Sesión 2
Universidad Nacional
Mayor de San Marcos
Facultad de Ingeniería
Dispositivos y Componentes ElectrónicosElectrónica y Eléctrica
Docente: Mg. Oscar Flores
López
Corriente en los Semiconductores
Los electrones en un átomo sólo pueden
existir en bandas prescritas separadas de
bandas prohibidas donde no existen
electrones.
Electrones de Conducción
Si los electrones de valencia (Tº ambiente)
saltan la banda prohibida pueden pasar a
la Banda de conducción (electrones
libres). Cuando sucede este fenómeno en
el cristal de silicio, queda un espacio vacío
denominado hueco, esto genera un par
electrón-hueco. El electrón de banda de
conducción (libre) al perder energía
vuelve a un hueco (Recombinación).
El silicio en estado intrínseco (Tº ambiente) tiene varios electrones
libres a la deriva por el material e igual número de huecos.
Electrones = banda de conducción
Electrones = banda de valencia
Corriente de electrón-hueco
Al aplicar corriente a una placa de silicio intrínseco, los electrones
libres de la banda de conducción se conducen al extremo positivo
en un tipo de corriente llamada corriente de electrón.
Los electrones de la banda de valencia siguen unidos al átomo, sin
embargo pueden moverse a los huecos de esta banda, dejando un
hueco en su posición anterior, a esta corriente se denomina corriente
de hueco, aunque se compone de electrones de valencia.
1. Un electrón libre deja un hueco en la capa de valencia
2. Los electrones de valencia se trasladan a completar los huecos a
la derecha dejando un hueco a la izquierda.
Hueco: Movimiento hacia la izquierda
Electrón: Movimiento hacia la derecha
Nota: Los átomos de silicio se unen por enlace covalente, los átomos
de cobre se unen por enlace metálico.
Dopado
Los materiales intrínsecos no
conducen bien la corriente debido al
limitando número de electrones libres
(banda de conducción) y huecos
(banda de valencia).
El dopado es un proceso que
incrementa sustancialmente la
conductividad del Si y Ge por la
adición controlada de impurezas al
material intrínseco, aumentando los
portadores de corriente (huecos y
electrones).
Semiconductor tipo N
Para incrementar los electrones en la
banda de conducción al silicio se le
agrega átomos pentavalentes. (As, P, Bi,
Sb).
Átomo donador: Los átomos
pentavalentes tienen un electrón extra, al
formar enlaces covalentes con los átomos
de silicio, estos electrones no generan
huecos por que se completa la regla del
octeto
Portador mayoritario: electrones (N)
Portador minoritario: huecos (P)
Electrón libre proveniente
El material tipo N es eléctricamente neutro del átomo de Antimonio
Semiconductor tipo P
Para incrementar los huecos en la banda
de valencia al silicio se le agrega átomos
trivalentes. (B, In, Ga).
Átomo aceptor: Los átomos trivalentes
tienen 3 electrones de valencia, al formar
enlaces 3 covalentes con los átomos de
silicio queda un hueco que puede ser
cubierto por un electrón.
Portador mayoritario: huecos (P)
Portador minoritario: electrones (N) Hueco en el átomo de Boro
El material tipo P es eléctricamente neutro
Diodo
Dos cristales extrínsecos (tipo N y tipo P) se
unen formando la unión p-n en el límite de
las dos regiones.
Región de Empobrecimiento: En la unión p-
n, el material N pierde electrones que se
difunden hacia el material tipo P, haciendo
que se completen los huecos. Así se crea
una capa positiva y negativa cerca de la
unión que se llama región de
empobrecimiento, esta zona es muy
delgada en comparación con todo el
semiconductor y actúa como una barrera
que impide el flujo de electrones en la
unión.
Potencial de Barrera
Cuando existen 2 cargas, positiva y
negativa estás se atraen con una fuerza
(Ley de Coulumb). Las cargas eléctricas de
la región de empobrecimiento se atraen
en un campo eléctrico que actúa como
barrera a los electrones libres del material
tipo N.
El potencial de barrera es la diferencia de
potencial (voltaje) que se necesita para Silicio = 0.7V
mover los electrones a través de la región Germanio = 0.3V
de empobrecimiento en Voltios. Esta A 25ºC
tensión debe aplicarse en la polaridad
adecuada a través de la unión p-n.
