MOSFET

Nahum Olaf Soto Godinez

Matricula:1722110377

3 de marzo de 2023

1. ¿Que es un MOSFET?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor
field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aun-
que el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad
de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador (D), puerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente
y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

2. Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son los
MOSFET de enriquecimiento, que se basan en la creación de un canal entre el drenador y la fuente, al
aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal,
de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenı́a el
sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al
canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET
o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con
un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un
sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se
debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una
disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.

Figura 1: MOSFET y simbologia

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3. MOSFET canal P
También llamamos al canal p MOSFET como PMOS . Aquı́, un sustrato de semiconductor de tipo n
ligeramente dopado forma el cuerpo principal del dispositivo. Usualmente usamos material semicon-
ductor de silicio o arseniuro de galio para este propósito. Hay dos regiones de tipo p muy dopadas
en el cuerpo separadas por una cierta distancia L. Nos referimos a esta distancia L como longitud de
canal y es del orden de 1 µm. Ahora hay una fina capa de dióxido de silicio (SiO2 ) en la parte superior
del sustrato. También podemos usar Al2 O Al3 para este propósito, pero el SiO2 es el más común.
Esta capa sobre el sustrato se comporta como un dieléctrico. Hay una placa de aluminio colocada en
la parte superior de este SiO2 capa dieléctrica.
Ahora la placa de aluminio, el sustrato dieléctrico y semiconductor forman un condensador en el
dispositivo. El canal creado en el mosfet ofrece una resistencia a la corriente desde la fuente hasta el

Figura 2: Funcionamiento del canal P

drenaje. La resistencia del canal depende de la sección transversal del canal y la sección transversal
del canal depende nuevamente del voltaje de puerta negativo aplicado. Entonces podemos controlar la
corriente de la fuente para drenar con la ayuda de un voltaje de puerta aplicado, por lo tanto, MOSFET
es un dispositivo electrónico controlado por voltaje. A medida que la concentración de orificios forma
el canal y la corriente a través del canal aumenta debido al aumento en el voltaje de la puerta negativa,
llamamos al MOSFET como MOSFET de mejora del canal P.

4. MOSFET canal N
El funcionamiento del MOSFET de mejora de canal N es similar al del MOSFET de mejora de canal
P, pero solo operativa y constructivamente estos dos son diferentes entre sı́. En el MOSFET de mejora
del canal N, un sustrato de tipo p ligeramente dopado forma el cuerpo del dispositivo y las regiones
de fuente y drenaje están fuertemente dopadas con impurezas de tipo n. Aquı́ también conectamos
el cuerpo y la fuente comúnmente al potencial de tierra. Ahora, aplicamos un voltaje positivo al
terminal de la puerta. Debido a la positividad de la puerta y el efecto capacitivo correspondiente, los
electrones libres, es decir, los portadores minoritarios del sustrato de tipo p, se atraen hacia la puerta y
forman una capa de iones negativos descubiertos justo debajo de la capa dieléctrica recombinando estos
electrones libres con huecos. Si aumentamos continuamente el voltaje de puerta positivo, después del
nivel de voltaje umbral, el proceso de recombinaciones se satura y luego los electrones libres comienzan
a acumularse en el lugar para formar un canal conductor de electrones libres. Los electrones libres
también provienen de la fuente fuertemente dopada y drenan la región de tipo n. Ahora, si aplicamos
un voltaje positivo en el drenaje, la corriente comienza a fluir a través del canal. La resistencia del
canal depende de la cantidad de electrones libres en el canal y la cantidad de electrones libres en el
canal nuevamente depende del potencial de puerta del dispositivo. A medida que la concentración de
electrones libres forma el canal y la corriente a través del canal aumenta debido al aumento en el
voltaje de la puerta, llamamos al MOSFET como MOSFET de mejora de canal N.

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 Figura 3: Funcionamiento del canal N

5. MOSFET como interruptor

La aplicación más común de un MOSFET es utilizarlo como interruptor. El siguiente circuito muestra
el MOSFET operando como un dispositivo de conmutación para encender y apagar la lámpara. La
tensión de entrada de la puerta VGS se aplica con la ayuda de una fuente de tensión de entrada.
Cuando la tensión aplicada es positiva, el motor estará en estado ON y si la tensión aplicada es cero
o negativa, la lámpara estará en estado OFF.

Figura 4: diagrama del circuito ON y OFF

Cuando se enciende un Mosfet suministrando la tensión necesaria al pin de la puerta, éste permanecerá
encendido a menos que suministremos 0V a la puerta. Para evitar este problema, debemos utilizar
siempre una resistencia pull-down (R1), aquı́ he utilizado un valor de 10k. En aplicaciones como el
control de la velocidad del motor o la atenuación de la luz, utilizarı́amos una señal PWM para la
conmutación rápida, durante este escenario la capacitancia de la puerta del MOSFET creará una
corriente inversa debido al efecto parásito. Para hacer frente a esto, debemos utilizar un condensador
limitador de corriente, he utilizado un valor de 470 aquı́.
La carga anterior se considera como una carga resistiva, por lo tanto, el circuito es muy simple, y en
caso de que tengamos que utilizar una carga inductiva o capacitiva, tenemos que utilizar algún tipo de
protección para evitar que el MOSFET se dañe. Por ejemplo, si utilizamos una carga capacitiva sin

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carga eléctrica se considera como un cortocircuito, esto dará lugar a un alto ≪inrush≫ de la corriente y
cuando la tensión aplicada se retira de una carga inductiva, habrá una gran cantidad de acumulación
de tensión inversa en el circuito cuando el campo magnético se colapsa, dará lugar a un back-emf
inducido en el bobinado del inductor.

6. Ejemplos de circuitos con MOSFET

6.1. interruptor de alimentacion

Figura 5: Diagrama de MOSFET como interruptor

6.2. Cambio de nivel

Figura 6: Diagrama para un cambio de nivel

6.3. Control analogico de baja intensidad

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Figura 7: Diagrama para control analogico de baja intensidad