ELECTRÓNICA 2

LABORATORIO 2 - EL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA

PRESENTADO POR:

BRAYAN ROBERTO PIMIENTO PALACIOS – (20202005042)

PHILIP MATEO MILLÁN PATIÑO – (20202005096)

LEIDY JOHANA SÁNCHEZ SUÁREZ – (20202005052)

PRESENTADO A:

JOSE HUGO CASTELLANOS

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

BOGOTÁ – COLOMBIA

2022
 Teorema de Miller

El teorema de Miller simplifica el análisis de un amplificador retroalimentado, a partir de tener en la

entrada y salida del amplificador, una impedancia conectada entre estas terminales, esta impedancia es
denominada impedancia de retroalimentación y puede ser reemplazada por dos impedancias
equivalentes, conectadas a través de la entrada y las terminales de salida, la relación del amplificador y el
circuito equivalente asociado se muestra a continuación:

Relación del amplificador y el circuito equivalente asociado, Ref. 2

Amplificadores voltaje y corriente en emisor común

Dependiendo de la relación en el amplificador de las fuentes de la señal de entrada y de salida, se

clasifican estos amplificadores en cuatro diferentes teniendo amplificadores de voltaje, de corriente, de
transconductancia y de transimpedancia.

Un amplificador de voltaje está constituido en su señal de entrada por una fuente de voltaje y en su salida
también por fuente de voltaje, es utilizado para amplificar una señal de voltaje, simular una resistencia
negativa y multiplicar la capacitancia, este amplificador es denominado como fuente de voltaje controlada
por voltaje (FVCV), está conectado entre una fuente de voltaje V s y una resistencia de carga R L, además
contamos con R S la resistencia de la fuente, A vo es la ganancia en voltaje a circuito abierto, RO
resistencia salida del amplificador, como se muestra en la siguiente figura.

\
Amplificador de voltaje, Ref. 2

Un amplificador de corriente está constituido en su señal de entrada por una fuente de corriente, este tipo
de amplificador también es conocido como amplificador de potencia, es utilizado en en la amplificación de
corriente, la simulación de una resistencia negativa o una inductancia, se representa por medio de una
fuente de corriente controlada por corriente (FCCC), la representación del amplificador de corriente se
muestra a continuación, donde, Ais es la ganancia en corriente en corto circuito, Ri resistencia de
entrada, Ro resistencia de salida.
 Amplificador de corriente. Ref. 2

Respuesta en frecuencia de amplificadores BJT en emisor común

Los BJT tienen capacitancias internas muy pequeñas, por ende la ganancia de corriente depende de la
frecuencia de la señal de entrada, las capacitancias internas establecen el límite superior de frecuencia
en los amplificadores de los transistores, los amplificadores se conectan con la fuente de señal de
entrada y al resistor de carga mediante capacitores de acoplamiento. Las especificaciones de diseño dan
la ganancia en voltaje para un intervalo específico de frecuencia denominado ancho de banda. En alta
frecuencia hay factores que definen el punto de corte en -3dB, la capacitancia de la red (parásita e
introducida) y la dependencia de la frecuencia hfe (β ).
El modelo π de alta frecuencia y señal pequeña está dada por el siguiente modelo, constituido por
capacitancias y resistencias parásitas, teniendo a r B ,r C , r E ,r π y r μ como resistencias parásitas y a
C π y C μ como las capacitancias parásitas, como se muestra a continuación.

Modelo π de alta frecuencia de señal pequeña de un BJT, Ref. 2

 Respuesta en frecuencia de un BJT, Ref. 2

Ganancia y ancho de banda

La ganancia de voltaje se reduce a medida que aumenta la frecuencia, entre las especificaciones del
amplificador operacional se describe la ganancia contra el ancho de banda, obteniendo una gráfica como
se muestra en la siguiente figura, donde se puede observar cómo a medida que se incrementa la
frecuencia de la entrada, la ganancia se reduce hasta alcanzar el valor de 1 valor donde es denominado
ancho de banda de ganancia unitaria ( B1) o frecuencia de ganancia unitaria ( f 1).

Gráfica de ganancia contra frecuencia. Ref 3

Práctica 2

1- Polarizar el transistor para un RB elevado (usar Vcc=12V fuente sencilla), montar el diseño obtenido en
configuración EC (para buen fT y hfe según curvas hojas de datos) y medir la ganancia de corriente (para
esto utilizar Rg’ de 470Ω/5%)) efectuando barrido de frecuencia (mínimo 20 puntos:quince antes de fH y
cinco puntos después de fH) desde 10 KHZ en adelante onda sinusoidal. (Usar uno de los transistores del
arreglo CA3086 o equivalente).

El diseño obtenido en configuración EC esta dado por la siguiente figura:

 Cálculos matemáticos:

Sabemos que Vcc=12V hfe=100 Ic=3 mA , f T =550MHz, C μ=0.58 pF , últimos dos datos tomadas

de hoja de datos, ver anexo.

4.5V
RC = =1.5 k Ω
3 mA

4.5 V
R E= =1.5 k Ω
3 mA

Malla de entrada:

12 V −R B ¿ (I ¿¿ C /hfe )−Vbe−4.5 V =0 ¿

12V −0.7 V −4.5 V

R B= =226.6 k Ω≈ 220 k Ω
30 µA

Ic 3 mA
gm = = =115.3 m A /V
V T 26 mV

hfe 100
r π= = =867.3 Ω
gm 115.3 m

gm 115.3 mA /V
Cπ ≈ = =33.36 ρ F
2 π f T 2 π∗550 MHz

Para la frecuencia superior de corte

1
FH=
2 π r π (C π +C μ (1−kv))

kv =−gm∗RL=−172,95

C i=C π∗C μ (1−kv)=33,36 pF +0,58 pF(1+172,95)=134,2 pF

 τ i =Ci∗R❑π =134.2 pF∗867.3 Ω=116,3 ns

1
fh= ❑
1
2 π ∑ τ i= =1,368 MHz
❑ 2 π∗116.3 ns

C i=C π∗C μ (1−kv∗70 %)

V
Avi=kv∗70 %=−121.065
V

C i=33,36 pF+0,58 pF(1+ 121.065)=104.15 pF

τ i 1=104.15 pF∗867.3 Ω=90.32ns

1
fhi= =1,762 MHz
2 π∗102,62ns

La ganancia de corriente está dada por:

−hfe
Ai ( jf )=
F
1+ j
fH

hfe
¿ Ai ( jf )∨¿
√❑

El circuito montado queda de la siguiente manera:

A continuación la tabla de valores correspondientes al 1 punto :

(en este punto nuestras señales se desfasan para 1.368M)

Graficar en papel semi log, Ai -f y Φ-f. De esta gráfica obtener la fHi; contrastar con la obtenida en el 70%
de Ai en la tabla de datos. fHi y comparar con el valor teórico.

La gráfica realizada en papel semi log, de Ai -f y Φ-f se encuentra en el anexo 2.

3-Medir ahora la ganancia de voltaje y el fHV del amplificador EC. Para esta medida usar polarización por
divisor resistivo en la base: Rb1, Rb2 (aplicando barrido de frecuencia a partir de 10 KHz, mínimo 20
puntos. Usar Rg=50Ω)
Amplificador EC con polarización por divisor resistivo en la base:

Req=Rg ' =50 Ω

−hfe −100
AVm= Rc + Rg= 1,5 k Ω+50 Ω=−113.52V /V
hie ' 867,3 Ω+50 Ω

C i=C π∗C μ (1− Avm)=33,36 pF +0,58 pF(1+113.52)=99.78 pF

τ i =Ci∗Requ i=157.78 pF∗50 Ω=4.989 ns

 1
fh= ❑
1
2 π ∑ τ i= =31.9 MHz
❑ 2 π∗4.989 ns

C i=C π∗C μ (1− Avm∗70 %)

V
Avi=Avm∗70 %=−79.464
V

C i=33,36 pF+0,58 pF(1+ 79.464)=80 pF

τ i 1=80 pF∗50 Ω=4 ns

1
fhi= =39.788 MHz
2 π∗102,62ns
Graficar AV-f y Φ-f. Obtener de la gráfica fHV. Contrastar con la F medida a 70% de AV; Comparar con el
fHi.

La gráfica realizada en papel semi log, de AV-f y Φ-f se encuentra en el anexo 3.

Conclusiones

● Se logró evidenciar que la máxima ganancia de voltaje y de corriente se da a bajas frecuencias,

antes de la frecuencia de corte fH, esto se da ya que al aumentar la frecuencia las capacitancias

parásitas propias del condensador aumenta generando oposición a la corriente generando que

las ganancias disminuyan, donde la máxima ganancia medida en corriente fue de 89.8 y de

voltaje en 127.05, siendo valores cercanos a el hfe de transistor donde su valor es de 100. Por

otro lado se evidenció un mejor ancho de la ganancia de voltaje con 31.9MHz respecto a la

corriente con 1.369MHz siendo este amplificador con mejor rendimiento en amplificación de

voltaje.

● Se logró comprender, analizar y graficar el comportamiento del bipolar y la frecuencia de corte en

corriente y voltaje del amplificador en configuración EC, realizando un barrido en frecuencia por

20 puntos desde 10 kHz, obteniendo para nuestro primer montaje que la ganancia en corriente Ai

se mantiene constante en dB con un valor entre 39dB y 37dB hasta la frecuencia de 1 MHz

donde empieza a caer, hasta la frecuencia máxima de trabajo del CA3086 de fT = 550 MHz, a
 partir del punto de 1 MHz cae 14 dB/dec y posteriormente 18 dB/dec teniendo una frecuencia

superior de corte medida de fH ≈ 1 MHz similar a la calculada de fh=1,368 MHz , para el segundo

montaje del amplificador EC con polarización por divisor resistivo en la base, se observó que la

ganancia en voltaje A v, se mantiene constante en dB con un valor entre 42dB y 40dB hasta la

frecuencia de 30 MHz, donde empieza a caer la ganancia A v, hasta la frecuencia máxima de

trabajo del CA3086 de fT = 550 MHz, a partir del punto de 30 MHz cae aproximadamente 14

dB/dec teniendo una frecuencia superior de corte medida de fH ≈ 30 MHz similar a lo calculado

fh=31.9 MHz . Verificando la relación teórica y gráfica entre la ganancia y ancho de banda, donde l a
ganancia se mantiene constante hasta la frecuencia superior de corte y después se empieza a

reducir a medida que aumenta la frecuencia.

● Por último al relacionar los datos medidos en laboratorio con los datos calculados se evidenciaron

errores de 0 0.004% al 75% y esto pese a que se pudieron cometer errores de medición o que los

cálculos no contaran con datos tan cercanos a los reales del transistor presentando altos errores.

Referencias

1. Clase magistral Jose Hugo Castellanos

2. Circuitos Microelectrónicos análisis y diseño. Rashid
3. Electrónica: Teorías De Circuitos Y Dispositivos Electrónicos. Robert L. Boylestad
4. Dispositivos Electrónicos. Floyd
5. Microelectronic Circuits. Sedra/Smith

Anexos

Anexo 1: