Modelado Convertidores CC
Modelado Convertidores CC
Electrónicos de Potencia
Grupo de Microelectrónica
Departamento de Tecnología Electrónica, Ingeniería de Sistemas y Automática
Durante Durante
DT (1-D)T
ig iL L io ig iL L io
+ - + -
v1 i2 v1 i2
+
- + + + +
- +
Vg v2 C R Vo Vg v2 C R Vo
- - - -
+ - + -
𝑣 0 𝑣 𝑉
𝑖 𝑖 𝑖 0
𝑣 𝑉 𝑣 0
𝑖 0 𝑖 𝑖
𝑣 𝑉 𝑉 𝑣 𝑉
𝑖 𝑖 𝑖 𝑖 𝑖 𝑖
i1 iL L io i1 iL L io i1 iL L io
+v - i2 +v - i2 +v -
+ 1 + + 1 + i2
- + - + + 1
- + +
Vg v2 C R Vo Vg v2 C R Vo Vg v2 C R Vo
- - - - -
+ - + - -
+ -
i2 t
𝑖 1 𝐷 𝑖
DT t
T
iL 𝑖 𝐼
𝑣 DT
𝐕𝐠 𝐕𝒐
𝑖
+ t 𝑰𝑳𝟐 𝑰𝐨 𝟎
- t
𝐕𝒐 𝟏 𝐃
Áreas
T iguales
𝑖 𝑑𝑖
𝑣 𝑣 𝑣 𝑑 𝑣 1 𝑑 𝑉𝐷 𝑉
𝑖 𝑖 𝑖 𝑑 𝑖 𝑖 1 𝑑 =𝑖 𝐼
𝑖 𝑖 L io
+ -
𝑣 𝑖 +
+ +
vg +
- -
𝑣 𝑑 C -
R vo
𝑑𝑖 -
𝑖 𝑖 L io
+ -
𝑣 𝑖 +
+ +
vg +
- - 𝑑𝑣 C - R vo
𝑑𝑖 -
𝑣 𝑉 𝑣 𝑖 𝐼 𝚤̂ 𝑖 𝐼 𝚤̂
𝑑 𝐷 𝑑 𝑣 𝑉 𝑣 𝑣 𝑉 𝑣
𝑖 𝐼 𝚤̂ 𝑖 𝐼 𝚤̂
𝑑𝑖 𝐷 𝑑 𝐼 𝚤̂ + 𝑑𝑣 𝐷 𝑑 𝑉 𝑣
-
𝑑𝑖 𝐷𝐼 𝐷𝚤̂ 𝑑𝐼 𝑑 𝚤̂ 𝑑𝑣 𝐷𝑉 𝑑𝑉 𝐷𝑣 𝑑𝑣
+
-
𝑑𝐼 𝐷𝚤̂
+ 𝑑𝑉
𝐷𝑣
-
𝑑𝑉 SL
𝚤̂ 𝚤̂ 𝚤̂
+
-
+
𝑣 - 𝚤̂ +
𝑣 𝑑𝐼 +
+ 𝐷𝑣 1 𝑣
𝐷𝚤̂ - - R
𝑆𝐶 -
𝑑𝑉 sL
𝚤̂ +
-
+ -
𝑣 + 𝑅
𝑅
𝑣 𝑣 𝑑𝑉 1 𝑠𝑅𝐶
1 𝑠𝑅𝐶 𝑅
- 𝑠𝐿
1 𝑠𝑅𝐶
𝑣 𝑉
𝑑 𝐿
𝑠 𝐿𝐶 𝑠 1
𝑅
𝑑𝑉 sL
𝚤̂ 𝚤̂
+
-
+ -
𝑣 𝚤̂ +
𝑣 𝑑𝐼 +
+ 𝐷𝑣 1 R 𝑣
𝐷𝚤̂ - 𝑠𝐶
-
-
𝑣 𝐷 𝑣 𝑉
𝑣 𝐿 𝑑 𝐿
𝑠 𝐿𝐶 𝑠 1 𝑠 𝐿𝐶 𝑠 1
𝑅 𝑅
2:
iL L SPDT (1-D)T io iL L io
+ + +
+ +
1: +
Vg DT R Vo Vg R Vo
C -
C -
- -
- -
Razón 𝑉
de 𝑉
Transformación 1 𝐷
𝑖 L io
+ -
𝑣 𝑖 +
+ +
vg +
- 1 𝑑 𝑣 - 1 𝑑 𝑖 C - R vo
-
𝑖 𝑖
𝑣 𝑑𝑣 𝑣 𝑣 1 𝑑 𝑉 1 𝐷 𝑉
𝑖 𝑖 𝑑 𝑖 𝑖 1 𝑑 1 𝐷 𝑖 𝐼
1 𝑑 𝑖 1 𝐷 𝑑 𝐼 𝚤̂ 1 𝐷 𝚤̂
𝑑𝐼
1 𝑑 𝑖 1 𝐷 𝐼 1 𝐷 𝚤̂ 𝑑𝐼 𝑑 𝚤̂
𝑑𝑉
+
-
1 𝑑 𝑣 1 𝐷 𝑑 𝑉 𝑣
+
- 1 𝑑 𝑣 1 𝐷 𝑉 1 𝐷 𝑣 𝑑 𝑉 -𝑑 𝑣
+ 1 𝐷 𝑣
-
sL 𝑑𝑉
𝚤̂ 𝚤̂
+
-
+ -
𝑑𝐼 1
+
𝑣 + +
1 𝐷 𝑣
- 1 𝐷 𝚤̂ R 𝑣
𝑠𝐶 -
-
𝑑𝑉 1 𝐷 𝑣 𝑅
𝚤̂ 𝑣 1 𝐷 𝚤̂ 𝑑𝐼
𝑠𝐿 1 𝑠𝑅𝐶
𝑑𝑉 1 𝐷 𝑣 𝑉 𝑅
𝑣 1 𝐷 𝑑
𝑠𝐿 1 𝐷 𝑅 1 𝑠𝑅𝐶
𝚤̂ sL 𝑑𝑉 𝚤̂
+
-
+ -
𝑑𝐼 +
𝑣 1 𝐷 𝑣 + 1 +
- 1 𝐷 𝚤̂ R 𝑣
𝑠𝐶 -
-
𝐼 𝑉
𝐼 𝐿
1 𝐷 1 𝐷 𝑅 𝑣 𝑉 1 𝑠
𝑅
𝑑 1 𝐷 𝐿
𝐿 𝑠 𝐿 𝐶 𝑠 1
𝐿 𝑅
1 𝐷
1: 2: io
DT (1-D)T io
SPDT
+ + + + +
iL iL
Vg C R Vo Vg C R Vo
- L - L - -
-
Razón 𝐷
de 𝑉 𝑉
Transformación 1 𝐷
𝑖 𝑖 L io
+ -
𝑣 1 𝑑 𝑖 𝑖
+ 𝑑𝑣 - +
+
v +
g - 𝑑𝑖 - + C - R vo
1 𝑑 𝑣 -
𝑖 𝑑𝑖
𝑣 𝑑𝑣 1 𝑑 𝑣
𝑖 1 𝑑 𝑖 𝑖
1 𝑑 𝑖 1 𝐷 𝑑 𝐼 𝚤̂
𝑑𝐼
1 𝑑 𝑖 1 𝐷 𝐼 1 𝐷 𝚤̂ 𝑑𝐼 𝑑 𝚤̂
1 𝐷 𝚤̂
𝑑𝑉
+
1 𝑑 𝑣 1 𝐷 𝑑 𝑉 𝑣
-
-
+
1 𝑑 𝑣 1 𝐷 𝑉 1 𝐷 𝑣 𝑑 𝑉 -𝑑 𝑣
-
1 𝐷 𝑣 +
𝑣 𝑑𝐼
𝐷𝚤̂
𝑑 𝑉 𝑉
𝚤̂ sL 𝚤̂
+
-
+ -
1 𝐷 𝚤̂ 𝑑𝐼 +
+ - 1 +
𝐷𝑣 - 1 𝐷 𝑣 + R 𝑣
𝑠𝐶 -
-
+
-
+ -
1 𝐷 𝚤̂ 𝑑𝐼 +
𝐷𝑣 + - 1 +
- 1 𝐷 𝑣 + R 𝑣
𝑠𝐶 -
-
𝐷𝐿
𝐼 𝑉 𝑣 𝑉 1 𝑠
𝐼 𝑅
1 𝐷 1 𝐷 𝑅 𝑑 𝐷 1 𝐷 𝐿
𝑠 𝐿 𝐶 𝑠 1
𝑅
𝐷 𝐿
𝑉 𝑉 𝐿
1 𝐷 1 𝐷
+
-
SPDT + 𝑣 - 𝚤̂
+ 𝑑𝐼 + +
C + R 𝑣 + 1
Vg + 2: Vo - 𝐷𝑣 R 𝑣
- (1-D)T - 𝐷𝚤̂ 𝑠𝐶 - -
-
Funciones de transferencia
Modelo en valores promedio 𝑉
𝑣 𝐷 𝑣
𝐺 𝑠 𝐺 𝑠
𝑣 𝐿 𝑑 𝐿
𝑖 𝑖 L io
𝑠 𝐿𝐶 𝑠
𝑅
1 𝑠 𝐿𝐶 𝑠
𝑅
1
+ 𝑣 - 𝑖
+ + 𝑣
vg + + 𝑑𝑣 C R vo 𝐺 𝑠
-
𝑑𝑖
- -
- + 𝑣
+
𝑑 𝐺 𝑠
𝚤̂
𝑧̂ 𝑠
Modulador de ancho de pulso PWM.
Genera la señal de mando del transistor en 𝑣 𝑣
función de la tensión de control 𝐺 𝑠
-
+
+
𝑣 𝑒̂ 𝑣 𝑑
𝐺 𝐺 𝑠
+ 𝐺 𝑠
-
𝐻
Amplificador de error o controlador. Garante
de la estabilidad del sistema. Se diseña Sensor con ganancia H. Toma una muestra
para obtener un margen de fase deseado a de la tensión de salida. Generalmente
la frecuencia de corte. independiente de la frecuencia.
𝑣 𝑣
𝐺 𝑠 -
+
+
𝑣 𝑒̂ 𝑣 𝑑
+ 𝐺 𝐺 𝑠
𝐺 𝑠
-
̂
𝑣 𝑣 𝑣 -𝑖
𝑇 𝐻𝐺 𝑠 𝐺 𝐺 𝑠 𝑇≫1
En estado estacionario: Vp
Vc
𝑉
𝐷
𝑉 d DT
Perturbando:
𝑉 𝑣 𝑑 1
𝐷 𝑑 𝐺
𝑉 𝑣 𝑉
T
Rb + Rb +
C1 R2
C3 R3
C2
Función de Transferencia
R1 asumiendo multiplicidad
e
- vc doble de los polos y ceros
de alta frecuencia.
Rb +
𝑠
𝑣 𝐵 1
𝜔
𝐺 𝑠
𝑒̂ 𝑠
La Función de Transferencia se realiza 𝐾𝑠 1
siguiendo la secuencia de diseño del 𝜔
Factor K
𝐺 𝑠
𝑣 𝐵 1
𝜔
𝐺 𝑠
𝐺 𝜔 𝑒̂ 𝑠
𝐾𝑠 1
𝜔
𝜔 𝜔 𝜔 𝜔 𝜔
𝐺
𝜔 𝜔 𝜔 𝜔
90º
𝐺 𝜔 𝜔
𝐾
𝜔
Φ
90º 𝜔 𝜔 K
𝜔
𝜔
K
𝜑 180º 𝑇 𝐵
𝐺 𝜔
𝐾𝜔
𝐺 𝜔 𝜑 180º 𝐺 𝜔
𝐵 𝐺 𝜔 𝐾𝜔
Φ 90º 𝐺 𝜔
Φ
1 𝑠𝑖𝑛
2
𝐾
Φ
1 𝑠𝑖𝑛
2
Rb +