TEMA 

5. TRANSISTORES

I. Transistor bipolar (BJT)
II. Transistor de efecto de campo metal‐óxido‐semiconductor (MOSFET)
Comportamiento estático y dinámico

I. Transistor bipolar (BJT)
Tres terminales: emisor (E), base (B) y colector (C)
Idea de funcionamiento: controlar la corriente entre emisor y colector a través de una
pequeña corriente de base (amplificar)

NPN PNP
 Fabricación del BJT en un circuito integrado (tecnología planar)

Supondremos uniones abruptas
No necesariamente simétrico (suele estar más impurificado el emisor)
 Funcionamiento cualitativo
PNP
Equilibrio VCE < 0
E B C + V1 - + V2 -

J1 J2
P N P P N P

x=0 x=W x
+ V -
BC
BC E FC
EF E FE E FB BV
BV

p eo p e(x)
p co p c(x)
n bo n b (x)

p bo n co n e(x) p b (x) n c(x)

n eo

W
W  L pb  uniones independientes
 E B C

pe(x) nb(x) pc(x)

pb(x)
ne(x) nc(x)

J1 W J2

W  L pb  uniones no independientes

los huecos inyectados por el emisor en la base llegan por difusión a la unión 
colectora (antes de recombinarse) y son arrastrados por el campo eléctrico  J

Base:
‐ inyecta los e‐ que van hacia el emisor al estar la unión BE en directa
‐ inyecta e‐ para compensar la recombinación y mantener el exceso de h+

inyecta la corriente necesaria para mantener en directa la unión BE

lo ideal sería que la corriente de base fuese nula 
y que la corriente inyectada por el emisor fuese extraída por el colector
 NPN

VCE > 0

los electrones inyectados por el 
emisor llegan por difusión al 
colector (antes de 
recombinarse) y son arrastrados 
por el campo eléctrico  J

VCE > 0

Base: inyección de huecos
 Regiones de polarización: PNP (distribución de huecos en la base)

Activa  Activa 
directa inversa
EB directa pbo EB inversa
CB inversa CB directa
x=0 x=W 0 W' W 0 W 0 W
VEB variable>0; VCB=cte<0 VEB=cte>0; VCB variable<0 VEB>0 ; VCB=0 VEB=cte<0; VCB variable>0

Saturación Corte
ambas en directa ambas en inversa
pbo

0 W 0 W 0 W
VEB>0; VCB>0; VEB>VCB VEB>0; VCB>0; VEB<VCB VEB<0; VCB<0
 NPN

Activa 
directa
EB directa
CB inversa

Activa 
inversa
EB inversa
CB directa

Corte Saturación
ambas en inversa ambas en directa
 Comportamiento estático: características corriente‐tensión
modelo de Ebers‐Moll
‐ Modelo 1D
PNP
‐ Bajo nivel de inyección  relaciones de Boltzmann válidas
‐ Ausencia de g‐r en zonas de carga espacial
‐ Variación de las z.c.e. con la polarización despreciable

Corrientes: difusión de minoritarios en bordes de z.c.e.; constantes en z.c.e.

Sistema de coordenadas: Criterio de signos:
- VCE =VC -VE +

P N P p n p
ZCE ZCE
+  VEB ‐ ‐ VCB +   
Emisor Base Colector
VEB =VE –VB VCB =VC -VB
Criterio signo corrientes:
x' x'' positivas cuando entran al transistor

0 0 x=W 0
Distribuciones de minoritarios en zonas neutras:
Emisor (largo) Colector (largo)
 eVEB K BT   x ' Lne  eVCB K BT   x '' Lnc

ne ( x ' )  neo  neo  e  1e nc ( x ' ' )  nco  nco  e  1e
   
 Base (corta) W  L pb
eVEB
K BT
2
d pb ( x ) x  0  pb ( 0)  pbo e
D pb 0 pb ( x )  Ax  B eVCB
2
dx K BT
x  W  pb (W )  pbo e

W x
eV EB
K BT x eVCB P ZCE
N ZCE
P
K BT
pb ( x )  pbo e  pbo e
W W Emisor Base Colector

x' x''
0 0 x=W 0

Corrientes en terminales: (positivas cuando entran al dispositivo)

 dpb ( x ) dne ( x ' )   pbo neo  eVEB K BT  D pb  eVCB K BT 


I E  eS   D pb  Dne 
  eS  D pb  Dne  e  1  pbo  e  1 
  
 dx x 0 dx ' x ' 0   W Lne   W   

 dpb ( x ) dnc ( x ' ' )   p n  eVCB K T  D pb  eVEB



I C  eS   D pb  Dnc       K BT
 1 
  eS  D pb  Dnc  1 
bo co
e pbo  e
B

dx x W dx ' ' x '' 0   W 

Lnc   W   

  eVEB K BT   eVCB K BT  I E  IC  I B  0
I E  I ES  e  1   R I CS  e  1
   
Ecuaciones de Ebers‐Moll
I B  I E  IC
 eVEB K BT   eVCB K BT 
I C    F I ES  e  1  I CS  e  1
   

 p n   pbo neo 
I CS  eS  D pb bo  Dnc co  I ES 
 eS D pb  Dne
 W Lnc   W Lne 
 
corriente inversa de saturación de colector,  corriente inversa de saturación de emisor,
con la unión emisora en cortocircuito con la unión colectora en cortocircuito 

D pb pbo D pb pbo
IC W IE
F  W  R  
pbo neo pbo nco IC
D pb  Dne IE VCB  0
D pb  Dnc VEB  0
W Lne W Lnc

ganancia directa en corriente (cambiada de signo)  ganancia inversa en corriente

con la unión colectora en cortocircuito con la unión emisora en cortocircuito 
parámetro clave del transistor
 F I ES   R I CS
W 
Interesa  F  1
pbo  neo  nbo  peo  N Db  N Ae emisor muy impurificado
  eVEB K BT   eVCB K BT   eVEB K BT   eVCB K BT 
I E  I ES  e  1   R I CS  e  1 I C    F I ES  e  1  I CS  e  1
       

I E  IC  I B  0 VCB  VCE  VBE

Conocidas dos tensiones y dos corrientes, conocemos la corriente y la tensión restantes
Las (2) ecuaciones de Ebers‐Moll relacionan dos corrientes con dos tensiones
Con dos de las magnitudes involucradas (corrientes / tensiones) fijamos el punto de operación
Según las variables dependientes e independientes elegidas  diferentes características
Típicamente: dos gráficas que relacionan tres variables (dependiente, independiente, parámetro)

Referencia de tensión  emisor (VCE, VBE): características en emisor común

Características de entrada: IB en función de VBE, con VCE como parámetro. I B (VBE , VCE )

Características de salida: IC en función de VCE, con IB como parámetro. I C (VCE , I B )

Se obtienen a partir de las ecuaciones de Ebers Moll
  eVEB K BT   eVCB K BT   eVEB K BT   eVCB K BT 
I E  I ES  e  1   R I CS  e  1  I ES  e  1  I E   R I CS  e  1
       

I E   IC  I B

 eVEB K BT   eVCB K BT 
I C    F I ES  e  1  I CS  e  1
   

Características de salida: 

F I CO  e VCE VBE  K BT 
IC  IB  e
  1   I C ( I B , VCE , VBE )
 I CO  I CS 1   F  R 
1  F 1  F  

Características de entrada: 
  eVBE K BT   e VCE VBE K BT 
I B   I E  I C   I ES 1   F  e  1  I CS 1   R  e  1  I B (VBE ,VCE )
   

VEB  VBE VCB  VCE  VBE

  eVBE K BT   e VCE VBE  K BT 
I B   I ES 1   F  e  1  I CS 1   R  e  1  I B (VBE , VCE )
   

F I CO  e VCE VBE  K BT 
IC  IB  e
  1   I C ( I B , VCE , VBE )
 I CO  I CS 1   F  R 
1  F 1  F  

Región activa directa: unión emisora en directa (VBE < 0 ) y colectora en inversa (VCB < 0 )

VCE < 0 VCE  VBE

IB
VBE
Corriente de base:

 eVBE
IES (1-F)+
  ICS (1-R)
I B   I ES 1   F  e K BT
 1  I CS 1   R  VCE<0
 
VCE=0

IB  0

Efectos reales: tensión umbral de la unión base‐emisor
Corriente de colector:
F I CO
IC  IB  I C   F I B   F  1I CO   F I B
1  F 1  F

IC F ganancia (directa) en corriente
F  
IB VCB  0
1  F
Interesa  F    F  1
IC
ICO (1+F)
IB=0
VCE
IB=-20 IC  0

IB=-40

IB=-60

IB=-80

Efecto Early (pendiente no nula, variación z.c.e. de uniones)
Efectos reales:
Alta inyección: agrupamiento de curvas para IC alta
Región activa inversa: unión emisora en inversa (VBE > 0 ) y colectora en directa (VCB > 0 )

VCE > 0 VCE  VBE IB

VBE
Corriente de base:
 e VCE V BE  K B T  IES (1-F)+
I B  I ES 1   F   I CS 1   R  e  1 VCE=0
  ICS (1-R)

IB  0

VCE>0

Corriente de colector:
RIBI EO   eV BE K B T  I EO  I ES (1   F  R )
IE    e  1 IC
1 R 1 R   IB=-80

IB=-60
I E   R I B   R  1I EO
IC  0
IB=-40
IE R
R   ganancia inversa en corriente IB=-20
IB VBE 0
1 R
IEO (1+ R ) IB=0

I C   I E  I B   R  1I B   R  1I EO   R  1I B V CE

Región de saturación: 
Uniones emisora y colectora en directa (VBE < 0, VCB > 0)  VCE  0

IC la determina el circuito en que esté el transistor  F I B  I C max I C  I C max  I C VCE  0 

Región de corte: 

Uniones emisora y colectora en inversa (VBE > 0, VCB < 0)  I C  0

VCE la determina el circuito en que esté el transistor IC
ICO (1+F)
I E   I ES 1   F  IB=0
 F I ES   R I CS VCE
I C   I CS 1   R 
IB=-20
I B  I ES 1   F   I CS 1   R 
IB=-40

IB=-60

IB=-80
Transistor NPN: región activa directa

IB  0 IC  0 VCE  0

> 0
 Amplificación con el transistor bipolar: idea cualitativa

Amplificador en emisor común:
‐ Entrada: base
‐ Salida: colector

IC   F I B
Comportamiento dinámico: señales débiles de baja frecuencia
I E (t )  I E 0  ie (t ); I C (t )  I C 0  ic (t ); I B (t )  I B 0  ib (t )

VCE (t )  VCE 0  vce (t ); VCB (t )  VCB 0  vcb (t ); VBE (t )  VBE 0  vbe (t )

ie  ic  ib  0 vcb  vce  vbe

Pequeña señal: dos relaciones lineales entre cuatro variables (corrientes / tensiones)

Si son dos corrientes y dos tensiones: cuadripolo
i1 i2

+ + f1 i1 , i2 , v1 , v2   0
lineales
v1 v2 f 2 i1 , i2 , v1 , v2   0

6 combinaciones según qué variables tomemos como dependientes e independientes
1, 2  E, B, C:  3 posibilidades (emisor, base, colector común)
18 posibilidades en total: sólo cuatro coeficientes independientes
a partir de ellos se pueden calcular todos los demás

Parámetros híbridos:
variables dependientes:  v1, i2 v1  h11i1  h12 v2
variables independientes:  i1, v2 i2  h21i1  h22 v2
 v1  h11i1  h12 v2
Interpretación parámetros híbridos:
i2  h21i1  h22 v2

∙ h11 (hi_)  impedancia de entrada, con la salida en cortocircuito (para la componente alterna)

∙ h12 (hr_) ganancia inversa en tensión, con la entrada en circuito abierto (para la componente alterna)

∙ h21 (hf_) ganancia directa en corriente, con la salida en cortocircuito (para la componente alterna)

∙ h22 (ho_) admitancia de salida, con la entrada en circuito abierto (para la componente alterna)

Representación circuital:
i1 i2
Parámetros:
Dependen del punto de operación y de la frecuencia
h11
Números complejos
v1 h21i1 v2
+ Baja frecuencia: reales e independientes de la frecuencia
-  h12v2 h22-1 
Circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia
 Circuito equivalente con parámetros híbridos en emisor común (1‐B, 2‐C):

variables dependientes:  vbe, ic vbe  hie ib  hre vce

variables independientes:  ib, vce ic  h fe ib  hoe vce
ib ic
B C
hie hoe-1
sólo válido en la región activa vbe hfeib vce
(comportamiento lineal) +
-  hrevce

Simplificado Otra versión Alta frecuencia

B ib ic C B ib ic C B ib ic C

C
vbe hie hfeib vce vbe gmvbe vce r C gmvbe vce
r be

E E E

hre , hoe  g m  h fe / hie C  , C capacidades de uniones

vbe  hie ib ; ic  h fe ib r  hie
Ejemplo: frecuencia de corte de la ganancia en corriente
(frecuencia a la cual la ganancia en corriente es 1⁄ 2 de su valor a baja frecuencia)

ℎ
𝐼 𝑔 𝑣 𝑣
𝑟

𝑟
𝑗𝜔𝐶 𝑟
𝑣 𝐼 𝐼
1 1 𝑗𝜔𝐶 𝑟
𝑟
𝑗𝜔𝐶

𝐼 ℎ
𝐴
𝐼 1 𝑗𝜔𝐶 𝑟

ℎ
𝐴
1 𝜔𝐶 𝑟

1
𝑓
2𝜋𝐶 𝑟
Comportamiento dinámico: conmutación del BJT

𝑡 → tiempo de retardo: unión BE pasa de inversa a borde de directa
𝑡 → tiempo de subida: unión BE de borde de directa a borde de saturación
𝑡 → tiempo de almacenamiento (suele ser el que limita la velocidad de conmutación del BJT): 
tiempo necesario para extraer la carga en exceso 𝑄 almacenada en la base en saturación 
𝑡 → tiempo de caída: unión BE de borde de saturación a borde de inversa, extracción de 𝑄
II. Transistor de efecto de campo metal‐óxido‐semiconductor (MOSFET)

C P+

Zona de
Vaciamiento

Aluminio JFET
A B Canal - N
transistor de efecto
Zona de de campo de unión
Vaciamiento
Semiconductor (Cu2S)
P+
Contactos metálicos G - Rejilla
VGS
VDS
S - Fuente D - Drenador

S G D
MESFET S G D
transistor de efecto SiO2
de campo metal‐sc N +
N+
Fuente Drenador
N N-GaAs N MOSFET
Sustrato
GaAs Semiaislante Si -P

Cuatro terminales: fuente (S), puerta (G), drenador (D) y sustrato (B)
Idea de funcionamiento: controlar la corriente entre fuente y drenador a través de la
tensión aplicada a la puerta
 Estructura metal‐óxido‐semiconductor

Interés: capacidad variable con la tensión aplicada
puerta de MOSFETs
 Situaciones de carga en el semiconductor: análisis cualitativo
Semiconductor tipo P

V < 0
Acumulación

V > 0 Vaciamiento
pequeña
 Bandas en el semiconductor

V = 0

V < 0 V > 0
pequeña

V > 0 Inversión
suficientemente
grande
Semiconductor tipo N

V > 0 V < 0
pequeña
Acumulación

Vaciamiento

Acumulación
V > 0

V < 0 Vaciamiento
pequeña

V < 0
suficientemente Inversión
grande
Situaciones de carga en el semiconductor: análisis cuantitativo
Semiconductor tipo P

Materiales aislados

Nivel de Vacío

EC
M S S
EF EC
EG/2
EFi
EF
eF
EV

EV

Metal Aislante Semiconductor (tipo P)

EF sin sentido en el aislante (SiO2)
e F  E Fi  E F  0 en semiconductor tipo P

 M   S   MS   M   S  0
 Equilibrio
EF constante, I=0 siempre (aislante)
Nivel de Vacío

S
S (x)
eVOO' SO
EC
+
MO EG/2
EF EFi
eS0
EF x
e(x) eF O O' -
EV
Energías
Metal Óxido Semiconductor-P
Potenciales
Semiconductor: vaciamiento (impurezas ionizadas)
x
Metal: carga superficial
O O'

VOO ' caída de tensión en el óxido en equilibrio ( > 0 en el ejemplo)

 SO caída de tensión en el sc en equilibrio ( > 0 en el ejemplo)
 (x ) potencial en una posición genérica x del semiconductor
MS  e(VOO '   SO )  0
MS
Metal a mayor potencial (menor energía) que el semiconductor en    VOO '   SO  0
e
Origen de potenciales: semiconductor sin perturbar
Fuera de equilibrio  VG  0 I = 0 (por aislante)  EF constante

Banda plana

Nivel de Vacío

S
MO SO
EFM EC
EG/2
eVG=MS(<0) EFi
EFSC
e F
Energías
Potenciales EV

x
O O'
Metal Óxido Semiconductor-P

 MS
VG  VFB  0 compensa exactamente la diferencia de potencial de equilibrio
e

sin cargas (ni caídas de tensión) en la estructura
 Acumulación
V G  MS/e V OX (<0)
Nivel de Vacío
 MO
 MS  SO
VG  0 S
e E FM EC
V G (<0) e S e  (x) E G /2
E Fi
VOX  0 caída de tensión en el óxido  E FSC
Energías O e F
O' EV
S  0 caída de tensión en el sc Potenciales
x
Acumulación de huecos
Metal Semiconductor-P
metal a menor potencial
que semiconductor  (x)

 MS
VG   VOX   S  0
e
x
 Q=0
hay más mayoritarios (huecos)
en el semiconductor que 
Sc: huecos (portadores libres)
había en equilibrio
Metal: carga superficial
 Nivel de Vacío
Inversión
VGMS/e
S
Capa de inversión
VG  0 eVOX EC
SO EG/2
e(x) EFi
elevado EFSC
MO eVG(>0) eS eF
EV
VOX  0
Energías EFM

 S  2 F  0 Potenciales O O'
x

Metal Óxido Semiconductor-P

metal a mayor potencial
que semiconductor
(x)
 MS
VG   VOX   S  0 Capa inversión
e Q=0
Capa de vaciamiento
x
hay más minoritarios (electrones)
2 F
en el semiconductor que 
mayoritarios (huecos) en equilibrio

Sc: electrones (portadores libres)
La capa de inversión coexiste con  imp. ion. (cargas fijas)
la de vaciamiento Metal: carga superficial
 Condición de inversión Nivel de Vacío

VGMS/e
E F  E Fi  e F Capa de inversión
S
eVOX EC
E F  EC  e ( x ) E Fi  EC  e F  e ( x )  e[ F  ( x )]
SO EG/2
n( x )  N C e k BT
 NC e k BT
 ni e k BT e(x) EFi
EFSC
eVG(>0) eS eF
EV  E F  e ( x ) EV  E Fi  e F  e ( x ) e [ F  ( x )]
EV
k BT k BT k BT
p ( x )  NV e  NV e  ni e EFM
e F
O O'
peq  ni e k BT

Metal Óxido Semiconductor-P

n ( x )  peq  [ F   ( x )]   F   ( x )  2 F

condición de inversión en una posición x genérica
para que comience a haber inversión en el semiconductor   S  2 F

Haciendo un estudio de la variación de las cargas con s se encuentra:

Qac  expe  S / k BT 

Qinv  expe  S / k B T 

1/ 2
Qvac   S
Tensión umbral

Tensión VT que hay que aplicar al metal para que comience a haber inversión en el sc

 S  2 F
MS
VT  VOX  VOO '   S   SO con VOO '   SO  
e

QG  QS max  QS max  OX
VOX  EOX d  d d con COX 
 OX  OX COX d

QS max → carga máxima de la capa de vaciamiento en el semiconductor (caída de potencial de 2F)

1/ 2
 2 S ( 2 F ) 
QS max   eN AWmax   eN AW ( 2 F )   ( 2eN A S 2 F )1 / 2  0 Wmax  W ( 2 F )   
 eN 
 A 

MS QS max 
VT  VOX  2 F   VT    2 F  MS
e COX e
 NA
e F  E Fi  E F  k BT ln
ni
1/ 2
 2 ( 2 F ) 
Wmax  W ( 2 F )   S 
 eN 
 A 

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

𝑁 𝑁 𝑒 𝑁 𝑁 𝑁 𝑁 𝑒 𝑛 𝑛
𝑒 ⇒ 𝑒𝜑 𝐸 𝐸 𝑘 𝑇 ln 𝑒 ⇒ 𝑒𝜑 𝐸 𝐸 𝑘 𝑇 ln
𝑛 𝑛 𝑁 𝑁
𝑛 𝑁 𝑒 𝑛 𝑁 𝑒

𝑁 𝑛𝑒 𝑁 𝑛𝑒
Estructura real

Presencia de cargas en el óxido → QSS en la superficie de separación con el sc

QSS QSS
VSS  d caída de tensión adicional a VOO’ y SO debida a las cargas del óxido
 OX COX

VSS  0  VT ; QSS  0 atrae e -

Q S max MS
VT  2 F    VSS VSS  0  VT ; QSS  0 atrae h 
COX e
normalmente  QSS  0  VSS  0

 MS QS  Q
VFB   VSS genéricamente VG     S  MS  V SS   S   S  V FB
e C OX e C OX
  MS QSS
VFB   VSS VSS 
e COX
 Q S max MS
VT  2 F    VSS
COX e

QS max   eN AWmax   eN AW ( 2 F )   ( 2eN A S 2 F )1 / 2  0

Comportamiento dinámico: capacidad de la estructura MIS
Suponemos   MS  0 ; QSS  0  VFB  0 Área unidad

VG  VOX   S

QS  f ( S )
VOX
QG   OX
d
dQG  OX COX  capacidad constante, geométrica: condensador plano‐
COX  
dVOX d paralelo (área unidad) de espesor d y de dieléctrico el óxido.

CSC  dependencia de las cargas en el semiconductor con la caída de 
dQS tensión en él. Dependerá del tipo de cargas inducidas por S. 
C SC  
d S Incluso, según sean éstas, el comportamiento dependerá de la 
frecuencia. 
G

1 1 1
 d (VOX   S ) 
dQG  dVOX d S   1 1  COX
CT         

dVG  dQG   dQ dQS  C 
  G  OX C SC 
CSC

Se trata pues de dos capacidades en serie
 G

COX
COX C SC
CT  Semiconductor tipo P
COX  C SC
CSC

Acumulación

Qac  expe  S / k B T   C SC  COX  CT  COX

 Vaciamiento

1/ 2 1 / 2
Qvac   S  C SC   S del orden de COX  CT decrece con VG
 Inversión

Qinv  expe  S / k BT   C SC  COX  CT  COX

Qac  expe  S / k B T   C SC  COX  CT  COX mayoritarios  d  p   ps

1 / 2
del orden de COX  CT decrece con VG mayoritarios  d  p   ps
1/ 2
Qvac   S  C SC   S

Qinv  expe  S / k BT   C SC  COX  CT  COX minoritarios  d n   ms

 Inversión a alta frecuencia (>100 Hz)

COX C SC ( 2 F )
En inversión a alta frecuencia (no responde inversión, sólo vaciamiento) CT 
COX  C SC ( 2 F )
Capacidad de la estructura MIS real
 MS
VFB   VSS VG  VG  VFB
e
Semiconductor tipo P F  0

acumulación vaciamiento inversión

VG
VFB VT

Semiconductor tipo N F  0

inversión vaciamiento acumulación

VG
VT VFB

Semiconductor tipo N
Transistor de efecto de campo metal‐óxido‐semiconductor ‐ MOSFET
Metal
S G D S G D
Óxido

Semiconductor
n+ n+ p+ p+
p n

Metal
Canal N Canal P
(sustrato P) (sustrato N)
Formado por:
‐ Una placa de metal y un semiconductor separados por una zona de óxido del semiconductor (por 
ejemplo SiO2), que actúa como aislante (estructura metal‐óxido‐semiconductor)
‐ Dos regiones muy dopadas de tipo contrario al semiconductor que forma el substrato.
‐ Electrodos:
‐ Puerta (G, Gate), que se conecta a la placa metálica. La corriente en la puerta es nula
‐ Fuente (S, Source) y drenador (D, Drain), ambos simétricos, conectados a las zonas muy dopadas 
‐ A veces existe un cuarto electrodo de sustrato (B, suBstrate) en el metal inferior

Idea de funcionamiento: controlar la corriente que fluye entre S y D mediante la tensión aplicada a G
(para que haya corriente entre fuente y drenador ha de haber capa de inversión bajo el óxido)
MOSFET canal N (sustrato P)
Puerta o rejilla
S G D

SiO2 IG  0
+ +
N N
VGS  VT
Fuente Drenador
E
VDS  0
Sustrato
Si tipo P ID  0

MOSFET canal P (sustrato N)
Puerta o rejilla
S G D

SiO2 IG  0
+ +
P P
Fuente Drenador
VGS  VT
E
VDS  0
Sustrato
Si tipo N ID  0
B
 Tipos de MOSFET y representación
canal n realce
canal p realce

canal p vaciamiento
canal n vaciamiento
 Comportamiento estático

Suponemos   MS  0; VSS  0  VFB  0

S (fuente) G (rejilla) D (drenador)

ID VD(0)
VG(VT)

SiO2
N +
N+ IG  0
ID  0
y=0 ID y=L
VGS  VT
z
Si - P VDS  0
y

x B (sustrato)

Sustrato P (MOSFET canal N)

referencia: fuente  VDS, VGS VBS  0 canal y  0 , y  L

VGS  0 MOSFET en equilibrio
VDS  0
ID  0

N+ Energía P N+
Energía
EC

EC
Ei
EF
EF Ei
EV

x EV
Fuente Sustrato Drenador
Óxido Semiconductor
y=0 y=L y

 MS  0; VSS  0  VFB  0 situación de banda plana en equilibrio

VGS  0
VDS  0
ID  0

Óxido Semiconductor
P+
Energía Energía
EC
EC
EF
N+ N+
Ei Ei

EF
EV
EV
x

x Fuente Sustrato Drenador y

y=0 y=L

I D  0  nivel de Fermi constante con la posición
 VGS  0 Energía P

VDS  0
N+
ID  0 EFP

EC
EFN EFN
N+
Ei
Fuente Sustrato
EV
Drenador x
y=0 y=L
y

Dos cuasi‐niveles de Fermi EFN y EFP J p  0  E FP constante en el canal

 V ( x ,0)  0
E FN  E FP  eV ( x , y ) con  V ( x , y )   la separación entre cuasi‐niveles de Fermi
V ( x , L )  VDS
    V ( 0)  0
J n  n n E FN ( x, y )  en n V ( x, y ) J x  0  V ( x, y )  V ( y )  
V ( L )  VDS
presencia del óxido

Condición de inversión  S ( y )  2 F  V ( y )
 Potencial umbral

Tensión VGS mínima a aplicar para que exista capa de inversión en el canal (con VDS = 0)

 MS QS max QS max
VT  VOX  2 F   VSS   d  2 F  VT    2 F con QS max   ( 2eN A S 2 F )1 / 2
e  OX COX

2eN A S
VT  2 F  K 2 F 
1/ 2
con K2 
2
COX

Tensión VGS para comienzo de inversión en una posición y genérica (con VDS  0)

 MS QS 2 F  V ( y ) 
VGS  VOX  2 F  V ( y )    VSS   d  2 F  V ( y ) 
e  OX

VGS  2 F  V ( y )  K 2 F  V ( y ) 
1/ 2
Características ID-VDS: equilibrio, no saturación, saturación

VGS  VT constante
S D
Capa de inversión

N+ N+
VDS  0
ID

No VGS cte.
Zona de vaciamiento saturación
Saturación

S D

N+ N+
VDS  VDsat
VDsat VDS

VDsat VDS

S D
L’ L
1/ 2
N+ N+  2 V  VDsat  
VDS  VDsat ΔL  L  L '   S DS 
L  eN A 
Tensión de saturación

Dada VGS constante, el punto y del canal que está justo al borde de inversión cumple

VGS  2 F  V ( y )  K 2 F  V ( y ) 
1/ 2

Comienzo de saturación: y=L está al borde de inversión, con V(L)=VDS=VDsat

VGS  2 F  V ( L )  K 2 F  V ( L )   2 F  VDsat  K 2 F  VDsat 

1/ 2 1/ 2

K2  4V  2eN A S
VDsat  VGS  2 F   1  1  GS  K2 
2  K2 
2
COX

Si K es pequeña (NA baja o COX alta)

VT  2 F

VDsat  VGS  VT
Expresiones analíticas para características de salida: ID-VDS con VGS cte

 2  2 E x E y
Aproximación de canal gradual     E y  cte
 x2  y2 x y

No saturación

ID 
Z n COX 
 V
 GS  2 F 
V DS 
 V DS 
2
K V 
DS  2 F 32
  2 F 32 

L  2  3 

Z ‐ anchura del transistor (dimensión en la dirección z no considerada)
ZCOX
factor geométrico
L
I D (VDS  0)  0 VDS  I D  VGS  I D 

Saturación

I 'D 
Z n COX 
 V
 GS  2 F 
V Dsat 
 V Dsat 
2
K V 
Dsat  2 F 32
  2 F  
32 

L '  2  3 

I D (VDsat )  I ' D (VDsat ) VGS  I D 

depende de VDS a través de L’
VDS pequeño ó K pequeño ‐ no saturación:

ZnCOX 
VGS  VT VDS  
2
VDS
ID  
L  2 

VDS muy pequeño:
Z n COX comportamiento 
ID  VGS  VT VDS resistivo
L
K pequeño ‐ saturación:
Z n COX VDsat
2
Z n COX (VGS  VT ) 2
I 'D  
L' 2 L' 2

Conductancia de salida:

 ID  I 'D
gD  g'D 
 VDS VGS  C te
 VDS VGS  C te

Transconductancia:

 ID Z C  I D' ZnCOX
gm   n OX VDS g 'm   VGS  VT 
 VGS V te L  VGS V te L'
DS C DS C
 MOSFET real

Efecto de MS  
VGS  VGS  VFB  VGS   MS  VSS 
Efecto de las cargas en el óxido VSS  e 

Efecto de la polarización de sustrato VBS  0 VGS  VGS  VBS  VGB

VBS < 0 en transistor canal N (uniones PN+ B‐S y B‐D en inversa, IB = 0) 2 F  2 F  VBS

Con estos cambios: 
 MS
VT  V x  K 2 F  V BS  V x  2 F   VSS
12
con
e

ID 
Z n COX 
 V
 GS  Vx 
VDS 
 VDS 
2
K VDS 2 F  VBS 32
  2 F  VBS 32 
 
L  2  3 
No saturación VDS pequeño ó K pequeño: VT  Vx  2φF  VFB VDS muy pequeño

Z n COX  2
 Z n COX
ID  V
 GS  VT V DS 
VDS

ID  VGS  VT VDS
L  2  L

I D' 
ZnCOX 
 V
 GS  Vx 
VDsat 
 VDsat 
2
K V
Dsat  2 F  VBS 32
  2 F  VBS 32 
 
L'  2  3 
Saturación
ZnCOX 1
I D'  '
VGS  VT 2
L 2
 No saturación

 2
VDS 
I D   VGS  VT VDS  
 2 

Saturación


I 
'
D VGS  VT 
2

2
 ZnCOX 1
I D'  '
VGS  VT 2
L 2
 Tipos de MOSFET

Canal N (sustrato P) Canal P (sustrato N)
VDS  0, I D  0 VDS  0, I D  0
conducen (hay capa de inv.) para VGS  VT conducen (hay capa de inv.) para VGS  VT
V  VGS  VT  VDsat no saturado V  VGS  VT  VDsat no saturado
K  0  DS K  0  DS
VDS  VGS  VT  VDsat saturado VDS  VGS  VT  VDsat saturado

 MS
VT  V x  K 2 F  V BS  V x  2 F   VSS
12
con
e

VT puede ser positivo o negativo, “controlable” a través de MS y  VSS

VT  0 Realce VT  0
(ausencia de capa de inversión para VGS=0)

VT  0 Vaciamiento VT  0
(presencia de capa de inversión para VGS=0)
 Condición  Características Características de Potencial
Tipo Símbolos transferencia
para conducción de salida umbral

ID +
D D ID
Canal N
Enriquecimiento VG S
Norm. OFF
G B G
V GS VT  0
Realce S S
V DS + - VT +
V GS  V T
Canal N ID + ID
D D
Empobrecimiento V G S =0
Norm. ON G B G
V GS
VT  0
Vaciamiento S S

V DS + - +

Canal P
D
- VD S
- VT ID +
Enriquecimiento D
Norm. OFF VG S V GS
G B G VT  0
Realce S ID
S
-
V GS  V T VDS
Canal P
Empobrecimiento
D D - - ID +

Norm. ON B V G S =0 V GS
Vaciamiento
G G
VT  0
S S ID
-
 Comportamiento dinámico: señales débiles de baja frecuencia

 ID  ID  ID
id  v gs  vds  vbs
 VGS VDS  C te
 VDS VGS  C te
 VBS VDS  C te

VBS  C te VBS  C te VGS  C te

id  g m v gs  g d vds  g mb vbs ig  0

g m , g d , g mb dependen del punto de operación estacionario

Circuito equivalente Alta frecuencia
id Cgd
G D G
D
gm vgs
vgs vds Cds
gmvgs 1/gd
gmbvbs Cgs
1/gd

S S
Circuito equivalente de pequeña señal 
y baja frecuencia
Ejemplo: frecuencia de corte de ganancia unidad
(frecuencia a la cual la ganancia en corriente es 1)

I i  jC gsTVgs  jC gdT Vgs  Vd   g mVgs  jCgdT Vd  Vgs   0

Vd
RL

  1  g m RL 
I i  j C gsT  C gdT  Vgs
 RLCgdT  1
  1  RLCgdT 

 
I i  j CgsT  CgdT 1  g m RL  Vgs CM  CgdT 1  g m RL 
despreciamos gd y Cds
capacidad Miller

 
I i  j CgsT  CM Vgs I d  g mVgs

Id gm

I i 2 πft (C gsT  CM )

gm g
fT   m
2π(CgsT  CM ) 2πCG

CG→ capacidad equivalente de entrada
Tecnología CMOS ‐ Inversor CMOS