Contenido

Introducción 2
Unidad 1 El diodo 3
1.1 Comportamiento del diodo en corriente directa DC 3
1.1.1 Diodo en serie 3
1.1.2 Diodo en paralelo 4
1.1.3 Varios diodos 4
1.1.4 Recta de carga del diodo o curva característica 5
1.2 Comportamiento del diodo en Corriente Alterna6
1.3 Practicas con diodos 7
1.4 El diodo Zener 14
1.5 Examen 15
1.5.1 Respuestas 15
Unidad 2 El transistor BJT 18
1.6 Regiones y zonas de trabajo 19
1.6.1 Otras terminologías 21
1.7 Configuraciones de transistores 21
1.8 Polarización Emisor Común (EC) 21
1.8.1 Notas 21
1.9 Configuración de Polarización Emisor Común 1
1.10 Operación del punto Q, Recta de carga estática de un transistor 1
1.10.1 Punto de trabajo 1
1.10.2 Representación del punto de trabajo con la recta en carga estática 1
1.11 Notas De Cuaderno 2
1.12 Practicas 9
1.12.1 Practica 2.2 Polarización Universal o Divisor de voltaje 9
1.12.2 Polarización fija con colector común 11
1.13 Examen Unidad 2 13
1.14 Respuestas 13
1.14.1 Bibliografía 15

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Unidad 3 Transistor FET 16
1.15 Características del Transistor FET contra el Transistor BJT 16
1.16 Recta de corriente del transistor 17
1.17 Términos para el trabajo del FET 17
1.18 Zonas de trabajo 17
1.18.1 Configuración del transistor para operación 18
1.18.2 Región óhmica 19
1.18.3 Región de saturación 19
1.18.4 Región de ruptura 20
1.19 Procedimiento para conocer la curva de transferencia 20
1.19.1 Método gráfico 20
1.20 Colocación del punto Q en Polarización Fija 22
1.20.1 Método matemático 22
1.20.2 Método Gráfico22
1.21 Colocación del punto Q en Configuración de Auto polarización 23
1.22 Colocación del punto Q en Polarización Divisor de Voltaje 26
1.23 Practicas (No evidencias, no reporte) 1
1.24 Examen Unidad 3 3
Introducción
Los transistores se basan del principio del semiconductor conocido como el “diodo”
A grandes rasgos, el diodo es un dispositivo semiconductor capaz de bloquear casi por completo el
paso de corriente al polarizarse inversamente.
Esta característica nos permite realizar algunas tareas de forma más fácil tales aplicaciones son:
Rectificadores, reguladores, recortadores de señal, etc.
Los comportamientos del diodo varían de acuerdo a las polaridades que se le coloquen al mismo.
Los transistores están basados en los principios del diodo, permitiéndonos regular la corriente que
pasa por el mismo de forma analógica.
Los dispositivos parecidos al transistor son varios y se diferencian unos de otros por sus diferentes
construcciones físicas que les da diferentes capacidades de aplicación, tales son por ejemplo los
transistores BJT, MOSFET, MESFET, IGBT,etc.
Durante el transcurso de este documento se realizarán ejercicios aplicados no sin antes dar un poco
de teoría y explicar lo que se necesita para saber resolverlos, tales son como los comportamientos,
las fórmulas y métodos de obtención de las fórmulas. En este documento se procura reducir a lo
más mínimo la teoría escrita y se referirá a la teoría gráfica, utilizando software para cálculos e
implementando recursos visuales tales como gráficas, tablas, dibujos y símbolos para mejorar la
comprensión de los mismos.
Unidad 1 El diodo
.1 Comportamiento del diodo en corriente directa DC
.1.1 Diodo en serie
Cuando el diodo se conecta directamente positivo de fuente con positivo del diodo se le conoce
como polarización directa, el diodo tiene una “barrera de potencial” que consume cierto voltaje de
nuestra fuente principal, es por eso podremos sustituir el diodo como una fuente de poder de 0.7
volts polarizado en inversa Ilustración 1(este voltaje de 0.7 volts varía de acuerdo con el dispositivo
y su material, por ejemplo, el diodo de Germanio es de 0.3 volts)

Ilustración 1 El diodo en directa como una fuente de voltaje en inversa

Por lo que para calcular el voltaje que pasa por la resistencia se hace la resta de este 0.7 al voltaje de
la fuente:

El diodo al “polarizarse inversamente” funciona como un circuito abierto, sin dejar pasar la
corriente a cierto grado.

Ilustración 2 El diodo polarizado inversamente como un circuito abierto

.1.2 Diodo en paralelo
Polarizado directamente
Algo curioso sucede aquí, cuando el voltaje de la fuente es menor a la del diodo, este diodo no
dejará pasar el voltaje de la fuente, hasta que el voltaje de la fuente llega o supera al voltaje del
diodo (barrera de potencial), en el siguiente circuito Ilustración se muestra el diodo en paralelo entre
2 resistencias.

Ilustración 3 Diodo en paralelo

Este circuito se reemplaza con el siguiente

Aplicando Leyes de kirchoff y mallas descubrimos que en el voltaje de la resistencia de la derecha

es de 0.7 volts mientras que el de la izquierda es de 2-0.7 = 1.3 volts.
Polarizado inversamente es sencillo no requiere análisis pues es como si el diodo no estuviera y
hacemos simple divisor de voltajes Ilustración 4:

Ilustración 4 Circuito equivalente al invertir polaridad del diodo

.1.3 Varios diodos

Recordando que los diodos en directa son como fuentes de voltaje, entonces, al colocar varios en
serie, su voltaje de barrera se sumará y el voltaje saliente de la salida se disminuirá como se muestra
en la ilustración 5
 Ilustración 5 Diodos en serie aumenta su voltaje de barrera

.1.4 Recta de carga del diodo o curva característica

El diodo tiene un comportamiento característico con respecto a sus valores de entrada como se
muestra en la ilustración 6, las zonas te trabajo del diodo depende de su polarización

Ilustración 6 Grafica Voltaje Corriente (VI) de un diodo

 Voltaje directo: Entre mayor sea el voltaje que se le coloque al diodo mayor la corriente
será la que pase por el mismo.
 Voltaje inverso: Al polarizar el diodo inversamente obtenemos una muestra de la corriente
aumenta ligeramente pues el cierre de la corriente del diodo no es perfecto y tendremos
fuga de electrones por el diodo
 Corriente de avalancha o Voltaje de ruptura Sucede cuando el voltaje al que esta
inversamente al diodo supera un cierto limite, el diodo se romperá y causará un corto
circuito, permitiendo pasar toda la corriente posible por el diodo, dañando al mismo
irreversiblemente
.2 Comportamiento del diodo en Corriente Alterna
Se vio que el diodo en CD bloquea la señal inversa al mismo, entonces al aplicar este principio en
una fuente alterna simplemente nos bloqueará un semiciclo positivo como se muestra en la
ilustración 7

Ilustración 7 El diodo como rectificador de onda

Al polarizarlo inversamente solo cambia la polaridad del semiciclo positivo.

Ilustración 8 Al invertir el diodo se invierte la gráfica.

El análisis de este circuito se hace por semiciclos

Semiciclo positivo y semiciclo negativo, asi es más fácil describir sus comportamientos:
Tomemos un ejemplo:
Calcule el voltaje de cada semiciclo del siguiente circuito:

 Semiciclo Positivo: El diodo esta polarizado directamente y funciona como una fuente de
poder de 0.7 volts por lo que el voltaje de salida será de 10Vpk (10 volts pico) menos el
voltaje del diodo 0.7
  Semiciclo Negativo: El diodo está polarizado inversamente y por ende el diodo no conduce
el voltaje, este será 0 volts

Los multímetros están diseñados para medir voltajes medios o voltajes eficaces también conocidos
como voltajes rms, en el osciloscopio observamos que tenemos un Vpk, Peak voltage, o Voltaje
pico, es decir, nos muestra la amplitud del voltaje en ac. Hay que hacer una conversión de voltaje
pico a voltaje eficaz utilizando la siguiente formula:

Asi entonces Vrms =

.3 con diodos
La aplicación del diodo es convertir el voltaje alterno o señales de voltaje oscilantes
en voltaje directo o señales rectificadas.

Los métodos de medición de corriente alternan pueden variar ya que son diferentes puntos los
que se toman en cuenta:

Objetivo

Aprender a utilizar el diodo, sus características, cálculos y aplicaciones inmediatas, teóricas, por
medio de las siguientes prácticas en físico y practico, utilizando equipos de medición como son
multímetros, amperímetros, generadores de señales, osciloscopios para poder medir, ver las
señales en tiempo real, y a su vez combinando practicas simuladas, para conocer herramientas de
simulación para desarrollo de proyectos a futuro.

Materiales

4 diodos de tipo 1N4001 o equivalente (serie 1N400X)

Multímetro Digital

Generador de Señales Agilent

Osciloscopio Tektronix

Cables para conectar a los respectivos equipos

1 Resistencia de 1k ohm

1 resistencia de 45k ohm o equivalente

1 capacitor cerámico de 0.22 F

Procedimiento

Practica 1.1 Resistencia

Calcula el valor de la resistencia para que la corriente sea menor a 50mA.

Practica 1.1.2 Diodo conectado en polaridad directa

Tomar lecturas de voltaje de salida como se muestra utilizando el osciloscopio, calcule VP, VRMS,
VMEDIO, y el porcentaje de error de lectura real vs calculada. Asegúrate de que el osciloscopio
esté en acoplamiento DC

Tabla de conversiones teniendo Voltaje Pico:

Aplicando el voltaje del diodo real (0.5) a la fuente y calculamos voltaje de salida en voltaje pico
(VP):

Voltajes Calculados:

Voltajes calculados:

Voltajes reales medidos:

Porcentaje de error

Vp = 2.6%

Vmed = 10.43%

Vrms = 1.3%

Practica 1.1.3 Rectificador de media onda con filtro

Partiendo del circuito anterior agrega un capacitor como se muestra. Calcule valores de RC tales
que la constante “T” sea cuanto menos 5 veces mayor al periodo de la señal de entrada.
Queremos que T sea 5 veces mayor al de la entrada, entonces, 5(500) = RC

Operando: Demosle cualquier valor a C;

Repita utilizando una resistencia de 10k y calcule valor de capacitor

Recordando

Entonces Queremos que periodo de salida sea 5 veces mayor al de la entrada:

Para calcular el voltaje de rizo

Practica 1.2 Recortador en paralelo

Conecte el circuito de la figura 1.3, dibuje la señal de salida, haciendo énfasis en los puntos y
magnitudes donde la señal se recorta, siga los puntos del 2 al 8, sin incluir el 7.

El comportamiento de este circuito se divide por semiciclos de la onda de entrada:

Cuando la onda esté en semiciclo positivo:

Un diodo está en polarización directa entonces funciona, el otro está en inversa y tendremos
circuito abierto, en este momento la salida de voltaje de este circuito es el equivalente a 0.7v –
0.57v, puesto que un diodo en paralelo proyecta su voltaje de ruptura únicamente:
Entonces aquí es cuando la fuente de 5v entra en acción, este voltaje se inyecta a la onda actual de
0.57v, sumando a la salida de voltaje 5v; 0.57+5 = 5.57v:

Este seria el mismo comportamiento para el ciclo negativo solo con voltaje negativo:

El voltaje negativo resulta ser el voltaje de ruptura del diodo negativo.

Sumando el voltaje externo de la fuente-2v -0.57 = -2.57v

Ahora al juntar los circuitos juntamos ambas ondas:

Practica 1.3 Rectificador de onda completa tipo puente

Como se vio en la practica 1.1 parte 2:

.4 El diodo Zener
El diodo Zener es exactamente igual que el diodo convencional, solo que el diodo Zener tiene un
voltaje de ruptura mucho menor al del voltaje convencional (El voltaje de ruptura es el voltaje
máximo que soporta un diodo al estar polarizado inversamente) mientras que el diodo
convencional suele estar por 500 y 1000 volts, el diodo Zener es de 2 a 30 volts aproximadamente,
cada dispositivo y modelo varía su valor.

El Zener a diferencia del diodo convencional, funciona mejor en su zona de ruptura pues es debido
a sus propiedades físicas, este al “romperse” no queda inservible, pues este está diseñado para
este fenómeno, por lo que puede dejar pasar la corriente estando polarizado inversamente sin
problemas. El diodo Zener tiene una equivalencia similar a la de dos diodos en paralelo como se
muestra en la siguiente Ilustración:

Ilustración 9 Diodo zener equivale a 2 diodos en paralelo

Entonces tendremos una fuente de voltaje equivalente al diodo Zener cuando éste esté roto, y a
su vez, esta nueva fuente tendrá el valor de voltaje Zener o voltaje de ruptura.

Para verificar que el diodo esté en ruptura inversa démosle valores al siguiente circuito:

V1 = 15v, R1 = 1.8k, R2 = 700, Vd =10v

Para saber cuánto voltaje cae en el diodo Zener hay que hacer un divisor de voltaje para encontrar
el voltaje de R2
Como el voltaje en R2 no es mayor al voltaje de ruptura del diodo Zener, no habrá paso de voltaje
del mismo y solo tendremos un circuito abierto en el Zener y un simple divisor de voltaje:

Para que haya más o igual voltaje al diodo Zener, debemos tener una Resistencia de 350 en R1:

.5 Examen
Resolver los siguientes circuitos:

1) Encontrar Corriente IR1, IR2, VR3, PR3:

2) Calcula VR3, IR1, IR2, PR1, PR2

3) Demuestra que el diodo está en ruptura, VR1, PR2 Y PR3

.5.1 Respuestas
 1)

2)
 3)

Verificar que el divisor de voltaje sea mayor a 6volts:

4mWatts
Unidad 2 El transistor BJT
El transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión sobre un circuito
actuando como un interruptor y/o amplificador.

Los transistores BJT son componentes de 3 terminales y representan la extensión natura de los
diodos, pues están compuestos con un par de unión P-N.

Existen dos variantes en cuanto a configuración: “PNP” y “NPN”, funcionan de acuerdo al dopado
que tiene

Las terminales se le denominan Base, Emisor, Colector como se muestra en la ilustración 10:

Ilustración 10 Sinología, Composición y Pines del Transistor

Constructivamente el emisor tiene un dopaje más alto que la base y a su vez la base tiene un
dopaje mayor que el colector:
Dopajes: Emisor>Base>Colector. Siendo el colector el más conductor.

Estos dispositivos presentan curvas parametrizadas, debido al número de corrientes y tensiones

presentes.

Las zonas de operación del transistor son como se muestra en la ilustración 11:
 Ilustración 11 Zonas de trabajo del transistor teniendo Corriente colector y Vce directa

El transistor Bipolar o BJT, opera en función de sus corrientes.

.6 Regiones y zonas de trabajo

Para la referencia a los pines del transistor y sus “junturas” se refiere a sus iniciales de sus uniones
de pines por ejemplo “Juntura BE, CE” se refiere a las uniones de pines Base-Emisor y Colector-
Emisor

El transistor a su vez tiene “Modos” o “Regiones de trabajo “como se muestra a continuación

Ilustración 12 Regiones de trabajo del Transistor

Para interpretar las regiones se debe observar el diagrama y la gráfica. Tomemos la región de
saturación como ejemplo, para “colocar” el transistor a dicha región debemos polarizar con voltaje
positivo los pines Vce (Colector – Emisor) y los pines Vbe (Base-Emisor) directamente del transistor
directamente, es decir, polo de la siguiente forma:
 Ilustración 13 Transistor en región de saturación

 La región activa directa La corriente del colector es proporcional a la corriente de base

teniendo la fórmula:

 Región activa inversa: Corresponde a la polarización inversa de la unión emisor-base y a

un a polarización directa de la unión colector-base. Es de poco uso

 Región de corte: Se trata de polarización inversa de ambas junturas, la operación en esta

región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo de apagado. El transistor
actúa como interruptor abierto

 Región de saturación: Implica polarización directa de ambas uniones, la operación en esta

región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido. El transistor
actúa como un interruptor cerrado

Para entender el funcionamiento del transistor se representa como una válvula de agua que
controla el flujo de agua o en nuestro caso será el flujo de corriente:
.6.1 Otras terminologías
Dentro de los parámetros mas importantes especificados por el fabricante poemos mencionar

Ganancia de corriente en sentido directo

Corriente máxima de colector

Voltaje Base colector VCBO

Voltaje Colector Emisor VCEO

Potencia de disipación Pc

Ancho de banda Ft

Tiempo de apagado Toff

Voltaje de Ruptura B-E BVBE

.7 Configuraciones de transistores
Existen tres tipos de configuraciones en los BJT estas son Emisor común, Colector común y base
común:

.8 Polarización Emisor Común (EC)

.8.1 Notas
El transistor en su hoja de datos tenemos parámetros importantes que tenemos para el calculo de
ganancias de voltaje del transistor que se verán en la unidad 4. Estos parámetros se dejarán como
nota para futura consulta de Unidad 4:

Impedancia baja dependiente de hie

Impedancia de salida Alta o Rc

Ganancia de voltaje Alta

Ganancia de corriente media

Angulo de desfasamiento de 180°

Polarización Fija ofrece Ib constante y Rb de gran valor

Las ecuaciones de CD que rigen el comportamiento del circuito anterior son:

Puerto de salida:

Puerto de entrada:

Para el voltaje de base a tierra será el voltaje para la unión de B-E ya que no existe ningún otro
componente al estar el emisor conectado directamente a tierra. De la ecuación del puerto de
salida, despejamos el IC:

Ilustración 14 Emisor Común Polarización fija

 Ilustración 15 Polarización Divisor de voltaje

Ilustración 16 Polarización por retroalimentación de colector

Ilustración 17 Emisor Común En polarización de Emisor

.9 Configuración de Polarización Emisor Común

 Ilustración 18 Configuración Colector Común En Polarización Fija

Ilustración 19 Configuración Colector Común Polarización Universal/ Configuración Base Común, Polarización Universal O
Divisor de voltaje

El divisor de voltaje suele ser el más utilizado para las amplificaciones de señales en AC, Consiste
en introducir una señal AC entre las resistencias R2 y R1 y nada más como se muestra a
continuación:
.10 Operación del punto Q, Recta de carga estática de un transistor
.10.1 Punto de trabajo
En la operación de un transistor configurado para amplificación se suele conectar fuentes externas
de tensión al dispositivo. Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor modifican lo que se le conoce el “punto Q” (Quiescent operating point) que es el punto
en medio de trabajo del transistor que permite trabajar con el menor ruido posible, por eso se le
dice el punto callado punto quiet.

.10.2 Representación del punto de trabajo con la recta en carga estática

La representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor es especificado a través de 3
parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ, La línea de recta de carga es lineal, es decir, es una línea inclinada:

Este punto Q está localizado dentro de una recta denominada recta de carga estática: Si q se
encuentra en el limite superior de la recta, el transistor estará saturado, en el límite inferior estará
en corte y entre los puntos intermedios en la región lineal o Activa (amplificación)
La estabilidad del funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en
el diseño de los mismos. El diseñador no solo debe asegurar que el circuito funciona, sino que lo
hace dentro de los límites máximos y mínimos indicados por las especificaciones del mismo.
Además, previene posibles eventualidades al funcionamiento que puedan hacer que el circuito
deje de funcionar. La elección de la red de polarización de un transistor puede resultar clave a la
hora de garantizar que el circuito se adaptará a nuestras expectativas.

Es importante de recordar que

, es decir, Ie es aproximado a Ic

.11 Notas De Cuaderno

A continuación se presentara a mas detalle los calculos y las ecuaciones de cada configuración
previamente mencionada.
.12 Practicas
.12.1 Practica 2.2 Polarización Universal o Divisor de voltaje
Calcula R1,R2 tal que VCEq = 10V

Para esta configuración hay que hacer uso del teorema de thevenin :

Malla de entrada:

VTH = VRB+VBE+VRE

Malla de salida:

RESPUESTA

De aquí despejamos VCE

Sustituyendo

Despeja IC tenemos

DE LA RELACIÓN IC=IB*BETA CALCULAMOS IB:

Ahora que tenemos Ib solo hace falta calcular algún valor de R1 o R2

Para ello primero saquemos Rth;

Tenemos Rth ahora busquemos Vth:

Despejando de la malla de salida VTH, escribiendo las equivalencias de voltajes a corriente x

resistencia (Vc = Ic*Rc), factorizado obtendremos:

Podremos calcular R1 en base a la siguiente formula:

La fórmula de atrás se obtuvo despejando los términos R1+R2 de las ecuaciones Vth y Rth para
posteriormente igualarlas y despejar R1
Después podremos calcular R2 escribiendo la rth como paralelo (pues rth es el paralelo de r1 y
r2) :

Despejamos R2:

.12.2 Polarización fija con colector común

Encuentra RB tal que ICQ sea 5mA

RESPUESTA

Malla de salida:

Vcc=VCE +ICRE

20=VCE+(5MA)(2K)

10=VCE

Vcc=vce+ve

20=10+VE

VE=10

VCC=VB+VE+VBE

20=VB+10+0.7

9.3=VB

Malla de entrada:

VCC=IBRB+IERE+VBE
MALLA DE SALIDA

VCC=VCE+IERE

RECTA DE CARGA

PARA VCE

VCC=VCE+ICRE

SI IC=0

VCC=VCE

PARA IC

SI VCE=0

IC=20/2000 =0.005A

Punto q ideal

VCEQ=10

ICQ = 0.005

CALCULO DE IB, AQUÍ NO HAY EQUIVALENCIAS DE IB*BETA = IC

.13 Examen Unidad 2
1.- ¿Cuáles son las regiones en la que puede operar un BJT?

2.- ¿Cuáles son las principales aplicaciones de los transistores BJT (Nombrar 2)

3.- ¿Para que se utiliza la región activa de BJT?

4.- ¿Para que nos sirve el análisis en CD de un circuito con transistores?

5.- Nombrar 3 configuraciones en las que se puede operar un transistor

Considere el siguiente circuito:

¿Qué polarización es?

a) Traza la recta de carga

b) Encuentra el punto Q del circuito y colócalo sobre la recta de carga

c) ¿Es el punto Q ideal? Argumenta tu Respuesta, de no estar en el punto Q ideal, ajusta la

resistencia necesaria para el Q ideal

.14 Respuestas
1.- Corte, Saturación, Activa

2.- Amplificador, Interruptor

3.- Amplificador

4.- Conocer el punto de operación

5.- Base Común, Emisor Común, Colector Común

Tipo de polarización: Polarización Fija

(Siguiente hoja se muestran los cálculos y procedimiento)

.14.1 Bibliografía
Cálculo de Resistencias para Polarización por Divisor de Tensión - YouTube

( https://www.youtube.com/watch?v=7rIHn00fm7g&ab_channel=CarlaMaciel )

By CarlaMaciel Recuperado el 19 de Octubre de 2022 video publicado el 9 de Julio 2021

Polarización Universal de Transistor (Divisor de Voltaje)- Ejercicio por Análisis Aproximado -

YouTube

( https://www.youtube.com/watch?v=IzCZPwkaJEU&ab_channel=ElectDraw )

Electrónica, W. (2020, August 31). Polarización por divisor de voltaje bjt. Blogspot.com.

https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/02/polarizacion-por-divisor-de-voltaje-bjt.html
Unidad 3 Transistor FET
.15 Características del Transistor FET contra el Transistor BJT
 Son más pequeños
 Funcionan mejor como actuador que como amplificador pues su ganancia de amplificación
no es tan grande como el BJT
 Son más estables ante cambios de temperatura
 Tienen menor ruido
 El BJT es controlado por corriente que pasa por Base, El FET es controlado por voltaje que
pasa por el Gate
 Al FET se le conoce con el termino “Resistencia controlada por voltaje”

Tipos de FET’s son:

Su simbología se muestra a continuación:

Los pines del FET comparte el nombre con sus variantes (Mosfet, JFET, Mesfet etc) que son

Drain/Drenado, Gate/Compuerta, Source/Fuente.

Tenemos las corrientes

𝑉𝑔𝑠=𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐺𝑎𝑡𝑒 𝑆𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒

𝐼𝑑𝑠𝑠=𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑛ó𝑛 𝑑𝑒 𝐷𝑟𝑎𝑖𝑛 𝑎 𝑆𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒

𝐼𝑑=𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑎𝑖𝑛
𝐺𝑀=𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝐹𝐸𝑇 𝐸𝑠 𝑠𝑖𝑚𝑖𝑙𝑎𝑟 𝑎𝑙 β del BJT

Considerar IG = 0 siempre

.16 Recta de corriente del transistor

Recta de corriente es cuadrática a diferencia del BJT que es lineal, es decir, Se coloca el punto Q
por medio de ecuaciones con elementos cuadráticos:

Los parámetros con negritas son constantes que se sacan de la hoja de datos del dispositivo.

Observe que la línea roja representa el camino de corriente del dispositivo, en algún punto, el bjt
comienza a ser constante, por eso se le dice que es lineal. En cambio, el FET, mantiene una curva
diferente a la del BJT, pues esta es una función cuadrática.

.17 Términos para el trabajo del FET


 Curva de carga se le conoce también como Curva de transferencia

.18 Zonas de trabajo

Al polarizar el transistor directamente tenemos las siguientes zonas dependiendo de sus
cantidades de corriente y voltaje constante:

Voltaje DS= Voltaje GS

Voltaje T = Vt = Voltaje de umbral necesario para que

.18.1 Configuración del transistor para operación

.18.1.1 Cuando VGS = 0

No existe efecto de campo, la estructura PN son cortadas

.18.1.2 Cuando VGS >0

Se crea zona de empobrecimiento o deplexión dando lugar a la “inversión débil” y VDS>0, no
puede generar IDS
.18.1.3 Cuando VGS>>0 Mucho mayor a 0
Se crea la inversión de canal y genera electrones libres, permite la corriente desplegarse de drain a
source.

Existe un valor mínimo para Vgs haga que todo esto ocurra conocida como VT y tendremos los
siguientes fenómenos:

; La intensidad IDS = 0

IDS , y si VDS es mayor a 0, el transistor opera en inversión fuerte.

.18.2 Región óhmica
Cuando un MOSFT está polarizado en la región óhmica, el valor de Rds(on) viene dado por la
expresión

Vds(on) = Id(on) * Rds(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de Rds(on) a una corriente de drenaje ID
específica.

Si Vds(on) = 1v, y Id(on) =100mA,

Rds = 1v/100mA = 10 Ohms

Asi el transistor se comporta como una resistencia cambiando el valor de corriente

Donde Vt = Tensión de umbral o threshold

El mosfet equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y surtidor (Drain -
Source)

El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la puerta y el
Surtidor (VGS)

.18.3 Región de saturación

El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el Drenador y
Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación (VDS sat ) este valor viene
determinado en las hojas características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el
MOSFET mantiene constante su corriente de drenador (ID) independientemente del valor de
tensión que halle entre el drenador y el surtidor (VDS) Por lo tanto el transistor equivale a un
generador de corriente continua de valor ID cuando:

Ósea estaremos en esta región de saturación cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo que
sucede cuando

Cuando la tensión entre el Drenador y Fuente supera cierto limite, el canal de conudcicón bajo la
puerta Sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre
fuente y drenador no se interrumpe, es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
.18.4 Región de ruptura
El MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper físicamente. La
palabra ruptura hacer referencia aque s erompe la unión semiconductora de la parte del terminal
del drenador.

El Transistor unipolar está limitado en tres magnitudes eléctricas:

En tensión: No se supera el valor máximo de tensión entre gate y source, valor denominado BVGS
(Boundary of Voltage Drain-Source).

En corriente: No se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como

IDMAX(Maximum Current Drain).

En potencia: Este limite marcado por PDMAX (Maximum Drain Power) y es la máxima potencia
que puede disipar el componente.

.19 Procedimiento para conocer la curva de transferencia

También conocido como curva de transferencia (CT)

Ésta es definida por Corriente máxima de saturación de Source (IDSS- Drain Source current
Saturated). Y Voltaje Pinchoff Vp

Existen varios métodos para calcular el punto Q de nuestra recta de carga, a continuación, el
método gráfico

.19.1 Método gráfico

El método gráfico se basa en encontrar varios puntos, unirlos y asi tendremos la curva de
transferencia, entendamos VGS como “X” en un plano cartesiano e ID como “Y”. Los primeros 2
puntos están dados por la hoja de datos que son IDSS y VP.

Punto 1: ; Corriente de Drain será igual a Corriente máxima de saturación

cuando VGS sea igual a cero
Punto 2: ; Corriente de drain será igual a cero cuando el voltaje que
pasa por gate y source sea igual a Voltaje pinchoff

Punto 3: ;

Punto 4:

Plasmemos estos valores sobre una recta real:

Colocando los puntos tenemos algo así

Calculando las posiciones de cada punto tendremos:

Ya teniendo los puntos podremos comenzar a dibujar la recta de carga que es una línea recta que
nos muestra o proyecta el punto Q. Dicha línea se describe por el voltaje VGS

Este método es general y fundamental para toda configuración del transistor.

.20 Colocación del punto Q en Polarización Fija

La colocación del punto Q cambia dependiendo de la configuración que se esté usando, a
continuación, un ejemplo: Polarización Fija. El VGG = Voltaje que halla en Gate solamente

Para este circuito calcular:

 VGSQ
 IDQ
 VDS

.20.1 Método matemático






.20.2 Método Gráfico

Está descrito en la pagina 416 del libro Boylestad Principios de electrónica.

1) Consiste en encontrar y dibujar la curva de transferencia utilizando los puntos.

 2) Esta configuración es sencilla para colocar el punto Q, pues solo dibuja una línea que
parta desde VGS hacia arriba (recta vertical), el punto de intercepción entre dicha línea y
la línea de la curva de transferencia.

Lo que sigue es dibujar la recta con esos 2 puntos y posicionar el Punto Q dirigido por el
voltaje VGG en línea de VGS, luego trazar una línea perpendicular al eje de VGS (eje x) y
finalmente encontrar las coordenadas de intersección:

.21 Colocación del punto Q en Configuración de Auto polarización

Primero encontrar los puntos para dibujar curva de
transferencia:

Para encontrar la recta que “aterriza la curva”, se sugiere que el primer punto sea con ID=0, de tal
manera que al sustituir ID en la ecuación VGS sea igual a 0. Por lo tanto el primer punto de la recta
está en el origen.

El segundo punto puede ser cualquier de la grafica si escogemos ID=IDSS/2 ; Id = 4mA.

Sustituimos en la formula
Ya tenemos este punto, juntamos con el punto de origen antes declarado para crear una recta
inclinada asi encontramos el punto Q:

Podremos repetir el procedimiento:

Sustituyendo RS =100, luego 10 y finalmente 10k teniendo como ID = idss/2 = 4mA

Colocando las coordenadas de los 2dos puntos de recta tendremos varias rectas que muestran
diferentes puntos Q como se muestra a continuación:
 Y con cada punto Q diferente tenemos coordenadas diferentes:

Punto Q2: -0.077v, 7.79mA

Punto Q3: -3.48v, 0.3488mA

A diferencia del BJT, el punto Q no necesariamente debe ser “ideal” por lo que no hay que ajustar
mucho a menos que se le pida.
.22 Colocación del punto Q en Polarización Divisor de Voltaje
Transistor en divisor de voltaje:

Para esta configuración tenemos que encontrar 2 puntos de la recta digamos extremos:

Ejemplo Encontrar punto Q utilizando el método gráfico

PASO 1: Trazar curva y bordes

Paso 2: Calcular VG por método gráfico
 Asi podremos ver que el punto Q está localizado en

.23 Practicas (No evidencias, no reporte)

1) Polarización Universal O divisor de voltaje JFET
  Determina valores de R1,R2,RS tal que VGSQ = 7volts
 Recuerde que IDSS, VP, VDS son proporcionados por el fabricante
 Calcule VDS, VGSQ, IDSQ, VRS.
 Calcule % de error entre valores obtenidos reales, simulados, prácticos, calculados, Tome
como referencia los calculados.

2) Polarización Universal o divisor de voltaje MOSFET

 Determina valor de RS,,R1,R2 tal que VSQ=10v

 Calcule VDS, VGSQ, IDSQ, VRS
 Calcule % de Error de valores reales medidos, calculados, simulados.
 Puede usar un mosfet de deplexión (empobrecimiento), enriquecimiento (Acumulación)

3) Circuitos Mixtos
Determina Valores VD, VC, VDSQ, VCEQ, IDSQ, ICQ

Trace Recta de carga

.24 Examen Unidad 3

1.- Mencione las Terminales del JFET

R) Drain-Drenaje, Gate-Compuerta, Source-Fuente

2.- En la condición de VGS=0v, y VDS cualquier valor positivo, ¿Qué sucede con IDSS cuando VDS
alcanza el valor de VP?

R) Entra en zona de oclusión

3.- ¿Cuál es el voltaje de control del JFETE?

R) Cualquier voltaje Negativo hacia la compuerta o Gate

4.- ¿Qué sucede cuando VGS<0? (Efecto de polarización negativa aplicado al VGS)

Se cierra parcialmente el canal de drain a source, impidiendo el paso de corriente hasta que VGS
=VP

5.- Simbolos del JFET:

1

3
2
6.- Determinar VGSQ, IDQ,

Puntos: