MÓDULO 3 Exper1 M3-21.

doc

Dispositivos Electrónicos:

 Diodo semiconductor

Curva característica:
El diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales que idealmente tiene la propiedad de conducir corriente
sólo en un sentido (IF, forward current). En un diodo real, la corriente en sentido inverso (IR, reverse current) es
muy pequeña.

El símbolo circuital del diodo es:  iforward

A K
ánodo cátodo

El diodo está construido sobre una pastilla semiconductora A K

P N
de Silicio ó Germanio, (en la mayoría de los casos Si ).
El Anodo (A) y el Cátodo (K) se forman dopando la misma con impurezas
aceptoras y donoras de electrones; quedando Silicio (o Gerrmanio) tipo P y tipo N respectivamente.

A continuación se muestra la curva característica i = f(v) del diodo de señal 1N4148:

i
20mA
iF
10mA directa

-100V vR -50V vF
iR V 1V 2V v

1A
inversa

2A

Se distinguen dos zonas con distintas escalas de tensión y corriente:

 Directa: cuando el Ánodo es más positivo que el Cátodo, o sea polarizado como en la figura 1, el diodo
conduce y la relación entre i y v está gobernada por la ecuación alineal:
+ VF -
i = IS (ev/VT - 1)
IF
IS : corriente inversa de saturación (25nA @ 25C para el 1N4148) R
 : constante que vale 1 para el Ge y 2 para el Si.
VT : voltio equivalente de temperatura: VT = T /11600 T [ºK] , VT@Tamb: 0.026V Vcc
v/V
Cuando v>>VT, i = IS e T en esta región las tensiones directas del 1N4148 están fig.1
entre 0.6V y 1V. Ej.: si V = 0.6V >> i = 2.5mA
A la caída de tensión en directa la llamamos VF. Cuando esta supera el valor de la tensión umbral V ,
la corriente comienza a aumentar en forma exponencial con la tensión. V=0.2v para Ge y 0.6V p/ Si.

 Inversa: cuando el Ánodo es más negativo que el Cátodo, como en la figura 2,

v/V - VR +
el diodo conduce apenas algunos nanoamperes ( i = -Is porque e T << 1).
La IS del Ge es aproximadamente 1000 veces superior a la del Si.
A la corriente que circula en este sentido se la llama IR (reverse current). IR
R
Si seguimos aumentando la tensión inversa, llegaremos a la región de ruptura
inversa (-100V) en donde la corriente aumenta abruptamente y sólo queda limitada
por el circuito externo: R en el caso de la fig. 2. fig.2 Vcc

.- Para V=0 la ecuación de la corriente nos muestra que i = 0

.- Tanto en directa como en inversa el diodo puede destruirse si se supera su potencia máxima: P=V.I

1
Modelo lineal:

Podemos reemplazar al diodo real por un modelo lineal:

i D. ideal V
La curva representa al siguiente circuito: rd
a k
rd
- Cuando está polarizado "en directa" sería:
V v rd V
a k  a k

La fuente externa Vcc de la fig.1 deberá superar el valor V para que circule corriente en sentido directo.

rd : resistencia dinámica , rd =V/I según el diodo rd puede ir de 20m a 15.

- Cuando está polarizado en inversa (o Vcc< V) el modelo corresponde al de un circuito abierto: a k
 toda la tensión de la fuente externa de la fig.2 cae en el diodo.

Variación con la temperatura:

Al aumentar la temperatura en una juntura PN aumenta la generación de portadores minoritarios que son los
que componen la corriente inversa de saturación IS. Esta se duplica cada 10 ºC aproximadamente.
De la ecuación del diodo y para I = cte se deduce que la caída de tensión VF en el diodo varía con un
coeficiente de  -2.2mV/K. Esta última propiedad se suele usar para medir temperatura.

- Datos del fabricante

Existen diodos para distintas aplicaciones (señal, switching, rectificación, etc.) Dependiendo de esto es como
varían sus parámetros: corriente directa (IF); tensión directa (VF); tensión inversa (VR); corriente inversa (IR);
tiempo de recuperación (trr); etc. Hay que tener en cuenta que la mayoría de estos parámetros están dados
para ciertos valores de corrientes, voltajes y temperatura ambiente. La siguiente tabla nos muestra algunas de
las características principales de diferentes diodos.

trr

Entre los diodos más utilizados están el 1N4007 para rectificadores de baja corriente-alta tensión (1A –1000V)
y el 1N914 (=1N4148) para aplicaciones de velocidad (señal / alta frecuencia) con baja corriente.

2
 Nota:
En la mayoría de las Hojas de Datos de dispositivos semiconductores existe un grupo de especificaciones bajo
el nombre de Maximun Ratings, si se superan dichos valores el dispositivo se destruye. Para el diodo son
muy importantes: VR , IF y Pmáx

- Recta de carga:

En los circuitos con componentes lineales (resistencias, capacitores e inductores) podemos calcular corrientes
y tensiones utilizando los teoremas aplicables a sistemas lineales.
En el caso de circuitos con diodos o cualquier dispositivo en donde la relación i-v se da por medio de una
curva se puede recurrir a la resolución gráfica. Por ejemplo, calculemos el punto de trabajo del diodo ( IF ; VF ),
en el siguiente circuito serie utilizando la curva característica.

+ v - En todo circuito se debe cumplir la ley de Kirchoff de tensiones, o sea que:

i Vcc = iR + v  i = Vcc/R - v/R

R=200

esta última es la ecuación de i(v) del circuito o “ecuación de la recta de carga “

Vcc=4V

La recta de carga tiene una pendiente de –1/R y corta a los ejes v e i en: Vcc y Vcc/R respectivamente.
En el siguiente gráfico están dibujadas la recta de carga y la curva característica del diodo.
i
Vcc/R =20mA El punto de trabajo Q (IF ; VF) será aquel en el que
Q se satisfagan ambas condiciones. O sea que
IF cumple con la característica del diodo y con la
10mA ecuación del circuito dada por la recta de carga

Vcc=4V Nota:
IF y VF se podrían haber calculado usando
1V 2V v el modelo lineal, pero los resultados
serían menos precisos.
VF i.R

Aplicaciones en Instrumentación:

 Rectificación de tensiones alternas en fuentes de alimentación:

Una de las típicas aplicaciones de los diodos es obtener tensiones contínuas a partir de una tensión alterna,
proveniente por ejemplo del secundario de un transformador cuyo primario está conectado a línea (220Vac).
Este proceso se denomina rectificación. Los rectificadores con diodos pueden adoptar alguna de las siguientes
configuraciones:

 Rectificador de media onda (half-wave rectifier):

VF
+ - e
+ EM e = EM sent
220Vac
+
50Hz e iL RL vL
- - t
vL
El diodo conduce durante el semiciclo positivo de la tensión ´e`
del secundario del transformador. Durante el semiciclo negativo VLCCEM / 
no conduce, se comporta como una llave abierta, por lo que
VLCC
deberá soportar una tensión inversa máxima VR = EM
t
El valor medio de la onda rectificada VL es: VLCC  EM / 

3
 Rectificador de onda completa (full-wave) con punto medio:

Ahora utilizamos un transformador con punto medio que nos da una tensión ´e` en cada uno de sus
medio-bobinados, ya que en total en su secundario, tiene el doble de espiras que el anterior.
e
D1 iL EM e = EM sen t

220Vac e
+ t
50Hz e VL RL
- vL
D2
VLCC VLCC 2EM / 
D1 D2

Durante el semiciclo positivo conduce D1 y durante t

el negativo D2. En el semiciclo que uno de los diodos
no conduce aquel deberá soportar una tensión inversa máxima
VR = 2EM (el doble de la anterior).
Ahora el valor medio de la tensión sobre RL se duplicará: VLCC  2EM / 

 Rectificador de onda completa tipo puente (bridge):

En este caso, no se usa un trafo de punto medio pero se necesitan 4 diodos.
e
EM e=EM sen t
iL
+
D1 D2
+ t
VL RL
- vL
220Vca e D4 - D3
50HZ VLCC D1 D2
VLCC  2EM / 
D3 D4

Durante el semiciclo positivo conducen D1 y D3 durante el semiciclo negativo D2 y D4 .

En el semiciclo donde dos de los diodos no conducen estos deberán soportar una tensión inversa máxima
VR = EM (la mitad del anterior). Nuevamente el valor medio de la tensión sobre RL será: VLCC  2EM / 

 Rectificadores Filtrados:

Las tensiones de salida VL de los rectificadores precedentes se alejan de la ideal porque si bien tienen un
valor medio VLCC mantienen una componente grande de tensión alterna. Se define el ripple de una onda como:

ripple % = Valor eficaz de las componentes alternas de la onda x 100

Valor medio de la onda

Para mejorar el ripple de la onda de salida es que los rectificadores son filtrados. Lo más común es agregar un
capacitor C en paralelo con la carga RL. Mientras conduce alguno de los diodos, el capacitor se carga a
prácticamente la tensión del secundario, y cuando estos dejan de conducir, C se descarga exponencialmente a
través de RL con una constante de tiempo  = RL.C .
Existen varios métodos para calcular el valor de C para una dada RL .Un cálculo rápido daría que para tener
una onda de salida bastante plana se debe cumplir:
 = RL.C  1/fL ; fL : frecuencia a la salida del rectificador

Esto se debe a que el capacitor se descarga sólo a través de RL (el ó los diodos impiden que lo haga a través
del transformador). Vemos que para un capacitor dado, mientras menor sea RL (o sea mayor IL) menor será 
y el capacitor se descargará más rápidamente con lo cual aumentará el ripple. Por lo que si queremos
mantenerlo bajo - para una dada carga RL - habrá que aumentar el valor de C.

4
  Rectificador de media onda con filtro capacitivo:

IL vL

220Vac C
+
RL
50Hz e vL
-
t

 Rectificador de onda completa con filtro con capacitor:

D1 IL vL
220Vac C RL
+
50Hz D2 - vL
_

En este caso para un mismo RL.C, el tiempo de la descarga del C es menor => tendremos mayor valor medio

 Recortador

El siguiente circuito muestra como podemos recortar con diodos una tensión senoidal a valores deseados
R . Vout

Vca V+Vd1
D1
D2
Vout

V
Vd2
d2 t
Vd2

Funcionamiento: Semiciclo positivo de Vca: conducirá D1 cuando la tensión en bornes de su rama sea mayor
a V+ Vd1 en tal caso la tensión en sus bornes será superior a Vd1 (0,6V) mientras que D2 no conducirá por
estar polarizado en inversa. Semiciclo
emiciclo negativo de Vca, conducirá D2, siendo ahora
hora Vout= - Vd2. El D1 no
conducirá en este semiciclo por estar polarizado en inversa.

 Protección contra sobretensiones de interruptores que controlan corrientes inductivas

Cuando se corta la corriente que circula por un inductor

inductor, aparece en sus extremos una fem autoinducida
ε = - L di /dt que se opone a dicho cambio. La misma puede ser elevada si el inductor o la di /dt son grandes.
Por ejemplo, consideremos el siguiente circuito en el cual suponemos el interruptor inicialmente ccerrado. El
inductor podría ser la bobina de un relé, de una electroválvula, etc.
Al abrir el interruptor, la inductancia L trata de mantener la corriente fluyendo desde A hacia B. Esto hace que
S
el potencial en B se torne más positivo que en A ; la bobina actúa transitoriamente como
A generador de tensión de valor: vL = L di /dt . En ese instante la tensión vs entre los contactos
Vcc L del interruptor será:: vs = Vcc + vL , esta puede ser tan elevada como para que se produzca un
iL arco entre los mismos. Si el interruptor es mecánico esto disminuye la vida de los contactos y
provoca además interferencias que pueden afectar a circuitos cercanos. Si el interruptor
B
fuera un semiconductor (Tr),, el pico de tensión puede provocar la superación de su
tensión de ruptura
.
S
Una solución a este problema es utilizar un diodo de amortiguación (diodo dumping) en
- paralelo con la bobina. De manera que cuando el contacto se abre, la tensión generaen
L
Vcc VL la bobina
bina polariza directame
directamente al diodo y cuando llega al V este comienza a conducir
+ iOFF
descargando la energ
energía almacenada en la bobina. Luego VL no superará los 0.6V y no
existirá arco en bornes de S S. Cuando el interruptor está cerrado el diodo no conduce
porque está polarizado en inversa.

5
- Diodo Zener

- Curva característica:

El diodo zener es un diodo semiconductor que funciona en la región de ruptura inversa donde la tensión Vz
se mantiene aproximadamente constante, independientemente de la corriente que circule por él. Si se lo
polariza en directa funciona como un diodo común. Hay una gran variedad de diodos zener con tensiones Vz
que van desde 2.4V a 400V y potencias desde 400mW a 5Watt o mas.
El símbolo que representa a un diodo zener es:
ánodo cátodo

Para que el diodo zener funcione correctamente se deben cumplir las siguientes condiciones:

1.- Que al menos circule por él una corriente IZK (de codo) que asegure que está en la zona de zener.
Típicamente IZK va desde centenas de A hasta algunos mA dependiendo del zener.
Criterio de diseño: en caso de no saber el valor de IZK se tomará IZK =1mA.

2.- Que la corriente inversa Iz que circula sea tal que no se supere la potencia máxima: Pz=Vz..Iz  Pzmáx

La siguiente es la curva característica del diodo zener 1N4740 de Vz=10V y PzMÁX=1W.

i Este diodo zener posee una resistencia dinámica

RDIN = V/I = 7 , medida a 25mA (en un zener
ideal su valor sería 0).
Su baja resistencia dinámica hace que ante grandes
variaciones de corriente a su través habrá pequeñas
-10VVZK -5V variaciones de tensión en sus bornes.
Ejemplo:
IZK v
Calculemos el porcentaje de variación de su tensión
si la corriente sobre él se modifica un 10% alrededor
zener zener 30mA de 25mA:
real ideal
V = RDIN I = 7 x 2.5 mA = 17.5mV 
62mA
=> V / V = 0.0175/10 = 0.00175 = 0.175%

 Aplicación en Instrumentación: Regulador de tensión paralelo

Veremos como un zener en paralelo con una carga RL regula la tensión en la misma ante variaciones de la
alimentación (VIN) ó de la corriente de carga. En un regulador, el zener se alimenta desde una tensión más alta
que VZ a través de una resistencia limitadora R que impide que el mismo se queme por exceso de corriente.

 Variaciones de la tensión de salida en función de las variaciones de la tensión de entrada:

Podemos suponer un modelo del zener compuesto por una resistencia RDIN en serie con una fuente de
tensión constante VZ . Consideremos que iL << i ; condición esta que se debe buscar al diseñar el regulador,
o sea i = iZ. R
R i = (vIN - vOUT) / R ; vOUT= i. RDIN + VZK
RDIN
i i = (vIN - vOUT) / R , si iL<< i  i iz
vIN iL vOut ≡
iz vOUT = RDIN i = RDIN (vIN - vOUT) / R
VZK
vOUT = vIN RDIN /(R + RDIN) (1)

Vemos que las variaciones de la tensión vIN son atenuadas en un divisor de tensión constituido por R y RDIN
Cuanto mayor sea R con respecto a RDIN tanto menor será la variación de vOUT debida a vIN.
Calculemos la variación en la tensión de salida de un zener 1N4740 de 10V alimentado con una resistencia de
150 desde una fuente que puede variar entre 15 y 20V. La resistencia dinámica del zener es de 7.

6
 Si aplicamos (1) tendremos:
vOUT = vIN RDIN/ (R + RDIN) = (20V- 15V ) .7 / (150 + 7) = 0.22V

O sea que si la fuente varió de 15 a 20V , un 33% , la salida sólo lo hizo un 2.2% ( 0.22v 100 )
10v
También podríamos haber calculado vOUT con el modelo lineal del zener, donde I = (VIN – VZ)/ (R + RDIN)
Calculando I para VIN = 15V y 20V  I 64mA –32mA =32mA  vOUT = RDIN. I =0,22v
Resolución gráfica:
Si trazáramos las rectas de carga para Vcc=15V y para Vcc=20V e intersectáramos ambas con la curva del
zener tendríamos sendos puntos de trabajo que nos darían corrientes de 30mA y 62mA respectivamente.

 i = 64mA - 32mA = 32mA y como RDIN = V /i =7 podemos calcular V

V = RDIN i = 7 x 32mA = 0.22V . El V se podría haber sacado gráficamente

 Variaciones de la tensión de salida en función de las variaciones de la corriente de carga IL:

Para el cálculo rápido aproximado supondremos que VIN y VOUT se mantienen constantes =>

R i iL

=> i = (VIN - VOUT ) / R  constante => iL = - iZ

RL
vIN iZ vOUT
 VOUT = RDIN iZ = RDIN iL

Las variaciones de la corriente de carga iL se transmiten totalmente como variaciones en la corriente del zener.
Por lo tanto en el diseño hay que buscar que iz >> iL tal que el zener pueda absorber las mismas sin salir de
su región característica.

 Transistor bipolar de juntura (BJT):

El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de tres terminales: Base, Colector y
Emisor. Está construido en base a dos junturas PN similares a las de un diodo. Puede amplificar tensión o
corriente, produciendo una señal de salida de mayor potencia que la señal de entrada, pero en sí mismo no
genera una potencia extra sino que esta proviene de la fuente de alimentación que polariza al mismo.
La idea es que con una dada señal de entrada a través de su Base ( iB , vb ) obtener una señal de salida por
Colector o Emisor( iC , vc , ve ).
Existen dos clases de transistores según sea su construcción: NPN y PNP cuyos símbolos son:

NPN C (colector) PNP C

B (base) B
E (emisor) E

Emisor Colector
N P N Emisor Colector
P N P

juntura B-E juntura B-C

Base Base
fig.1

En cualquiera de los dos tipos la flecha siempre marca el Emisor y la cola de esta, siempre es de material P
(al igual que en un diodo semiconductor). Emisor y Colector siempre son del mismo tipo de material.
La corriente desde el colector al emisor siempre circula en el sentido de la flecha del emisor.

7
Asimilando cada juntura con la p-n de un diodo, podríamos dibujar el siguiente modelo para cada tipo, el cual
no explica el funcionamiento del transistor, sòlo muestra cómo están polarizadas las junturas B-C y B-E.

npn: C pnp: C
C C

B ≡ B B ≡ B

E E
E E
fig. 2

- Polarización:
Para que el transistor funcione, es necesario polarizarlo. Esto es, conectarle fuentes de alimentación y
resistencias que nos definan el punto de trabajo Q alrededor del cual va a trabajar.
Los circuitos siguientes muestran a los transistores npn y pnp polarizados para trabajar en su región lineal,
Notar que la polaridad de las fuentes es tal que las corrientes en las mallas 1 y 2 circulan en el sentido de la
flecha de emisor.
En el transistor en todo momento se cumplen las leyes de Kirchoff de tensión y corriente, o sea:

Vce =Vcb + Vbe ; IE = I B + I C

npn pnp
IC IC
Rc Rc
Vcc
2
Vcb - - Vcc
Rb Vcb + + Rb
- +
Vce Vce
IB + - IB -
+
Vb Vbe - IE Vb Vbe +
1 IE

fig. 3
La notación es la siguiente:
IB : corriente de base Vbe: tensión base-emisor
IC : “ colector Vce: tensión colector-emisor
IE : “ emisor Vcb: tensión colector-base

Autopolarización:
Los circuitos de la figura anterior están polarizados mediante dos fuentes independientes Vcc y Vb. Es más
común encontrar al transistor polarizado con una sola fuente, a este circuito se lo denomina autopolarizado.

Si hacemos un Thevenin entre

la base y masa tendremos el Rc
R1 I1>>IB Rc
siguiente circuito equivalente,
similar al de la fig.3, donde:
IB Rth
Vi Vcc Vth= Vcc.R2/ (R1+R2) Vcc

Rth= R1//R2 Vth

R2

fig. 4a fig.4b

En el circuito autopolarizado se eligen los valores de R1 y R2 , buscando siempre que la corriente que circula
por ellas I1 sea bastante mayor (al menos 10 veces) que IB , de tal manera que la polarización de base sea más
estable ante posibles variaciones de IB debido por ej. a efectos indeseados como ser Tº.
Veamos ahora las curvas características más importantes del transistor, dadas por el fabricante y que sirven
para polarizar correctamente al mismo.

8
Curvas características:
Las siguientes curvas corresponden al transistor BC3 BC337 (npn) para usos generales.
La fig.4 es la curva de base (IB vs. Vbe) y la fig.5 muestra las de colector ( IC vs. Vce).
En ambas están trazadas las rectas de carga que corresponden a sus circuitos de base y de colector, mallas
 y  de la fig. 3 respectivamente.. Las ecuaciones son:
IB = (Vb - Vbe) / Rb ; IC = (VCC – Vce) / RC

Curva de base: Curvas de colector:

fig.5 fig. 6

Curva de Base: La intersección de la curva de base con su recta de carga nos da el punto de trabajo Qb que
define la corriente de base (100A
A por ej.). Este valor es el que usaremos como parámetro en las Curvas de
Colector.

Curvas de Colector: Si en el circuito de base fijamos la polarización tal que IB=100A,

A, entonces el punto de
trabajo en la curva de colector será Q.

Zona Lineal:
Cuando el transistor funciona en la zona donde las curvas paramétricas se tornan rectilíneas se dice que está
en su zona lineal y se cumplen las siguientes reglas:

1- El colector es más positivo que el emisor en el caso de transistor npn (más negativo para
pa el pnp).

2- Las junturas base-emisor y base-colector

colector -desde
desde el punto de vista de su polarización-
polarización funcionan como
diodos. La juntura base-emisor está directamente polarizada con una caída de potencial entre 0.6V y 0.8V
y la juntura colector-base está inversamente polarizada (ver fig.2).

3- Todo transistor tiene valores máximos de VCE , IC y PD que no deben ser superados para no destruirlo.
Hay otros valores límites que a veces se especifican como IB, VBE (inversa), temperatura, etc.

4- Cuando se cumplen las reglas 1 a 3, la corriente de colector IC es bastante proporcional a la de base IB y se

cumple la siguiente ecuación:

IC = hFE IB + (hFE + 1) ICO =  IB + ( + 1) ICO   IB

Dónde  (hFE) es la ganancia de corriente, tí típicamente igual a 250 para el BC337B37B e ICO es la corriente inversa
de saturación, generalmente despreciable en los cálculos (100nA para el BC337).
La ecuación muestra cómo una pequeña corriente de base controla una m muchoo mayor del lado de colector y
además que: IE  IC. Se suele decir que el transistor es un dispositivo comandado por corriente (la de base).
Nota: El  de un transistor varía con la corriente de colector IC; el fabricante da una curva de tal variación.

9
Transistor como fuente de I:

Como vimos en el Módulo1, un na fuente de corriente

constante es aquella que para un rango dado de
resistencias de carga (RL), entrega
ega siempre la misma
corriente en sus bornes.

Podemos ver en las curvas de colector, que en la Zona

Lineal "para una dada corriente de base",
base" el transistor se
comporta como una fuente de corriente.
corriente Veamos por
ejemplo el circuito de la fig.4 siendo su carga RC
Si tomamos la curva IB=100uA, vemos que al variar RC
varía la recta de carga y el punto de trabajo se mueve
prácticamente sobre una paralela al eje VCE , o sea que IC
se mantiene casi constante para tal IB. Si seguimos
aumentando RC, la recta de carga entrará en la zona de
saturación dejando de comportarse a partir de dicho valor
como fu ente de corriente.

Nota 1: Ya que PTr = Vce. IC => vemos –según

Kirchoff - que a menor RC aumentará Vce y por
ende la potencia que deberá
debe disipar el transistor.
Pregunta: ¿Cuál es la máxima tensión posible en RC?

- Funcionamiento en señal - Amplificador:

Supongamos ahora que en el circuito de la fig.3 ponemos en serie con la tensión de polarización de base
Vb una pequeña señal senoidal VS. Veamos qué sucede sobre la Curva de base.
IB
b
Vb/Rb a

IB
100A .Q b

1V Vb Vbe

Vs

Vb
Observando” la Recta de Carga "a", podemos ver (en el punto inferior de la recta)
cómo al variar el valor de Vb por efecto de VS esta se mueve en forma paralela hacia "c"
" y "b" desplazando
así, el punto de trabajo Qb sobre la curva de base.Para que tal variación de VS se traduzca en una variación
fiel de IB, hay que fijar adecuadamente el punto de polarización Qb en la base del transistor, tal que a las
Vb le correspondan IB similares forma. O sea que IB no se vea recortada como sucedería por si el
imilares en forma
punto de trabajo Qb estuviera ubicado más abajo, como ser con la recta “d”.

Pasemos ahora a las “Curvas urvas de colector

colector”. Vemos que las variaciones de corriente de base se traducen en
cambios de las curvas paramétricas
paramétricas, lo que lleva a que ahora el punto Q (para IB=100uA) se mueva sobre
la recta de carga con lo que variará la corriente de colector IC y la tensión VCE. Podemos así apreciar cómo
una pequeña variación en la base: Vs, Ib , nos produjo una gran variación proporcional de corriente en
el colector: Ic. (Vce) . Notar que con una recta de carga más a la izquierda, el punto Q podría quedar fuera
de la región lineal. Lo mismo sucedería para corrientes de ba base
se de mayor amplitud.
amplitud

10
 IC 100
[mA] 300A
Vcc/RC 250A
80
200A

60
150A

Hipérbola
40 Q 100A
de Pmáx

20
IB = 50A

0 VCE
0 5 10 Vcc 15 20 [V]
Vce IC.RC

Tendremos entonces como resultado de la señal senoidal VS sumada, las siguientes formas de onda:

Ejemplo de aplicación:
Una de las formas de sumar una señal alterna se muestra en el siguiente circuito donde esta se acopla
“en alterna” a través de un capacitor. De tal manera que VS no afecta el punto Q de polarización en continua.
continua

VCC

VS VO2
R1 Rc

VC
C
1

C
IB VO1
Vi VO1
Vs
Vo2 R
L
R2 IE
Re

El valor de C es tal que deja pasar sin alterar a VS , o sea VS=Vi . Sii el transistor está trabajando en su zona
lineal una Vi producirá una variación de la corriente de base IB que se transmite al circuito de colector como

11
 IC  .IB. Calculemos la ganancia de tensión Av= Vo1 / Vi , cuando se toma la salida VO1 [C1 está para
bloquear la tensión continua y dejar pasar a la salida sólo las variaciones de tensión en colector (VC = Vo1)].
Si suponemos Vbecte, la variación de tensión de entrada Vi caerá enteramente en Re tal que Vi=Re.IE
(IE  .IB). A su vez, dado que VC = VCC – IC.RC y Vcc es constante, al aumentar IC en IC tendremos una
VC = Vo1 = - IC.Rc , luego ya que ICIE por estar en la zona lineal, será:

Av = Vo1 / Vi = - IC.Rc / Re.IE  - IE.Rc / Re.IE  - Rc / Re

Vemos que: la variación en la salida Vo1 es invertida respecto a la de entrada Vs= Vi

Si la salida la hubiésemos tomado sobre RE , ahora Vo2 estaría en fase con Vi y la ganancia de tensión
Av = Vo2 / Vi sería 1 ya que Vi  Vo2 .

El transistor como llave:

Otra de las aplicaciones típicas del transistor es la de trabajar cómo una llave (switch). Se puede suponer que
el mismo es una llave que abre o cierra el paso de corriente entre colector y emisor. Para esto el transistor
trabaja fuera de la zona lineal, en las regiones de corte y saturación.

- Regiones de Corte y Saturación:

 Región de Corte:
Se dice que el transistor está trabajando al corte o que está cortado, cuando se cumple que la corriente
corriente de emisor IE es cero, o sea (IB = - IC ), en este caso IB será igual a la corriente inversa de
saturación ICO. No basta por lo tanto reducir a cero la IB para que no exista IE sino que además IB debe ser
negativa, para lo cual habría que aplicar a la base una pequeña tensión inversa (0.1V aproximadamente).
Sin embargo en la mayoría de los casos prácticos se considera al transistor cortado cuando IB0

 Región de Saturación:
En esta región la VCE cae a unas pocas décimas de voltio, y la corriente de colector IC es prácticamente
independiente de la corriente de base, de tal manera que por más que aumente IB no lo hará IC  no se
cumple que IC   .IB. Podemos considerar que la saturación ocurre en el codo de las curvas características
de IC vs. VCE . En esta región ambas junturas quedan polarizadas directamente, con lo cual la VCE puede ser
menor a 0,6V.

La siguiente curva de colector, IC vs.VCE

muestra las tres regiones posibles de uso:
Activa o Lineal, Corte y Saturación.

12
 Aplicaciones en Instrumentación:

 El transistor como llave y adaptador de niveles de corriente y tensión:

Vcc=12V Aprovechamos la propiedad de que una pequeña corriente de base

controla una mucho mayor del lado de colector para comandar con una
Lámpara señal de baja potencia, el encendido y apagado de una lámpara que
requiere mayor tensión y corriente (12V ; 100mA)
IC La señal de control es una tensión digital TTL que vale 0V ó 5V que no
12V/ 100mA puede entregar una corriente superior a 10mA (o sea que no podría
Vin Rb encender la lámpara ni por tensión, ni por corriente).
TTL +5V BC337
10k
La resistencia de la lámpara es : RL=12V / 100mA = 120 con este valor
IB
y Vcc podemos trazar la recta de carga en el circuito de colector.

Vcc = 12V = IC RL + VCE  IC =12V/ RL - VCE / RL

Luego, usando la curva característica de colector IC vs VCE podemos estimar el punto de trabajo Q del
transistor, como se ve en la figura siguiente. Para ello debemos calcular primero la corriente de base IB

si Vin=0V  IB = 0 ; si Vin=5V  IB = (Vin – Vbe) / Rb ; IB=4.4V / 10K  440A

Con este valor tendremos cula es la curva paramétrica de IB con la que se intersecta la recta de carga.

Llave
cerrada 100
IC [mA] 300A
250A
80
200A
60
150A

40 100A

Llave
20 abierta
IB = 50A

0 VCE
0 5 10 15 20 [V]
12V

Aquí vemos que el transistor no está funcionando en la región lineal, ya que si así fuera, la corriente de colector
tendría que ser de: IC = .IB = 250x440A = 110mA. Sin embargo de acuerdo al circuito de colector IC nunca
podría superar los 12V/120 = 100mA. De la intersección de la recta de carga con la curva de IB  440A
Vemos que el transistor está saturado; con IC  90mA y VCE 1V. Luego casi toda la tensión Vcc cae en la
lámpara. Podemos decir que la llave “colector - emisor” está cerrada.
De la misma manera cuando Vin está en su estado bajo (Vin=0V) no circula corriente por la base IB = 0, luego
gráficamente vemos que IC 0 y VCE  12V o sea que “la llave colector - emisor” está abierta.

"Es importante ver cómo, "para una dada IB", cambiando la recta de carga (usualmente variando RL),
se puede lograr que el transistor trabaje en saturación o en su región lineal".
La potencia en el transistor es aproximadamente igual a: P = IC.VCE . Así, una importante ventaja de
trabajar en corte y saturación es que la disipación del transistor es mucho menor que si trabajara en la zona
activa (por ej. con una Vcc=24V) ya que en saturación VCE es muy baja y, en corte IC es muy baja.

Como vimos en el ejemplo del diodo, si la carga fuese la bobina de un relé debería conectarse un diodo en
paralelo con ésta para evitar sobretensiones que pueden llegar a destruir el transistor en el momento de abrir la
llave ( Vce = Vcc+ Vbobina ).

13
Nota:
Existen distintos tipos de transistores, para distintas aplicaciones. Desde transistores de señal (BC337 npn :
VCEO=45V, IC=800mA , PD=625mWatt, fT =210Mhz ) hasta transistores de potencia (2N3055 npn : VCE0=60V,
IC=15A , PD=90watt , fT=10Khz ), pasando por transistores de conmutación (switching) y transistores de radio
frecuencia (2N5179 npn: VCEO=12V , IC=50mA , PD=200mwatt , fT=1800Mhz ).
Recordar que independientemente de su aplicación nunca se deben superar los Maximum Ratings.
Los datos más importantes a tener en cuenta son: VCEO , IC , PD.

 FET (Field Effect Transistors):

Existe otro tipo de transistor con una estructura diferente al transistor de juntura bipolar (BJT ), es el
denominado transistor de efecto de campo (FET). Es también un dispositivo de tres terminales, con uno de
ellos (Gate o compuerta) que controla la corriente que circula entre los otros dos (Drain y Source).
Los símbolos de los distintos tipos de Fets (JFET, MOSFET) son:

Drain D D D La correspondencia de terminales

entre un BJT y un FET es la siguiente:
Gate G G G
Source S S S Gate  Base
JFET P JFET N MOSFET P MOSFET N
Drain  Colector
Source  Emisor
-12
Lo que distingue al FET es que el Gate prácticamente no toma corriente [IG  pA (10 A)] ; a diferencia de la
necesaria corriente de base del BJT. Esto hace que su consumo de potencia sea mucho menor.
Así como se dice que el BJT es un dispositivo gobernado por corriente (IB), el FET lo es por tensión (VGS).
Un JFET N o un MOSFET N son similares a un Transistor NPN (idem con el JFET P y el PNP); la flecha entre
Drain y Source indica el sentido de circulación de la corriente. Hoy día muchas aplicaciones en las que se usa
un transistor BJT pueden ser reemplazadas por un FET mejorando en muchas de ellas su performance.

 Dispositivos Optoelectrónicos

. Fotoresistores (LDR):
La conductividad de un semiconductor aumenta con la iluminación incidente, debido a que la energía de los
fotones libera portadores. Esta propiedad es la que se aprovecha para construir los fotoresistores (LDR: Light
Dependent Resistor). Su resistencia puede variar desde decenas de ohms (iluminado) hasta decenas de Mohm
en oscuridad. Los valores de resistencia varían con el tipo de LDR.

Las características más importantes de un LDR son:

- La variación de resistencia no es lineal con la iluminación que recibe. La gráfica logR vs. log I (iluminación)
es una recta de pendiente negativa (a mayor iluminación recibida, menor resistencia).
- Su tiempo de respuesta ante un escalón de iluminación es del orden de los milisegundos, luego no es bueno
para seguir variaciones rápidas de luz. Incluso, no tiene el mismo tiempo de respuesta para pasar de luz a
oscuridad que a la inversa (responde más rápidamente al cambio de oscuridad a luz).
- Comparado con fotodiodos y fototransistores puede soportar altas tensiones (100V a 600V) y disipar
potencias altas (algunos hasta varios watios), lo que le permite manejar directamente dispositivos
que requieren mas potencia como por ejemplo relés. Su rango espectral de máxima sensibilidad varía de los
515nm a los 735nm, de longitud de onda de radiación incidente.
La siguiente es una tabla con las características más importantes de LDRs de distintos materiales:
Nota: PdM es la potencia máxima de disipación; VM la tensión máxima aplicable al dispositivo; Rdark la
resistencia en oscuridad; R1000 la resistencia a 1000Lx ; M la longitud de onda de radiación incidente de
máxima sensibilidad y tr el tiempo de crecimiento medido desde Rdark al 65% de R1000.

TIPO MATERIAL PdM /VM Rdark() R1000() M (nm) tr (ms)

8
RPY60 seleniuro Cd 50mW/100V >1x10 300< R <800 720 1a3
8
RPY62 sulfoseleniuro 50mW/100V >1x10 3500 550 10 a 20
Cd
8
RPY64 sulfuro Cd 50mW/100V >1x10 3500 500 30 a 50

14
 Aplicaciones más importantes de los LDRs:
1- En fotometría, para medición de iluminación de baja precisión y bajo costo.
2- Como relé sensible a la luz, por ejemplo, para control de iluminación pública.

Nota: Cuando se habla de la energía incidente sobre un dispositivo óptico se suelen encontrar los términos
irradiación e iluminación.
La Irradiación E se define como la densidad de potencia radiante que incide sobre una superficie, está dada
2
en mwatt / cm representa al nº fotones/seg. que inciden sobre una cierta superficie. La energía de los fotones
se da en Julios. El concepto de iluminación tiene que ver con la capacidad del ojo humano de distinguir
diferentes longitudes de onda de radiación visible (luz). Hay una curva de luminosidad normal (campana) de
respuesta del ojo para las diferentes  (la máxima sensibilidad está en el amarillo  570nm)
La densidad de potencia radiante (Irradiación), ponderada con respecto a la curva de iluminación normal se
2
llama Iluminación [lúmenes/m = Lx]. En adelante los términos irradiación e iluminación serán equivalentes.

. Fotodiodo:
Si como se muestra en los siguientes circuitos, se ilumina la juntura de un diodo, estando éste "polarizado en
inversa" o "cortocircuitado" y, se mide su corriente inversa IR se verá que esta varia linealmente con la
iluminación recibida.

símbolo del fotodiodo: D IR IR

Al incidir energía radiante sobre una juntura P-N se generan portadores libres - proporcionales a la energía
recibida - con lo que aparece una nueva componente de corriente inversa (IL) debida a la iluminación.
v/VT
En este caso a la ecuación general del diodo: i = IS (e - 1) se le restará el término IL
v/VT v/VT
 la ecuación del fotodiodo es entonces la siguiente: i = IS (e - 1) - IL (*) ó i = IS e - (IS + IL ) =>

=> en cortocircuito (v=0): i = - IL y con tensión inversa: v < 0 : i = - (IS + IL ) =>

=> con tensión inversa y sin iluminación (IL=0) hay una corriente inversa i = - IS , es la llamada “dark current”
o corriente de oscuridad (al igual que en un diodo esta aumenta con la temperatura). Notar de (*) que para el
caso particular de que esté cortocircuitado (v=0) y sin iluminación (IL=0), será: i = 0, o sea que Idark= 0

- Curva tensión-corriente del fotodiodo:

iluminac. i
i
creciente

-40V -20V VR 1V 2V -2V -1V Vo 1V 2V

”
dark current
2
v 0.5mw/cm
2
i´ Vo v
Ee=1mw/cm
2
1.5mw/cm i"
2
3mw/cm -200A -100A
2
3mw/cm i"´
2
6mw/cm -200A
-400A

Observando las curvas, en la ampliación de la derecha podemos ver lo siguiente:

 Si se lo cortocircuita (v=0), circulará una corriente inversa (i´, i", i"´). El fotodiodo se comporta así como un
generador de corriente y la misma es proporcional a la iluminación recibida. Esta proporcionalidad
también se da si se mantiene en sus bornes una tensión inversa "constante" VR con la desventaja en este caso
de que aparece una dark current y la ventaja de responder más rápidamente a las variaciones de iluminación.
A K A K
A K
 i Is+IL  i
i
VR

15
 A circuito abierto (i = 0) se puede apreciar la presencia de una fem fotovoltaica generada Vo  0.4V para
el Si (0.1V para el Ge). Esta fem en bornes, disminuye si el fotodiodo entrega corriente. Se puede construir
luego un modelo equivalente donde Rint representa la resistencia interna del generador de tensión fotovoltaica.
+ Vo - VO
A K A Rint
+ - K

v/VT Vo/V
La tensión fotovoltaica Vo corresponde a un diodo abierto (i=0)  0 = IS (e - 1) - IL  e T = IL / IS + 1

 VO = VT ln (1 + IL / IS )

Vemos que VO no es lineal con la iluminación sino que logarítmica. Valor típico de VO0,4V.
Si colocamos una RL en bornes del diodo, circulará una corriente inversa que tampoco será lineal con la
Iluminación, estaremos ahora en el cuarto cuadrante de la curva característica.

Rint  3,4k, luego cuando se utiliza el fotodiodo como conversor de energía, lo ideal sería usar como
carga una RL = Rint para obtener así la máxima transferencia desde el generador fotovoltaico.

Las características más importantes de un fotodiodo son:

2
- Su tensión fotovoltaica en vacío V00.4V @ 1watt/cm , =900nm
- Es el dispositivo que ofrece mayor linealidad de corriente (inversa) vs. irradiación incidente. Su ganancia
2
de corriente vs. iluminación es muy pequeña, sensitividad típica: 0.1A/w/cm lo que implica que luego
hay que amplificar esta señal para poder utilizarla apropiadamente.
- Es el que tiene la menor Dark Current  2nA, luego si bien tiene poca ganancia, este es el mejor
semiconductor para medir muy bajas iluminaciones (dentro de los dispositivos simples).
- La gran mayoría tiene su pico de sensibilidad espectral en el infrarrojo: entre 900 y 950nm
- Su tiempo de respuesta es el más bajo  5ns (mayor ancho de banda), por lo tanto es el que mejor
puede detectar señales luminosas que varíen muy rápidamente, de Mhz a Ghz.

Aplicaciones:
- Como fotómetro de precisión por su gran linealidad.
- En fibras ópticas, como transductor de señales luminosas digitales de alta velocidad.
- Detector de muy bajos niveles de iluminación.
- Como generador (paneles solares) poniéndolos en serie, típicamente 36 fotodiodos para obtener 18V.

. Fototransistor:
Es un transistor donde la juntura base-colector (polarizada en inversa) trabaja como fotodiodo y donde el
terminal de base queda abierto o directamente no existe.
Su símbolo es:
La ecuación de IC en un transistor en su zona lineal es: IC = IB + (+1)ICO

En presencia de luz, los portadores generados pasan a engrosar ICO (en forma similar a lo que sucede en el
fotodiodo).
+V
IC = ( + 1) (ICO + IL )

Vemos que la IL del fotodiodo ahora es amplificada por el  del transistor

y obtenemos así una IC >>IL proporcional a la radiación incidente.
 IC = (+1)(ICO+IL)

También se ve que en oscuridad (IL=0) la Dark Current es:

Idark = ( + 1) ICO

o sea que también es amplificada  veces, lo cual es una desventaja.

16
Las características más importantes de un fototransistor son:

- No posee tan buena linealidad como el fotodiodo, debido a que  varía con IC
- Tiene buena ganancia de corriente vs. irradiación (mucho mayor que la del fotodiodo).
2
Sensitividad típica: 5A/w/cm ; esto elimina la necesidad de amplificar la señal.
- Tiene mayor Dark Current  50nA, luego, si bien tiene mayor ganancia, este dispositivo no es el mejor
para medir muy bajas iluminaciones.
- Tiene mayor tiempo de respuesta, ej. 3µs (=> menor ancho de banda  200Khz)  no es bueno para medir
señales luminosas muy rápidas  Mhz
- La sensitividad máxima está entre los 800 y 950nm (infrarrojo).

Aplicaciones:
- Sensor en controles remotos
- Detector de posición
- Tacómetros ópticos
- Llave óptica

Nota: Tanto en el fotodiodo como en el fototransistor su respuesta depende del ángulo de incidencia de la
irradiación. Existe en ambos un dato denominado “angle of half sensitivity” que nos da el ángulo de incidencia
con respecto al centro del mismo con el que obtendríamos la mitad de su respuesta. Dependiendo de su
construcción va de +/- 8 a +/- 60.

La siguiente es una tabla de datos de fotodiodos, fototransistor y fotodarlington de Motorola

La siguiente es una tabla comparativa entre los principales características de los sensores ópticos vistos.
En la misma figura como 1º, el elemento que presenta la mejor performance.

Linealidad Velocidad Sensibilidad(*)

Fotoresistor (LDR) 3º 3º 3º

Fotodiodo 1º 1º 1º (*) a bajas ilumninac.

Fototransistor 2º 2º 2º

17
. Diodo emisor de luz (LED):

Son diodos cuya característica principal es que cuando por ellos circula corriente en directa, emiten una
determinada radiación I. Se utilizan distintos materiales semiconductores: arseniuro de galio (infrarrojo) ,
fosfuro-arseniuro de galio (rojo y amarillo) y fosfuro de galio (verde). Su símbolo es:

LED

Tiene una curva similar a la de un diodo común pero presentan una caída de tensión directa entre 1.5V y 2.5V.
Los LEDs son más económicos que las lámparas incandescentes, tienen mayor eficiencia y duran más.
Los LEDs infrarrojos, rojos y amarillos producen una intensidad de radiación o intensidad luminosa que
varía linealmente con la corriente directa a través de ellos, la cual puede variar de 1mA a 100mA. Los
infrarrojos (800 a 950nm) son los emisores típicos de fotodiodos y fototransistores.
A corriente constante, la intensidad de radiación o la intensidad luminosa que emiten decrece con el aumento
de la temperatura. También disminuye la potencia emitida con la “edad” del dispositivo.
Un valor a tener muy en cuenta para su protección es la máxima tensión inversa que soporta VR  6V , que es
un valor relativamente bajo comparado con el de un diodo común. Veamos los datos técnicos del MFOE200

. Optoacopladores

La combinación de un LED con algún tipo de fotodetector conforma un dispositivo denominado optoacoplador
La principal aplicación de estos componentes es transmitir información digital (y algunos pocos analógica)
entre dos circuitos y al mismo tiempo aislarlos galvánicamente.
En el cuadro siguiente se ven las características de algunos optoacopladores comerciales, donde CTR es la
relación de transferencia entre la corriente de salida del receptor y la del emisor (led) y VDC es el máximo voltaje
de aislación entre emisor y receptor que soporta durante 1seg.

TIPO ESQUEMA DISPOSITIVO CARACTERISTICAS CTR (%) VDC(V) BVCEO

(IC / IDIODO)
Alta velocidad de
Led 6N135 transmisión y alta
fotodiodo- 6N136 resistencia de 35 2500
transistor aislación

Led - 4N35 Bajo costo.

fototransistor 4N36 Estandard industrial 100 5300 30

Alta dv/dt. Corriente del

Led - IL420 Baja corriente en el Led de 7500 VDRM
fototriac Led. disparo 600V
2mA

18
. Tiristores:

Los transistores permiten controlar potencia en circuitos alimentados con corriente contínua.
Existen dispositivos con los cuales es posible controlar potencia alterna en hornos, motores, iluminación etc.

- Rectificador controlado de silicio (SCR) ó Tiristor:

Son componentes semiconductores de tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta ó gate. Estos dispositivos
se ponen en conducción cuando están polarizados en directa (el ánodo más positivo que el cátodo) y además
se le inyecta un pulso de corriente IGATE de unos pocos miliamperes, entre el gate y el cátodo. La conducción
cesa cuando la corriente a través de ellos es menor a la de mantenimiento Ihold. En inversa se comporta
como un diodo común. Existen de tiritores de diferentes potencias con corrientes que van de 0,3A a 200A y
tensiones de bloqueo directa ( VDRM) de 50V a 1400V.

El símbolo circuital que lo representa es:

 iforward
ánodo (A) (K) cátodo

(G) compuerta

La siguiente es la curva característica i vs. v , del SCR TIC106D:

i
ICCM = 5A
4A
VDRM = VRRM = 400V
Ihold = 8mA
VTM =1.7V @ ITM = 5A
2A

400V Ihold 5V 10V

VTM v

La siguiente es una aplicación de rectificación controlada por ángulo de fase:

iforward conducción

iforward

V t
VG vG

El control de la potencia entregada a la lámpara se realiza variando la porción del semiciclo positivo que deja
pasar el tiristor. Cuanto más desfasado –con respecto al inicio de la senoidal - sea el pulso de disparo (trigger)
en el gate, menos potencia irá a la carga.

19
. Triac

Su funcionamiento es similar al SCR excepto que puede conducir en ambas direcciones.

Se presenta el símbolo circuital y la curva característica de un TRIAC TIC216D:

Term. 2 (T2) (T1) Term. 1

(G) Compuerta

i
4A

IT(RMS) = 6A
2A VDRM =  400V
Ihold =  30mA
5V 10V VTM =  2.2V
-v Ihold
-10V -5V v
VTM

-2A

-4A
i

Ahora con el pulso de gate en cada semiciclo controlamos la potencia sobre la carga que será el doble de la
anterior. Los pulsos de disparo para el TRIAC pueden ser de cualquier polaridad.

i
i

V
t

VG
vG

20
. Reguladores de tensión:

- Reguladores fijos

Estos circuitos integrados entregan una tensión constante en la salida dentro de determinada variación de la
tensión de entrada y/o de la corriente de carga. Se dividen en reguladores Serie y Paralelo.
R
regulador

VIN VOUT regul.

VIN VOUT

Regulador Serie Regulador Paralelo

En los reguladores Serie (78L05) hay un elemento serie entre entrada y salida que absorbe las variaciones de
tensión a la entrada.
En los reguladores Paralelo (TL431) hay un elemento en paralelo con la carga (RL) que absorbe más o menos
corriente, de tal manera que la tensión en la carga se mantiene constante, el ejemplo más sencillo de regulador
paralelo es un diodo zener.

Una serie popular de reguladores Serie fijos es la 78XX. La tensión de salida se especifica por los dos últimos
dígitos del número de parte que pueden ser:

05, 06, 08, 10, 12, 15, 18 o 24V

La corriente máxima de esta serie es de 1A.

En caso de excederse la corriente máxima o provocarse un sobre-calentamiento el circuito tiene una protección
interna que actúa cortando el regulador sin dañarlo.
Hay una versión de baja potencia que se conoce como 78LXX. La serie 79XX es la versión de tensión negativa
de la 78XX.

Tomemos como ejemplo el regulador 7805 de +5V de salida:

Vdrop-out
 
1 3 IL 
7805
7V < Vin< 35V Vout = 5V @ IM = 1A
0.1F
 IQ 2 PDISIPACION  Vdrop-out . IL

El capacitor en la salida mejora la respuesta transitoria y mantiene baja la impedancia de salida del regulador a
altas frecuencias.
Debe colocarse también un capacitor de 0.33F a la entrada del regulador cuando éste se encuentra a
considerable distancia de los capacitores de filtro del rectificador.
Dos parámetros importantes en las especificacione son:

1- Tensión de drop-out (Vdrop-out) mínima: es la menor caída de tensión entre la entrada y la salida para
que el regulador funcione correctamente. En el caso del 7805 es de 2V.

2- Corriente de polarización (Iquiscent o IQ) : es la corriente que toma el regulador en la entrada cuando
la salida está en circuito abierto.

Existen versiones mejoradas con corrientes de polarización menores: 75A en el LP2950 y con tensiones de
dropout sensiblemente más bajas por ej: 0.3V en el MAX664.

21
 Aplicación en Instrumentación:

- Refuerzo de corriente en un regulador de tres terminales.

Mediante un transistor de paso puede derivarse del regulador parte de la corriente de carga:
Q1

1 3 VOUT
VIN 78XX
R1 = 6
2

La corriente de carga la entrega el regulador hasta que se alcanzan los 100mA. A partir de este valor la caída
en R1 arranca el transistor Q1 y todo exceso de corriente por encima de 100mA lo provee el transistor.

. Reguladores ajustables - Ejemplos de aplicación:

- Fuente de tensión variable:

A veces se necesita disponer de tensiones que no proveen los reguladores fijos, por ejemplo 4.5V, o bien se
busca una tolerancia de la tensión de salida que sea mejor que el 3%, típico en los reguladores fijos.
La solución es utilizar un regulador ajustable tal como el LM317 (o el LM350) que se ha constituido en un
standard dentro de los de su tipo. Este regulador tiene una tensión mínima de 1.25V entre los terminales de
OUT y ADJ y la forma de aumentar VOUT es a partir del siguiente circuito:

Iin LM317 VOUT IL

IN OUT
R1 1F PREG = Vdrop-out . Iin
VIN
ADJ RLOAD
I 240Ω
Iin= I + IL
R2
5k

El regulador entrega 1.25V sobre R1, y establece entonces una corriente de I1=1.25V/R1. Esta corriente junto
con la de polarización (entre 50 y 100A) circulará por R2. Si seleccionamos R1 tal que I1 >> 100A tendremos
VR2 = I1.R2 = (1.25/R1).R2 , con lo que la tensión de salida será: VOUT= 1,25V + VR2

VOUT = 1.25V + 1.25V.R2/R1 = 1.25V (1 + R2/R1) ; [ Valor típico de R1=240Ω - 1%].

Vemos entonces que variando R2 podemos variar VOUT.

El LM317 viene en distintos encapsulados que permiten entregar mayor corriente. Puede entregar hasta 2.2A
con una (VIN – VOUT) < 15V y el disipador adecuado.
La versión para tensiones negativas es el regulador LM337.

- Fuente de corriente constante - Ej.: fuente de 1A

Si observamos el circuito del regulador ajustable veremos que R2 (RLOAD) recibe una corriente constante
proveniente de la salida que depende únicamente de la relación 1.25V / R1. Por lo tanto si consideramos a R2
como la resistencia de carga la fuente de corriente será:
Si hacemos R1 variable podemos tener una
fuente de corriente variable.
IN LM317 OUT

ADJ Notar que existe una carga RLmáx tal que:

VIN R1=1.25
IQ=50A  IL.RLmáx + 1.25V  Vout máx

donde: Vout máx = VIN + Vdrop-out mín

RLOAD  ILOAD = 1.25V/1.25 =1A
22
Conceptos mas importantes:

.- Diodo: Curva. Recta de carga.. Aplicaciones. Maximum Ratings

.- Zener: Curva. Zona de trabajo. Polarizacion. Recta de carga. Aplicación. Maximum Ratings.
.- Transistor: Polarizaciónes. Curvas de base y Colector. Recta de carga..Zonas de trabajo.
Aplicaciones.Maximum Ratings.
.- Optoelectrónica: Linealidad y velocidad de: LDR, Fotodiodo y Fototransistor. Zonas de trabajo del
Fotodiodo, condciones para la linealidad. Tensión fotovoltaica.
.- Tiristor, Triac. Funcionamiento. Aplicaciones.
.- Reguladores: Fuente de Tensión Variable. Fte. de Corriente. Cargas límites.

23