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TALLER # 1
John Fredy Abril Fandiño
Facultad Ingenieria Electromecanica Escuela, Tecnologica Instituto Tecnico Central
E4C:
Electronica Analoga
Yerman Jahir Avila Garzon
Bogota 14 Marzo año 2023
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1. Consultas :
a) Describa brevemente los siguientes conceptos.
Materiales extrínsecos tipo p y tipo n.
R// Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de electrones se
llama semiconductor de tipo p , porque la mayoría de los portadores de carga en el cristal
son agujeros de electrones (portadores de carga positiva).
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de electrones se
llama semiconductor de tipo n, porque la mayoría de los portadores de carga en el cristal son
electrones negativos.
Flujo de electrones contra flujo de huecos.
R//En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto, hay tantos electrones libres
como huecos con lo que la corriente total es cero.
Portadores mayoritarios y minoritarios.
R//Semiconductor tipo n: Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo
n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".
Semiconductor tipo p: Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los
huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
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Región de agotamiento.
R//Cuando el material tipo n y p se unen, los electrones y huecos cercanos a la unión se
recombinan. Esto provoca que disminuya la cantidad de portadores libres cerca de la unión. Esta
región con pocos portadores libres, se le conoce como región de agotamiento o empobrecimiento.
Polarización directa e inversa.
R//Cuando un diodo permite un flujo de corriente, tiene polarización directa. Cuando un diodo
tiene polarización inversa, actúa como un aislante y no permite que fluya la corriente.
Ecuación de Schockley (Explicación)
R// La ecuación del diodo de Shockley es el modelo matemático más empleado para el estudio
del diodo. Nombrada así en honor a William Bradford Shockley, la ecuación permite aproximar
el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona
la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo es:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑇) ( − 1)
𝑒 𝑛𝑉𝑇
Donde:
ID es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.
IS es la corriente de saturación dependiente de la temperatura de juntura ( ).
VD es la diferencia de potencial en sus terminales.
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele
adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
VT es la tensión térmica de juntura a 20 °C
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T es la temperatura absoluta de juntura
kB es la constante de Boltzmann
q es la carga elemental del electrón .
Voltaje térmico (Explicación)
R// El término Kt/q describe el voltaje producido dentro de la unión P-N debido a la acción de
la temperatura, y se denomina voltaje térmico, o V t de la unión. A temperatura ambiente, esto es
de aproximadamente 26 mili voltios. Sabiendo esto, y asumiendo un coeficiente de “no
idealidad” de 1, podemos simplificar la ecuación del diodo y volver a escribirla como tal:
Diodo ideal, diodo práctico, diodo real.
R// Ideal: Un diodo se dice que es un Diodo ideal cuando esta polarizado hacia adelante y
actúa como un conductor perfecto, con cero voltajes a través de él. De manera similar cuando el
diodo esta polarizado en sentido inverso, actúa como un aislante perfecto con una corriente de
cero a través de él. Las características V-I del diodo ideal se muestran en la siguiente figura:
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Real: Un diodo real contiene barrera potencial V0 (0.7) V para silicio y 0.3V para germanio y
una resistencia delantera Rf de unos 25 ohmios. Cuando un diodo tiene polarización directa y
conduce una corriente directa If fluye a través de él lo que provoca una caída de tensión If Rf En
la resistencia delantera. Por lo tanto, la tensión directa Vf Aplicado a través del diodo real para
conducción, las características V-I del diodo real se muestra a continuación
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Región Zener
R// Esta región se da cuando el diodo se polariza en inversa. Por lo tanto, el diodo zener, se
utilizará como un diodo polarizado en inversa. Una de las aplicaciones más comunes de estos
diodos es la de regular voltaje.
b) Dibuje o consigne una imagen de un Diodo 1N4004, su símbolo y su notación
R//
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c) Consulte la hoja de datos (Datasheet) de un diodo 1N4004, ubique la gráfica I vs V y
explique sus diferentes regiones.
R//
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De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por
encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua.
d) Explique cómo se calcula/mide la resistencia CD de un diodo polarizado en directo.
R// Para analizar con precisión un circuito con diodos se necesita saber la resistencia interna
del diodo. Este valor generalmente no viene dada por separado en las hojas de características,
pero traen información suficiente para calcularla. La fórmula para calcular la resistencia interna
es:
El punto 1 puede ser el punto umbral.
EJEMPLO 1N4004
De la hoja de características conseguimos los valores de la tensión con polarización directa
(0,93 V) para un valor de la corriente de 1 A y la tensión umbral es de 0,7 V para una corriente
aproximadamente cero.
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Medición del diodo
e) Explique cómo se calcula/mide la resistencia CA y resistencia CA promedio en un diodo.
R// Calculo: Con una resistencia óhmica pura R en el circuito de corriente alterna, la
corriente y el voltaje están en la misma fase. Así que no hay un cambio de fase aquí. Además, el
valor de la resistencia no está influenciado por la altura de la frecuencia. Por el contrario, las
resistencias inductivas o capacitivas en el circuito de CA causan cambios de fase entre la
corriente y el voltaje. Se crea una resistencia compleja de corriente alterna Z, que se descompone
en un componente óhmico R (resistencia activa) y un componente imaginario X (reactancia).
Puede determinar la resistencia de CA con un medidor de LCR.
Fórmula para calcular la resistencia CA.
Z=R+i=X
Z = R + iX = R + iωL + 1/iωC
Frecuencia del arco ω = 2 × π × f
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R//Medición: La resistencia se mide con un óhmetro, y se conecta entre los dos extremos de la
resistencia a medir, estando ésta desconectada del circuito eléctrico.
La intensidad se mide con un amperímetro que se intercala en serie en el circuito donde se
quiere medir la intensidad.
Aquí también hay que tener en cuenta la polaridad de la conexión.
f) Explique el procedimiento para medir o probar diodos usando un multímetro digital.
R// 1. Asegúrese de que toda la energía del circuito esté APAGADA y no haya tensión en el
diodo. Puede haber voltaje en el circuito debido a capacitores cargados. Si es así, los capacitores
se deben descargar. Ajuste el multímetro para medir el voltaje de CA o CC según se requiera.
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2. Gire el selector (perilla giratoria) al modo Prueba de diodos ( ). Es posible que
comparta un espacio en el selector con otra función.
3. Conecte los cables de prueba al diodo. Anote la medición que se muestra.
4.Invierta los cables de prueba. Anote la medición que se muestra.
g) Describa el funcionamiento del diodo semiconductor PN teniendo en cuenta la(s)
ecuaciones asociadas.
R// Un diodo está formado por la unión de un semiconductor TIPO P y un semiconductor
TIPO N.
Luego de la unión física de estos dos tipos de semiconductores a temperatura ambiente y sin
estar sometidos a una diferencia de potencial o voltaje, algunos de los electrones libres del
material tipo N de los que se encuentran cerca de la zona de unión logran cruzar a la zona P.
A esto se le conoce como proceso de difusión.
Estos pocos electrones que logran cruzar la barrera dejan a sus átomos en la zona N
convertidos en IONES POSITIVOS y luego de cruzar la barrera se unen a los átomos Huecos de
la zona P y al unirse a ellos forman ahora en esa zona IONES NEGATIVOS.
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Todo esto sucede en el límite de la unión de ambos materiales.
Es decir que por cada electrón que cruza del Lado N al lado P se forma también un ION
positivo en la zona N y un ION negativo en la zona P. Esto genera a su vez lo que se denomina
una corriente de recombinación.
Entonces, estos iones tanto positivos como negativos que se van formando en la unión forman
una zona denominada zona de carga espacial o zona de deplexión.
Por otro lado, las cargas positivas (HUECOS) y negativas (ELECTRONES) que han quedado
separadas debido a la formación de este grupo de IONES en el límite de la unión de ambos
materiales se les denomina CARGAS DESCUBIERTAS y estas cargas descubiertas generaran un
pequeño campo eléctrico y a la vez una pequeña diferencia de potencial es decir voltaje y que
será de aproximadamente 0.7 voltios en el Silicio y 0.3 en el germanio.
A esta pequeña zona de campo eléctrico se le conoce también como la barrera de potencial del
diodo el cual se opondrá a que el proceso de difusión de cargas se siga produciendo.
Si conectamos el polo positivo de una batería al material tipo P y el polo negativo al material
tipo N se dice que estamos polarizando al diodo de forma directa.
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Debido a la fuerza electromotriz aplicada todos los electrones libres de la zona N tendrán
ahora la energía suficiente para viajar hasta el terminal positivo de la batería.
En realidad, esto se logra cuando la batería que se conecta supera los 0,7 voltios de la barrera
de potencial.
En ese momento ya tenemos una corriente eléctrica debido a que los portadores mayoritarios
del semiconductor tipo N y que se desplazan hasta el semiconductor tipo P, inmediatamente son
reemplazados por mas electrones que llegan del terminal negativo de la batería (Ánodo)
generando un flujo constante de electrones viajando dentro de nuestro circuito eléctrico.
Cuando se conecta el terminal negativo de la batería con el material tipo P del semiconductor
y el terminal positivo de la batería con el material Tipo N se dice que el diodo esta polarizado de
forma inversa.
En esta configuración la zona de carga espacial aumenta y la circulación de corriente debería
ser 0.
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Sin embargo, por efecto de la temperatura se crea una pequeña corriente debido a los
portadores minoritarios de ambos materiales denominada Corriente inversa de saturación, la cual
solo existe en la polarización inversa y depende únicamente de la temperatura.
1. Antes de conectar la batería al circuito muchos de los electrones del material tipo N ya
se habrán desprendido de sus átomos y se encontrarán listos para fluir en la banda de
conducción. Esto debido a la temperatura ambiente.
2. También, antes de que se conecte la batería se habrá creado la zona de carga espacial
en la unión del material tipo N y Tipo P, al mismo tiempo la barrera de potencial de 0.7
Voltios se habrá creado.
3. Al momento de conectar la batería el voltaje aplicado vencerá la barrera de potencial y
atraerá a todos los electrones del material tipo N que estaban en la banda de
conducción hacia el polo positivo de la batería.
4. Todos los electrones que estaban en la banda de conducción del material tipo N
saltaran a la banda de conducción del material tipo P y luego bajaran a su banda de
valencia liberando energía en forma de calor, para luego abandonarla y utilizar el hilo
de cobre como medio de transporte para llegar al polo positivo de la batería.
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5. Un detalle importante y curioso del punto 4 cuando los electrones bajan a la banda de
valencia es que, si se tratase de un Diodo Led, en lugar de emitir energía en forma de
calor emitirían Luz. Ahora ya se sabes por qué emite luz un diodo Led.
Ecuacion del diodo PN
h) Consulte acerca de Diodos especiales: LED, Zenner, Shotcky, etc.
R// Diodos Led : Los diodos son componentes electrónicos que permiten el paso de la corriente
en un solo sentido, en sentido contrario no dejan pasar la corriente.
En el sentido en que su conexión permite pasar la corriente se comporta como un interruptor
cerrado y en el sentido contrario de conexión, como un interruptor abierto.
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Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la corriente solo un un sentido, en el
sentido en el que la corriente pasa por el diodo, este emite luz.
Cuando se conecta un diodo en el sentido que permite el paso de la corriente se dice que está
polarizado directamente.
La definición correcta será: Un diodo Led es un diodo que cuando está polarizado
directamente emite luz.
Además la palabra LED viene del inglés Light Emitting Diode que traducido al español es Diodo
Emisor de Luz.
Características: Los Diodos Leds tienen dos patillas de conexión una larga y otra corta.
Para que pase la corriente y emita luz se debe conectar la patilla larga al polo positivo y la corta
al negativo.
En caso contrario la corriente no pasará y no emitirá luz. En la imagen siguiente vemos un diodo
led por dentro.
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Los leds trabajan a tensiones más o menos de 2V (dos voltios). Si queremos conectarlos a otra
tensión diferente deberemos conectar una resistencia en serie con él para que parte de la tensión
se quede en la resistencia y al led solo le queden los 2V.
Diodos Zenner: El zener consiste en una unión pn especial (semiconductor), muy dopada,
diseñada para conducir en la dirección inversa (diodo polarizado inversamente) cuando se
alcanza un determinado voltaje especificado, llamado voltaje o tensión zener.
Una vez alcanzada la tensión zener, la tensión en los terminales del zener no varía, permanece
constante aunque aumente la tensión de alimentación.
El diodo Zener tiene un voltaje de ruptura inversa bien definido, en el cual comienza a
conducir corriente y continúa operando continuamente en el modo de polarización inversa sin
dañarse.
Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene la tensión
Vz constante aunque nosotros sigamos aumentando la tensión en el circuito.
La corriente que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz.
Antes de llegar a Vz el diodo zener NO Conduce.
Como ves es un regulador de voltaje o tensión.
Fíjate en la gráfica de funcionamiento del zener más abajo.
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Cuando está polarizado directamente el zener se comporta como un diodo normal
Pero OJO mientras la tensión inversa sea inferior a la tensión zener, el diodo no conduce, solo
conseguiremos tener la tensión constante Vz, cuando esté conectado a una tensión igual a Vz o
mayor.
Aquí puedes ver una la curva característica de un zener:
Para el zener de la curva vemos que se activaría para una Vz de 5V (zona de ruptura),
lógicamente polarizado inversamente, por eso es negativa.
En la curva de la derecha vemos que sería conectado directamente, y conduce siempre, como
un diodo normal.
Este diodo se llamaría diodo zener de 5V, pero podría ser un diodo zener de 12V, etc.
Sus dos características más importantes son su Tensión Zener y la máxima Potencia que
pueden disipar = Pz (potencia zener).
La relación entre Vz y Pz nos determinará la máxima corriente inversa, llamada Izmáx.
OJO si sobrepasamos esta corriente inversa máxima el diodo zener puede quemarse, ya que no
será capaz de disipar tanta potencia.
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w.
¿Cuál será la máxima corriente inversa que soportará?
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Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmáx = Pz/Vz = 0,5/5,1 = 0,098A.
Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa máxima, los diodos zener se conectan
siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de Drenaje".
Vamos a ver cómo sería la conexión básica de un diodo zener en un circuito:
Diodos Shotcky: El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo
de barrera superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de un metal con
un semiconductor. A esta unión se le conoce como unión metal-semiconductor o unión M-S. Esta
unión tiene una baja caída de tensión directa (de 0.15 a 0.45 V) que el diodo de unión P-N y
puede utilizarse en aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y conmutación de alta velocidad.
Pero un diodo de unión PN de silicio tiene una tensión directa típica de 0.6-0.75 V, mientras
que la tensión directa de Schottky es de 0.15-0.45 V.
Esta menor necesidad de tensión directa permite que los diodos Schottky puedan encenderse y
apagarse mucho más rápido que el diodo de unión p-n. Además, el diodo schottky produce menos
ruido no deseado que el diodo de unión p-n. Estas dos características del diodo schottky lo hacen
muy útil en los circuitos de potencia de conmutación de alta velocidad.
La unión en un diodo Schottky está formada por el metal (como el oro, el tungsteno, el cromo,
el platino, el molibdeno o ciertos siliciuros) y un semiconductor de silicio dopado de tipo N.
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Aquí, el ánodo es el lado metálico y el cátodo es el lado semiconductor.
Funcionamiento del diodo Schottky.
Diodo Schottky no polarizado:
Cuando el metal se une al semiconductor tipo n, los electrones de la banda de
conducción (electrones libres) del semiconductor tipo n se desplazarán del semiconductor tipo n
al metal para establecer un estado de equilibrio.
Sabemos que cuando un átomo neutro pierde un electrón se convierte en un ion positivo y que
cuando un átomo neutro gana un electrón extra se convierte en un ion negativo.
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Los electrones de la banda de conducción o los electrones libres que cruzan la unión,
proporcionarán electrones adicionales a los átomos del metal. Como resultado, los átomos de la
unión del metal ganan electrones extra y los átomos de la unión del lado n pierden electrones.
Los átomos que pierden electrones en la unión del lado n se convertirán en iones positivos,
mientras que los átomos que ganan electrones adicionales en la unión del metal se convertirán en
iones negativos. Así, se crean iones positivos en la unión del lado n e iones negativos en la unión
del metal. Estos iones positivos y negativos no son más que la región de agotamiento.
Como el metal tiene un mar de electrones libres, la anchura sobre la que estos electrones se
mueven hacia el metal es insignificante en comparación con la anchura dentro del semiconductor
tipo n. Por lo tanto, el potencial incorporado o la tensión incorporada están presentes
principalmente en el interior del semiconductor de tipo n. La tensión incorporada es la barrera
que ven los electrones de la banda de conducción del semiconductor tipo n cuando intentan pasar
al metal.
Para superar esta barrera, los electrones libres necesitan una energía mayor que la tensión
incorporada. En un diodo schottky no polarizado, sólo un pequeño número de electrones fluye
desde el semiconductor tipo n hacia el metal. La tensión integrada impide el flujo de electrones
desde la banda de conducción del semiconductor hacia el metal.
La transferencia de electrones libres del semiconductor de tipo n al metal da lugar a la flexión
de la banda de energía cerca del contacto.
Diodo Schottky en Polarización Directa:
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Si el terminal positivo de la batería está conectado al metal y el terminal negativo de la batería
está conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el diodo schottky está en polarización
directa.
Cuando se aplica una tensión de polarización directa al diodo schottky, se genera un gran
número de electrones libres en el semiconductor de tipo n y en el metal. Sin embargo, los
electrones libres en el semiconductor tipo n y en el metal no pueden cruzar la unión a menos que
la tensión aplicada sea superior a 0.2 voltios.
Si la tensión aplicada es superior a 0.2 voltios, los electrones libres ganan suficiente energía y
superan la tensión integrada de la región de agotamiento. Como resultado, la corriente eléctrica
comienza a fluir a través del diodo schottky.
Si la tensión aplicada aumenta continuamente, la región de agotamiento se vuelve muy fina y
finalmente desaparece.
Diodo Schottky en Polarización Inversa:
.
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Si el terminal negativo de la pila está conectado al metal y el terminal positivo de la pila está
conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el diodo schottky tiene polarización inversa.
Cuando se aplica una tensión de polarización inversa al diodo schottky, el ancho de la región
de agotamiento aumenta. Como resultado, la corriente eléctrica deja de fluir. Sin embargo, fluye
una pequeña corriente de fuga debido a los electrones excitados térmicamente en el metal.
Si se aumenta continuamente la tensión de polarización inversa, la corriente eléctrica aumenta
gradualmente debido a la debilidad de la barrera.
Si la tensión de polarización inversa aumenta mucho, se produce un aumento repentino de la
corriente eléctrica. Este aumento repentino de la corriente eléctrica hace que la región de
agotamiento se rompa, lo que puede dañar permanentemente el dispositivo.
Curva Característica del Diodo Schottky:
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Como podemos ver, la forma general de las características I-V del diodo Schottky es muy
similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que la esquina a la que el diodo Schottky
comienza a conducir es mucho más baja, alrededor de 0.4 voltios.
Debido a este menor valor, la corriente directa de un diodo Schottky de silicio puede ser
muchas veces mayor que la de un típico diodo de unión pn, dependiendo del electrodo metálico
utilizado. Recuerde que la ley de Ohm nos dice que la potencia es igual a los voltios por los
amperios, (P = V*I) por lo que una menor caída de tensión directa para una corriente de diodo
dada, ID producirá una menor disipación de potencia directa en forma de calor a través de la
unión.
Esta menor pérdida de potencia hace que el diodo Schottky sea una buena opción en
aplicaciones de baja tensión y alta corriente, como los paneles solares fotovoltaicos, donde la
caída de tensión directa (VF) en un diodo de unión pn estándar produciría un efecto de
calentamiento excesivo.
Sin embargo, hay que tener en cuenta que la corriente de fuga inversa (IR) de un diodo
Schottky suele ser mucho mayor que la de un diodo de unión pn.
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i) Consulte una tabla de voltajes y colores en diodos emisores de luz de 5mm
R// Los diodos son componentes electrónicos que son de naturaleza similar a las resistencias.
Las resistencias bloquean el flujo de corriente a través de todo el circuito, sin embargo, mientras
un diodo permite que la corriente pase en una dirección, bloquea la corriente en la dirección
opuesta. Los diodos se utilizan a veces en la conversión de corriente alterna a corriente continua.
Hay diferentes tipos de diodos. Algunos tienen sus valores marcados claramente en ellos. Sin
embargo, otros diodos utilizan el sistema de codificación de color que utilizan las resistencias.
Leer y descifrar el valor del diodo es fácil si tienes un gráfico de colores como referencia.
Tabla de voltaje de diodo led
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2. Analice los siguientes circuitos e indique el cálculo (con procedimiento) de los valores
solicitados.
Circuito 1
R//
D1 R1 R2 R3
I 0,01024 0,01024 0,01024 0,01024
V 0,7 1,228 2,252 4,812
P 0,0071 0,0125 0,023 0,0492
Datos: Ley de Ohm
F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3
D = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)
R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω
R2= 220Ω 𝐼 𝑇=𝑉𝐹−𝑉𝐷= 𝐼 𝑇=9−0.7=0.01024 𝐴
𝑅𝑒𝑞 810
R3= 470Ω
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𝐼𝐷 = 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 0.01024𝐴
𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅1 𝑉𝑅1 = 0.01024 ∗ 120 = 1.2288𝑉
𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅2 𝑉𝑅2 = 0.01024 ∗ 220 = 2.2528𝑉
𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅3 𝑉𝑅3 = 0.01024 ∗ 470 = 4.8128𝑉
Ley de Watt
𝑃 =𝐼∗𝑉
𝑃𝐷 = 𝐼 ∗ 𝑉𝐷 𝑃𝐷 = 0.01024 ∗ 0.7 = 0.0071𝑊
𝑃𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.01024 ∗ 1.2288 = 0.0125𝑊
𝑃𝑅2 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.01024 ∗ 2.2528 = 0.0230𝑊
𝑃𝑅3 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.01024 ∗ 4.8128 = 0.0492𝑊
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Circuito 2
R//
D1 D2 R1 R2 R3
I 0,00938 0,00938 0,00938 0,00938 0,00938
V 0,7 0,7 1,125 2,063 4,408
P 0,0065 0,0065 0,0105 0,0193 0,0413
Datos: Ley de Ohm
F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3
D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)
D2 =0.7V
R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω
R2= 220Ω 𝐼 𝑇=𝑉𝐹−𝑉𝐷1−𝑉𝐷2= 𝐼 𝑇=9−0.7−0.7=0.00938𝐴
𝑅𝑒𝑞 810
R3= 470Ω
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𝐼𝑇 = 𝐷1 = 𝐷2 = 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 0.00938𝐴
𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅1 𝑉𝑅1 = 0.00938 ∗ 120 = 1.125𝑉
𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅2 𝑉𝑅2 = 0.00938 ∗ 220 = 2.063𝑉
𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅3 𝑉𝑅3 = 0.00938 ∗ 470 = 4.408𝑉
Ley de Watt
𝑃 =𝐼∗𝑉
𝑃𝐷1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝐷1 𝑃𝐷1 = 0.00938 ∗ 0.7 = 0.0065𝑊
𝑃𝐷2 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝐷2 𝑃𝐷2 = 0.00938 ∗ 0.7 = 0.0065𝑊
𝑃𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.00938 ∗ 1.125 = 0.0105𝑊
𝑃𝑅2 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.00938 ∗ 2.063 = 0.0193𝑊
𝑃𝑅3 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.00938 ∗ 4.408 = 0.0413𝑊
Simulacion de LTspice
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Circuito 3
R//
D1 D2 R1 R2 R3
I 0 0 0 0 0
V 0,7 0 0 0 0
P 0 0 0 0 0
F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3
D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)
D2 =0.7V
R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω
R2= 220Ω 𝐼𝑇=0 𝑉0=𝐼∗𝑅𝑒𝑞 =0
R3= 470Ω
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En este circuito no se pueden analizar valores de corriente ni voltaje ya que el D2 no está
polarizado (polarización inversa) y hace la función de un interruptor abierto por lo mismo el
circuito se encuentra abierto y no permite el paso de la corriente ni del voltaje.
Circuito 4
R//
D1 D2 D3 R1 R2 R3
I 0,06916 0,03329 0,01047 0,03919 0,1995 0,1995
V 0,7 0,7 2 4,695 4,304 4,304
P 0.04843 0.02330 0,02094 0,18399 0,08586 0,08586
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Datos:
F = 9V 𝑅𝑒𝑞1=𝑅2//𝑅3
D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞1=110Ω
D2 =0.7V 𝑅𝑒𝑞2=𝑅𝑒𝑞1 +𝑅1
D3 =2V 𝑅𝑒𝑞2=(110)+(120)=230Ω
R1= 120Ω
R2= 220Ω
R3= 220Ω
Divisor de Corriente
𝑉 9
𝐼1 = 𝑅 𝐹 𝐼1 = 230 = 0.03919𝐴
𝑒𝑞𝑡
𝐼𝑇 ∗𝑅2.3 0.03919∗110
𝐼2 = 𝐼1 = = 0.1995𝐴
𝑅3 220
𝐼𝑇 ∗𝑅2.3 0.03919∗110
𝐼2 = 𝑅2
𝐼1 = 220
= 0.1995𝐴
Divisor de Tensión
𝑉𝐹 ∗𝑅1 9∗120
𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅1 = = 4.695𝑉
𝑅𝑒𝑞𝑡 230
33
𝑉𝐹 ∗𝑅2 9∗110
𝑉𝑅2.3 = 𝑅𝑒𝑞𝑡
𝑉𝑅1 = 230
= 4.304𝑉
Ley de Watt
𝑃 = 𝐼∗𝑉
𝑃𝐷1 = 𝐼𝐷1 ∗ 𝑉𝐷1 𝑃𝐷1 = 0.06916 ∗ 0.7 = 0.04843𝑊
𝑃𝐷2 = 𝐼𝐷2 ∗ 𝑉𝐷2 𝑃𝐷2 = 0.03329 ∗ 0.7 = 0.02330𝑊
𝑃𝐷3 = 𝐼𝐷3 ∗ 𝑉𝐷3 𝑃𝐷2 = 0.01047 ∗ 2 = 0.02094𝑊
𝑃𝑅1 = 𝐼𝑅1 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.03919 ∗ 4.695 = 0.18399𝑊
𝑃𝑅2 = 𝐼𝑅2 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.01995 ∗ 4.304 = 0.08586𝑊
𝑃𝑅3 = 𝐼𝑅3 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.01995 ∗ 4.304 = 0.08586
34
Circuito 5
R//
R//
35
3. Simule los circuitos del numeral 2 y compare los resultados calculados.
R//
Circuito 1
Circuito 2
36
Circuito 3
Circuito 4
37
4. Diodos como elementos rectificadores
R//
A) Consulte y consigne el diagrama de circuito de cada rectificador.
Diagrama de rectificador de dos diodos.
38
Diagrama de rectificador de cuatro diodos.
B) Explique brevemente el funcionamiento de cada rectificador.
En el rectificador de dos diodos, El rectificador superior funciona con el semiciclo positivo
de la tensión en el secundario, mientras que el rectificador inferior funciona con el semiciclo
negativo de tensión en el secundario.
Es decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2 conduce durante el semiciclo
negativo.
Así pues, la corriente en la carga rectificada circula durante los dos semiciclos.
En el rectificador de cuatro diodos, Durante el semiciclo positivo de la tensión de la red, los
diodos D1 y D3 conducen, esto da lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga.
39
Los diodos D2 y D4 conducen durante el semiciclo negativo, lo que produce otro semiciclo
positivo en la resistencia de carga.
El resultado es una señal de onda completa en la resistencia de carga.
La diferencia más importante es que la tensión inversa que tienen que soportar los diodos es la
mitad de la que tienen que soportar los diodos en un rectificador de onda completa con 2 diodos,
con lo que se reduce el coste del circuito.
C) Simule los rectificadores asumiendo una onda sinusoidal como entrada proveniente de un
transformador reductor con tap central (6-0-6). Como carga del circuito ubique una resistencia de
un valor aproximado de al menos 300 Ω a 1/2W
R//
Rectificador con dos diodos
40
Rectificador con cuatro diodos
D) Consulte cómo calcular el valor RMS de la onda de salida de un rectificador. Compruebe
su consulta con un ejemplo simulado para cada rectificador.
R//
El voltaje RMS, o el cuadrado medio de la raíz (también llamado el voltaje eficaz), es un
método de denotar una forma de onda senoidal de voltaje (forma de onda de CA) como un voltaje
equivalente que representa el valor de voltaje DC que producirá el mismo efecto de
calentamiento o disipación de potencia en el circuito, como esta tensión de CA.
En otras palabras, la forma de onda es una forma de onda AC, pero el valor RMS permite que
esta forma de onda se especifique como DC, porque es la tensión DC equivalente que entrega la
misma cantidad de energía a una carga en un circuito como la señal AC hace sobre su ciclo.
41
Muchos tipos de voltajes en la vida real están especificados por sus valores RMS.
Un buen ejemplo es el voltaje de una toma de CA. Probablemente esté familiarizado y sepa
que el 120V sale del tomacorriente de CA, tal como uno que encontraría en su casa o en cualquier
edificio en los Estados Unidos. ¿Pero usted no sabe probablemente qué tipo de voltaje éste es? Y
la respuesta es, es el voltaje RMS. El 120V es el voltaje RMS. Y el voltaje máximo para esto es
realmente 170V. Por lo tanto, el pico de este voltaje es en realidad mucho más grande que 120V.
Y si lo miras de pico a pico, entonces el voltaje de una toma de CA es en realidad 340V de pico a
pico.
Mediante el uso del voltaje RMS, el voltaje que surge de una salida de CA, se relaciona más
fácilmente con los circuitos de CC.
Como Calcular el voltaje RMS: El voltaje cuadrático medio (RMS) puede calcularse ya sea a
partir de la tensión máxima, la tensión pico a pico o la tensión promedia.
Las fórmulas para calcular el voltaje RMS de cualquiera de estos voltajes se muestran a
continuación.
Cómo Calcular el Voltaje RMS del Voltaje Máximo.
𝟏
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑴𝑨𝑿𝑰𝑴𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟎. 𝟎𝟕𝟎𝟕𝟏)
√𝟐
Si se le da el valor máximo de voltaje, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula
anterior.
Todo lo que tiene que hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje máximo por
0.7071.
Cómo Calcular el Voltaje RMS de Voltaje Pico a Pico.
𝟏
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑷𝑰𝑪𝑶 𝑨 𝑷𝑰𝑪𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟎. 𝟑𝟓𝟑𝟓)
(𝟐√𝟐)
42
Si se le da el valor de voltaje pico a pico, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula
anterior.
Todo lo que debe hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje pico a pico por
0,35355.
Cómo Calcular el Voltaje RMS del Voltaje Promedio.
𝝅
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑷𝑹𝑶𝑴𝑬𝑫𝑰𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟏. 𝟏𝟏𝟎𝟕)
(𝟐√𝟐)
Si se le da el valor de voltaje promedio, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula
anterior.
Todo lo que debe hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje promedio por
1,1107.
E) Consulte el datasheet de un puente rectificador (preconstruido) que pueda conseguir
comercialmente.
R//
Datasheet de un rectificador de custro diodos
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REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
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https://www.mecatronicalatam.com/es/tutoriales/electronica/componentes-
electronicos/diodo/diodo-zener/
https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=LM324&gclid=Cj0KCQiAjbagBhD3AR
IsANRrqEuRW9adz-
p0oT55H6Z64kOXtkkUQxbR68JEu8yMOrHRgt60VTfL6d8aAnddEALw_wcB
https://www.fluke.com/es-co/informacion/blog/multimetros-digitales/como-probar-los-diodos
https://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html
https://techlandia.com/leer-codigo-color-diodos-como_46525/
https://www.multisim.com/
https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-simulator.html
Taller 1 Jhon Abril – E4B
