IGBT QUE ES- PARA QUE SIRVE- COMO FUNCIONA
Hablar de los IGBT son mayores palabras puesto que estos transistores son especiales,
son de grandes prestaciones y aplicaciones de gran envergadura sobre todo en el campo
industrial. Suponga que tiene un transistor bipolar en sus manos y que en vez de base
tenga un pin llamado puerta. ¡pues muy bien! Este transistor que en inglés se le conoce
como: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR. Es conocido también
como: TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA. Y por lo general sus
aplicaciones las podemos encontrar en sistemas de electrónica de potencia y electrónica
de control.
¿QUE ES?
Es un dispositivo versátil para trabajar en estas dos áreas de la electrónica por sus
grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de saturación que normalmente
maneja un transistor bipolar y al igual que el transistor de efecto de campo FET, en la
puerta o gate tiene las mismas características. La forma de conducción de corriente es
similar a la de un transistor JFET.
De acuerdo a lo mencionado anteriormente, se puede decir que el transistor BJT y
el JFET se fusionan y logran crear el IGBT, sin duda un poderoso componente
electrónico.
Con un IGBT se han podido lograr grandes cosas: desde diseñar y fabricar dispositivos
de control y variación hasta sistemas de optimización y generación de energía. Dentro
de los dispositivos de control podemos clasificar perfectamente a los variadores de
velocidad y frecuencia, que sin duda en la industria son muy importantes y necesarios
para controlar la velocidad en bombas de impulsión y motores industriales como
elementos finales de control o plantas, y también tenemos a las UPS o bancos de
baterías que lo que hacen es proporcionarnos voltajes con muy buenas capacidades de
corriente en caso de cortes de suministro eléctrico y de esta manera nos permitan
trabajar de forma ininterrumpida.
FABRICANTES
Dentro de los fabricantes de estos versátiles dispositivos tenemos como destacados
a MITSUBISHI, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, IXYS, INFINEON
TECHNOLOGIES, STMICROELECTRONICS, ya llevan varios años en el
mercado mundial distribuyendo este tipo de componentes.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES IGBT
Dentro de sus características más importantes destacamos su rapidez al momento de
efectuar una conmutación. Aproximadamente 100khz y sustituto del transistor BJT en
muchas de las aplicaciones. Usado altamente en fuentes conmutadas, control de tracción
de motores, y en las famosas cocinas de inducción. Recuerden aquellas parrillas vitro-
cerámicas que calientan recipientes metálicos usando campos electromagnéticos en vez
de calentar mediante inducción a resistencias de fogones.
El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido. Tiene muy buena capacidad
de manejo de corriente, pero no requiere corriente de base para entrar en conducción.
Utilizado para conmutación de sistemas de alta tensión. El voltaje de compuerta o gate
de excitación es de 15 volts, pero tiene la poderosa ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica muy débil en el gate.
IGBT QUE ES- PARA QUE SIRVE- COMO FUNCIONA
¿COMO FUNCIONA?
COMPOSICIÓN INTERNA.
La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un MOSFET,
exceptuando el sustrato p+. sin embargo, el comportamiento de este dispositivo es muy
similar al de un BJT que al de un transistor MOSFET. Lo anterior se debe básicamente
al sustrato p+ que es el responsable por decirlo así de la inyección de portadores
minoritarios en la región n.
TABLA COMPARATIVA IGBT CON OTROS TRANSISTORES
¿PARA QUE SIRVE?
Dispositivos usados: IRGB4062DPBF (600V/24A Trench IGBT) High Side IGBTs
IRG4BC20SD-PBF (600V/10A S-type Planar IGBT) Low Side IGBTs
IRS2106S (600V half bridge driver IC).
Fuente de voltaje 200V, 3A DC
Fuente de voltaje 20V, 100 mA DC
Cargas de 120V/500W
Teoría de aplicación:
Una topología de circuito de puente completo se usa en este caso para construir un
inversor DC/AC.
Durante el semiciclo positivo en la señal de salida, Q1 tiene forma sinusoidal, mientras
que Q4 es mantenido en conducción. Durante el semiciclo negativo, Q2 tiene forma
sinusoidal, mientras que Q3 se mantiene en conducción.
Las frecuencias de conmutación de los IGBTs son de 20kHz y 60 Hz. Esta técnica de
conmutación produce una señal de 60 Hz senoidal a través de la capacitancia C4 y la
inductancia L1. Q1 y Q2 son los IGBTs IRGB4062DPBF, ultrarrápidos, que ofrecen
una conducción estable y una velocidad máxima de conmutación
de 20kHz. Q3 y Q4 son IGBTs planos de tipo estándar dado que estos solo conmutan
a 60 Hz.
Cada pata del puente tipo H se controla usando un sistema de alto voltaje en
puerta IRS2106SPBF. El uso de este dispositivo elimina la necesidad de instalar una
fuente aislada de potencia. Esto se traduce en un aumento de la eficiencia y reducción
del número de componentes del sistema.
Algunos beneficios del puente tipo H y la técnica de conmutación en este sistema son:
Alta eficiencia, dado que Q1 y Q2 no están sujetos a corriente directa y Q3 y Q4 tienen
la mayor parte del periodo de conducción y poco tiempo de conmutación.
No hay posibilidad de conducción cruzada dado que la conmutación se produce en pares
diagonales de IGBTs (Q1 y Q4 o Q2 y Q3).
Se opera desde un solo bus de alimentación de corriente continua eliminando la
necesidad de un bus de corriente continua negativa.
Los IGBTs se manejan usando un dispositivo de alto voltaje en gate con
técnica “bootstrap”. Las capacitancias tipo “bootstrap” para estos dispositivos se
resetean cada ciclo de conmutación (cada 50 us). Siempre hay que arrancar el sistema
aplicando un potencial de +20V tras aplicar 200V al bus de corriente continua. Con una
Carga resistiva de 120V/500W conectada, la señal de salida será de 120V/60Hz
SEÑAL DE SALIDA DE UN IGBT
Diseñar un circuito de excitación para un IGBT, que mantenga una corriente de puerta
de 40A cuando este activado y tenga un pico de 100A en el paso a conducción. La
tensión Vi soporta una tensión de 100V con un ciclo de trabajo del 50% y una
frecuencia de conmutación 1000kHz. Suponemos que VGE es de 20V cuando el
transistor esta en conducción.
Solución
El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de corriente.
Despejando R1 en la siguiente fórmula:
La corriente de puerta en conducción en régimen permanente determina el valor de R2:
El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria. Para un ciclo de
trabajo del 50% a 1000 kHz, el transistor conduce durante 0,5μs. Haciendo que el
tiempo de conducción del transistor sea cinco veces la constante de tiempo, t=0,1μs:
