Resúmen
En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de transistores existentes, en
cuanto a sus características, su principio de funcionamiento, sus modos de conexión más comunes y las
aplicaciones de los más usados en electrónica como el caso de los transistores bipolares, Transistor de
efecto campo (FET), el fototransistor etc.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor
("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores
mp3, celulares, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de tres electrodos o tríodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser
Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en
1956. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente
"transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer
los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30
segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que
tenían.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras,
modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que
son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de
colector, se denomina Beta del transistor.
Algunas aplicaciones de los transistores
Al transistor se lo puede montar en emisor común (EC), base común (BC) o colector común (CC). Cada una de
estas configuraciones posee ventajas y desventajas una respecto de las otras, siendo la de emisor común la mas
recurrida a la vez que es la de mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones.
Cada configuración obtiene diferentes coeficientes de ganancia en tensión (GV), así como diferentes
impedancias tanto de entrada como de salida.
A continuación vemos un resumen de las principales características de cada uno de los tres posibles montajes:
G. V. Desfasaje (V) Ze Zs
Montaje
E. C. Alta 180º media media
B. C. Alta 0º baja alta
C. C. <1 0º alta baja
El montaje en Base Común posee una mayor ganancia de tensión frente a los otros dos. También tiene baja
impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado para operar en circuitos de baja frecuencia (B. F.).
Con un montaje en Colector Común logramos una muy baja distorsión sobre la señal de salida y, junto con el
montaje en Base Común, es bastante idóneo a la hora de diseñar adaptadores de impedancia.
Amplificación:
Es la aplicación práctica mas importante para la que se usan los transistores. El diagrama muestra una etapa
amplificadora en emisor común:
El transistor ha sido polarizado por medio de polarización por división de tensión.
Como sabemos, un capacitor en altas frecuencias se comporta como un cortocircuito mientras que a bajas
frecuencias la misma aumenta hasta comportarse como un circuito abierto para C.C.
Viéndolo desde este punto de vista conviene analizar al amplificador en dos etapas, una desde el punto de vista
de la C.A. y el otro desde el punto de vista de la C.C.
Con esta subdivisión podremos analizar al circuito mediante dos circuitos mas sencillos, con lo cual, gracias a la
teoría de la superposición, lo que ocurrirá será que la respuesta total resultará de la suma de los datos obtenidos en
los dos circuitos en que descompusimos al original.
Comenzaremos el análisis en el dominio de la C.C., para ello seguimos los siguientes pasos:
1º) Se cortocircuita el generador de entrada de alterna.
2º) Se consideran los capacitores como circuitos abiertos.
3º) Se analiza este circuito resultante.
Abriendo C1, C2 y C3 y cortocircuitando al generador de entrada en nuestro circuito obtenemos el circuito
resultante que vemos a continuación:
Ahora, y con las referencias ya explicadas, se procede a la resolución del circuito resultante. Con estos datos
obtenemos el punto de polarización (Q).
Para el análisis en C.A. recurrimos a las siguientes reglas:
1º) Se cortocircuita la fuente de tensión de C.C.
2º) Se considera a los capacitores como circuitos cerrados (cortocircuitos).
3º) Se estudia el circuito resultante.
En la figura vemos de que forma hemos procedido para obtener el circuito resultante:
Los capacitores han desaparecido del circuito haciéndose cortocircuitos, la resistencia R 4 desaparece por estar
en paralelo con un cortocircuito, las resistencias R1 y R3 están ahora en paralelo, con lo cual obtenemos Ra. Con las
resistencias de salida ocurre lo mismo, y obtenemos Rb.
Para terminar con nuestro análisis debemos suponer que ahora aplicamos una señal al circuito y veremos cómo
varía el punto Q
En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de señal y cómo varía con la
aplicación de una señal de entrada.
Se ve que la señal Ie no es una correspondencia directa de la aplicada en la base del transistor dado la curvatura
de la gráfica de la característica del transistor.
Es importante verificar bien el lugar de ubicación del punto Q, dado que si queremos que el transistor opere en la
zona activa y polarizamos a éste en un punto Q cercano a la zona de saturación, corremos el riesgo de que cuando
le aplicamos una señal de entrada, Q se desplace hacia la zona de saturación, dejando la zona activa. Para evitar
este problema conviene analizar siempre antes la variación de Q en nuestro transistor y verificar que no salga de la
región donde queremos que trabaje.
Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de los cuales es parte el FET. Los
mismos realizan la función de control de la corriente mediante una tensión aplicada en uno de sus terminales.
Están construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos terminales (Fuente y Drenador), a
esta región se la llama canal y sobre ésta existe otra con signo opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se
forma una unión PN o NP, según sea su topología. Este conjunto está montado sobre un semiconductor con igual
signo al de la puerta. Cuando se aplica una tensión entre Drenador y Fuente, habrá circulación de corriente por el
canal.
El control de dicha corriente se hará con una tensión variable que es aplicada a la puerta, ya que, al aplicar dicha
tensión, las uniones P-N se polarizan en forma inversa, haciendo que el canal se haga más delgado y, por
consiguiente, aumente la resistencia de éste, generando así una variación de la corriente circulante por él.
Como esta corriente de Puerta será extremadamente débil debido a que se trata de una unión polarizada en
inversa, será posible variar la corriente que circula por el transistor sin que sea necesario absorber corriente de él.
También la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido, Semiconductor) es parte de los transistores de
efecto de campo.
Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el que se difunden dos regiones tipo
N que forman la fuente y el Drenador, y, encima de la superficie de estos, se aplica una capa de dióxido de silicio
(SiO2), que tiene la propiedad de ser muy aislante, sobre la que está situada la Puerta. Entre Fuente y Drenador
también existirá un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y anchura será controlada con la tensión de puerta.
En las curvas características de los transistores de efecto de campo se representa la corriente de Drenador (I D)
en función de la tensión aplicada entre Drenador y Fuente (V DS). Como en el caso de la transferencia de los
transistores bipolares, se traza una curva para cada uno de los valores de V GS deseados. También en estas curvas
se observan dos zonas; desde el origen la corriente crece con la tensión, pero alcanzado cierto valor V p, se hace
constante y se forma a partir de allí la segunda zona, a estas dos zonas se las llama región lineal a la primera y
región de saturación a la última.
Este tipo de transistores pueden ser utilizados en los circuitos en una disposición similar a la de los bipolares, es
decir: Fuente común, Puerta común y Drenador común, aunque la primera y la última son las más utilizadas en la
práctica.
