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Universidad Tecnologica de Santiago "Utesa": Nathalia

Este documento presenta 10 problemas de ejercicios sobre semiconductores y diodos. Los problemas cubren temas como la carga neta de átomos, la clasificación de materiales como conductores o semiconductores, la polarización y corriente en diodos, y cómo acelerar un ordenador aprovechando las propiedades de los diodos. Las respuestas a los problemas proporcionan detalles técnicos sobre conceptos fundamentales de semiconductores.

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Este documento presenta 10 problemas de ejercicios sobre semiconductores y diodos. Los problemas cubren temas como la carga neta de átomos, la clasificación de materiales como conductores o semiconductores, la polarización y corriente en diodos, y cómo acelerar un ordenador aprovechando las propiedades de los diodos. Las respuestas a los problemas proporcionan detalles técnicos sobre conceptos fundamentales de semiconductores.

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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE SANTIAGO

“UTESA”

Nombre:
Nathalia.

Apellido:
Ramírez Piñeyro.

Matricula:
1-21-6823.

Sección:
001.

Docente:
Nestor Juan Rodríguez de la Cruz.

Tema:
Ejercicios de semiconductores.

1
PROBLEMAS.

2-1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?


La carga es neta es -3.

2-2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus
electrones de valencia? La carga neta es +4.

2-3. Clasifique cada uno de los siguientes como un conductor o


semiconductor:

a) Germanio: semiconductor.
b) Plata: conductor.
c) Silicio: Semiconductor.
d) Oro: conductor.

2-4. Un diodo está polarizado en directa. Si la corriente es 5 mA a través


del lado n, ¿cuál es la carga a través de cada uno de los siguientes:

a) Lado p: una carga positiva.

b) Cables de conexión externos: Tendrá carga positiva para el lado


conectado en p, y negativo para el lado conectado en n.

c) Unión: la carga aumenta a medida que se cerca a la unión.

2-5. Clasifique cada uno de los siguientes como un semiconductor tipo n


o tipo p:

a) Dopado por un átomo aceptado: tipo p.

b) Cristal con impurezas pentavalentes: tipo n.

c) Los portadores mayoritarios son huecos: tipo p.

d) Se añadieron átomos donadores al cristal: tipo n.

e) Los portadores minoritarios son electrones: tipo p.

2
2-6. Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas
de 0 °C a 75 °C. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo de la barrera
de potencial?

Vmax: (-2x10-3) (0°C - 25°C)


Vmax: 50 Mv
Vb: 0,7v+ 0,05v=0,75v

Vmin: (-2x10-3) (75°C - 25°C)


Vmin: -100vm
Vb= 0,7.0, 1=0,6v

2-7.Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación de I0 nA a 25 °C.


Si debe funcionar en el rango de 0 °C a 75 °C, ¿cuáles serán los valores
máximos y mínimos de la corriente de saturación?

3
2-8.Un diodo presenta una corriente superficial de fugas a IO nA cuando
su tensión inversa es de 10 V. ¿Cuál será su corriente superficial de fugas
si la tensión inversa crece hasta 50 V?

ISL=50v/10v (10 nA)= 50nA

PROBLEMAS DE MAYOR DIFICULTAD.

2-9. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de 5 PA a 25 °c y 100


PA a 100 °c. ¿Cuáles son los valores de la corriente de saturación y la
corriente superficial de fugas a 25 °C?
LI= 5MA - 25°C
LIS= 100NA a 100 °C
1 de saturación a 25°C… 0.53MA
1 de superficial a 25°C… 4,47MA

2-10. Los dispositivos con uniones pn se utilizan para fabricar


ordenadores. La velocidad de un ordenador depende de lo rápido que se
pueda «encender» y «apagar» un diodo. Basándose en lo que ha
aprendido sobre polarización inversa, ¿qué puede hacer para acelerar un
ordenador?
La mejor manera de acelerar un ordenador es amplificando la polarización
directa, ya que cuando el diodo se encuentra polarizado inversamente este se
comporta como un circuito abierto por lo que no pasa corriente por el circuito.
Es decir, la corriente circula con facilidad en un diodo polarizado en directo,
mientras que en una polarización inversa La corriente es aproximadamente
cero.

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