FOTOEMISORES
Dispositivos Optoelectrónicos
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Dispositivos Optoelectrónicos
• Sensores: convierten una señal óptica en una electrónica
– Fotorresistencias
– Fotodiodos
– Fototransistores
– Células solares
• Emisores: utilizan la energía de los electrones para emitir
fotones
– LEDs
– Láseres
– Lámparas incandescentes
– Lámparas halógenas
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Ventajas de los fotoemisores
• Pequeño tamaño,
• gran fiabilidad,
• potencia óptica emitida,
• facilidad de acoplo a fibras ópticas
• Modulación de la potencia óptica a partir de una
modulación de la inyección de portadores, o lo que es lo
mismo, una modulación de la corriente eléctrica.
• Las fuentes básicamente son dos:
– LEDs, basados en la emisión espontánea de luz y
– Diodos láser, basados en la emisión estimulada para
generar ganancia en el sistema.
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Longitudes de onda de interés
sensores y
procesado
IR
visible comunicación térmico
0.4 0.7 1.6 λ (µm)
UV NIR MIR
3 1.6 0.8 hν (eV)
SiC GaP GaAs Si Ge
Eg (eV)
⇒ Visible y NIR
≈ Eg de los semiconductores
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Semiconductores: interacción con la luz
Generación e- h ⇒ detección Recombinación ⇒ emisión
BC - electrón BC
- electrón
fotón fotón
hν >Eg hν Eg Eg
hν =Eg
BV hueco + BV hueco +
I
¿ Por qué ... electrónica ?
• Bajo coste
• Pequeño tamaño
Prestaciones: • Rapidez eléctrica
• Fiabilidad
• Bajo consumo
Aplicaciones: optoelectrónicas
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Fotoemisores
• Diodos electroluminiscentes LEDs
– Eficiencia Interna
– Potencia Interna
– Distribución angular y potencia externa
– Ancho de banda espectral
– Características técnicas
– ¿cómo se usa un LED?
– Ejemplos
• Diodos LASER
– Fundamentos
– Características técnicas
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Emisores monocromáticos coherentes
• LED (Light Emitting Diode)
• IRED (Infra-Red Emitting Diode)
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Emisores monocromáticos incoherentes
Diodos Electroluminiscentes
-
Recombinación de
electrones y huecos
n
Zona de vaciamiento Energía liberada
Flujo neto de
corriente, I
p
+
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Emisión de luz
semiconductores directos semiconductores indirectos
Recomb. radiativa probable Recomb. no radiativa
posible emisión no emisión
semic. Eg (eV)
Ge 0.7 I ¿Qué semiconductor ?
IV
Si 1.1 I
• directo ⇒ semic. III-V (difícil para λ «)
InAs 0.4 D
InP 1.4 D • Eg ≈ h ν ⇒ un semic. para cada λ
III-V
GaAs 1.5 D • λ’s intermedia? ⇒ aleaciones
GaP 2.3 I* • evitar Rec. no radiativa ⇒ buena calidad
AlAs 2.4 I
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• Intensidad radiante, I : potencia Pout ⎛W ⎞
I= ⎜ ⎟
por unidad de ángulo sólido Ω ⎝ sr ⎠
• Radiancia: potencia emitida por Pout I ⎛ W ⎞
unidad de área normal y unidad
L= = ⎜ 2 ⎟
ΩAs cos θ As cos θ ⎝ m sr ⎠
de ángulo sólido
• Emisión lambertiana: radiancia
constante, lo que implica que la Lcte ⇒ I (θ ) = I (0 ) cos θ
intensidad radiante vale:
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Parámetros de un LED
• Eficiencia energética o Eficiencia
Pout
externa: potencia óptica generada a η pot (%) = (×100 )
partir de la potencia eléctrica I ⋅V
suministrada
• Eficiencia cuántica: realmente consta
n º fotones emitidos
de dos términos la eficiencia cuántica η=
interna y la eficiencia cuántica n º portadores inyectados
externa
n º fotones generados n º fotones emitidos
η= ⋅
n º portadores inyectados n º fotones generados
Eficiencia cuántica interna Eficiencia cuántica externa
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Eficiencia cuántica externa. Pérdidas
• Emisión espontánea ⇒ emite en todas las direcciones. La luz que va
hacia atrás (hacia el substrato) se pierde: puede representar un factor
de ηe1= 0,5
• Los LEDs se fabrican con semiconductores con índices de refracción
n= 3,7. El ángulo crítico (aire como medio externo) es 16.6º ⇒ solo
saldrán al exterior fotones que incidan en la intercara con ángulos
menores: ηe2= 0,073
• Pérdidas de reflexión por las leyes de Fresnel en la intercara
semiconductor-aire ηe3= 0,67
• Absorción en el medio: es difícil de cuantificar. Se asume al menos
ηe4= 0,5
ηe = ηe1ηe 2ηe3ηe 4 = 0,012 (1, 2 % )
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Relación entre eficiencias
• Teniendo en cuenta las siguientes relaciones:
n º fotones generados E 1 Pint
= = λ
unidad detiempo hν t hc
nº portadores inyectados Q 1 I
= =
unidad detiempo et e
donde Pint es la potencia de los fotones generados internamente
eλ Pint
• La eficiencia cuántica intera puede expresarse como: ηi =
hc I
• Y como la eficiencia cúantica externa es igual a:
Pout
ηe =
Pint
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Relación entre eficiencias
• Luego eλ Pout
η = η eηi =
hc I
Pout
• Como la eficiencia energética externa es η pot =
I ⋅V
• La eficiencia cuántica y la eficiencia externa están relacionadas según la
expresión:
eλ
η = Vη pot
hc
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Parámetros de un LED: Espectro de emisión
• El máximo de la distribución de k BT
energías de los fotones
emitidos por emisión
hν max = E g +
espontánea
2
• Anchura en energías de los
fotones emitidos h∆ν = 1.8 k BT
• En la longitud de onda, la
anchura espectral ∆λ ≈ 1.45λ k T 2
p B
1,0 LED 660 nm
LED 760 nm
LED 800 nm
0,8
INTENSIDAD RELATIVA
LED 850 nm
0,6
0,4
0,2
0,0
600 650 700 750 800 850 900 950 1000
LONGITUD DE ONDA (nm)
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Ancho de banda de modulación
• Respuesta en potencia emitida del
dispositivo cuando se aplica una I elec = I 0 + I1 cos (ωt )
corriente eléctrica variable con el
tiempo
• Se puede demostrar que la
Pout = P0 + P1 cos (ωt )
respuesta en frecuencia de LED es
del tipo P1 P0 I 0
=
I1 (1 + ω 2τ 2 ) 2
1
• Con
• Si el periodo de modulación es
menor que el tiempo de vida medio
de los portadores, la respuesta del
dispositivo empezará a disminuir
con el factor señalado con respecto
a la señal continua
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Límites en el Ancho de Banda de Modulación
• Aumentar el ancho de banda ⇒↓τ (portadores minoriarios
en la región de emisión)
– Valores elevedos de τ reducen drásticamente la eficiencia
cuántica interna
– Los valores de tiempos de vida medio conseguidos están
entre 1 y 50 ns, que corresponden a anchos de banda del
orden de algunos centenares de MHz
• 150 – 300 MHz SLED (LED de emisión superficial)
• 500 – 600 MHz ELED (LED de emisión de borde)
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LEDs de emisión lateral
• LEDs de emisión lateral de heteroestructura doble
-
Metalización
Sustrato
n
n Guía de ondas
n Capa de confinamiento de portadore
Capa activa
p Capa de confinamiento de portadore
p Guía de ondas
Aislante
Metalización
+
30o Haz incoherente
120o
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Diodos emisores de luz (LEDs)
Los emisores más sencillos
• Inyección de corriente
• Recombinacion (b-b o d-b)
• Pout = ηopt· VF IF
Características: Ej.: GaAs
VF ~ 1.2 V
∆λ ∝ kT ~ 30 nm
Para b-b, λ ~ λg 0.9µm
f ~ 1/τ < 1 MHz
Alta fiabilidad
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LED de visible
• Difícil : ηopt grande y λ corta
• Deseable para: ↑ visibilidad
↑ colores
• Respuesta visual:
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LED de visible
material tipo substr. color Lm/W
GaAs D ☺ ☺ IR
100
GaAsP D ☺
GaP: ZnO I+ imp ☺
GaP: N I+ imp ☺ 10
GaAsP: N I+ imp
AlGaAs D ☺ ☺
1
AlGaInP D ☺ ☺
GaInN D+imp ☺
GaInN D+imp ☺ blanco
70 80 90
año
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LED de infrarrojo (IRED)
• GaAs: 0.95 µm ∼ 1 MHz
•AlxGa1-xAs/GaAs: 0.85 µm ∼ 100 MHz
• GaInAsP/InP: com. ópticas ∼ 100 MHz
Ec
Ev
AlGaAs GaAs AlGaAs
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Aplicaciones de los LED de visible
Coste de
operación incandescente
instalación
LED
3 - 5 años tiempo
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Circuitos simples con LEDs
• Las corrientes características se
encuentran entre los 20 mA y
Rs
100 mA
• Las tensiones de polarización
en directa se encuentran desde Vb
LED
1.2 V de GaAs y 2 V de GaP
• La corriente a través del diodo
está limitada por la resistencia
en serie
– id es la corriente deseada
Vb − Vd
Rs =
id
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Respuesta con el tiempo
protege al LED contra la ruptura en
inversa
Rs Salida de luz
LED
Vb
Tiempo
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Circuito interruptor
Si no hay tensión en la base ⇒ ↑↑ impedancia VCC
entre colector y emisor ⇒ no circula corriente a RS
través del LED
LED
Switch
Q
Vb
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Circuito para modular la salida
Transistor y LED polarizados
en zona lineal y conducción VCC
R1
LED
Cambio en la corriente que
atraviesa el LED son
Q
directamente proporcionales Vin
Rs
a cambios en la tensión de R2
entrada
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Otros circuitos: detectores de paso
LED infrarrojo
IS1U60
Detector infrarrojo 38 kHz
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