ESCUELA DE MECANICA DE MANTENIMIENTO
ELECTRONICA BASICA INDUSTRIAL
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
Semestre 2020 -10
Víctor Acevedo Saavedra
Víctor Acevedo Saavedra
DIODO SEMICONDUCTOR
Estructura
ANODO CATODO
P N
A K
Un Semiconductor tipo P se obtiene Es el que está impurificado con impurezas
llevando a cabo un proceso de dopado, "Donadoras", que son impurezas
añadiendo un cierto tipo de átomos pentavalentes. Como los electrones superan
al semiconductor para poder aumentar el a los huecos en un semiconductor tipo n,
número de portadores de carga libres (en reciben el nombre de "portadores
este caso positivos o huecos) mayoritarios",
3 electrones en la capa de valencia Fósforo, Arsénico o Antimonio
normalmente boro VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 2
DIODO RECTIFICADOR
Estructura Materiales de fabricación
ANODO CATODO SILICIO (Si)
P N Ud= 0.6 v
A K
GERMANIO (Ge)
Ud= 0.2v
Símbolo eléctrico
Datos Técnicos
Corriente
Tensión inversa
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 3
DIODO: CURVA ESTATICA
Dónde:
A: Ánodo
K: Cátodo
I: Corriente de Ánodo
Uak : Tensión ánodo – cátodo
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 4
DIODO RECTIFICADOR
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 5
DIODO: POLARIZACION
DIRECTA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 6
DIODO: POLARIZACION
INDIRECTA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 7
DIODO RECTIFICADOR EN CORRIENTE ALTERNA
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DIODO: ZENER
Símbolo
Curva estática
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 9
DIODO: FORMA DE TRABAJO
Datos Técnicos
Potencia del Zener
Tensión zener
I
R
L Calculo de la corriente del zener
IZ IL
Pz U z I z
Pz
Iz
Uz
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DIODO: FORMA DE TRABAJO
Ejemplo:
Hallar el valor de la corriente del diodo zener (Iz) que tiene una potencia zener de 1.5
watt, y la tensión zener es de Uz = 12 voltios
Pz U z I z
Pz
Iz
Uz
1.5 w
Iz 0.125 A
12v
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DIAC
Estructura
ANODO 1 ANODO 2
A1 A2
P N P
+ -
Símbolo eléctrico
Tensión de fabricación
Ud= +/- 32 v
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 12
DIAC
Estructura
ANODO 1 ANODO 2
A1 A2
P N P
- +
Símbolo eléctrico
Tensión de fabricación
Ud= +/- 32 v
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 13
XXX
Estructura
ANODO 1 ANODO 2
A1 A2
N P N
-
+
Símbolo eléctrico
Tensión de fabricación
Ud= +/- 32 v
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 14
DIODO SEMICONDUCTOR SILICIO (Si)
Ud = 0.6 v
A K
P N GERMANIO (Ge)
Ud = 0.2 v
I
DIAC (Diodo de corriente alterna )
I
A1 A2
P N P
I Ud= +/- 32 v
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 15
TRANSISTOR BIPOLAR – BJT
TIPO : NPN
EMISOR
C E
N P N
COLECTOR B
BASE
TIPO : PNP
EMISOR
C E
P N P
COLECTOR
B
BASE
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 16
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ELECTRONICA BASICA INDUSTRIAL
TRANSISTOR BIPOLAR BJT
Semestre 2020 -10
Víctor Acevedo Saavedra
Víctor Acevedo Saavedra
TRANSISTOR BIPOLAR – BJT
El transistor es un Amplificador de Corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una corriente por el terminal de Base (IB), entregará por el
terminal de Colector (IC), una corriente mayor en un factor que se llama
ganancia de corriente en emisor común (b)
IC = β IB, donde el factor β (Beta) es un parámetro del transistor.
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 18
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DEFINICIONES DEL TIPO DE TRANSISTORES
BJT: Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal
semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
Víctor Acevedo Saavedra
TRANSISTOR BIPOLAR – BJT
TIPO : NPN
EMISOR
C E
N P N
COLECTOR
B
BASE
IE IB IC
GANANCIA O FACTOR DE AMPIFICACION
IC
IB
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 21
TRANSISTOR BIPOLAR – BJT
TIPO : PNP
COLECTOR EMISOR
C E
P N P
IE IB IC
BASE
GANANCIA O FACTOR DE AMPIFICACION
IC
IB VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 22
Víctor Acevedo Saavedra
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT - NPN
- El funcionamiento de un transistor BJT puede ser
explicado como el de dos diodos PN pegados uno a
otro.
- En este esquema (condición directa), la unión Base –
Emisor (BE) actúa como un diodo normal.
- Note en la gráfica el flujo de electrones y huecos,
siendo la corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el mismo
mecanismo del diodo, se produce una corriente de
base a emisor.
Víctor Acevedo Saavedra
- Conectemos ahora en forma inversa la conexión Base – Colector
(BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se dividen en dos: unos que
se dirigen hacia la base, recombinándose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy angosta, De ese modo la
probabilidad de paso es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente (convencional) de colector al
emisor.
- La corriente que fluye al colector es mayor que la que fluye a la
base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:
donde es el factor de amplificación (20 – 200)
Víctor Acevedo Saavedra
Para analizar la característica i – v de un transistor se
debe tomar los siguientes pares:
iB vBE
iC vCE
Este último par origina una familia de curvas.
Víctor Acevedo Saavedra
En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB inyecta
una corriente en la base, en conexión directa. Variando IBB y midiendo la variación
vBE se obtiene la gráfica mostrada.
Víctor Acevedo Saavedra
Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje variable
al colector.
De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente en el
colector. Esto adicionalmente a la variación de iB. Se genera toda una familia de curvas,
una para cada valor de iB.
Víctor Acevedo Saavedra
Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica:
REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas en contra.
La corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para todos los
efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un amplificador
lineal. La unión BE está conectada en directo y la unión CB está en
reversa.
REGION DE
SATURACION: Ambas
uniones están
conectadas en
directo.
REGION DE RUPTURA:
Que determina el límite
físico de operación del
transistor.
Víctor Acevedo Saavedra
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
La polarización del BJT se realiza mediante tensión continua y consiste en
preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un
circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a través del
colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una
tensión entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a
esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del transistor
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POLARIZACION DEL TRANSISTOR
Víctor Acevedo Saavedra
POLARIZACION H DEL TRANSISTOR
Calculo de la tensión en la base Vb
R2
VB VCC ...........(1)
R1 R2
Calculo de la corriente de base IB
VB I B RB VBE I E RE
I E I B IC
I E I B I B 1 I B
I E 1 I B
VB I B RB VBE 1 I B RE
VB VBE I B RB 1 RE
IC I B ..............................(4) VB VBE
IB
RB 1 RE
I E I C ..................................(5) β*RE ≥ 10*R2
VBE 0.7v..............................(6)
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POLARIZACION H DEL TRANSISTOR
Calculo de la corriente colector IC
VCC I C RC VCE I E RE .......(3)
I E I B IC
IC
IE IC
1
I E IC ( ) ( )
1
I E IC
IC I B ..............................(4)
I E I C ..................................(5)
VBE 0.7v..............................(6) β*RE ≥ 10*R2
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Calculo de la tensión en la base Vb Resistencia en la base RB
VCC
R2
12 V VB VCC ...........(1) R1 R2 3.9 39
1
R R2 RB 3.54 K
1 2 R1 R2 3.9 39
3.9
VB 12 1.09 v
IC 3.9 39
39 KΩ
R1 RC 10 KΩ
10 uF Calculo de la corriente de base IB
12 v
VCE 0 IC 1.04 mA
VB I B RB VBE 1 I B RE
C 10K 1.5K
10 uF CC
B BC547
VCE 1.09 0.7 I C 0 VCE 12v
IB
CB BF = 200 3.54 200 11.5
IB E 1.09 0.7
RE
IE IB
3.54 200 11.5
0.001 mA IC IB
R2
1.5 KΩ 1.04
3.9 KΩ 2 Calculo de la corriente colector Q
I CQ 0.001 mA
VCC I C RC VCE I E RE .......(3)
IC I B ..............................(4) 12 Ic 10 K VCE I C 1.5K VCE
I E I C ..................................(5)
VBE 0.7v..............................(6)
12 Ic 10 K 1.5K VCE VCEQ 12
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Recta de carga Q del transistor BJT
IC IB
1.04 Q
I CQ 0.001 mA
VCE
VCEQ 12
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TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR
IC IC
Q IB
I C max
Q
VCE VCE
12 12
VCE 0
IB 0
SATURACION CORTE
Víctor Acevedo Saavedra
POLARIZACION CON REALIMENTACION DEL
TRANSISTOR BJT
12 V VCC
RC
RB
BC54
BF = 250
Víctor Acevedo Saavedra
Víctor Acevedo Saavedra
Víctor Acevedo Saavedra
SCR: TIRISTOR
A ANODO
P
SIMBOLO ELECTRICO
N
G
P
PUERTA
N
CATODO
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SCR: TIRISTOR
A ANODO
P
SIMBOLO ELECTRICO
N
G
P
PUERTA
CATODO
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 41
SCR: PARAMETROS ELECTRICOS
Ia: Corriente de Ánodo
Ig: Corriente de gate Cátodo
Uak: Tensión ánodo – cátodo
Ugk: Tensión gate – cátodo
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 42
SCR: PARAMETROS ELECTRICOS
Ia: Corriente de Ánodo
Ig: Corriente de gate Cátodo
Uak: Tensión ánodo – cátodo
Ugk: Tensión gate – cátodo
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 43
SCR: PARAMETROS ELECTRICOS
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 44
SCR: CURVA ESTATICA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 45
SCR: FUNCIONAMIENTO
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 46
POLARIZACION DIRECTA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 47
POLARIZACION INVERSA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 48
EL SCR : EN ALTERNA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 49
EL TRIAC
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 50
EL TRIAC: CURVA ESTATICA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 51
EL TRIAC: EN CORRIENTE
ALTERNA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 52
EL SCR : EN ALTERNA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 53
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ELECTRONICA BASICA INDUSTRIAL
FUENTES DE ALIMENTACION DC
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Víctor Acevedo Saavedra
Víctor Acevedo Saavedra
FUENTE DE ALIMENTACION
DIAGRAMA DE BLOQUES
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 55
FUENTE DE ALIMENTACION CON
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
transformador
220 v Up Us
60 Hz
Udc
Us tension del secundario Udc 0.45Us
Up tensiondel primario
Tensión continua
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 56
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Udc
Us
+ +
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 57
FUENTE DE ALIMENTACION CON RECTIFICADOR DE
ONDA COMPLETA : TIPO PUENTE
Udc
220 v
Us
Udc = 0.9 Vs
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 58
FUENTE DE ALIMENTACION CON RECTIFICADOR DE ONDA
ON DERIVACION - (TOMA CENTRAL )
Us
220 v
Uodc
Us
Uodc= 0.9 Us
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 59
FUENTE DE ALIMENTACION CON
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y CON
FILTRO
Vodc 1.4Vs
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 60
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
TIPO PUENTE CON FILTRO
Vodc 1.4Vs
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 61
FUENTE DE ALIMENTACION CON RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE Y ESTABILZADOR CON ZENER
Vodc
1. CALCULAR Vodc 3. CALCULAR Is
Vodc = 0.9 Vs Is = Iz + IL
4. podemos decir que Vz = Vo / estan en paralelo
2. CALCULAR VRs
5. Calculo de IL 6. Calculo de Rs
Vodc = VRs + Vz
IL= Vz/ RL Rs= VRS/ Is
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 62
FUENTE DE ALIMENTACION CON RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE Y ESTABILZADOR CON ZENER
DATOS: CALCULAR:
- Voltaje en la resistencia zener VRs= 12 v Rs = ……….
- Intensidad del zener Iz= 450 mA. Vo= …………
- Voltaje del secudario Vs= 16 v.
- Intensidad de salida IL = 850 mA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 63
FUENTE DE ALIMENTACION CON RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE Y ESTABILZADOR CON ZENER
DATOS: CALCULAR:
- Voltaje en la resistencia zener VRs= 12 v Rs = ……….
- Potencia del zener Pz= 2 w Is= …………
- Tension zener Vz = 5 v
- Voltaje del secudario Vs= 24 v.
- Intensidad de salida IL = 850 mA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 64
FUENTE DE ALIMENTACION DE ONDA COMPLETA EN
DERIVACION O TOMA CENTRAL CON FILTRO
DATOS:
- Voltaje en la resistencia zener VRs= 12 v CALCULAR:
- Potencia del zener Pz= 2 w Rs = ……….
- Tension zener Vz = 5 v Is= …………
- Voltaje del secundario Vs= 24 v.
- Intensidad de salida IL = 850 mA
VICTOR ACEVEDO SAAVEDRA 65
