UNIVERSIDAD TÉCNICA “LUIS VARGAS TORRES” DE

ESMERALDAS FACULTAD DE CIENCIAS DE INGENIERÍA

ESCUELA DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA IMPACTO AMBIENTAL
TAREA DE INVESTIGACIÓN

TIPOS DE TRANSISTORES
Y DE DIODOS DE
POTENCIA
(11/04/2023)
JHON JAIRO PALACIOS QUIÑONEZ

RESUMEN: corriente por el canal.

Los circuitos de control de transistores están diseñados para que los En el caso de los bipolares el coeficiente es positivo y se produce el
transistores estén completamente saturados (encendidos) o cortados fenómeno de embalamiento
(apagados). Esto es diferente de lo que sucede con los transistores térmico. Por esta razón cuando se conectan bipolares en paralelo
en otras aplicaciones, como los circuitos amplificadores, donde el para aumentar la capacidad de entregar corriente estos deben
transistor opera en la región lineal o activa. Los transistores tienen conectase con resistencias de emisor para ecualizar y estabilizar la
la ventaja de proporcionar control de encendido y apagado. corriente.
Además, tenemos miedo de una electrónica más simple cambiando Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y
los diodos de potencia. Esto no se puede controlar porque el voltaje concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de
y la corriente en el circuito determinan los estados de encendido bloqueo a conducción y viceversa
(on) y apagado (off) del diodo. Idealmente, un diodo actúa como un no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton ,
cortocircuito cuando está polarizado en directa y como un circuito toff).
abierto cuando está polarizado en inversa. Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades
asociadas a las uniones colector -
Abstract: base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de
Transistor control circuits are designed so that the transistors are los portadores. (Bismarks, 2021)
fully saturated (on) or cut off (off). This is different from what
happens with transistors in other applications, such as amplifier
circuits, where the transistor operates in the linear or active region.
Transistors have the advantage of providing on-off control. Also,
we are afraid of simpler electronics by changing power diodes. This
cannot be controlled because the voltage and current in the circuit
determine the on (on) and off (off) states of the diode. Ideally, a
diode acts like a short circuit when forward-biased and an open
circuit when reverse-biased.
Palabras clave: Potencia, Transistor, Diodos, Corriente, Voltaje
INTRODUCION:

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es El diodo es el interruptor electrónico más simple. N o se puede
idéntico al de los transistores normales, teniendo como controlar, en el sentido de que son las tensiones y corrientes del
características especiales las altas tensiones e intensidades que circuito los que determinan los estados de conducción (activado) y
tienen de corte (desactivado) del diodo. El diodo está polarizado en directa
que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. (conducción) cuando la corriente es positiva y está polarizado en
Existen tres tipos de transistores de potencia: inversa (en corte) cuando la tensión Vj es negativa. En el caso ideal,
• bipolar. el diodo se comporta como un cortocircuito cuando está polarizado
• unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). en directa y se con porta como un circuito abierto cuando está
• IGBT. polarizado en inversa. Las curvas características corriente-tensión
Una ventaja importante de los MOSFET es además que pueden real e ideal se muestran.
colocarse directamente en paralelo para aumentar la capacidad de Una característica dinámica importante de un diodo no ideal es la
entregar corriente. Ya que estos poseen un coeficiente de corriente de recuperación
temperatura negativa. Al aumentar la temperatura disminuye la inversa. Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en
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él disminuye y. momentáneamente, se hace negativa antes de instrumento es aplicable en situaciones de incendio, en

alcanzar el valor cero, como se muestra (Hart, 2001) pequeños espacios y en interiores. Su característica de
refrigeración los convierte en el elemento ideal para este
tipo de situaciones.
 Transformadores de potencia de tipo aceite: Como lo
indica su nombre, el núcleo se encuentra en aceite,
siendo su principal característica. Se utilizan para
trasmisión de energía en mediana y alta tensión, entre
otros.
Caracterización de los transistores de potencia - el transistor
bipolar

DESARROLLO: Generalidades
Aprovechamos a repetir lo dicho una y otra vez en el curso respecto
Principios básicos de funcionamiento a que, si un dato no es acompañado de exactas y completas
condiciones de definición, que en muchos casos necesita
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o además del circuito y procedimiento de medición, su utilización
FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. En el puede no resultar todo lo confiable que uno desearía.
transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para Parámetros máximos
regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se Corriente máxima de colector
hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Es un parámetro absoluto que depende principalmente de la solidez
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos física del transistor. Por lo general está limitado por la fusión de las
dispositivos, que son substancialmente distintas. conexiones internas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la Curvas de primera ruptura
potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es La primera ruptura o avalancha primaria es un fenómeno puramente
siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos eléctrico. Cuando se supera
terminales. un determinado valor de campo eléctrico en la juntura, los electrones
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales: son arrancados y comienza
la avalancha.
 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En la siguiente grafica también puede verse graficada la hipérbola de
 En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID. potencia máxima.
 En ambos casos, con una potencia pequeña puede Es importante observar que la primera ruptura no produce un daño
controlarse otra bastante mayor. irreversible en el transistor a
(Bismarks, 2021) menos que se supere la curva de potencia máxima. (Eberlein &
Vázquez, 2021)
Tipos de transistores de potencia

 Transistores de potencia bipolar: Es un instrumento

con dos uniones (PN) que se encuentran muy unidas.
Este tipo de transformador permite aumentar la
corriente, disminuyendo el voltaje y puede controlar la
energía por medio de sus terminales.
Esta clasificación se subdivide en transistores bipolares
(NPN y PNP) y su diferenciación radica en los
materiales con los cuales son construidos, así como el
sentido de la corriente de polarización.
 Transistores de potencia unipolares: Este dispositivo
está compuesto por una capa semiconductora tipo N
sobre un material tipo P. Su campo eléctrico puede
controlar la conducción de un canal.
 Transformadores de potencia IGBT: Es compatible
con velocidades y potencias altas, por lo que su utilidad
para el control de la tracción en motores es habitual, así
como su aplicación como fuente de energía conmutada.
En el mercado hay otra clasificación vinculada al tipo Curva de potencia máxima
de utilidad de los transformadores de potencia que En la gráfica anterior también puede verse graficada la hipérbola de
describiremos a continuación potencia máxima.
 Transformadores de potencia tipo seco: Este Cuando se supera la capacidad de disipación del dispositivo, la
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temperatura se eleva por encima

de la temperatura de fusión de la juntura y esta se quema. Ya hemos comentado que un diodo de potencia se construye de
Produciéndose en el transistor un daño forma diferente a la del diodo de señal. Un diodo de señal tiene
irreversible. simplemente una unión PN. Pero para que los diodos de potencia
Caracterización de los transistores de potencia - el transistor sean adecuados para aplicaciones de alta tensión y corriente, se
MOSFET construyen de una manera bastante compleja.
A continuación, se muestra la estructura constructiva de los
Parámetros máximos diodos de potencia:
Corriente de drenaje
Por lo general se especifican dos valores:
El primero es la “Corriente máxima continua de Drenaje”, por
arriba de la cual se produce un sobrecalentamiento y destrucción
del transistor que por lo general se origina en el montaje del
mismo, conexiones terminales, etc. en forma similar al
comentado para transistores bipolares.
El otro valor es “Corriente de Drenaje Máxima pu1sante”,
considerado para un pulso
infinitesimal y depende además de las conexiones internas
(metalizaciónes), de la potencia
máxima disipable y de la resistencia del canal RDS ON ( ) que
comentaremos luego. (Rashid, 2004)

Se considera un sustrato n+ fuertemente dopado sobre el que

crece epitaxialmente una capa n-, además, la difusión de la capa
p+ tiene lugar sobre la región n-. Esta región p+ forma la
conexión anódica mientras que el sustrato n+ forma la conexión
catódica.
¿Qué es un Diodo de Potencia?
Un diodo de potencia o diodo de alta potencia es uno de los Principio de Funcionamiento de los Diodos de Potencia
dispositivos semiconductores de potencia que tienen dos El principio de funcionamiento de este diodo es similar al del
terminales (cátodo y ánodo) similares al diodo de unión PN diodo de unión PN normal. Cuando la tensión del terminal
normal, pero que presentan una mayor capacidad de manejo de anódico es mayor que la del terminal catódico, el diodo conduce.
potencia. Están diseñados para manejar varios kiloamperios de El rango de caída de tensión directa en este diodo es muy
corriente en condiciones de polarización directa con una pérdida pequeño, aproximadamente 0.5V – 1.2V. En este modo, el diodo
de potencia insignificante y deben bloquear varios kilovoltios en funciona como una característica directa.
estado de polarización inversa. Si la tensión del cátodo es mayor que la del ánodo, el diodo
funciona como modo de bloqueo. En este modo, el diodo
funciona como una característica inversa. (Rashid, 2004)

Construcción del Diodo de Potencia

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 Diodos Schottky

1. Diodos de propósito general

Los diodos rectificadores de propósito (o uso) general tienen un
tiempo de recuperación inversa relativamente grande, en el caso
típico de unos 25s, y se usan en aplicaciones de baja velocidad,
donde no es crítico el tiempo de recuperación (por ejemplo, en
rectificadores y convertidores de diodo, para aplicaciones con
una frecuencia de entrada baja, hasta de 1 kHz, y para
convertidores conmutados por línea).[12] Esos diodos cubren
especificaciones de corriente desde menos de 1 A y hasta varios
miles de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 50 V
hasta 5 kV. En general, esos diodos se fabrican por difusión. Sin
Características de los Diodos de Potencia embargo, los tipos de rectificadores de aleación que se usan en
Inicialmente, sin tensión de alimentación, la corriente directa es las fuentes de poder para soldar, son lo más económicos y
0, pero a medida que la entrada de alimentación aumenta, y robustos, y sus capacidades pueden llegar hasta 1500 V, 400 A.
alcanza el valor umbral (de unos 0.7 V), una pequeña cantidad La figura 12 muestra diversas configuraciones de los diodos de
de corriente directa fluye a través del dispositivo. Una vez propósito general, que caen casi siempre en dos tipos: uno se
superado el valor umbral, se observa un aumento considerable llama tipo perno, o montado en perno, espiga o terminal; el otro
de la corriente del diodo (a 1V), ya que comienza a conducir. En se llama tipo de disco, paquete prensado o puck de hockey. En un
este caso, se observa un aumento lineal de la corriente directa diodo del tipo montado en perno, el ánodo o el cátodo puede ser
cuando la tensión supera el umbral. (Bismarks, 2021) el perno. (Bismarks, 2021)

2. Diodos de recuperación rápida.

Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de recuperación
corto, en el caso normal menor que 5s. Se usan en circuitos
convertidores de cd a cd y de cd a ca, donde con frecuencia la
velocidad de conmutación tiene importancia crítica. Esos diodos
abarcan especificaciones actuales de voltaje desde 50 V hasta
unos 3 kV, y de menos de 1 A hasta cientos de amperes. Para
voltajes nominales mayores que 400 V, los diodos de
recuperación rápida se suelen fabricar por difusión, y el tiempo
de recuperación se controla por difusión de platino o de oro. Para
especificaciones de voltaje menores que 400 V, los diodos
epitaxiales proporcionan velocidades mayores de conmutación
que las de los diodos por difusión. Los diodos epitaxiales son
angostos de la base, lo que da como resultado un tiempo corto de
recuperación tan corto como 50 ns. (Bismarks, 2021)

3. Diodos schottky
En el modo de polarización inversa, la corriente de fuga fluye a El problema de almacenamiento de carga de una unión pn se
través del dispositivo, que es independiente del potencial puede eliminar o minimizar en un diodo de Schottky. Esto se
aplicado, pero una vez que se alcanza la ruptura, incluso a una logra estableciendo un “potencial de barrera” (o “barrera de
tensión aproximadamente constante, fluye una gran cantidad de potencial”) con un contacto entre un metal y un semiconductor.
corriente inversa. Se deposita una capa de metal sobre una capa delgada epitaxial
de silicio tipo n. La barrera de potencial simula el
¿Cuáles son los Tipos de Diodo de Potencia? comportamiento de una unión pn. La acción rectificadora sólo
La clasificación de los diodos de potencia puede hacerse en depende de los portadores de mayoría, y en consecuencia no
función del tiempo de recuperación inversa, el proceso de queda exceso de portadores de minoría que se recombinen.[14]
fabricación y la penetración de la región de agotamiento en El efecto de recuperación sólo se debe a la capacitancia propia de
condiciones de polarización inversa. la unión del semiconductor. La carga recuperada de un diodo
Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de
Los diodos de potencia, en función del tiempo de recuperación unión [Link] que eso sólo se debe a la capacitancia de la unión, es
inversa y del proceso de fabricación, se clasifican en tres tipos: bastante independiente de la di/dt inversa. Un diodo de Schottky
tiene una caída de voltaje relativamente baja en sentido directo.
 Diodos de uso general La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un
 Diodos de recuperación rápida diodo de unión pn. Un diodo Schottky con voltaje de conducción
relativamente bajo tiene una corriente algo alta, y viceversa. El
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resultado es que el voltaje máximo admisible para este diodo se

limita en general a 100 V. Las especificaciones de corriente de
los diodos Schottky varían de 1 a 400 A. Son ideales para
fuentes de alimentación de gran corriente y alto voltaje de cd.
Sin embargo, esos diodos también se usan en fuentes de poder
de poca corriente, para tener mayor eficiencia. [15]En la figura
13, se ven rectificadores duales Schottky de 20 y de 30 A.
(Bismarks, 2021)

CONCLUSION:

 Se ha podido apreciar la amplificación de la onda de

voltaje, hemos obtenido una ganancia de 16 por lo que
se observa que el transistor amplificó la señal de
entrada.
 El rol de los transistores es muy importante en el
mundo de la música ya que gracias a estos se puede
construir los operacionales que trabajan con ganancias
más elevadas de voltaje.
 Se debe tomar en cuenta el valor de resistencias y
capacitores para la construcción de amplificadores ya
que un ligero valor nos podría llevar al transistor a otro
estado como el de saturación.
 Un diodo es un componente eléctrico que deja pasar la
corriente en una sola dirección y la bloquea en la otra
 Cuando se aplica voltaje a través de un diodo de tal
manera que el diodo permite el paso de la corriente, se
dice que el diodo tiene polarización directa.
 Cuando se aplica voltaje a través de un diodo de tal
manera que el diodo bloquea el paso de la corriente, se
dice que el diodo tiene polarización inversa.
 Los diodos de silicio tienen un voltaje en directa de
aproximadamente 0.7 voltios.
 Los diodos de germanio tienen una tensión directa de
aproximadamente 0,3 voltios.

Referencias
Bismarks, J. (11 de 08 de 2021). Diodos de Potencia. Obtenido de Electrónica Online:
[Link]
Eberlein, S., & Vázquez, O. (2021). Universidad Nacional de Rosario . Obtenido de Transistores de Potencia :
[Link]
Hart, D. w. (2001). Electronica de potencia . Obtenido de El diodo :
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[Link]
[Link]?1580497448=&response-content-disposition=inline%3B+filename
%3DELECTRONICA_DE_POTENCIA.pdf&Expires=1681228027&Signature=DdB3cxWJcdT~C
Rashid, M. (2004). Electronica de potencia . En Circuitos dispositovos y aplicacion (págs. 11-47). Tercera ediccion.
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