“AÑO DE LA UNIDAD, LA PAZ Y EL DESARROLLO”

“DECENIO DE LA IGUALDAD DE OPORTUNIDADES PARA MUJERES Y HOMBRES”

SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL

INTEGRANTES:
Castañeda Rios María América (001398637)
Gutiérrez Mejía Giomar Jesús (001394060)
Linares Domínguez Cristofher Colver (001398529)
SEMESTRE: Cuarto.

INSTRUCTOR: Vía Saldarriaga César Fernando.

TEMA: Transistor BJT.

AÑO:

NUEVO CHIMBOTE - PERÚ

 TRANSISTOR BJT

1. DEFINICIÓN:
- Un transistor es un dispositivo electrónico que suelen utilizarse para amplificar o
como un interruptor electrónico. Posee la capacidad de amplificar una señal dada
en su entrada o también como medio de conmutación de cargas; utilizando como
acción una pequeña señal de voltaje por uno lo hace muy útil en el campo de la
electrónica. (Roch, 2020)
- Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un
dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para
controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente
en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre el Colector y el
Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal débil, como un oscilador o un
interruptor. El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de
la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El
termino junction (unión) hace referencia a la estructura del dispositivo.

2. FUNCIONAMIENTO:

- Cuando en el tema 2 hablábamos de la unión PN veíamos que teníamos dos

posibilidades de polarización de esta, de tal forma que el diodo tenía dos posibles
estados o zonas de trabajo: en directa y en inversa. Ahora estamos ante un
dispositivo que tiene dos uniones, una unión entre las zonas de emisor y base (que
denominaremos a partir de ahora unión de emisor JE) y otra unión entre las zonas
de base y colector (de que denominaremos unión de colector JC), cada una de las
cuales puede ser polarizada en las dos formas mencionadas anteriormente. Así,
desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de
funcionamiento posibles en función del estado de polarización de las dos uniones.
De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor
está trabajando en la zona de saturación. En el caso de que la unión de emisor la
polaricemos en directa y la unión de colector en inversa, estaremos en la zona
activa. Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor está
en la zona de corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la

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 TRANSISTOR BJT

unión de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las

cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las más interesantes desde el
punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una
zona puramente teórica y sin interés práctico. (EUSKAL HERRIKO
UNIBERTSITATEA, 2009)

- Los amplificadores de pequeña señal BJT, normalmente se usan para conmutación

debido a alto rango de frecuencias que puede manejar, y no para amplificar señales,
ya que para amplificar se usan los amplificadores operacionales, que son sencillos
de usar, y las ecuaciones no son tan engorrosas. Los amplificadores de potencia
BJT, se usan para amplificar señales, normalmente de audio, y no para
conmutación, para conmutar a alta potencia se usan MOSFETs e IGBTs.

3. SIMBOLOGÍA:
- El transistor BJT presenta dos símbolos, de acuerdo con la dirección de la corriente
de emisor, es decir si la corriente de emisor sale del transistor, o si por el contrario
ingresa al transistor, si la corriente del emisor sale del transistor se denomina NPN,
por el contrario, si la corriente de emisor ingresa al transistor se denomina PNP.
Los símbolos son los siguientes:

- Como se puede observar la flecha indica la dirección de la corriente de emisor. Una

manera sencilla de recordar cuándo es NPN y PNP, es la siguiente, cuando la flecha
apunta hacia dentro, la corriente de emisor penetra, entonces es PNP, y cuando la
flecha va hacia fuera, la corriente de emisor no penetra, entonces se sabe que es
NPN. (Wilaeba Electrónica, 2017)

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 TRANSISTOR BJT

4. CARACTERÍSTICAS:
Dado que un transistor de unión bipolar es un dispositivo de tres terminales, hay tres
formas de conectarlo dentro de un circuito eléctrico, mientras que un terminal es el
mismo para la salida y la entrada. Cada método de conexión responde de manera
diferente a las señales de entrada dentro de un circuito.
La Configuración de emisor común: tiene ganancia de tensión y de corriente.
La configuración de colector común: no tiene ganancia de tensión, pero sí de corriente.
La configuración de base común: no tiene ganancia de corriente, pero sí de tensión.
- FÍSICAS: Un transistor BJT, tiene tres pines, la base, el emisor y el colector. En la
referencia que viene marcada en el transistor no se indica cual es cada pin, y
tampoco se indica si son NPN o PNP, por lo cual lo más recomendable es revisar el
manual (datasheet) del transistor que se va a usar. El transistor BJT presenta los
siguientes tipos de encapsulamiento:

- VERSATILIDAD: El transistor BJT permite trabajar tres configuraciones, cada

una con sus propias características, permitiendo amplificar ya sea voltaje, o
corriente, o ambas. Además, cada configuración presenta unos valores
característicos de impedancias de entrada y de salida. Las tres configuraciones son
las siguientes:
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 TRANSISTOR BJT

También permite ser trabajado como conmutador, es decir tomando solo los valores
de voltaje máximo y mínimo (zonas de saturación y de corte).
- POTENCIA: los transistores BJT se dividen en amplificadores de pequeña señal, y
amplificadores de potencia. Los amplificadores de potencia manejan corrientes y
voltajes altos, presenta naturalmente un encapsulado más grande, tiene una
ganancia (beta) menor, y manejan un rango de frecuencias menores, que los que
maneja un amplificador de pequeña señal.
- CURVAS CARACTERÍSTICAS:
o EN BASE COMÚN:
 Curvas Características de Entrada: Sentidos positivos de las
variables que intervienen en las curvas características de entrada en
un BJT PNP en base común. En las curvas características de entrada
en base común se representa:
I E =f (V EB , V CB )

 Curvas Características de Salida: Sentidos positivos de las

variables que intervienen en las curvas características de salida en un
BJT PNP en base común. En las curvas características de salida en
base común se representa:
I C =f (V C B , I E )

o EN EMISOR COMÚN:
 Curvas Características de Entrada: Sentidos positivos de las
variables que intervienen en las curvas características de entrada en
un BJT NPN en emisor común. En las curvas características de
entrada en emisor común se representa:
I B=f (V BE ,V CE )

 Curvas Características de Salida: Sentidos positivos de las

variables que intervienen en las curvas características de salida en

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 TRANSISTOR BJT

emisor común en un BJT NPN. En las curvas características de

salida en emisor común se representa:
I C =f (V CE , I B )

o EN COLECTOR COMÚN:
 Desde el punto de vista de diseño de un circuito con un transistor en
la configuración colector común, se utilizan las características de
emisor común. En el caso de las características de entrada, en
colector común tendríamos I B=f (V CB ,V EC ) , que serían muy
similares a las de emisor común. Respecto a las características de
salida, en emisor común serían I E =f (V E C , I B ) Teniendo en cuenta
que debido a que α ≅ 1; I C ≅ I E , por tanto, las características en
colector común serían casi idénticas a las de emisor común. Es por
ello que, como se ha dicho anteriormente, para el diseño de circuitos
de transistores en colector común, se utilizan las características en
emisor común.
5. TRANSISTORES BJT: NPN Y PNP:
- TRANSISTOR NPN: Un transistor NPN se compone de dos materiales
semiconductores de tipo n separados por una fina capa de semiconductor de tipo p.
Los dos terminales, Emisor y Colector, se extraen de los dos semiconductores de
tipo n y el terminal Base es del semiconductor de tipo p. En el símbolo BJT, la
flecha del terminal emisor indica la dirección de la corriente convencional en el
emisor con polarización directa. Para el transistor NPN, la corriente convencional
fluye fuera del emisor como indica la flecha de salida.

- TRANSISTOR PNP: Un transistor PNP está compuesto por dos semiconductores

de tipo p separados por una fina capa de material de tipo n. Los dos terminales,
Emisor y Colector, se extraen de las dos capas semiconductoras de tipo p y el
terminal Base es del semiconductor de tipo n. En el transistor PNP, la corriente
convencional fluye hacia el emisor como indica la flecha hacia dentro.
(ELECTRÓNICA ONLINE, 2019)

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TRANSISTOR BJT

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 TRANSISTOR BJT

Referencias
ELECTRÓNICA ONLINE. (12 de Septiembre de 2019). ELECTRÓNICA ONLINE.
Recuperado el 02 de Marzo de 2023, de electronicaonline.net:
https://electronicaonline.net/componentes-electronicos/transistor/transistor-de-
union-bipolar/
EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. (02 de Diciembre de 2009). Proyecto Open
Course Ware - Universidad del País Vasco. Recuperado el 02 de Marzo de 2023,
de ocw.ehu.eus: https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-4-
teoria.pdf
Roch, E. (22 de Noviembre de 2020). Transistores. Recuperado el 02 de Marzo de 2023,
de transistores.info: https://transistores.info/transistor-de-union-bipolar-bjt/
Wilaeba Electrónica. (31 de Enero de 2017). Wilaeba Electrónica Blog. Recuperado el 02
de Marzo de 2023, de wilaebaelectronica.blogspot.com:
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/01/transistor-bjt.html