales los valores que tome VGS , se pueden considerar tres casos:
hasta lógica digital y memoria. El principio básico con el que
funciona este tipo de dispositivo, es el uso de tensión en dos VGS = 0. Esta condición implica que VGS = 0, puesto
terminales para controlar el flujo de corriente en la tercera. que VS = 0. En estas condiciones no existe efecto
Las propiedades de los semiconductores permiten generar tres campo y no se crea el canal e- debajo de la puerta. Las
comportamientos diferentes en el transistor; corte, saturación dos estructuras PN se encuentran cortadas y aisladas.
y triodo. Estas zonas, como también se les llama, se pueden IDS = 0 aproximadamente, pues se alimenta de las
obtener al variar las tensiones aplicadas en sus terminales. El intensidades inversas de saturación.
MOSFET, comparado con los BJT, pueden ser más pequeños,
y su proceso de manufactura es relativamente simple. Además VGS > 0. En esta condición se crea la zona de
su operación requiere poca potencia. empobrecimiento o deplexión en el canal. Se genera
una carga eléctrica negativa e– en el canal, debido a los
iones negativos de la red cristalina (similar al de una
II. MARCO TEÓRICO unión PN polarizada en la región inversa), dando lugar
a la situación de inversión débil anteriormente citada.
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido- La aplicación de un campo eléctrico lateral VDS > 0,
Semiconductor,son dispositivos de efecto de campo que no puede generar corriente eléctrica IDS .
utilizan un campo eléctrico para crear una canal de
conducción. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET La tensión VGS > 0 da lugar a la inversión del canal y
de canal N (NMOS) y MOSFET de canal P (PMOS). En genera una población de e– libres, debajo del oxido de
la figura 1 se ve la estructura física NMOS, la puerta, Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el CANAL N
cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un o canal de electrones entre el Drenador y la Fuente (tipo
dieléctrico de dióxido de silicio principalmente, formando n+) que, modifica las característica eléctricas originales
una estructura similar a las placas de un condensador. Al del sustrato. Estos electrones, son cargas libres, de modo
aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas que, en presencia de un campo eléctrico lateral, podrían
negativas(capa de inversión) en la superficie del substrato y verse acelerados hacia Drenaje. Sin embargo, existe un
se crea un camino de conducción entre los terminales drenaje valor mínimo de VGS para que el número de electrones
y fuente. sea suficiente para alimentar esa corriente, es VGSth ],
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II-A. Regiones de operación del MOSFET

La operación de un transistor MOSFET se divide en tres

regiones, dependiendo de las tensiones de sus terminales.
Para un transistor MOSFET de enriquecimiento se tienen las
siguientes regiones: región de corte, óhmica y de saturación.

√
Figura 3: Circuito para obtener la gráfica de ID en función
de VGS .

Ahora a través del mismo programa √ de simula-

ción(LTSpice), se obtiene la gráfica de ID en función
de VGS variando la resistencia R1 entre 1kΩ y 10kΩ.
Figura 2: Gráfica ID vs VGS con regiones de funcionamiento
del MOSFET [2]

Region de corte: El transistor estará en esta región

cuando VGS < VGSth . EN estas condiciones el
trasnsistor MOSFET se comporta eléctricamente como
un circuito abierto entre los terminales D-S.

Región óhmica: El trasnsistor estrá en esta región cuando

VGS > VGSth y VDS < VGS − VGSth . El MOSFET
equivale a una resistencia variable conectada entre el √
Figura 4: Gráfica de ID en función de VGS .
drenaje(D) y la fuente(S). El valor de esta resistencia
varía dependiendo del valor que tenga la tensión VGS .
III-A1. Obtención de parámetros Vt y kn : Primero se halla
la ecuación de la recta de la figura 4 mediante un programa
Región de saturación: El transistor MOSFET entra en
externo al simulador.
esta zona de operación cuando VDS supera un valor fijo p
denominado tensión de saturación (VDSsat ). Este valor ID = 0,4208VGS − 0,4198 (1)
viene dado en las hojas de datos de cada referencia
de MOSFET. En esta zona ID se mantiene constante Teniendo en cuenta que.
independiente del valor VDS . Por lo tanto el MOSFET p
r
kn
equivale a una fuente ideal de corriente cuyo valor ID = (VGS − Vt ) (2)
2
está controlado por VGS . En otras palabras el transistor
operará en esta región cuando VDS ≥VGS − VGSth kn se puede hallar de la siguiente manera:
r
kn
= 0,4208 (3)
2
A
kn = 2(0,4208)2 = 0,35 (4)
V
III. CALCULOS Y SIMULACIONES Al tener estos valores se encuentra Vt :
r
kn 0,4198
Vt ∗ = 0,4198 ⇒ Vt = q = 0,997 ≈ 1V (5)
2 kn
III-A. Caracterización del MOSFET 2

Al observar los datos del modelo spice del transistor

A través del programa LTSpice, se la realizó la simulación BSS138, se tiene que kn = 0,395 y Vt = 1V , por lo tanto
del circuito de la figura
√ 1 presente en la guía con el fin de los datos calculados son satisfactorios.
obtener la gráfica de ID en función de VGS .
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La gráfica en
√ la figura 4 tiene un comportamiento lineal Teniendo en cuenta que el resultado de la ecuación 4 donde
debido a que ID y V GS tienen una relación directamente kn = 0.35 A V 2 y Vt = 1V , se calcula VGS de la siguiente
proporcional. Además se nota que el corte con el eje x (VGS ) manera:
corresponde a Vt , esto sucede cuando VGS = 0 e indica gm
que es la tensión mínima para que el transistor funcione gm = kn (VGS − Vt ) ⇒ VGS = + Vt ⇒ VGS = 1,14V
kn
correctamente, por esta razón Vt es conocido como tensión (9)
umbral. Para ID :
Con el fin de obtener las curvas características del FET p (gm)2
BSS138, se diseñó el siguiente circuito: gm = 2kn ID ⇒ ID = = 3,57mA (10)
2kn
RG1 se halla suponiendo un VG = 3V y RG2 = 10kΩ con
VDD = 5V:
10kΩ
3V = 5V ∗ ⇒ RG1 = 6,6kΩ (11)
10kΩ + RG1
Para RS se parte del hecho de que VGS = 1,14V.
VGS = VG − RS ID ⇒ Rs = 521Ω (12)

Figura 5: Circuito diseñado para obtener las curvas caracterís- ANÁLISIS DC

ticas ID vs VD . Se calcula el VDS para comprobar la saturación:
VD = VDD − RD ID ⇒ 4,64V (13)
Con el circuito de la figura 5 se obtienen las siguientes
curvas: Vs = Rs ID = 1,86V (14)

El transistor está en saturación si VDS ≥ VGS − Vt , así qué:

2,78V ≥ 1,14V − 1V ⇒ 2,78V ≥ 0,14V (15)
Efectivamente está en saturación.
El circuito es es el siguiente:

Figura 6: Curvas características ID vs VD para MOSFET

BSS138.

III-B. Amplificadores con MOSFET

III-B1. AMPLIFICADOR CMOS DE FUENTE COMÚN:

III-B1a. DISEÑO: Para esta configuración, se desea un

Figura 7: CMOS de fuente común con MOSFET BSS138.
amplificador CMOS de fuente común con ganancia de 5, una
RL = 10kΩ y una señal d enetrada con amplitud de 100mp-p
a una frecuencia de 10kHz.
Se escoje una RD = 100Ω, porque se busca que RL ˇRD para
que por la carga pase la mayor tensión posible.
Entonces tenemos:
Zin
Av = − gm(Zout ||RL ) (6)
Zin + Rs ig
Rsig = 0 y Zout = RD porque RL ˇRD , por lo tanto:

Av = −gmRD (7)

El signo (-) indica desfase entre la señal de entrada y la señal

de salida. Ahora, suponiendo una ganancia de 5:
Figura 8: Señal de entrada(color rojo) vs señal de salida de
A circuito(color azul) CMOS de fuente común.
Av = −gmRD ⇒ 5 = gm(100Ω) ⇒ gm = 0,05 (8)
V
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En la la figura 10 se puede observa que si se logra amplificar

la señal de entrada con una ganancia de 5.
RECTA DE CARGA
La recta de carga DC tiene la siguiente forma:
1 VDD
ID = − VDS + (16)
RD + RS RD + RS
Reemplazando con los valores obtenidos: Figura 10: Recta de carga AC en CMOS de fuente común.

ID = −0,00161VDS + 0,00805 (17) Las rectas de carga se intersectan en el mismo punto por
porque es el mismo punto de polarización.
Se grafica la recta de la ecuación 17 y se obtiene el punto de
intersección con la corriente ID .. PARÁMETROS

Av = 5 (24)

Zin = RG = RG1 ||RG2 = 3, 97kΩ (25)

Zout = RD = 100Ω (26)

FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA
Figura 9: Recta de carga DC en CMOS de fuente común. La función de transferencia es la siguiente:

La curva de corriente que corresponde al circuito es la de

mitad, aquí se nota que el punto de intersección es cuaando
VDS ≈ 2,78V y ID = 2,57mA. Así que estos datos
corresponden al punto de trabajo Q.

Q(VDS , IDQ = (2,78V, 3,57mA) (18)

ANÁLISIS AC
Se calcula las variaciones con los valores de polarización
generada por la señal de entrada.

vgs = 0,05V (19)

Por medio de la ganancia, se calcula la variación de VDS y

el máximo valor de VGS .
Figura 11: Función de transferencia en CMOS de fuente
VDS − vd ≥ VGS + vgs − Vt ⇒ 2,53 ≥ 1,14V − 0,05V − 1V común.
(20)
⇒ 2,53 ≥ 0,09 (21) Cuando la tensión de entrada es -0.05V la tensión de
salida es 0.215V apróximadamente, y cuándo la tensión de
Según este cálculo el transistor sigue operando en saturación. entrada es 0.05V, la tensión de salida es -0.3V. Eso indica que
efectivamente si hay amplificación.
RECTA DE CARGA AC
La recta de carga AC tiene la forma:
III-C. AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN DEGENERADA
1 VDSQ III-C1. DISEÑO:: Para esta configuración en donde la
iD = − vDS + IDQ + (22)
RD ||RS RD ||RS resistencia de salida debe ser de 2kΩ y la señal de salida
debe tener una amplitud de 600mVp−p siendo la amplitud de
Reemplazando con los valores que ya se tienen: señal no menor a 100mVp−p .
Se va tener que RD = 100Ω con el fin de que RL ≫ RD .
iD = 0,00101vDS + 0,00357 + 0,028078 (23)
Entonces, se tiene que:
Se grafica esta recta y se obtiene el punto de intersección Zin Zout ||RL
Av = − ∗ 1 (27)
con la corriente ID Rsig + Zin gm + Rs
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En donde Rsig = 0 y Zout = RD ||RL = RD , por que RL ≫ Para confirmar que el transistor se encuentra en la zona de
RD . Se obtiene: saturación se debe cumplir la siguiente desigualdad:
RD
Av = − 1 (28)
VDS − vds ≥ VGS + vgs + vt (43)
gm + Rs

Se toma que RS = 10Ω, para encontrar gm suponiendo una 4,72V − 0,24V ≥ 1,12V + 0,07V − 1V (44)
ganancia de 3:
Av 3 4,45 ≥ 0,19
gm = = = 0,042A/V (29)
RD − Av Rs 100Ω − 3(10Ω) El transistor se encuentra en zona de saturación, ya que se
Ahora, se va calcular VGS e ID , siendo kn = 0,35A/V y cumple la condición 43.
Vt = 1V : Para obtener el valor de VGS se tiene que,
RECTA DE CARGA DE DC Y AC
gm = kn (VGS − Vt ) (30) Ecuación de la recta de carga DC:
se despeja VGS y se reemplazan valores: se tiene que:

gm 0,042A/V VDD −VDS

VGS = + Vt = + 1V = 1,12V (31) ID = − (45)
kn 0,35A/V 2 RD + RS RD + RS

Para obtener ID se tiene que: Luego, se reemplazan valores en la ecuación anterior para
p obtener la expresión matemática que representa la recta de
gm = 2kn ID (32) carga en DC.
5 VDS
se despeja ID y reemplaza valores: ID = −
110 110
gm2 Con base a la ecuación anterior se obtiene la siguiente gráfica,
ID = = 2,52mA (33)
2kn que corresponde a la recta de carga DC:
Teniendo los valor de VGS e ID , se va encontrar el valor de
RG1 suponiendo que RG2 = 10kΩ, por lo tanto:
RG2 10kΩ
VGS = VDD = 5v (34)
RG1 + RG2 RG1 + 10kΩ
Se despeja RG1 :
5V · 10kΩ
RG1 = − 10kΩ = 34643Ω = 34,643kΩ (35)
1,12V
ANÁLISIS DC
Se va encontrar el valor de VD S para comprobar que se
encuentre en la zona de saturación:
VD = VDD −RD ID = 5V −100Ω(2,52mA) = 4,748V (36)
comprobación:
VDS ≥ VGS − Vt (37)

4,748 ≥ 0,12V (38)

Figura 12: Recta de carga DC para la configuración de fuente
El transistor se encuentra en la región de saturación, porque común degenerada
se cumple la desigualdad 37.
ANÁLISIS AC
Ecuación de la recta de carga AC:
Se calcula las variaciones de los valores por la señal de
entrada: 1 VDSQ
vg = 0,1V (39) iD = − vDS + IDQ + (46)
RD ||RS RD ||RS
Teniendo el valor de Av y vg se puede encontrar el valor de Se reemplazan valores para obtener la ecuación de la recta de
vd , vs y id : carga AC:
vd = Av (vg ) = (3) · (0,1V ) (40)
iD = −0,01vDS +0,00252+0,028078 = −0,01vDS +0,030598
vd
id = = 3mA (41) (47)
RD
Con base a la ecuación anterior se obtiene la siguiente gráfica,
vs = Rs id = 0,03V (42) que corresponde a la recta de carga AC:
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Figura 15: Gráfica entrada y salida con respecto al tiempo

Teniendo en cuenta la figura 15, se puede observar que la

amplitud de la salida es aproximadamente 600mVp−p siendo
Figura 13: Recta de carga AC para la configuración de fuente la de entrada de 100mVp−p .
común degenerada
FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA

PARÁMETROS

Av = 3 (48)

Zin = RG = RG1 ||RG2 = 7,72kΩ (49)

Zout = RD = 100Ω (50)

Figura 16: Función de transferencia

ESQUEMA DEL CIRCUITO
En la siguiente imagen se puede observar el esquema de la
configuración de fuente común degenerada con los valores Cuando la tensión de entrada es -0.1V la tensión de salida
correspondientes. es de 0.21V aproximadamente, y cuándo la tensión de entrada
es 0.1V, la tensión de salida es -0.33V aproximadamente. Eso
indica que efectivamente si hay amplificación.

Pendiente:
El valor de la pendiente de la gráfica 16 es igual a:

−330 − 210
Av = m = = −2,7 (51)
200

La pendiente de la recta de la función de transferencia es el

valor de la ganancia Av , en este caso dicho valor es igual -2.7,
este valor es cercano al valor obtenido en los cálculos, el cual
Figura 14: Circuito de fuente común degenerada es igual a -3.
Nota: El valor de Av no es exacto, ya que es un valor
obtenido de una linealización.
ONDA DE ENTRADA Y SALIDA DEL CIRCUITO
En la siguiente imagen se puede observar la entrada y salida DIAGRAMA DE BODE DE MAGNITUD
del circuito.
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Figura 17: Diagrama de Bode de magnitud

Según la figura 17 se dice que que la frecuencia de menor Figura 19: Vout vs IC2
banda es de 9.674Hz aproximadamente, y la frecuencia de
mayor banda es de 11.916MHz aproximadamente. Teniendo
estos valores se puede encontrar el ancho de banda con la
siguiente expresión:

Ancho de banda = Fsup − Finf (52)

1 1
Rout = = −60,21µA+126,52µA
= 1999Ω ≈ 2kΩ
Luego, se reemplazan los valores en la ecuación 72 siendo m −120,41mV +253,0137mV
Fsup = 11,916M Hz y Finf = 9,674HZ, para obtener el (55)
siguiente resultado: El valor de la resistencia de salida es de 2kΩ.
VALORES DE VGS Y VDS
Ancho de banda = 11,916M Hz − 9,674Hz = 11,916M Hz
(53)
Como Fsup ≫ Finf el ancho de banda es igual a
11,916M Hz.
RESISTENCIA DE ENTRADA Y DE SALIDA
En las figuras 18 y 19 se puede observar dos puntos de la recta,
en ambas gráficas, los cuales se van a usar para encontrar el
valor de la resistencia de entrada y salida.
Resistencia de entrada:

Figura 20: Valores de VG , VS y VD

En la figura 20 se puede observar que los valores obtenidos

en los nodos VG , VS y VD son: 1.14026V, 24.667mV y
4.7533V respectivamente.
Teniendo en cuenta estos valores se puede decir que
VGS =1.12V y VDS =1.4.72V.
Figura 18: Vin vs IC

Teniendo los dos puntos de la recta, se va encontrar la III-C2. AMPLIFICADOR CMOS DE DRENADOR CO-
inversa de la pendiente: MÚN:

1 1 III-C3. DISEÑO: Para esta configuración se requiere un

Rin = = 10,62µA−2,573µA
= 7456Ω = 7,456kΩ (54) amplificador de drenador común, con una señal de entrada de
m 80mV −20mV
200Vp−p y una frecuencia de 10kHz. Para el diseño de este
El valor de la resistencia de entrada es de 7,456kΩ. circuito cabe resaltar que los cálculos se realizaron con los
Resistencia de salida: datos del modelo spice encontrado de un NMOS 2n7000 el
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cual cuenta con los siguientes parámetros: Reemplazando valores,

Vt = 2,236V mA
gm = 99,2
mA V
Kn = 93,2174 2 Al tener este valor de transconductancia, se usa la ecuación
V
W = 100µm 61, por ende:
L = 100µm Av = 0,651
Esto nos indica que la señal de salida es de:
Ahora bien, se hace uso del modelo de pequeña señal por lo Vo = vgs · Av = 65,1mV (63)
que se debe encontrar valores que cumplan con la siguiente
ecuación: Lo siguiente es determinar lo valores de adecuados de alimen-
2(VGS − Vt ) > K(vgs (56) tación DC (VV DD y VDS , para facilitar los cálculos se escoje
un VDD = 5V, entonces para hallar VDS se realiza un LKT:
Como se hace uso de pequeña señal, se escoge un K muy
grande, en este caso se elige un valor de 20 para conservar VDD = VDS + ID RS (64)
un factor de distorsión en un rango muy bajo. Reemplazando Reemplazando y solucionando la ecuación:
valores en 56:
VDS = 2,36V
2(VGS − 2,236V ) > 20(0, 1) (57)
Este valor cumple con la desigualdad planteada en la ecuación
VGS > 3,236V 59, lo que indica que el transistor se encuentra operando en
la zona de saturación.
Como se puede elegir un valor mayor a 3.236V, se optó
por elegir una valor para VGS = 3,3V . Deespués de haber El paso siguientes es hallar VG de la siguiente forma:
escogido un valor de VGS adecuado, lo siguiente es asegurar
que el transistor se encuentre en la región de saturación, así VG = VGS + VRS (65)
qué:
VG = 3,3V + ID RS
VDS ≥ (VGS − Vt ) + vgs (58) VG = 5,94V
Al reemplazar valores se obtiene que: Para finalizar el diseño del amplificador, es necesario encon-
trar la relación de las resistencias RG1 y RG2 , para encontrar
VDS ≥ 1,164V (59) estos valores se usa un divisor de tensión:
Por tanto, para futuros cálculos se debe tener en cuenta que RG2
VG = V DD( ) (66)
el valor de VDS debe superar o ser igual a 1.164V. Ahora se RG1 + RG2
calcula ID ;
VG RG2
1 W 1 mA = (67)
ID = Kn (VGS −Vt )2 ⇒ (93,2174 2 )(3,3V −2,236V )2 VDD RG1 + RG2
2 L 2 V
(60) La relación de resistencias es la siguiente:
Al resolver la ecuación, se obtiene:
RG2
≈6 (68)
ID = 52,8mA RG1
Como se está trabajando el diseño de un amplificador en Por ende, se escoje una resistencia de de 2k y una de 12k
configuración de Drain comúnm se sabe que el factor de
amplificación está dado por:
gm · RS
Av = (61)
1 + (gm · RS )
Para hallar el factor de amplificación es necesario conocer los
valores de RS y de gm, los cuales corresponde a la resistencia
de Source y a la transconductancia. Con RS se tiene que
tener en cuenta que para cumplir la relación de factor de
amplificación esta debe ser más pequeña que RL , entonces:
RS = 50Ω
La transconductancia se encuentra de la siguiente forma:
W Figura 21: Circuito CMOS drenador común.
gm = k n ( (VGS − Vt ) (62)
L
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Figura 22: Señal de entrada y señal de salida CMOS drenador

común.
Figura 24: Diagrama de bode del circuito de drain común con
sus respectivas frecuencias de corte.

Como se observa en la figura 24 el ancho de banda

En la figura 22, se puede observar que la señal de salida aproximado es de 617Mhz
tiene una amplitud aproximada de 67.8mV, lo que es cercano
al valor calculado con la ecuación 63.

FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA

III-D. AMPLIFICADOR EN CASCADA

ESQUEMA DEL CIRCUITO EN CASCADA

En este circuito se realizó el acoplo de los circuito fuente
común y drenador común.Lo anterior se puede observar en la
siguiente figura:

Figura 23: Función de transferencia de drenador común

Figura 25: Esquema del circuito amplificador en cascada
(Fuente común y drenador común)

ONDA DE ENTRADA Y SALIDA

DIAGRAMA DE BODE
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RESISTENCIA DE ENTRADA Y DE SALIDA

En las figuras 28 y 29 se puede observar dos puntos de la recta,
en ambas gráficas, los cuales se van a usar para encontrar el
valor de la resistencia de entrada y salida.
Resistencia de entrada:

Figura 26: Onda de entrada y salida del amplificador en

cascada (Fuente común y drenador común)

En la figura 26 se puede observar que la configuración

amplificó 3 veces la amplitud de la onda de entrada.
FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA
Figura 28: Vin vs IC1

Teniendo los dos puntos de la recta, se va encontrar la

inversa de la pendiente:

1 1
Rin = = −6,377µA+80nA
= | − 4098Ω| = 4,098kΩ
m 25,9mV −94,877µV
(70)
El valor de la resistencia de entrada es de 4,098kΩ.
Resistencia de salida:

Figura 27: Función de transferencia del amplificador en cas-

cada (Fuente común y drenador común)

Cuando la tensión de entrada es -0.5V la tensión de salida

es de 0.15V aproximadamente, y cuándo la tensión de entrada
es 0.5V, la tensión de salida es -0.15V aproximadamente. Eso
indica que efectivamente si hay amplificación.

Pendiente: Figura 29: Vout vs IC4

El valor de la pendiente de la gráfica 27 es igual a:
−150 − 150
Av = m = = −3 (69)
100
La pendiente de la recta de la función de transferencia es 1 1
Rout = = −0,02966f A−1,18525mA
= | − 99,97Ω| ≈ 100Ω
el valor de la ganancia Av , en este caso dicho valor es igual -3. m 2,966f V +118,22mV
(71)
Nota: El valor de Av no es exacto, ya que es un valor El valor de la resistencia de salida es de 100Ω.
obtenido de una linealización.
VALORES DE VGS Y VDS
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IV. M ONTAJE EXPERIMENTAL

IV-A. Montaje de un amplificador de tensión

Para esta sección se realizó el montaje experimental de la

configuración de fuente común, la cual se puede observar en
la figura 32.

Figura 30: Valores de VG , VS y VD de ambos transistores

En la figura 30 se puede observar que los valores obtenidos

en los nodos VGM 1 , VSM 1 , VDM 1 , VGM 2 , VSM 2 y VDM 2
son:4.56V, 2.97V, 11.125V, 6V, 12V y 2.23V respectivamente.

Teniendo en cuenta esos valores se puede decir

que VGSM 1 =1.59V, VDSM 1 =8.155V VGSM 2 =3.77V y
VDSM 1 =9.77V.

DIAGRAMA DE BODE DE MAGNITUD

Figura 32: Montaje de la configuración de fuente común

Figura 31: Diagrama de Bode de magnitud del amplificador

en cascada Figura 33: Onda de la configuración de fuente común

Según la figura 31 se dice que que la frecuencia de menor

banda es de 700.977Hz aproximadamente, y la frecuencia de En la figura 33 se puede observar el aumento en la amplitud
mayor banda es de 357.525MHz aproximadamente. Teniendo de la onda de salida (color azul) con respecto a la amplitud
estos valores se puede encontrar el ancho de banda con la de la onda de entrada (color amarillo) .Pero, dicho incremento
siguiente expresión: no es el requerido, ya que solo aumentó 2 veces el valor de
la entrada, cuando debería ser 5 veces.
Ancho de banda = Fsup − Finf (72)

Luego, se reemplazan los valores en la ecuación 72 siendo

Fsup = 357,525M Hz y Finf = 700,977Hz, para obtener el
siguiente resultado: IV-B. Montaje de un amplificador seguidor
Anchodebanda = 357,525M Hz−700,977Hz = 357,525M Hz
(73) Para esta sección se realizó el montaje experimental de la
Como Fsup ≫ Finf el ancho de banda es igual a configuración de drenaje común, la cual se puede observar
357,525M Hz. en la figura 34.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, FACULTAD DE INGENIERÍA, ELÉCTRONICA ANÁLOGA I, TALLER DE LABORATORIO 4-2022-2 12

VI. C ONCLUSIONES
Para garantizar la amplificación se deben tener en cuenta
los valores de las resistencias y la ganancia.
Existe un rango de valores de resistencias en donde no
afecta significativamente la amplificación.
Si la pendiente de la función de transferencia de una
configuración es negativa, amplifica la señal.
Los amplificadores con transistores MOSFET, presentan
una alta impedancia de entrada, lo que los hace una muy
buena opción para amplificar pequeñas señales,

R EFERENCIAS
Figura 34: Montaje de la configuración de drenaje común [1] Boylestad, R. L., Nashelsky, L. Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, 8a. ed Pearson Educación,2003.
[2] SEDRA, Adel S., et al. Microelectronic circuits. New York: Oxford
university press, 2004.
[3] Alexander, C. K., Sadiku, M. N, Fundamentos de circuitos electricos.
3ra ed Mc GrawHill, 2004
[4] Electronic Components Datasheet Search Avai-
ble: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/557689/TI/LF353P.html
[5] https://www.overleaf.com/project/6379490c8c20c4688b9606bc

Figura 35: Onda de la configuración de drenaje común

En la figura 35 se puede decir que en este caso la onda

de salida (color amarillo) tiene menor amplitud a la onda de
entrada (color azul).

V. R ESULTADOS Y ANÁLISIS
Teniendo en cuenta la información obtenida en las simula-
ciones y los cálculos, se puede llegar a la conclusión de que los
valores de los cálculos y las simulaciones son similares. Estos
pueden variar por la cantidad de decimales que se utilizan,
pero su variación no es muy grande. También, al utilizar
la linealización el valor obtenido difiere al de los cálculos
en cantidades no muy grandes.Esto se puede observaren los
resultado de las ecuaciones 51 y 54.
En el caso de la configuración de drenador común disminu-
ye la amplitud en la onda de salida (realiza lo contrario a la
configuración de fuente común). Este resultado, la disminución
de la amplitud, es el mismo en las simulaciones y en el montaje
experimental (35 y 33).
Se puede observar en la gráfica de función de transferencia
de la configuración de drenador común 23 que la pendiente es
positiva, mientras que en la gráfica de función de transferencia
de fuente común y fuente común degenerada es negativa la
pendiente 11. Por lo tanto con la función de transferencia se
puede estimar si amplifica o no la onda de salida.