UNIDAD CURRICULAR ELECTRÓNICA I
Guía de Laboratorios
FAMILIARIZACIÓN CON LOS individuales que están en contacto con los respectivos
cristales semiconductores se toman tres conexiones. La
TRANSISTORES oblea P de la izquierda se denomina "emisor", la oblea N
de en medio, "base" y la oblea P de la derecha, "colector".
OBJETIVOS La base tiene alrededor de 1 mil (0.001 pulg) de espesor.
Para efectos de polarización, este transistor se puede
• Familiarizar al lector con diversos tipos de transistores. considerar como dos diodos. El emisor base es un diodo y
el colector-base es el otro diodo. Cuando se utiliza como
• Medir los efectos producidos por la polarización en amplificador, el transistor se polariza como se indica en la
directa (normal) y en inversa en la corriente emisor-base figura 1-3. El emisor-base se polariza en sentido directo o
del circuito emisor-base. en dirección de resistencia mínima con un V EE ; el colector-
base se polariza en sentido inverso, o en dirección de
• Medir los efectos producidos por la polarización en resistencia máxima con un Vcc.
directa y en inversa en la corriente del colector en el
circuito emisor-base. Los huecos son los portadores de corriente mayoritarios
• Medir ICBO. del diodo emisor-base y salen del emisor tipo P.
INFORMACIÓN BÁSICA
Transistor: dispositivo formado por tres elementos.
El interés científico de los semiconductores trajo consigo
la invención del transistor. Una ventaja del transistor es su
Figura 1-2. Transistor de unión PNP.
tamaño y peso reducidos, lo cual permite la
miniaturización del equipo electrónico. El transistor opera
Sólo una pequeña cantidad de los huecos emitidos por el
con poco voltaje y su consumo de electricidad es mínimo.
emisor se combinan con los electrones libres de la base.
No necesita un periodo de calentamiento y funciona en
Los demás (un 95%) atraviesan la delgada capa de
cuanto se le suministra energía. Un transistor tiene menos
material, y son atraídos por la terminal negativa de la
conexiones de circuito. Una de las desventajas de los
batería en el colector. El circuito emisor-colector se
transistores es su sensibilidad al calor, pero una ventaja es
completa en forma externa a través de las dos baterías, V EE
que genera muy poco.
y Vcc , conectadas en serie. El resistor, Rc, limita el valor
máximo de la corriente de colector. De acuerdo con esta
Existen diversos tipos de transistores. Se pueden descripción del flujo de corriente en un transistor, es
clasificar de acuerdo con el tipo de material básico con que evidente (figura 1-3) que el emisor es la fuente de los
se construyen. En esta categoría figuran los transistores portadores de corriente, que la corriente emisor-base es
de germanio y silicio. La mayor parte de los transistores se muy pequeña y que la corriente en emisor-colector es alta.
hacen de silicio. También se clasifican de acuerdo con el También se observa que los cambios que se producen en la
proceso utilizado para su fabricación. Existen diversos polarización emisor-base ocasionan cambios en la
tipos de transistores de unión: transistor de unión por corriente del emisor. Es decir, un aumento de la
crecimiento, de unión por aleación, de campo de arrastre, polarización en directa produce un aumento en la corriente
tipo meseta, epitaxial tipo meseta, planar y de contactos de de emisor y, por lo tanto, en la corriente del colector. La
punta. Se pueden clasificar también según su capacidad corriente de base aumenta o disminuye muy poco con un
para disipar potencia; aquí se encuentra una amplia gama, aumento o disminución en la corriente del emisor. Por lo
desde los de baja potencia (de menos de 50 mW) hasta los tanto, es evidente que es fácil controlar la corriente del
de alta potencia (2 W y más). colector si se cambia la polarización de la parte emisor-
base. Ahora los términos "emisor" y "colector" se pueden
Los transistores tienen diversas formas y tamaños
asociar con las funciones que desempeñan.
(figura 1-1). Existen variantes en cuanto a la configuración
de su receptáculo y a la manera de montar el transistor en
el circuito. Algunos se montan sobre un conector. Éstos se
adaptan a la forma de la base física del transistor. Algunos
transistores tienen conexiones flexibles que permiten
soldarlos directamente en el circuito.
Figura 1-3. Polarización de un transistor PNP.
También es posible fabricar un transistor de unión con
una configuración NPN (figura 1-4). Igual que en el caso
Figura 1-1. Algunas formas de transistores (Sylvania Eleetrie Produets Ine.) anterior, la polarización del emisor-base debe realizarse en
la dirección directa, en tanto que la del colector-base se
Transistores de unión. hace en la dirección inversa. Dado que en este caso se
utiliza un cristal tipo N como emisor y colector y uno de
Los transistores son una extensión del diodo de tipo P como base, hay que invertir las polaridades de la
semiconductor. El transistor PNP mostrado en la figura 1-2 batería en relación con la polaridad de un transistor PNP.
es un ejemplo. Un transistor de unión construido con una En el caso del transistor NPN, los electrones son los
capa muy delgada de silicio tipo N entre dos capas portadores de corriente mayoritarios. Para el transistor
"gruesas" de silicio tipo P. De las placas metálicas PNP estos portadores son los huecos.
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Esta corriente de fuga (ICBO) se debe a portadores
minoritarios en el colector y la base. El valor de ICBO está
en el intervalo de unos microamperes (μA), para el
germanio y de unos nanoamperes (nA), en el caso del
silicio y aumenta de valor al aumentar la temperatura.
Un importante factor que afecta la operación del
transistor es la temperatura de funcionamiento. Una
temperatura mayor da una corriente mayor; a su vez, esto
produce más calor y más corriente. Si esta reacción en
Figura 1-4. Polarización de un transistor NPN.
cadena, conocida como embalamiento, no se interrumpe,
puede dar como resultado la destrucción completa del
La figura 1-5 es un diagrama simplificado en el que se
transistor debido al calor excesivo. El intervalo normal de
muestra la dirección del flujo de la corriente de electrones
temperatura dentro del cual es posible operar un
en el circuito externo de un transistor PNP. Note que es
transistor sin riesgos está especificado por el fabricante.
una corriente de electrones la que fluye en el circuito
Los transistores de silicio toleran mejor el calor que los de
externo y un flujo de huecos dentro del cristal tipo P. La
germanio, por lo que su intervalo de temperatura de
corriente designada como ICBO es una corriente de fuga
funcionamiento es mucho más amplio que para los
muy pequeña, y por el momento no se analizará. La
transistores de germanio.
corriente que fluye por el circuito del emisor es la
corriente "total" y es igual a la suma de las corrientes de
Símbolos, bases y montaje.
base y colector.
Las figuras 1-7a) y b) muestran los símbolos que
representan los transistores PNP y NPN, donde el
elemento que tiene una flecha es el emisor y su
contraparte simétrica es el colector. El transistor PNP se
caracteriza por la flecha del emisor que apunta hacia la
base, en tanto que la flecha del emisor sale de la base para
el transistor tipo NPN. Observe que el flujo de la corriente
de electrones dentro del transistor es opuesta a la
dirección de la flecha.
Figura 1-5. Flujo de corriente de electrones por el circuito
externo de un transistor PNP. Los transistores se clasifican de acuerdo a su capacidad
para disipar potencia. Un transistor utilizado como
La figura 1-6 es un diagrama simplificado que muestra la amplificador de audio de bajo nivel tendrá una
dirección del flujo de la corriente de electrones en el especificación de potencia baja, por decir, de 50 mW. Un
circuito externo de un transistor NPN. Al compararlo con transistor empleado como amplificador de salida debe
la figura 1-5 se observa que la dirección del flujo de la tener una especificación de watts mayor. Las cubiertas de
corriente en el circuito externo del transistor NPN es los transistores de potencia están diseñadas especialmente
opuesta a la del tipo PNP. para favorecer un enfriamiento rápido. Por ejemplo, en
algunos transistores de potencia se utilizan aletas radiales
para disipar el calor (figura 1-1). Otros tipos de
transistores utilizan una envolvente metálica montada en
el chasis metálico del equipo en que se utiliza. En este
transistor, el colector se conecta con la cubierta del
transistor y el chasis se encarga de disipar el calor. La
especificación de potencia de este tipo de transistor es
mayor cuando se monta en el chasis metálico, como se
describió, y una especificación de potencia menor cuando
Figura 1-6. Flujo de corriente de electrones por el circuito no se monta en dicho chasis. La siguiente es una lista de
externo de un transistor NPN.
las abreviaturas utilizadas para denotar los parámetros de
un transistor:
ICBO y el embalamiento térmico.
VBB Voltaje alimentado a la base.
ICBO es la corriente de colector que fluye cuando la unión
ICB Corriente colector a base (para evitar confusiones
formada por colector-base está polarizada en dirección
se puede usar el segundo subíndice).
opuesta con la unión emisor-base en circuito abierto (no
VKJ Voltaje de circuito entre elementos, por ejemplo,
hay VEE ).
entre K y J.
VCB Voltaje entre colector y base.
Reglas para trabajar con circuitos que tienen
transistores y para realizar mediciones en ellos.
Herramientas especiales.
Se requieren herramientas especiales para usarlas en
Figura 1-7. Símbolo esquemático de a) un transistor PNP circuitos que tienen transistores debido al tamaño
y b) un transistor NPN. reducido de éstos y de sus componentes asociadas.
Además, por lo general, el equipo transistorizado está
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miniaturizado y resulta imposible utilizar las herramientas Revisión de las conexiones del circuito. Es necesario
normales. La lista de herramientas especiales incluye: verificar todas las conexiones según el diagrama del
circuito antes de conectar la alimentación. No debe
• Cortadores miniatura. conectarse un transistor a una fuente de voltaje sin una
• Pinzas miniatura con punta de aguja. resistencia limitadora en el circuito.
• Una variedad de tweezers de servicio.
• Varilla para soldar tipo lápiz de 25 W. Soldado del transistor. Cuando sea necesario el
• Cautín. soldado de transistores debe hacerse con rapidez. Se
• Lupa de joyero o lupa con base. recomienda usar varillas de pocos watts (25 W). Las
extremidades del transistor deberán ser lo más largas
Precauciones para no dañar a los transistores. posibles, de acuerdo con el diseño del circuito para reducir
la transferencia de calor. Se debe utilizar el mismo tipo de
Si bien los transistores son dispositivos de construcción disipador calorífico al soldar las conexiones del transistor a
sólida, es fácil dañarlos si su manejo no es adecuado. un circuito que al soldar diodos de germanio. Para crear
Cuando trabaje con transistores de baja potencia con un disipador calorífico efectivo la extremidad del transistor
conexiones flexibles, debe hacerlo con mucho cuidado ya se sujeta con pinzas de puntas largas, entre el cuerpo del
que estas conexiones son frágiles y se rompen con transistor y el punto de aplicación del calor, como se
facilidad. La misma precaución debe tenerse al manejar las muestra en la figura 1-8.
componentes de los transistores. Como éstas son de
tamaño miniatura es fácil romper sus conexiones si no se Mediciones de voltaje. Todo el equipo debe estar
tiene el cuidado necesario. Para lograr una vida máxima, aislado de la línea de alimentación eléctrica. De no ser así,
los transistores y las componentes asociadas que se es necesario usar un transformador de aislamiento. Al
utilizan en éste, y experimentos subsecuentes, deben medir el voltaje en los circuitos de transistores, hay que
montarse de manera permanente en dispositivos de tener cuidado de minimizar la posibilidad de corto
cableado. circuitos accidentales entre terminales con espaciamiento
muy cercano. Un corto circuito accidental puede aplicar un
voltaje incorrecto o excesivo a los elementos del transistor
y destruirlo.
Mediciones de resistencia. Existe la posibilidad de
dañar un transistor durante una medición de resistencia.
Cuando se utiliza un óhmetro de tipo conexión en paralelo
en los intervalos de resistencia baja, es probable que
entregue una corriente excesiva al transistor y lo destruya.
Debe tener cuidado al hacer mediciones en los circuitos de
transistores con un óhmetro. Una regla útil consiste en
observar el voltaje y polaridad en las conexiones del
Figura 1-8. Las pinzas sirven como disipador calorífico al soldar óhmetro antes de verificar las uniones de transistores.
un transistor en un circuito.
Además, si es necesario verificar la resistencia de las
componentes de un circuito con transistor, éste debe
Los transistores pueden destruirse casi
quitarse si es de tipo enchufable. Cuando se mide la
instantáneamente, a diferencia de los bulbos que toleran
resistencia con el transistor conectado en el circuito,
sobrecargas de voltaje moderadas durante periodos largos.
deben tenerse en cuenta que habrá conducción a través
Un corto circuito entre la base y el colector producido en
del transistor. Se recomienda hacer dos series de
un circuito en operación, casi siempre destruirá un
mediciones de la resistencia invirtiendo las conexiones del
transistor. Entonces, la punta de prueba de un medidor o
óhmetro para la medición requerida. La lectura mayor será
de una herramienta que pone en corto un par de
la correcta ya que en este caso el transistor tenía
terminales puede destruir un transistor.
polarización en inversa.
Se evitarán muchas averías en los circuitos de estado
Es frecuente que los voltímetros electrónicos (EVM)
sólido si observan los siguientes lineamientos al trabajar
cuenten con una función para medición de ohms a baja
con ellos:
potencia (LPΩ), especial para medir resistencias en
circuitos con transistores. Con la función LPΩ el voltaje
Inserción de transistores en un circuito. No instale
generado para polarizar directamente las funciones del
ni retire un transistor de un circuito con la alimentación en
transistor es insuficiente. Por ello, esta función sirve para
encendido. De lo contrario, puede dañar en forma
realizar mediciones en circuitos que contienen dispositivos
permanente un transistor debido a las elevadas corrientes
de estado sólido.
transitorias que se llegan a generar. Cerciórese de que la
alimentación está en apagado antes de insertar o retirar
Empleo de generadores de señales como fuente de
un transistor u otra componente de un circuito.
señales en circuitos que tienen transistores. Una
salida excesiva producida por un generador de señal
Valores de polarización y de voltaje de colector.
podría destruir un transistor. Así, la salida del generador
Cerciórese de que la polaridad del voltaje de polarización
debe calibrarse al mínimo al inicio de la inyección de la
del colector sea correcta antes de conectar la
señal. Como medida de seguridad adicional, el generador
alimentación. La polarización del colector debe ser
no debe acoplarse directo al circuito. Siempre que sea
inversa. Además, el voltaje entre el colector y el emisor no
posible, se recomienda un acoplamiento capacitivo
deberá exceder los valores especificados. Por lo tanto,
holgado.
debe medir estos voltajes y ajustarlos al valor adecuado
antes de conectar la alimentación al circuito.
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RESUMEN 2. En un transistor PNP el emisor es ____________________
(positivo, negativo) respecto de la base, en tanto que el
1. Los transistores son dispositivos de estado sólido que colector es _____________________ (positivo, negativo)
amplían el alcance y aplicaciones del diodo de dos respecto de la base.
elementos.
3. Las polaridades de las baterías de un transistor NPN son
2. El silicio es el elemento que se utiliza en la mayoría
(inversas, idénticas) en relación con las baterías de un
de los transistores hoy día. transistor PNP.
3. Los transistores de unión constan de un elemento muy
delgado llamado base, colocado entre dos elementos llamados 4. La punta de la flecha en el símbolo del emisor que
emisor y colector. representa a un transistor muestra la dirección
4. Los transistores pueden ser de tipo PNP o NPN. La convencional del flujo de corriente, la cual es opuesta al
primera letra indica el tipo de material usado en el flujo de electrones. _________________ (verdadero,falso).
emisor; la central, el de la base, y la última, el 5. Los transistores son dispositivos de construcción sólida,
material del colector. Es decir, los transistores por lo que requieren de mínimos cuidados al manejarlos.
contienen dos uniones, la unión del emisor y la base, y ____________________ (verdadero, falso).
la del colector y la base.
5. Las características de los transistores de unión 6. Los transistores son sensibles al ______________________.
dependen del grado de contaminación en emisor, base Por lo tanto, al soldar las terminales de un transistor en
y colector, de la geometría del transistor y del método un circuito deben usarse disipadores ___________________.
de fabricación.
6. Para efectos de polarización, el transistor se puede
considerar como un dispositivo de dos diodos: el diodo
emisor-base y el diodo colector-base.
7. En la mayoría de las aplicaciones, el diodo emisor-
base tiene polarización en directa y el diodo colector-
base tiene polarización en inversa.
8. El emisor inyecta (emite) o es la fuente de los
portadores de corriente dentro del transistor. El
colector recibe (recolecta) la mayor parte de los
portadores de corriente. La base controla la corriente
de colector.
9. La corriente del emisor es la corriente total y se
divide entre la corriente del colector y la corriente de
la base.
10. El flujo de corriente dentro del transistor se realiza
mediante los portadores de corriente mayoritarios, los
cuales son electrones si el material es tipo N y huecos
si es tipo P.
11. Existen también portadores minoritarios. La reducida
corriente de los portadores minoritarios en la unión
colector-base con el emisor abierto se conoce como
corriente de fuga o ICBO.
12. Si bien el valor de ICBO es muy pequeño en los
transistores de silicio, aumenta con el calor y llega a
destruir un transistor si no se detecta.
13. Los transistores son sensibles al calor. Las
temperaturas a las que pueden operar están
especificadas por el fabricante.
14. Los transistores se clasifican de acuerdo con su
capacidad para disipar energía, desde valores bajos
(50 mW) hasta elevados (2 W o más).
15. Los transistores de alta potencia emplean disipadores
caloríficos para eliminar el calor presente en un
transistor.
AUTOEVALUACIÓN
Responda a las siguientes preguntas para evaluar su
aprendizaje.
1. La unión emisor-base de un transistor tiene
polarización _________________; la unión colector-base
tiene polarización __________________.
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PROCEDIMIENTO 4. Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo S1.
5. Cierre S1. Observe y mida el valor de I CB. Anote los
MATERIAL NECESARIO datos en la tabla 1-1. Este es el valor de I CBO para las
condiciones del circuito. Mida el valor de V CB y
• Fuente de alimentación: fuente de voltaje en cd de anótelo en la tabla 1-1. Indique la polaridad del
valor bajo, regulada, con valores variables. voltaje.
• Equipo: Dos miliamperímetros de rango múltiple (o
multímetros de 20 000 Ω/V); EVM.
• Resistores: 100 Ω, 820 Ω a ½ W.
• Semiconductores: 2N3904; 2N3905 montados de
manera correcta o su equivalente.
• Otros: Un potenciómetro de 2500Ω a 2W; dos
interruptores de un polo un tiro.
Polarización PNP
1. Arme el circuito de la figura 1-9 con los interruptores
S1 y S2 abiertos. La configuración de este circuito se
llama amplificador de base común. La corriente de
entrada (IE) se aplica en la conexión del emisor, y la
corriente de salida (IC) se mide en el circuito del
colector. Configure R2 para el valor de resistencia
máxima; con ello se obtiene la polarización mínima en Figura 1-9. Mediciones de corriente y voltaje en los circuitos de
el emisor al aplicar la alimentación eléctrica. R 1 es un emisor y colector de un transistor PNP.
resistor limitador de corriente (o de polarización) en el
Polarización NPN
circuito del emisor. R3 es un resistor limitador en el
circuito del colector. Conserve la polaridad correcta de
la batería y del medidor. Configure los medidores M 1 y 6. Abra: S1. Quite el transistor PNP del circuito y
M2 para valores altos. Una vez conectada la sustitúyalo por el transistor NPN, invierta la polaridad
alimentación, disminuya el intervalo del medidor hasta de VCC y de VEE, como en la figura 1-10.
que sea adecuado para leer el valor de la corriente.
7. Cierre S1. Configure R 2 para el valor de resistencia
Antes de conectar la alimentación, pida a su instructor
máxima. Cierre S2. Observe y mida el valor de IE y de
que apruebe las conexiones del circuito.
IC. Anote los datos en la tabla 1-1. Mida los valores de
2. Cierre S1 y S2. Observe y mida la corriente presente VEB, VCB y VCE y anótelos en la tabla 1-1. Indique la
en los circuitos del emisor y colector. Haga sus polaridad.
mediciones de manera precisa para advertir cualquier
8. Configure R2 para el valor de resistencia mínima.
diferencia entre IE e IC. Anote los datos en la tabla 1-1.
Cambie los intervalos del medidor según se requiera.
Mida el valor de los voltajes emisor-base (V EB),
Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los
colector-base (VCB) y colector-emisor (VCE) y anótelos
resultados en la tabla 1-1. Indique la polaridad del
en la tabla 1-1. Muestre la polaridad de cada voltaje.
voltaje.
9. Abra S1. Abra el circuito emisor-base abriendo el
interruptor S2.
10. Cierre S1. Observe y mida ICBO y VCB. Registre los datos
en la tabla 1-1.
11. Abra S1.
Tabla 1-1. Características de un amplificador con transistor.
3. Configure R2 para el valor de resistencia mínima, es
decir, para obtener la polarización de emisor máxima.
Cambie los intervalos del medidor según se requiera.
Observe y mida IE, IC, VEB, VCB y VCE. Anote los datos Figura 1-9. Mediciones de corriente y voltaje en los circuitos de
emisor y colector de un transistor NPN.
obtenidos en la tabla 1-1. Indique la polaridad de cada
voltaje.
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PREGUNTAS
1. ¿Qué efecto produce en la corriente del colector un
aumento en la polarización del emisor?
2. Calcule la corriente de base (I B = IE - IC) para cada
conjunto de lecturas en la tabla 1-1. Anote estos
valores en la tabla.
3. Compare y explique las diferencias entre los valores
de IC e ICBO.
4. Compare y explique las diferencias en los valores de
VCE obtenidos en los pasos 2 y 3.
5. Calcule el voltaje presente en R 3 (VR3 = IC x R3) para
cada conjunto de lecturas en la tabla 1-1. Comente
acerca de la relación entre VR3 y VEB.
6. La ganancia de un amplificador se calcula dividiendo
la corriente de salida (le en este experimento) entre la
corriente de entrada (IE). ¿Cuál es la ganancia en
corriente del amplificador de base común utilizado en
este experimento en condiciones normales de
operación?
Referencias Bibliográficas
BOYLESTAD, Robert. “Electrónica. Teoría de
Circuitos”. Editorial Prentice Hall. Sexta Edición.
México. 1.996.
MALVINO, Albert. “Principios de Electrónica”.
Editorial McGraw Hill. Sexta Edición. España. 1.999.
ZBAR, Paul; MALVINO, Albert; MILLER, Michael.
”Prácticas de Electrónica”. Editorial Alfaomega.
Septima Edición. México. 2006.
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