Electrónica Analógica I

Laboratorio N°2

Autores:

Matrícula Apellido y Nombre Carrera

41602175 Carrillo, Federico Angel Ing Electrónica

41288156 Fruttero, Federico Ing Electrónica

Año 2020
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Enunciado: Trabajo de laboratorio Nº 2.

Laboratorio Nº 2:

Diseño de amplificador BIFET multietapa con acoplamiento capacitivo.

El laboratorio en modalidad virtual consiste en diseñar un amplificador

multietapa que combina una etapa con FET y otra con BJT como la de
la figura a continuación.

Requisitos de diseño:
1. Ganancia de vo/vin >80
2. Zin>2 Mohm
3. Zo = 8 ohm vista por R9.
4. Selección de componentes y tolerancias.

Análisis del circuito:

1. Modelo circuital calculado y simulado.

2. Análisis de PSD por etapa. Se pretende reportar qué etapa
generó más armónicos causados por las alinealidades de cada
una.
3. THD (Distorsión armónica total) por etapa y total.
4. Límites del circuito. Min. Carga, Máx. Fuente de alimentación etc.
5. Máxima tensión de entrada posible.

Polarización 1°Etapa:

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Mediante el siguiente circuito procedemos al gráfico de la curva de transconductancia

del transistor BSV79

Con los siguientes circuitos procedemos a graficar las curvas paramétricas de salida y la
curva de transferencia del transistor BSV79

Solapando ambos gráficos se obtiene:

Queremos polarizar para Vgs=−3.5 V y Idsq=12.5 mA

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 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Idsq=12.5 mA

Vdsq=6.2V

Como Vg = 0 ⇒ 0 V −Vgs−Ids∗R 1=0

⇒ R 1=Vgs /Idsq =280 Ω

De la ecuación de la recta de carga se obtiene:

Vcc−Vds
Vcc=Vds+ Ids (R 3+ R 1) → −R 1=R 3=184 Ω
Ids

Recta de Carga de Alterna:

Rca=(R 3/¿(R 4 /¿ R 5))+hie 1=(184 Ω/¿ 4.25 k Ω)+271 Ω=448 Ω

⇒ Vdsca=Vdsq+ Idsq∗Rca=11.8V
Vdsq∗1
⇒ Idsca=Idsq+ =26.3 mA
Rca

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Cálculo gm:
Debemos hacer cambios alrededor del punto Q, al tiempo que mantenemos Vds con un
valor constante de 6.2 V. Así, los cambios incrementales se hacen a lo largo de una
línea vertical que pasa por el punto Q. Realizamos los cambios a partir de la curva
situada bajo el punto Q y terminando en la curva situada por encima del punto Q,

Δ iD 19.569mA −6.632 mA
gm=¿ =¿ ¿ 12.93 mS
Δ Vgs 4 V −3 V

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Polarización 2°Etapa:

Análisis Gráfico:
Procedimos al trazado de las curvas paramétricas del transistor 2N3904, para
ello armamos el siguiente circuito:

Mediante un barrido anidado, variamos la corriente de base entre 64 μ A y 118 μ A

con un incremento de 6 μ A y la tensión Vce entre 0V y 13V con un incremento de
100 mV. El resultado fue el siguiente:

CURVAS PARAMÉTRICAS

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Se definió una ICQ = 16mA, decidimos que la tensión caiga un 33% en VCE, un 33% en
VRE y un 33% en VRC.

VRC=Icq∗RC → 4=16 mA∗RC → RC =250Ω

VRE=Icq∗ℜ→ 4=16 mA∗ℜ→ ℜ=250 Ω

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VB=4 V +VBE=4,7 V

Aplicamos el criterio de estabilidad el cual es: β ℜ≫RB

RB=( ℜ.170)/10=4250 K Ω → VBB=VB+ IBRB=5,1 V

RB RB . VCC
R 5=¿ ¿ 7391 Ω R 4=¿ ¿ 10 K Ω
1−(VBB /VCC ) VBB

Recta de Carga de Alterna:

Rca=¿
Rca=¿

⇒ Vce , ca=Vceq+ Idsq∗Rca=8 V

Vceq∗1
⇒ Ic , ca=Icq + =32mA
Rca

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 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Polarización 3°Etapa:

Análisis Gráfico:
Procedimos al trazado de las curvas paramétricas del transistor 2N3904, para
ello armamos el siguiente circuito:

Mediante un barrido anidado, variamos la corriente de base entre 10 μ A y 34 μ A

con un incremento de 6 μ A y la tensión Vce entre 0V y 13V con un incremento de
100 mV. El resultado fue el siguiente:

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Definimos una ICQ = 3.8mA, decidimos que la tensión que cae sobre RE sea un 40% de
VCC y la que cae en VCE sea un 60%.

VCE=7,2 V VRE=4,8V

VRE=Icq∗ℜ→ 4,8=3,8 mA∗ℜ → ℜ=1263 Ω

VB=VRE +0,7=4,8+0,7=5,5V

VCC−VB 12−5,5
VCC−VB=RB. Ib → RB=¿ ¿ ¿ 290 K Ω
Ib 22,35uA

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Recta de Carga de Alterna:

Rca=R 6 /¿ R 10=1 k Ω

⇒ Vce , ca=Vceq+ Idsq∗Rca=11V

Vceq∗1
⇒ Ic , ca=Icq + =11mA
Rca

La máxima excursión de la corriente de colector de la tercera etapa será:

i C 3 , MAX=Icq=3.8 mA
❑ ❑
Por lo que calcularemos la i L ,ca máx :
Para RL=5k:

VL,MAX =iC3,MAX * ( Re3 // RL ) = 3.82 V

IL,MAX =VL,MAX / RL = 0.77 mA

Para RL=2k:

VL,MAX =iC3,MAX * ( Re3 // RL ) = 2.94 V

IL,MAX =VL,MAX / RL = 1.5 mA

Circuito Equivalente De Pequeña Señal:

Para el análisis en pequeña señal procedemos al cálculo de los parámetros necesarios:

● Según el modelo proporcionado por el Multisim para el transistor BSV79, el valor de

la transconductancia gm y la tensión de foco Vaf son:

gm=3.25 mA /V
Vaf =112 V

Vaf + Vdsq
⇒ rds=¿ ¿ 9458 Ω
Idsq

● Calculamos hie1 y hie2 para los BJT 2N3904:

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Tomando un Beta típico de 170:

25 mV 25 mV
hie 1=¿ ∗β typ= ∗170=271 Ω
Icq 2 15.7 mA

25 mV 25 mV
hie 2=¿ ∗β typ= ∗170=1136 Ω
Icq 2 3.74 mA

Una vez obtenidos estos parámetros, procedemos al trazado del circuito equivalente
para pequeña señal:

Cálculo Ganancia Tensión:

Vo
∗V 1´
V 1´
∗V 2´
Vo V 2´
=
Vin Vin

Vo −(ℜ3 ref /¿ RL ref )

= =0,999
V 1 ´ hie 2+( ℜ3 ref /¿ RLref )

V 1 ´ β [RC 2 /¿ RB 3/¿(hie 2+(ℜ3 ref /¿ RLref ))]

= =119,3
V 2´ hie 1

V 2´
¿−gm[ Rds/¿ RD 1/¿ RB2 /¿ hie 1]¿ 1,36
Vin

Vo
∗V 1´
V 1´
∗V 2´
Vo V 2´
= =162
Vin Vin

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Podemos ver que de la simulación del modelo simplificado de pequeña señal se obtiene el
mismo valor de Av.

Si analizamos nuestro modelo completo, podemos observar que la ganancia de tensión

obtenida luego de realizar la simulación es:

Vo
=¿163
Vin

El cual es un valor totalmente aproximado al calculado anteriormente mediante el circuito

equivalente de pequeña señal. Se cumple con la especificación de ganancia propuesta.

Cálculo de Impedancia De Entrada y De Salida:

Se calcularon las impedancias de salida Zout (vista desde la carga) y de entrada Zin (vista
desde la fuente):

Zin=RG 1=2 M Ω

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hie 2 RB3 RC 2
Zout=ℜ3 /¿( +[ /¿ ])¿ 8,07 Ω
β β β

Estos valores cumplen con los requisitos dados para el diseño.

THD ( Total Harmonic Distortion ) :

Es un parámetro técnico que mide la relación entre el contenido armónico de la señal y la
primera armónica o fundamental. Su valor se ubica entre 0% e infinito. Es el parámetro de
medición de distorsión más conocido, es útil cuando se trabaja con equipos que deben
responder sólo a la señal fundamental, como en el caso de algunos relevadores de
protección.

THD=V 1+ V 2+V 3+...+Vm /V 0

Vi: Amplitud o tensión de armónicas

V0: Amplitud de la fundamental

Por cuestiones prácticas, nos valdremos de un instrumento de medida de THD que nos
proporciona el simulador lla
mado “Distortion Analyzer”:

THD total:

Lo colocamos a la salida ajustando el valor de la frecuencia fundamental en 2 kHz. En

primer lugar mediremos la distorsión armónica total, el valor obtenido es el siguiente:

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El valor obtenido está dentro de los límites permisibles.

THD Primera etapa:

Valor obtenido:

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THD Segunda etapa:

Valor obtenido:

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Análisis PSD:
Para hacer un análisis PSD (Power Spectral Density) debemos exportar la señal de salida a
un script de Matlab y se trabajará con algo conocido como “Periodogram”,la cual,en el
procesado de señal, es un estimado de la densidad espectral de la señal( nos informa de
cómo está distribuida la potencia o la energía de dicha señal sobre las distintas frecuencias
de las que está formada). Es decir que mediante la transformada de Fourier
descomponemos la señal y vemos sus distintos armónicos. Procedemos a guardar la señal
de salida como archivo CSV.

Señal de salida
Una vez hecho esto, procedemos a abrir el matlab y ejecutamos vamos a la pestaña Open
y buscamos el archivo, se abrirá la siguiente pestaña:

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Presionamos import y se guardará la tabla en una variable,

ejecutamos el siguiente código:

>> valores= senialsalida.C2;

>> plot(valores)

Se obtiene la misma señal que proporcionaba el Multisim:

Una vez que tengamos la señal le aplicamos la función periodigram, obtenemos lo

siguiente:

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Al utilizar la función periodigram un valor normalizado de frecuencia, no pudimos

determinar el valor de frecuencia de los picos observados, sin embargo, los 3 picos
principales que se ven se deben a la componente fundamental en 2 KHz, a la primer
armónica en 4KHz, y a la segunda armónica en 6 KHz, verificaremos nuestro razonamiento
colocando un analizador de espectros a la salida del amplificador:

Esto condice con lo que se ve dijo anteriormente, se pueden observar los 3 picos en ambas
gráficas de aproximadamente la misma amplitud

Si colocamos el analizador de espectro a la entrada del circuito podemos observar

solamente el pico de la componente fundamental en 2 Khz, aqui, la prueba de que las
componentes armónicas observados anteriormente son producidas por nuestro
amplificador, debido a alinealidades en el mismo.
Para la senoidal pura de entrada Matlab nos proporciona la siguiente gráfica:

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Se observa lo mismo que nos muestra el analizador de espectros en la imagen anterior

Límites del circuito:

Analizaremos los límites de nuestro circuito, encontraremos los valores tanto de carga como
tensión de entrada minimos y maximos de forma que nuestra onda a la salida no tenga
recortes, producto de que el transistor entre en zona de saturación o corte.

En primer lugar analizamos la salida del amplificador para distintos valores de RL:
1. Para un valor de 200 Ω :

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Salida de la señal en corte, para una resistencia de 200 Ω

2. Para un valor de 100 Ω :

Salida de la señal en corte, para una resistencia de 100 Ω

Después de realizar varias pruebas con diferentes valores de resistencia de carga se

observo que para valores menores a 210 Ω la señal de salida ya entra en zona de corte,
esto se debe a que la pendiente en la recta de carga va a ser mayor debido a que la
resitencia disminuye, por este motivo cuando la corriente excursiona entra en corte antes de
entrar en saturacion.

Para una resistencia elevada, no vamos a tener problemas, debido a que la misma está
conectada en paralelo con la resistencia del emisor y queda delimitada por la misma.

Máxima tensión de entrada posible

Ahora, observaremos que sucede con la forma de onda a la salida ante variaciones de la
tensión de entrada:

1. Para Vin = 40 mV:

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2. Para Vin = 25 mV:

3. Para Vin = 80 mV:

Se observa que cuando la tensión de entrada aumenta, la onda a la salida no es más

senoidal sino que la misma se encuentra deformada, esto se debe a que la onda entra en
una zona de saturación o de corte.
Esto sucede debido a que la excursión de la corriente es mayor a la excursión máxima
permitida por nuestro circuito, ya sea para la zona de corte o para la zona de saturación.
Podemos definir entonces como Vin máxima a 20 mV debido que hasta ese valor de tensión
de entrada la salida de la onda es puramente senoidal.

Simulación del circuito con valores de componentes normalizados:

Tomando una tolerancia del 10% :

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Colocando valores de resistencias normalizados, podemos observar que la ganancia de

tensión es 159 el cual es un valor muy aproximado al calculado anteriormente.

Conclusión:

En este trabajo, se logró diseñar un amplificador multietapa que cumpla con las
especificaciones pedidas, esta experiencia fue muy productiva debido a que se puedo
terminar de comprender diversos temas que fueron dados a lo largo de la materia así como
temas ajenos al temario de la materia como los conceptos de THD y PSD que nos
permitieron realizar un estudio más profundo sobre el funcionamiento de nuestro circuito y
que, en nuestro caso, no conocíamos.
En el desarrollo del laboratorio tuvimos ciertas dificultades, la más importante fue no poder
lograr la ganancia de tensión pedida mayor a 80 cumpliendo con las especificaciones de
impedancia, por este motivo se optó por agregar una tercera etapa y gracias a esto se pudo
lograr dicho requerimiento de ganancia.

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