Manual de Prácticas
Amplificadores Electrónicos
Division: Ingenieria electrica Departamento: Electronica
Practica 1
Técnicas de polarización y estabilidad del punto de
operación I.
Nombre completo del alumno: Firma:
González Miguel Miguel Ángel
Fecha de elaboración:
N° de brigada: Grupo: 03
21 – febrero – 2023
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Objetivos de aprendizaje:
Analizar, diseñar, simular e implementar las configuraciones de polarización de
un transistor bipolar de juntura (TBJ), considerando estabilidad del punto de
operación.
Material y equipo:
Puntas banana caimán.
Puntas BNC- Caimán.
Protoboard.
Resistencias.
Transistor TBJ 2N2222.
Trabajo previo:
El alumno propondrá un circuito de polarización fija y dos configuraciones utilizando
retroalimentación para estabilizar el punto de operación, en todos los circuitos debe de
utilizar el TBJ 2N2222. El punto de operación debe estar en la zona activa directa.
Dentro del análisis debe utilizar un modelo a señal grande para polarizar al transistor y
debe de ubicar el punto de operación dentro de las curvas IV para que esté en la zona
activa.
También el alumno debe de verificar que la polarización del transistor no sobrepase la
potencia de disipación.
De la simulación el alumno debe de obtener V CE, VBE, VCB, IB, IC e IE en los tres circuitos,
haciendo una variación en β del 50% para medir la estabilidad en el punto de operación.
IC debe vario a lo mucho el 10%.
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Análisis:
Figura 1. Análisis de los circuitos.
Figura 2. Análisis de los circuitos.
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Simulación:
1. Polarización fija:
Figura 3. Circuito con valores teóricos de resistencias.
Figura 4. Circuito con valores comerciales de resistencias.
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2. Circuito realimentado.
Figura 5. Circuito con valores teóricos de resistencias.
Figura 6. Circuito con valores comerciales de resistencias.
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3. “Divisor” de voltaje.
Figura 7. Circuito con valores teóricos de resistencias.
Figura 8. Circuito con valores comerciales de resistencias.
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Desarrollo:
En el laboratorio, el alumno debe medir V CE, VBE, VCB, IB, IC e IE en los tres circuitos.
Resultados:
Teóricos Simulados Experimentales
Ib IC VCE Ib IC IE VCB VBE VCE Ib IC IE VCB VBE VCE
[𝜇A] [mA] [V] [𝜇A] [mA] [mA] [V] [mV] [V] [𝜇A] [mA] [mA] [V] [mV] [V]
C.1 9.2 9.2
(Valores teóricos de 146.67 22 10 145 21.8 21.8 854
resistencias)
3 3
C.1 9.8 10.
(Valores comerciales de 146.67 22 10 160 23.9 23.9 856 160.2 43.6 42.5 1.6 727 1.8
resistencias)
1 7
C.2 9.1
(Valores teóricos de 183.33 22 10 181 21.9 21.9 854 10
resistencias)
9
C.2 9.9
(Valores comerciales de 183.33 22 10 194 23.4 23.4 9.1 856 200 21 20 12.8 510 13.72
resistencias)
5
C.3 8.4 9.2
(Valores teóricos de 183.33 22 10 160 19.2 19.3 851
resistencias)
4 9
C.3 7.9 8.7
(Valores comerciales de 183.33 22 10 169 20.3 20.5 852 190 20.6 20.7 7.94 640 8.58
resistencias)
4 9
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Conclusiones:
Con la elaboración de esta práctica a través de un punto de operación, pudimos
comprobar lo visto en teoría, ya que en los dos circuitos de retroalimentación que se
analizaron, diseñaron y simularon pudimos observar que se estabiliza más el punto de
operación con los diferentes valores de β que utilizamos, debido a la resistencia que se
agrega al circuito. Por otro lado, con el circuito de polarización fija obtuvimos que no se
estabiliza el punto de operación obteniendo porcentajes de error altos, todo lo anterior
realizado sin sobrepasar la potencia de disipación del transistor 2N2222.
Referencias:
[1] Fundamentos de. Circuitos eléctricos. Charles K. Alexander. Universidad Estatal de
Cleveland. Mateo N. O. Sadiku. Prairie View A&M University. 3a. edición.
[2] Neamen D. (2009) Microelectronics Circuit and Design. Mc Graw Hill. 4a edición.
[3] Boylestad, R. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos
(10.a ed.). Pearson.
