Universidad Tecnológica de Coahuila
T.S.U Nanotecnología Área Materiales
Incorporación física de los materiales
Dra. Leticia Arizbeth Ramirez
Reporte
Sputtering
Unidad 1 Saber Hacer
Alumnos:
Eduardo Cardenas Vazquez
Perla Adelita Orozco Nieto
Juan Carlos Padilla Martinez
Ramses Jahaziel Borrego Jimenez 5 NAMA A
Samuel Humberto Morales Loera
Eduardo Ismael Torres Trejo
Índice
Introducción 3
Técnicas de sputtering para la obtención de película: 4
Sputtering por radiofrecuencia 4
Sputtering Electrodos planos 5
Principios de Operación de los equipos en la técnica Sputtering 9
Principios de Operación de los equipos en la técnica Sputtering 10
Características preliminares de la película obtenida 11
Usos y aplicaciones en la nanotecnología 12
Conclusión 15
Bibliografías 15
Introducción
El proceso de sputtering es un proceso físico mediante el cual se produce la
vaporización de los átomos de un cierto material mediante el bombardeo del mismo
por iones energé[Link] técnica está causada principalmente por el intercambio
de momento entre los iones y los átomos del material, debido a colisiones. El
proceso se puede imaginar como una partida de billar a nivel atómico, con los iones
(bola blanca) golpeando una agrupación de átomos densamente empaquetados
(bolas de billar). Aunque la primera colisión empuja a los átomos más hacia dentro
en la agrupación, colisiones posteriores entre los átomos pueden tener como
resultado que algunos de los átomos cerca de la superficie sean expulsados. El
número de átomos expulsados de la superficie por ion incidente es el rendimiento de
pulverización y es una medida importante de la superficie del proceso. Algunos
factores de este parámetro, son la energía de los iones incidentes, sus masas y las
de los átomos del blanco y la energía del enlace del sólido.
Técnicas de sputtering para la obtención de
película:
Sputtering por radiofrecuencia
Esta técnica implica ejecutar una onda energética a través de un gas inerte para
crear iones positivos.
Esta técnica ocurre a frecuencias superiores a los 50 kHz, en esta se puede utilizar
un blanco no conductor pues se aplica un potencial oscilante en el blanco, esto hace
que cada medio ciclo se puedan acelerar los iones del plasma hacia la superficie
con suficiente energía como para producir la pulverización catódica y en el otro
medio ciclo, los electrones del plasma alcanzan la superficie impidiendo cualquier
tipo de acumulacion de cargas. existe un rango mHz utilizados para este tipo de
técnica, los cuales son de 0.5 mHz y 30 mHz aunque la que es usada con más
frecuencia es de 13.56 mHz, esta técnica como cualquier otra tiene sus desventajas,
una de las mayores desventajas que tiene esta técnica es que para los materiales
semiconductores o aislantes tiene baja conductividad térmica, grandes coeficientes
de expansión térmica y son
usualmente materiales
frágiles, el problema es
que nuestra técnica se
generan grandes
gradientes de temperatura
en el blanco, lo que puede
producir su fractura.
El material objetivo, el sustrato y los electrodos de R comienza en una cámara de
vacío. A continuación, el gas inerte (que suele ser argón, neón o cripton), según el
tamaño las moléculas del material objetivo, se dirige a la cámara, luego se enciende
la fuente de energía de RF enviando ondas de radio a través del plasma para ionizar
los átomos del gas, una vez que los iones comienzan a entrar en contacto con
material objetivo, se rompe en pequeños pedazos que viajan al sustrato y
comienzan a formar una capa.
Dado que la RF utiliza ondas de radio en lugar de una corriente directa de
electrones, como resultado el plasma de gas inerte en un sistema RF se puede
mantener a una presión mucho más baja de menos de 15 mTorr. Esto le permite
menos colisiones entre las partículas del material objetivo y los iones de gas,
creando una ruta más directa para que las partículas viajen al material del sustrato.
La combinación de esta presión reducida, junto con el método de usar ondas de
radio en lugar de una corriente continua para la fuente de energía, hace que la RF
sea ideal para materiales objetivo que tengan cualidades aislantes.
Sputtering Electrodos planos
Patentes que enseñan que podría ser ventajoso pulsar un rango de plasma desde
finales de la década de 1960. Sin embargo, el trabajo de desarrollo sustancial
comenzó alrededor de 1990, impulsado por las necesidades de recubrimiento de
gran superficie para vidrio arquitectónico y pantallas planas. Si un cátodo de
pulverización catódica única es impulsado por un pulso rectangular , es posible una
forma unipolar y bipolar de acuerdo con la Figura 22. La frecuencia del pulso está en
el rango de 1 a 100 kHz. En comparación con la alimentación de CC, en el caso del
pulso unipolar también se reduce notablemente la formación de arcos, ya que
muchos arcos se extinguen durante el tiempo de desactivación del pulso. En la
versión bipolar, el cátodo se conmuta periódicamente a un pequeño potencial
positivo, actuando así como ánodo. Las cargas superficiales positivas que se han
acumulado pueden neutralizarse y la estabilidad del proceso mejora aún más. Sin
embargo, sigue existiendo el problema del
ánodo que desaparece. Además, ambas
soluciones sufren una pérdida en la tasa de
depósito que depende del ciclo de trabajo.
Pulsos para un solo magnetrón.
La solución óptima resultó ser un arreglo de magnetrón doble alimentado por frecuencia
media en el rango de 10 a 100 kHz según la Figura 23 . En cualquier momento, uno de los
magnetrones está en potencial negativo y actúa como cátodo de pulverización catódica,
mientras que el segundo actúa como ánodo. El cátodo temporal genera electrones
secundarios, que se aceleran hacia el ánodo y neutralizan las cargas superficiales positivas
que se han acumulado en las áreas aislantes durante el semiciclo negativo. Es obvio que
dicho sistema también puede resolver el problema del ánodo que desaparece.
Independientemente del entorno, el ánodo temporal puede recoger los electrones en
cualquier momento. El resultado es una estabilidad del proceso sustancialmente mejorada
para la deposición reactiva por pulverización cató[Link] materiales como SiO 2 , Si 3 N 4 o
TiO 2 incluso en áreas más grandes y con densidades de potencia más altas. En
comparación con la pulverización catódica reactiva de CC , a menudo la tasa de deposición
se puede mejorar en un factor de 2 a 5.
El principio de la pulverización
catódica de magnetrón pulsado desde
una unidad dual. En general, para
películas pulverizadas en descargas
de frecuencia media se encuentran
propiedades mejoradas.
Esto se relaciona con
● mayor densidad
● índice de refracción más alto
● mayor dureza
● rugosidad superficial reducida
Estas propiedades van acompañadas de un mayor esfuerzo de compresión . Jager et al.
( 12 ) informó sobre la medición de la corriente iónica y la energía iónica durante la
pulverización catódica de frecuencia media. Descubrieron que, en comparación con la CC,
los iones mucho más energéticos golpean el sustrato, lo que da como resultado una
densificación de la estructura de la película. Las figuras 24 y 25 muestran algunos
resultados para películas de Si 3 N 4 (densidad y dureza frente a la presión del proceso).
Densidad de
capas de Si 3
N 4
pulverizadas
con CC y
frecuencia
media (MF) .
Dureza de capas de Si 3 N 4 pulverizadas con CC y MF .
Con la transferencia de magnetrones pulsados o de frecuencia media a recubridores
industriales, se hicieron posibles aplicaciones novedosas. Algunos
de ellos son:
● recubrimientos mejorados de baja emisividad y control solar en
vidrio arquitectónico
● revestimientos antirreflectantes pulverizados en grandes paneles
de vidrio
● revestimientos para pantallas planas
● películas conductoras transparentes para células solares
● recubrimientos tribológicos para componentes y herramientas
● recubrimientos para sensores y óptica de precisión
Hoy en día, la pulverización catódica de frecuencia media que utiliza pulsos rectangulares o
en forma de onda sinusoidal es estándar para muchas aplicaciones en la industria de
recubrimientos.
Principios de Operación de los equipos en la
técnica Sputtering
Este equipo es ampliamente utilizado para
crear películas finas de materiales dentro de
los laboratorios con el fin de ser analizadas
posteriormente en un microscopio
electrónico de barrido.
Para entender el funcionamiento de la
pulverización catódica, primero se tiene que
entender los principios del equipo; el
funcionamiento consta de el material de recubrimiento principalmente, es
comúnmente utilizado oro, aunque también se usa el titanio como elemento además
del iridio, en la parte de arriba a la izquierda se observan 2 perillas, la perilla
izquierda ayuda a controlar el gas al momento del funcionamiento y la perilla
derecha funciona como el obturador, además de observarse un botón rojo a la
derecha que es el botón de emergencia.
En la parte de atrás tiene 2 salidas, una de ellas se conecta a una bomba de vacío,
que es parte crucial para el procedimiento, mientras que la otra es utilizada para
suministrar un gas inerte de masa elevada, que por cuestiones de precio es más
utilizado el Argón.
Cuenta también, y esto es algo que se ve en la mayoría de los equipos de
pulverización catódica, es la pantalla de control, un sistema digital que funciona
como interfaz para poder configurar el dispositivo.
Y en la parte superior, está la cámara donde se llevarán a cabo los recubrimientos
donde por dentro tiene una superficie giratoria de estilo empotrable.
Al finalizar, la muestra resultante logra tener un tamaño de 0.5 cm por lado, lo que
da la facilidad de utilizar varias de ellas apiladas al momento de analizarlo en un
SEM.
g
Principios de Operación de los equipos en la
técnica Sputtering
Con estos equipos se crean películas delgadas y sin impurezas, por esto mismo, la
técnica de pulverización catódica es de las más utilizadas en el campo industrial de
la nanotecnología.
Para obtener este resultado, dentro de la cámara se coloca el sustrato frente al
blanco, que este mismo sería el material con el que se desea recubrir, después con
la camara de vacio se evacúa todo el aire existente al interior de la cámara con el fin
de evitar impurezas en
el depósito.
Cuando se alcanza el
vacío, con la bomba se
suministra argón al
interior para así poder
energizar el sistema
con alto voltaje para
poder ionizar el argón
y formar plasma y con
frecuencias de 13,56
MHz para que los electrones sigan en su campo eléctrico y para los iones formados
de mayor peso, esta frecuencia es excesiva por lo que se quedan inmóviles y fríos.
Después el blanco que podría ser oro o titanio (mayormente utilizados) atrae con su
carga negativa al plasma lo que hace que choque y por medio de energía cinética,
desprende átomos del blanco que posteriormente se depositan en el sustrato y así
formando una pequeña película en el sustrato, que cuando se alcanza el tamaño
deseado, se deja de suministrar voltaje para
detener el depósito.
Características
preliminares de la
película obtenida
● Son capas de materiales delgados.
● Su espesor va desde algunos nanómetros hasta algunos cientos de
micrómetros.
● Son creadas por condensación una a una de materia, como átomos o
moléculas.
La medida de las propiedades de las películas delgadas es indispensable para el
estudio de las películas delgadas de materiales y dispositivos.
● Composición química
● Estructura cristalina
● Estructura óptica
● Eléctrica
● Propiedades mecánicas
Estos parámetros deben ser considerados en la evaluación y estudio de las
películas delgadas, ya que permite ver la correlación entre las condiciones de
crecimiento y las propiedades resultantes del método de fabricación
Las propiedades básicas de las películas, tales como su composición, su fase
cristalina, morfología, orientación, espesor y micro estructura, son controladas por
las condiciones de depósito y del método empleado, por ejemplo: la temperatura de
crecimiento, la tasa de crecimiento, el sustrato, tiempo de depósito, la química, etc.
Todo esto da como resultado, propiedades únicas de un material producto de un
proceso de crecimiento, algunos ejemplos de propiedades esperadas como: tamaño
de grano, efectos cuánticos, espesor, orientación cristalina, cambios en la
resistividad, efectos de tensión, etc
Usos y aplicaciones en la nanotecnología
Nanoestructuración mediante pulverización catódica
Si bien la técnica de pulverización catódica o por su nombre en inglés Magnetron
Sputtering. Es una técnica de gran interés tecnológico debido a que permite el
crecimiento de películas delgadas muy densas, cristalinas o amorfas y con muy
buena adhesión a cualquier tipo de sustrato (polímeros, metálicos, cerámicos, papel,
etc.) incluso cuando estos son de grandes dimensiones. A diferencia de otras
técnicas, la pulverización catódica permite la deposición tanto de metales como de
materiales complejos manteniendo la homogeneidad de la composición y el espesor
en la muestra, permitiendo incluso la deposición de materiales refractarios de altos
puntos de fusión.
Esta técnica es muy apreciada gracias a su sencillez de montaje experimental y por
ser una técnica alternativa de estudio que no ocasiona afectación al medio ambiente
ya que es una técnica completamente limpia y diferente a las otras que requieren
alcanzar altas temperaturas o utilizar reactivos contaminantes durante una síntesis.
Esta técnica se centra en permitir el control de las propiedades de la película
delgada a través de su morfología y microestructura. En el caso particular de la
síntesis y nanoestructuración de películas delgadas.
Sistema de pulverización catódica de ultra alto vacío
El funcionamiento de esta técnica es similar a la anterior, solo que la importancia de
este consiste en la capacidad de generar más vacíos ya que el vacío o ausencia de
aire dentro de una cámara es necesario para poder desarrollar materiales de alta
pureza. La “calidad” del vacío está determinada por la cantidad de presión que hay
en el ambiente controlado por el Sputtering. Por eso es fundamental alcanzar
presiones bajas. Por ejemplo, muchos dispositivos tecnológicos, como los modernos
teléfonos celulares, computadores, equipos de sonido, entre otros, han sido posibles
gracias a la invención del transistor y microprocesador, macro y nanodispositivos
que se pueden desarrollar a partir del Sputtering UHV. En la actualidad la
investigación continúa con el desarrollo de micro y nano dispositivos, elementos
electrónicos cuyos tamaños pueden alcanzar la millonésima parte de un milímetro,
es decir, 100 mil veces más pequeño que un cabello humano promedio.
Aplicaciones electrónicas
La tecnología de pulverización magnetrónica se ha utilizado en la preparación de
envases electrónicos y películas delgadas ópticas, especialmente la avanzada
tecnología de pulverización de magnetrón sin equilibrio de frecuencia intermedia
también se ha aplicado en películas delgadas ópticas y vidrio conductor
transparente. El vidrio conductor transparente se usa ampliamente en la actualidad,
como dispositivos de pantalla de panel de computadora de TV, microondas
electromagnética y dispositivos y dispositivos de blindaje de radiofrecuencia, células
solares, etc. Además, la tecnología de revestimiento de pulverización catódica
magnetrón desempeña un papel importante en la memoria óptica. Además, esta
tecnología se utiliza ampliamente en películas de superficie funcional, películas
autolubricantes, películas ultra duras, etc. Las películas delgadas superconductoras
de alta temperatura, películas delgadas magnetoresistivas gigantes, películas
delgadas ferroeléctricas, películas delgadas luminiscentes, aleación de memoria de
forma delgada. Películas y células solares.
Paneles solares
Una celda solar de película delgada es una celda solar de segunda generación que
se fabrica depositando una o más capas delgadas o película delgada (TF) de
material fotovoltaico sobre un sustrato, como vidrio, plástico o metal. Los objetivos
de pulverización catódica o, a veces, los gránulos de evaporación , son materiales
de origen importante en el proceso de deposición. Las células solares de película
delgada se utilizan comercialmente en varias tecnologías, incluida la película
delgada de telururo de cadmio (CdTe), la película delgada de diseleniuro de cobre,
indio y galio (CIGS) y la película delgada de arseniuro de galio (GaTe).
Las películas delgadas de las celdas solares varían nanómetros hasta decenas de
micrómetros, el poder obtener películas delgadas hace que se conviertan flexibles y
de menor peso. Se utiliza en la construcción de energía fotovoltaica integrada y
como material de acristalamiento fotovoltaico semitransparente que se puede
laminar en las ventanas.
Células solares convencionales y células solares delgadas
Los paneles solares convencionales tienen ventaja sobre los paneles
convencionales ya que:
● Son livianos debido a su construcción donde los paneles se intercalan
entre vidrios sin marco
● Cuestan menos que los paneles solares tradicionales
● Tienen un menor impacto en el medio ambiente porque utilizan menos
silicio
● La instalación suele costar menos porque son fáciles de instalar y
requieren menos mano de obra
Conclusión
El sputtering ha traído innovación y rendimiento superior a una amplia gama de
industrias. Este método está compuesto por muchas subtecnicas, en las cuales
todas utilizan colisiones de alta energía para llegar a crear un recubrimiento delgado
y preciso del material.
La calidad final de la película depende de varios factores, incluyendo las
propiedades del material objetivo,las metodologías de proceso y el rendimiento del
sistema de pulverización catódica.
Bibliografías
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