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Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

EXPERIENCIA N° 3 - Previo

MULTIPLICADOR DE FRECUENCIA CON FET

“CARACTERÍSTICA CUADRATICA”

AUTOR

Zelada Chuquillanqui Raimar Jesús – 20194115H – [email protected]

CÁTEDRA
LABORATORIO DE RADIOCOMUNICACIONES- EE 498 M

IX CICLO – SEMESTRE 2023-1

DOCENTE:
BEAU H. FLORES ATOCHE

Fecha de realización:23/05/2023
Fecha de entrega:24/05/2023
LIMA – PERÚ
 Informe Previo No.3: MULTIPLICADOR
DE FRECUENCIA CON FET
“CARACTERÍSTICA CUADRATICA”
Marco Teórico:
Conceptos de FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones, pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas por tanto son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración de este),
aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor
(o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta
polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde
inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del
material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede
aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con
empobrecimiento de cargas libres

Fig.1 Funcionamiento del FET

Parámetros de FET
La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero 𝑉𝑑𝑠 como de la puerta
𝑉𝑔𝑠 . Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es
nula, con lo que podemos escribir: 𝐼𝑔 = 0 e Id = ƒ(𝑉𝑑𝑠 , Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico,
son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta
del transistor para pequeños incrementos de 𝑉𝑑𝑠 y 𝑉𝑔𝑠 en esta forma:
1
𝐼𝑑 = × 𝑉𝑑𝑠 + 𝑔𝑚 × 𝑉𝑔𝑠
𝑟𝑑
El parámetro 𝑟𝑑 se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la
pendiente de la curva.
El parámetro 𝑔𝑚 se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de 𝑉𝑔𝑠 de
1 voltio.
Multiplicador de frecuencia con transistor
Existen diferentes tipos de multiplicadores de frecuencia ya sea con diodos (reactivos o
resistivo) o con transistores. Podemos ver la diferencia de ambos en que los multiplicadores
con transistor ofrecen un mejor ancho de banda y la posibilidad de eficiencias de conversión
por encima del 100% (ganancia de conversión). Los multiplicadores con transistor de tipo
FET requieren menos potencia de entrada y de DC que los multiplicadores con diodos. En el
pasado, antes de que los amplificadores de estado sólido estuvieran disponibles a frecuencias
de onda milimétrica, los multiplicadores de alta potencia con diodo eran los encargados de
generar potencia a frecuencias de onda milimétrica. Hoy en día, sin embargo, es posible
generar la frecuencia requerida a baja potencia, para después amplificarla hasta llegar al nivel
de potencia deseado. Esto mejora la eficiencia, reduce los requerimientos de potencia de DC,
y permite optimizar por separado la generación de señal y las funciones de amplificación. Los
multiplicadores con transistor son adecuados para esta aplicación.
Existen muchas no linealidades en un FET que pueden ser usadas para la generación de
armónicos: la transconductancia cercana a pinch-off, la conductancia de salida cercana a
pinch-off, las propiedades de rectificación en la puerta del transistor, y las capacidades de tipo
varactor en puerta y drenador. Para la operación de doblar de frecuencia, lo más útil es la
propiedad de rectificación, donde el FET es polarizado para conducir únicamente durante la
mitad positiva de la forma de onda de la señal de entrada. Esto resulta en un modo de operación
similar a un amplificador de clase B, y proporciona un circuito multiplicador que es útil para
potencias de salida bajas (típicamente inferiores a 10 dBm) a frecuencias de entre 60 y 100
GHz. Los transistores bipolares pueden ser utilizados también para la multiplicación de
frecuencia, con la capacidad de la unión colector-base proporcionando la no linealidad
necesaria.
Informe Previo:
1) Diseñar la red de polarización del circuito que se muestra en la figura, determinando los
valores de RB y CB, tal que CB se cargue al valor pico de V1(t), considerar la frecuencia del
generador igual a 1 MHz.

Fig.2 Circuito del multiplicador de frecuencias

Para la polarización se necesitará calcular los valores de RB y CB, en el circuito RC.

Entonces, tiempo de carga y descarga de un condensador se expresa:
𝑡⁄
𝑉𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 𝑉(1 − 𝑒 𝑡0 )

Podemos considerar que el valor de T = 5RC. Donde T, es la mitad de la frecuencia de

operación. Como la frecuencia del generador es 1MHz, entonces:
𝑇0 = 10−6 𝑠
 Pero en un periodo es igual en el tiempo de carga y descarga, nos enfocaremos en el
tiempo de carga.
𝑇0
𝑡=
2
Reemplazando ahora en la fórmula para T y considerando que 𝑅𝐵 es 1M Ω podemos
hallar el valor de 𝐶𝐵 :
10−6
= 106 × 𝐶𝐵
2
Entonces 𝐶𝐵 = 0.1𝑝𝐹
Con esto ya sabemos todos los valores necesarios teniendo 𝑉(𝑡) = 𝑉0 . cos(𝑤0 𝑡) con
𝑅𝐵 = 1𝑀Ω , 𝐶𝐵 = 0.1𝑝𝐹 𝑦 𝐹0 = 1𝑀𝐻𝑧

2) Determinar una expresión general de Vo (t); asumir datos de la bobina y del FET.
Para que podamos hallar el valor de 𝑉0 (𝑡) simplemente analizaremos el circuito en AC
por lo cual nos resultara el circuito equivalente (se considera que a los capacitores
como corto circuito)

Fig.3 Circuito equivalente

Con esto podemos deducir la ecuación:
𝑡
𝑉0 (1 + 𝑒 − ⁄𝑅𝐶 ) 𝑛
𝐼1 =
𝑅
Además, por teoría sabemos que:
𝐼1 = 𝑔𝑚 . 𝑉𝑔𝑠
𝑉𝑔𝑠
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − )
𝑉𝑝
Con esto podemos despejar el valor de 𝑉0 que resultaría:
𝑉𝑔𝑠
𝑔𝑚0 (1 − ) 𝑉𝑔𝑠 𝑅
𝑉𝑝
𝑉0 = 𝑡
1 + 𝑒− ⁄𝑅𝐶
3) Explicar en forma clara y especifica dos (02) métodos para determinar los parámetros del
FET; uno para determinar experimentalmente la tensión de estrangulamiento Vp y el otro
para determinar la corriente de drenador en la región de saturación para VGS = 0, IDSS.
a) Método para determinar la tensión de estrangulamiento :
La tensión de estrangulamiento 𝑉𝑝 , es el voltaje minimo para el cual la corriente
del drenador se considera constante. El valor al cual se estabiliza la corriente de
drenaje (ID) se conoce como Corriente de Drenaje a Fuente con Compuerta
Cortocircuitada (IDSS).

Fig.4 ID vs VDS para VGS=0.

Fig.5 Circuito básico experimental

Primero incrementamos el valor de la fuente 𝑉𝐷𝐷 Luego calculamos el valor de ID
en cada incremento. Graficamos ID vs 𝑉𝐷𝐷 Hallamos 𝑉𝐷𝐷 mínimo para el cual la
corriente ID empieza a volverse constante. Finalmente, ese será el voltaje de Vp.
b) Método para determinar la corriente de drenador en la región de saturación
para Vgs=0, IDSS

Fig.6 ID vs VDS

Podemos observar en la gráfica que para valores elevados de 𝑉𝐷 la corriente se

 estabiliza, esta es conocida como Corriente de Drenaje a Fuente Compuerta
Cortocircuitada (IDSS). Para hallar experimentalmente IDSS, tomando en cuenta
que el circuito es el mismo para el método anterior, incrementamos el valor de la
fuente 𝑉𝐷𝐷. Después calculamos el valor de ID en cada incremento. Graficamos
ID vs 𝑉𝐷𝐷.
Y con esto finalmente hallamos el valor de ID que se mantiene constante en la
gráfica.

BIBLIOGRAFÍA
• Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos /ROBERT L.
BOYLESTAD
•https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html