UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

DE AREQUIPA
FACULTAD DE INGENIERÍA DE PROCESOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
QUÍMICA

MATERIALES INDUSTRIALES

Imperfecciones en los Arreglos

Atómicos e Iónicos

Ing. Catalina Rondón Saravia

 DEFECTOS PUNTUALES
Son perturbaciones localizadas en los arreglos iónicos o atómicos de una
estructura cristalina que de otra manera seria perfecta. La perturbación afecta
una región que involucra varios átomos o iones.
Estas imperfecciones pueden ser generadas por:
▪ El movimiento de los átomos o iones cuando ganan energía al calentarse
▪ Durante el procesamiento del material
▪ Por la introducción intencional o no intencional de impurezas.
Por lo general, las impurezas son elementos o compuestos que contienen las
materias primas o se incorporan durante el procesamiento. Por ejemplo, los
cristales de silicio crecen en crisoles de cuarzo cuya impureza es el oxigeno.
Por otro lado, los dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de
manera deliberada, en concentraciones conocidas, en lugares específicos de la
microestructura, con un efecto beneficioso deseado sobre las propiedades o el
procesamiento.
En general, el efecto de las impurezas es perjudicial, mientras
que el efecto de los dopantes sobre las propiedades de los
materiales es útil
 DEFECTOS PUNTUALES

a) Vacancia
b) Átomo intersticial
c) Átomo sustitucional
pequeño
d) Átomo sustitucional
grande
e) Defecto de Frenkel y
f) Defecto de Schottky.
 DEFECTOS PUNTUALES

Vacancias
Se produce una vacancia
cuando un átomo o un ion esta
ausente de su sitio normal en la
estructura cristalina.
Las vacancias, aumenta la
aleatoriedad o entropía general
del material, lo cual incrementa
la estabilidad termodinámica de
los materiales cristalinos.
 DEFECTOS PUNTUALES

Defectos Intersticiales
Se forman cuando se inserta un
átomo o ion adicional en la
estructura cristalina en una posición
por lo general desocupada.
Los átomos o iones intersticiales,
aunque mucho menores que los
átomos o iones localizados en los
puntos de red, siguen siendo mayores
que los sitios intersticiales que
ocupan
En consecuencia, la región cristalina
circundante esta comprimida y
distorsionada.
 DEFECTOS PUNTUALES
Defectos Sustitucionales
Se produce un defecto sustitucional cuando se
reemplaza un átomo o un ion por un tipo distinto de
átomo o ion.
Los átomos o iones sustituciones, que ocupan el sitio de
red normal, pueden ser mayores que los átomos o iones
normales de la estructura cristalina, en cuyo caso se
reducen los espaciados interatómicos circundantes, o se
agrandan, lo que provoca que los átomos circundantes
tengan espaciados interatómicos mayores.
En cualquier caso, los defectos sustitucionales alteran al
cristal circundante.
El defecto sustitucional puede introducirse como una
impureza o como una adición de aleación de manera
deliberada y, una vez introducidos, el numero de
defectos es relativamente independiente de la
temperatura.
 DEFECTOS PUNTUALES
Defectos de Frenkel
Es un par de vacancia-intersticial formado cuando un ion salta de
un punto de red normal a un sitio intersticial, y deja atrás una
vacancia.
Aunque por lo general se asocia con los materiales iónicos, un
defecto de Frenkel puede ocurrir en metales y en materiales
enlazados de manera covalente
 DEFECTOS PUNTUALES
Defectos de Schottky
Es exclusivo de los materiales iónicos y se encuentra de manera
común en muchos materiales cerámicos.
Cuando las vacancias ocurren en un material enlazado iónicamente,
debe estar ausente un numero estequiométrico de aniones y cationes
en las posiciones atómicas regulares para que se conserve la
neutralidad eléctrica.
 DEFECTOS PUNTUALES
Defectos de Schottky
En los solidos iónicos, cuando se introducen defectos puntuales,
tienen que observarse las siguientes reglas:
a. Debe conservarse el balance de la carga de tal manera que el
material cristalino como un todo sea eléctricamente neutro;
b. Debe conservarse el balance de la masa, y
c. Debe conservarse el numero de sitios cristalográficos
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones
Son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera seria
perfecto.
Por lo general se introducen en el cristal durante la solidificación del
material o cuando este se deforma de manera permanente.
Son particularmente útiles para explicar la deformación y el
endurecimiento de los materiales metálicos.
Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones:

• La dislocación helicoidal,
• La dislocación de arista y
• La dislocación mixta
DEFECTOS LINEALES
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones de Arista
Una dislocación de arista o de cuña es la
falta de una línea de átomos
Una dislocación de arista puede ilustrarse si
se corta de manera parcial un cristal perfecto,
se separa el cristal y se llena de manera
parcial el corte con un medio plano adicional
de átomos.
La arista inferior de este plano insertado
representa la dislocación de arista.
Si se describe una vuelta en sentido de las
manecillas del reloj alrededor de la
dislocación de arista, comenzando en el
punto x y se recorre un numero igual de
espaciados atómicos en cada dirección, se
termina en el punto y a un espaciado atómico
del punto inicial. Si no estuviera presente la
dislocación de arista, la vuelta se cerraría.
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones de Arista
El vector que se requiere para completar la vuelta es, el vector de
Burgers, en este caso, perpendicular a la dislocación.
Vector de Burgers Es el vector que expresa la magnitud (longitud)
y la dirección de la distorsión reticular asociada a la dislocación.
Define la dislocación.
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones de Arista
Cuando se produce la dislocación, los átomos sobre la línea de esta se comprimen de
manera estrecha, mientras que los átomos debajo de la dislocación se estiran
demasiado.
La región circundante del cristal es perturbada por la presencia de la dislocación.
Con frecuencia se utiliza el símbolo “ ⊥ ” para indicar una dislocación de arista. El
eje largo de los puntos “⊥” apunta hacia el medio plano adicional.
A diferencia de una dislocación de arista, una dislocación helicoidal no puede
visualizarse como un médio plano adicional de átomos.
 DISLOCACIONES LINEALES
Dislocaciones Helicoidales
La dislocación helicoidal : cizalladura del cristal
La dislocación helicoidal puede ilustrarse si se corta parcialmente un cristal perfecto y después
se lo tuerce en un espaciado atómico.
Si se realiza en un plano cristalográfico una revolución alrededor del eje sobre el cual se torció el
cristal, comenzando en el punto x y luego se recorren espaciados atómicos iguales en cada
dirección en sentido de las manecillas del reloj, se termina en el punto y un espaciado atómico
debajo del punto inicial.
Si no estuviera presente una dislocación helicoidal, la vuelta se cerraría. El vector que se requiere
para completar la vuelta es el vector de Burgers b. Si se continua la rotación, se trazaría una
trayectoria en espiral.
El eje, o línea alrededor de la cual se traza esta trayectoria, es la dislocación helicoidal. El vector
de Burgers es paralelo a la dislocación helicoidal.
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones Mixtas
Esfuerzos Cuando se explica el movimiento de las dislocaciones, es necesario
referirse al concepto de esfuerzo.
El esfuerzo es la fuerza por unidad de área y que se mide en unidades de lb/pulg2
conocidas como psi (libras por pulgada cuadrada) o N/m2 conocidas como pascal
(Pa). Se origina un esfuerzo normal cuando la fuerza aplicada actua perpendicular
al área de interés. Se origina un esfuerzo cortante cuando la fuerza actua en una
dirección paralela al área de interés.
 DEFECTOS LINEALES
Dislocaciones Mixtas
Las dislocaciones mixtas tienen componentes de arista y
helicoidal, con una región de transición entre ellas. Sin
embargo, el vector de Burgers sigue siendo el mismo para
todas las porciones de la dislocación mixta.
 DEFECTOS SUPERFICIALES
Los defectos superficiales son los limites, o planos, que
separan un material en regiones. Por ejemplo, cada región
puede tener la misma estructura cristalina, pero
orientaciones distintas.
Superficie del material
Las dimensiones exteriores del material representan las
superficies en las que el cristal termina de manera abrupta.
Cada átomo ubicado en la superficie ya no posee el numero
de coordinación apropiado y se interrumpe el enlazamiento
atómico.
La superficie exterior también puede ser muy áspera,
contener muescas diminutas y ser mucho mas reactiva que
la mayor parte del material.
 DEFECTOS SUPERFICIALES
Límites de grano
Un grano es una porción del material dentro de la cual el
arreglo de los átomos es casi idéntico; sin embargo, la
orientación del arreglo de átomos, o estructura cristalina,
es distinta en cada grano vecino.
Un límite de grano, es la superficie que separa los granos
individuales, es una zona angosta en la que los átomos no
están espaciados de manera apropiada.
En otras palabras, los átomos están tan cercanos entre si
en algunas localizaciones en los limites de los granos que
generan una región de compresión, mientras que en otras
áreas están tan alejados que generan una región de tensión
 LÍMITES DE GRANO
En la figura se muestran tres granos; el arreglo de los átomos en
cada uno de ellos es idéntico, pero los granos están orientados de
manera distinta
 DEFECTOS SUPERFICIALES
Límites de Grano
Un método para controlar las propiedades de un material es por medio del control
del tamaño del grano. Si se reduce el tamaño del grano, se incrementa el numero
de granos y, por lo tanto, aumenta la cantidad del área de los limites de grano.
Cualquier dislocación solo se mueve una distancia corta antes de que se encuentre
con un limite de grano y se incremente la resistencia del material metálico.
La ecuación de Hall-Petch relaciona el tamaño del grano con el límite elástico.
La ecuación de Hall-Petch no es valida para los materiales con granos
inusualmente grandes o ultrafinos.

Limite Elástico de un material metálico es el nivel mínimo de esfuerzo que

se necesita para iniciar la deformación plástica (permanente)
 DEFECTOS SUPERFICIALES
Fallas de apilamiento
Las fallas de apilamiento, las cuales ocurren en metales
FCC, representan un error en la secuencia de apilamiento
de los planos compactos. Por lo general, se produce una
secuencia de apilamiento ABC ABC ABC en un cristal
FCC perfecto. Suponga que en su lugar se produce la
siguiente secuencia:
ABC ABAB CABC
En la porción de la secuencia indicada, un plano del tipo
A reemplaza un plano del tipo C. Esta región pequeña,
cuya secuencia de apilamiento es CH en lugar de FCC,
representa una falla de apilamiento, las cuales interfieren
con el proceso de deslizamiento.
 IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS
Los defectos extendidos y los puntuales desempeñan una función
principal, pues influyen en las propiedades mecánicas, eléctricas,
ópticas y magnéticas de los materiales de ingeniería.
Cualquier imperfección en el cristal incrementa la energía interna
en el punto de la imperfección. La energía local aumenta debido a
que, cerca de la imperfección, los átomos se acercan de manera
estrecha (compresión) o son forzados a separarse
demasiado(tensión).

Los defectos en los materiales, como las dislocaciones, los

defectos puntuales y los límites de grano funcionan como
“señales de alto” para las dislocaciones. Oponen resistencia al
movimiento de estas y cualquier mecanismo que lo haga otorga
mayor resistencia a los metales