Electrónica Análoga
Solución al problema del circuito con diodos y transistores bipolares
Código: 243006_74
Anderson Cardona y Andres Vasquez
CC10136416638 y CC1070967593
Presentado al tutor:
José Paternina Duran
Universidad Nacional Abierta Y A Distancia - UNAD
Escuela De Ciencias Básicas Tecnología E Ingeniería-ECBTI
02 de abril de 2023
Acacias (META)
Facatativa (Cundinamarca)
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Contenido
Introducción......................................................................................3
Problema...........................................................................................4
Fundamentación teórica....................................................................5
Argumentación..................................................................................6
Simulación en software Proteus del amplificador de baja señal con
JFET...................................................................................................8
Conclusiones....................................................................................11
Referencias bibliográficas................................................................12
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Introducción
Un amplificador de baja señal con JFET (Junction Field-Effect Transistor), es un
dispositivo que se utiliza para amplificar señales eléctricas débiles. Los JFET (transistores de
efecto de campo de unión) son dispositivos semiconductores que se utilizan en la construcción
de amplificadores de baja señal debido a su alta impedancia de entrada y bajo ruido.
El amplificador de baja señal con JFET es especialmente útil en los diferentes circuitos
de transmisión y recepción de información, ya que permite restaurar señales débiles y mejorar
la calidad de la señal.
En general, los amplificadores se utilizan para aumentar la amplitud de una señal
eléctrica. Sin embargo, los amplificadores también pueden introducir ruido en la señal, lo que
puede afectar negativamente la calidad de la señal. Los JFET tienen una alta impedancia de
entrada y un bajo ruido, lo que los hace ideales para su uso en amplificadores de baja señal.
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Problema
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa
instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con
cuatro compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite
restaurar señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información
las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:
Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET para simular en Proteus: J201
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este
diseño se trabajará IDSS=16mA.
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Fundamentación teórica
Imagen 1 Diagrama en software proteus
El amplificador de baja señal análogo, el cual integra un JFET, es un instrumento que
permite amplificar las señales recibidas y ampliarlas en función, con el fin de restaurar señales
de baja amplitud. Lo compone una fuente de poder de 20 voltios continuos que alimentaran el
sistema, el circuito está diseñado para recibir señales oscilantes, dichas señales luego de ser
filtradas en el capacitor C1 y Resistencia RG llegan al Gate del componente JFET J201,
cumpliendo su función de compuerta y permitiendo el flujo de la señal recibida a través de los
pines Source y Drain del mismo componente, señal que es ampliada según la posición del
potenciómetro de un 1Kohm, a menor resistencia del potenciómetro, la amplitud o amplificación
de la señal es mayor, cuando el potenciómetro alcanza el 100% de su capacidad la amplitud de
la señal tiende a ser parecida a la señal inicial, esta señal entra por el pin Source y dará su
salida por el pin Drain amplificada según la posición del potenciómetro.
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Argumentación
Cálculo de la resistencia de drenaje de la resistencia RD
Fórmula utilizada
R D=(V CC −V D)/I D
R D=(20 V −10 V )/3 mA
10 V
RD=
3 mA
RD=3,33 kΩ Para este caso la resistencia en RD es de 3.3kOhm
Cálculo de la resistencia de drenaje RS
Fórmula utilizada
V GS ( OFF )
RS=
I DSS
−8 V 8V
RS= RS=
16 mA 16 mA
RS=500 Ω
1
Cálculo de la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
Fórmula utilizada
Ubicamos loscapacitores C 1 , C 2 , C 3
Para C1 Para C2 Para C3
1 1 1
xc = xc = xc =
1
2 π∗f ∗c 1 2
2 π∗f ∗c 2 1
2 π∗f ∗c 3
1 1 1
xc = xc = xc =
1
2 π∗1000∗10 uF 2
2 π∗1000∗10 uF 3
2 π∗1000∗0,1 uF
x c =15,91 Ω
1
x c =15,91 Ω
2
x c =1591,54 Ω
3
Cálculo de la ganancia de voltaje
Fórmula utilizada
V GS =−I D∗R S ID AV =−Gm∗RD
Gm=
V GS
V GS =−3 mA∗−500 Ω 3 mA AV =−2 mA∗3,33 kΩ
Gm=
1,5 V
V GS =1,5V AV =6,66 V
Gm=2mA
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Simulación en software Proteus del amplificador de baja señal con JFET
Simulación y funcionamiento del circuito Amplificador de baja señal con JFET
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Amplitud de la señal
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Valor VGS Valor VGD
Valor VDS Valor de la corriente ID
Conclusiones
Los amplificadores de pequeña señal requieren que los transistores estén polarizados en
corriente continua, definiendo así un punto operativo, Q, alrededor del cual se moverá
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dependiendo de la señal de entrada. Las características más importantes de un amplificador
son su ganancia, impedancia de entrada e impedancia de salida.
Simulando con un JFET J201 este realiza la labor de amplificar la señal de salida y su
variación con el potenciómetro.
Aunque los cálculos matemáticos se realizan de acuerdo con fórmulas específicas, se
pueden cometer errores durante el proceso de desarrollo, por lo que la retroalimentación
oportuna es importante. También se puede observar que los valores obtenidos
matemáticamente en ocasiones varían con las simulaciones realizadas.
Referencias bibliográficas
Jaeger, R (2005) Diseño de circuitos microelectrónicos. 2da Edición. McGraw Hill
Boylestad, L (2003) Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. 8va. Edición. Pearson
