Tecnológico Nacional de México

Instituto Tecnológico de Ciudad Juárez

Materia: Electrónica analógica

Docente: Alfonso Alemán

Alumno: Kevin Perales Zavala

#20111845

Ingeniería Mecatrónica

Fecha: 29-08-2022
Contenido
Capítulo 1 Semiconductores..........................................................................................................6
Semiconductores.............................................................................................................................6
Tipos de materiales que podemos usar como semiconductores:..................................................6
Material Intrínseco:........................................................................................................................6
Material tipo P:..............................................................................................................................7
Material tipo N:..............................................................................................................................7
Unión del material tipo p y n y su voltaje de ruptura.....................................................................7
Función si aplicamos voltaje en condición directa al diodo............................................................8
Función si aplicamos voltaje en condición inversa al diodo...........................................................8
Solución usando voltaje CD de los circuitos de la pág. 126, problemas, 5,6y7...............................9
Tabla 1.6 Circuitos equivalentes del diodo...................................................................................10
Tabla 1.8 Diodos emisores de luz.................................................................................................11
PRACTICAS MULTISIM 1...............................................................................................................12
Aplicaciones en corriente directa................................................................................................13
Circuito de tres recortadores y explicación:.................................................................................13
Circuito de tres sujetadores:........................................................................................................13
Circuito donde se triplica el voltaje usando diodos y capacitores:...............................................14
Practica multisim 2.......................................................................................................................15
Aplicaciones en corriente alterna................................................................................................16
Funcionamiento de un rectificador de media onda y Calculo......................................................16
Funcionamiento de un rectificador de anda complete y Calculo.................................................16
Rectificador tipo Puente...............................................................................................................17
Agregando un capacitor en un circuito rectificador desaparece el rizo y tenemos voltaje de
corriente directa lineal, en la salida.............................................................................................17
Valor del capacitor para obtener un mayor filtrado.....................................................................17
Unidades paquetes para regular voltajes de: 5 vdc, 9 vdc, 12 vdc 15 vdc positivos etc...............17
Unidades paquetes o circuitos integrados para obtener los siguientes voltajes negativos -5 vdc, -
9 vdc, -12 vdc, -15 vdc etc............................................................................................................18
Circuito para obtener un voltaje regulado de 0 a 32 vdc.............................................................19
Circuito para Regular voltaje con un diodo Zener........................................................................19
Circuito con un diodo Zener con: R1 y Vi fijos..............................................................................19
Practicas multisim 3.....................................................................................................................21
Capítulo 2 Transistores de unión bipolar..........................................................................................22
Transistores......................................................................................................................................22
Operación del transistor...............................................................................................................22
Circuitos de la configuración base-común....................................................................................22
Acción amplificadora del transistor..............................................................................................23
Circuitos de la configuración de emisor – común.........................................................................23
Transistor 2N4123 especificaciones.............................................................................................24
Prueba de un transistor con un Ohmetro.....................................................................................25
Transistores en circuitos..................................................................................................................26
Ecuaciones obtenidas en el circuito de transistores:....................................................................26
Ejemplo. Solución del circuito del siguiente circuito....................................................................27
Ecuaciones obtenidas del circuito con resistencia en el emisor:..................................................28
Ejemplo. Solución del siguiente circuito.......................................................................................29
Ejemplo. Resolución de circuito propuesto..................................................................................30
Practicas Multisim medición de un transistor..............................................................................31
POLARIZACIÓN DE CD DE LOS BJT: FIJA Y CON RESISTOR DE EMISOR Y POR MEDIO DEL DIVISOR DE
VOLTAJE...........................................................................................................................................32
Nivel de saturación.......................................................................................................................32
Análisis por medio de la recta de carga........................................................................................32
Ejemplo. Punto Q de operación y grafica.....................................................................................33
Ecuaciones: Configuración por medio del divisor de voltaje........................................................34
Ejemplo. Obtención del punto Q de operación y su grafica.........................................................35
Compuertas lógicas:.....................................................................................................................36
Practicas multisim Divisor de voltaje............................................................................................37
POLARIZACIÓN DE CD DE LOS BJT: CON RESISTOR DE EMISOR Y POR MEDIO DEL DIVISOR DE
VOLTAJE...........................................................................................................................................38
Ejemplo. Obtención de Vc y Vb....................................................................................................38
Ejemplo. Obtención de Vc y Vb....................................................................................................39
Aplicaciones.................................................................................................................................40
Capitulo 3 Amplificador Operacional...........................................................................................41
circuito amplificador operacional (OP-AMP)..........................................................................41
Circuito operacional básico......................................................................................................42
Cálculo de voltaje de salida cuando R1=100k, RF=500k y Vi=2V......................................42
circuito del amplificador operacional conectado como seguidor unitario...........................43
especificaciones del Amp-Op 741...........................................................................................43
 Solución de circuitos con amp-op...........................................................................................44
Practica multisim amplificador inversor...........................................................................................45
Amplificador operacional como no-inversor....................................................................................46
Circuito del amplificador operacional como no-inversor.................................................................46
Circuito del seguidor unitario...........................................................................................................47
Calculo V0 para un circuito para un Vi=-0.3 Volts............................................................................47
intervalo de voltaje de salida en el circuito......................................................................................48
Practica multisim comprobación de ejercicios.................................................................................49
Circuitos amplificadores...................................................................................................................50
Amplificador no inversor..................................................................................................................50
Circuito y fórmulas de un amplificador sumador.............................................................................50
Circuito y fórmulas de un amplificador como integrador.................................................................51
Circuito y fórmulas de un amplificador como diferenciador............................................................52
Solucion de problemas de aplicación...............................................................................................52
EL OP-AMP COMO COMPARADOR...................................................................................................53
CONVERTIDOR ANALÓGICO-DIGITAL CON UN OP-AMP...................................................................54
CONVERTIDOR DIGITAL-ANALÓGICO CON UN OP-AMP...................................................................55
Practica multisim 6 convertidor analógico digital.............................................................................55
Capitulo 4 Dispositivos PNPN y de otros tipos..................................................................................56
SCR...............................................................................................................................................56
Símbolo y construcción del SCR................................................................................................56
Métodos generales para apagar un SCR...................................................................................56
Curva característica del SCR.....................................................................................................57
Características y valores nominales del SCR.............................................................................57
Aplicaciones del SCR.................................................................................................................58
Circuito para controlar la fase de media onda.........................................................................58
Representación y explicación del circuito de un Sistema de iluminación de emergencia........58
Símbolo del SCS y su funcionamiento.......................................................................................59
El SCS en un circuito de alarma como aplicación......................................................................60
Representación del símbolo de: a) Fotodiodo b) Fotorresistencia c) Fototransistor................60
Optoacopladores y su símbolo.................................................................................................60
Diodo GTO....................................................................................................................................61
 Explicación de la composición del diodo GTO, su funcionamiento y su símbolo con su
respectiva curva característica.................................................................................................61
Oscilador con un diodo GTO de 100 hz....................................................................................61
El DIAC y cómo funciona, además sus símbolos, construcción básica y curva característica....62
Oscilador con un DIAC de 60 hz................................................................................................62
El TRIAC símbolo, la construcción básica y su curva característica...........................................63
Control de fase TRIAC y DIAC...................................................................................................63
Practica Multisim......................................................................................................................64
Transistor de monounión y dibuje su construcción básica UJT................................................64
Circuito equivalente del UJT y ecuaciones de VRB1, n, Vp:......................................................65
Curva del UJT............................................................................................................................65
Fases de carga y descarga........................................................................................................66
Oscilador de relajación de la siguiente figura obtenga el tiempo de carga y el tiempo de
descarga...................................................................................................................................66
Circuito para controlar la fase con un SCR y un UJT.................................................................66
Símbolo, construcción y curva característica de un diodo de 4 capas......................................67
Símbolo del interruptor apagado con compuerta GTO............................................................67
Ventaja más obvia de un GTO sobre el SCR y el SCS.................................................................67
Generador de dientes de sierra con GTO.................................................................................67
Practica multisim......................................................................................................................68
Timer 555.....................................................................................................................................68
Circuito del timer 555...............................................................................................................68
Circuito a-stable generador de diferentes frecuencias.............................................................69
Circuito tiempo en alto 1s y tiempo bajo 0.5s..........................................................................69
Circuito monostable tiempo en alto 2s....................................................................................70
Capítulo 1 Semiconductores.
Semiconductores.
Tipos de materiales que podemos usar como semiconductores:
Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una
estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio
(GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y
arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes
estructuras atómicas.

Material Intrínseco:
Un material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el
número de impurezas a un nivel muy bajo.
Material tipo P:
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de
impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este
propósito son boro, galio e indio.

Material tipo N:
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco
electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.

Unión del material tipo p y n y su voltaje de ruptura

El GaAs en general tiene niveles de ruptura máximos que superan a los de los
dispositivos de Si del mismo nivel de potencia en aproximadamente 10%, y ambos tienen
voltajes de ruptura que por lo general oscilan entre 50 V y 1 kV. Hay diodos de potencia
de Si con voltajes de ruptura tan altos como 20 kV. El germanio suele tener voltajes de
ruptura de menos de 100 V, con máximos alrededor de 400 V
Función si aplicamos voltaje en condición directa al diodo
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
produce un punto de operación en la curva de características que no cambia con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación se halla determinando los
niveles correspondientes de VD e ID

Función si aplicamos voltaje en condición inversa al diodo

El voltaje de saturación en inversa de un diodo semiconductor se incrementará o reducirá
con la temperatura según el potencial Zener.
Solución usando voltaje CD de los circuitos de la pág. 126, problemas, 5,6y7
5. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura 2.150
utilizando el modelo equivalente del diodo.

En el inciso a) el diodo esta polarizado inversamente por lo que no conduce y su corriente

es 0.
En el inciso b) utilizaremos el metodo de mallas por el cual obtenemos las siguientes
ecuaciones:
20-20(I1+I2)-0.7=0 y la ecuacion: -10+2-20(i2+i1)-0.7=0 y al resolverlas obtenemos una
corriente de .965A
En el inciso c) tenemos que los diodos se opone uno al paso de la corriente por lo que
podemos descartar esa rama y obtenemos un circuito simple el cual utilizamos ley de ohm
donde I=10v/10ohms por lo que I=1A

6. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.151

 a) Va=∑E=∑IR+VB → ID= (0.7+5)/2200 → ID= 1.954mA
0-n=V0=-4.2988v
b) ID= (8-0.7)/5.9X103 =1.237mA
V0=(1.237 X103)(4.7 X103)→V0=6.7139v
*7. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la figura 2.152.

a) ID=(20-0.7-0.3)/2*2 X103=4.75mA → V0=4.75mA*2 X103Ω=9.5v

b) ID=(10-0.7+2)/ 5.9 X103 = 1.915mA → V0= 1.915mA*4.7kΩ=7v

Tabla 1.6 Circuitos equivalentes del diodo.

Se refiere los modelos del diodo empleados para los diversos parámetros y aplicaciones
de circuito
Tabla 1.8 Diodos emisores de luz
La tabla menciona la luz que emiten estos tipos de diodos y sus voltajes de
funcionamiento según su material.
PRACTICAS MULTISIM 1
Circuito serie
Medición de corriente y caídas de voltaje en serie

Circuito paralelo
Medición de caída de corriente y voltaje total en el circuito paralelo
Aplicaciones en corriente directa.
Circuito de tres recortadores y explicación:

Los recortadores son redes que emplean diodos para “recortar” una parte de una señal de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada.
Cualquier voltaje positivo de la fuente tratará de encender el diodo al establecer una
corriente a través del mismo que coincida en dirección con la flecha de su símbolo. Pero
la fuente de cd agregada V se opondrá al voltaje aplicado y tratará de mantener el diodo
apagado. Por lo tanto, cualquier voltaje alimentado mayor que V volts encenderá el diodo
y se establecerá la conducción por el resistor de carga.

Circuito de tres sujetadores:

Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza
una forma de onda a un nivel de cd diferente sin cambiar la apariencia de la señal
aplicada.
Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta
la salida con un elemento resistivo en paralelo con la señal de salida. El diodo también
está en paralelo con la señal de salida, pero puede o no tener una fuente de cd en serie
como un elemento agregado.
Circuito donde se triplica el voltaje usando diodos y capacitores:
Practica multisim 2
Recortador positivo.
En esta práctica se realizó un recortador y con el osciloscopio se midió la frecuencia y el
voltaje.

En este ultimo caso se realizo un recortador positivo y uno negativo en un mismo circuito
y nos resulto esta onda mostrada.
Aplicaciones en corriente alterna.
Funcionamiento de un rectificador de media onda y Calculo
Voltaje Promedio 6 Voltaje de CD frecuencia. Periodo
El rectificador de media onda es un circuito que elimina la mitad de la señal que recibe en
la entrada, en función de cómo esté polarizado el diodo: si la polarización es directa,
eliminará la parte negativa de la señal, y si la polarización es inversa, eliminará la parte
positiva.
El voltaje promedio estará dado por el voltaje por la raíz de dos. La frecuencia será la
misma que un ciclo sin rectificador al igual que su periodo.

Funcionamiento de un rectificador de anda complete y Calculo

Voltaje Promedio ó Voltaje de CD, frecuencia, Periodo.
El rectificador de onda completa rige su funcionamiento mediante dos diodos con una
fuente con derivación media, la cual tiene el mismo voltaje en dos líneas, pero en una
desfasado 180 grados lo cual hace que el diodo rectifique en una línea la onda negativa
mientras que en la otra línea la deja pasar teniendo así una onda completa por ciclo lo
cual reduce a la mitad el periodo y la frecuencia si era dos pi ahora será solo pi por
ejemplo.
Rectificador tipo Puente.

Agregando un capacitor en un circuito rectificador desaparece el rizo y tenemos

voltaje de corriente directa lineal, en la salida.
Porqué el cargarse de voltaje lo descarga gradualmente al siguiente ciclo por lo que no
comienza desde 0 la onda del siguiente ciclo, si no que desde el punto en el que el
capacitor se descargó reduciendo el rizo.

Valor del capacitor para obtener un mayor filtrado.

Dependiendo del circuito, pero normalmente de 100 a 150 micro faradios es suficiente
para tener un rizo despreciable y un buen filtrado. Pero a la hora practica se recomienda
uno mayor a 400 micro faradios.

Unidades paquetes para regular voltajes de: 5 vdc, 9 vdc, 12 vdc 15 vdc positivos
etc.
Para positivos se indica con un 78 al inicio de la serie
5vdc =7805
9 vdc =7809
12 vdc =7812
15 vdc = 7815

Unidades paquetes o circuitos integrados para obtener los siguientes voltajes

negativos -5 vdc, -9 vdc, -12 vdc, -15 vdc etc.
Para negativos se indica con un 79 al inicio de la serie
-5 vdc = 7905
-9 vdc = 7909
-12 vdc =7912
-15 vdc = 7915

Circuito para obtener un voltaje regulado de 0 a 32 vdc

Para 6 volts:
 R2 6
V0=1.25(1+ )→R2=( +1)200=760Ω
200 1.25

Circuito para Regular voltaje con un diodo Zener

Circuito con un diodo Zener con: R1 y Vi fijos

A) diga si esta regulando Para los valores en el circuito
B) Tomando los valores del circuito y cambiamos la RL= 3 K
Practicas multisim 3.
Rectificador de onda completa
En esta práctica se mide el voltaje del transformador y la caída de voltaje en la
resistencia.
Rectificador de onda completa con eliminador de rizo

Por ultimo aquí se midió el rizo restante aun con el capacitor que claramente disminuye
demasiado.
Capítulo 2 Transistores de unión bipolar.
Transistores
Operación del transistor
La operación del transistor npn es la misma con los roles de los electrones y huecos
intercambiados. El ancho de la región de empobrecimiento se reduce a causa de la
polarización aplicada y el resultado es un intenso flujo de portadores mayoritarios del
material tipo p al material tipo n. El flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado
es sólo un flujo de portadores minoritarios. En suma, por consiguiente: La unión p-n de un
transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa

Circuitos de la configuración base-común

La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para
la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo general es la
terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra. La flecha en el símbolo del diodo
definía la dirección de conducción de corriente convencional. Para el transistor: La flecha
en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor a través del dispositivo.
Para describir plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se
requieren dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada (punto de
manejo) y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador en
base común relaciona una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para
varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Acción amplificadora del transistor
La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura es bastante alta y por lo
general varía de 50 ohms a 1 M ohm. La diferencia en la resistencia se debe a la unión
polarizada en directa a la entrada (base a emisor) y a la unión polarizada en inversa en la
salida (base a colector). Con un valor común de 20 ohms, vemos que:

Los valores típicos de la amplificación de voltaje de la configuración en base común

varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (Ic/Ie) siempre es menor que 1 para la
configuración en base común. Esta característica es obvia en vista de que Ic = AIe y a
siempre es menor que 1. La acción amplificadora básica se produjo al transferir la
corriente de la fuente Ii de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de
los dos términos en cursivas produce la etiqueta transistor; es decir, transferencia +
resistor = transistor

Circuitos de la configuración de emisor – común

La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra es la de los dibujos
para los transistores pnp y npn. Se llama configuración en emisor común porque el emisor
es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es
común para las terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos
de características para describir plenamente el comportamiento de la configuración en
emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de
salida o de colector-emisor.

n, las características de salida son una gráfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje
de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de entrada (IB). Las
características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje
de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE).

Transistor 2N4123 especificaciones

1. Resistencia térmica, unión para cápsula RuJC = 83.3 = ˚C W
2. Resistencia térmica, unión para medio ambiente RuJA = 200 = ˚C W
3. Voltaje de colector a emisor VCEO= 30 = Vcd
4. Voltaje de colector a base VCBO = 40 = Vcd
5. Corriente del colector – Continua IC = 200 = mAcd
6. Voltaje de ruptura de colector a emisor = V(BR)CEO = min. 30 = Vcd
7. Voltaje de ruptura de colector a base = V(BR)CBO = max. 40 = Vcd
8. Voltaje de ruptura de emisor a base = V(BR)EBO = max. 5.0 = Vcd
9. Corriente de corte en el colector ICBO = max. 50 nAcd
10. Corriente de corte en el emisor IEBO = max. 50 nAcd
Prueba de un transistor con un Ohmetro
Recuerde que para un transistor en la región activa la unión base a emisor está polarizada
en directa y la unión base a colector está en inversa.
La unión polarizada en directa deberá registrar una resistencia relativamente baja, en
tanto que la unión polarizada inversa muestra una resistencia mucho más alta. Para un
transistor npn, habrá que verificar la unión polarizada en directa (polarizada por la fuente
interna en el modo de resistencia) de la base al emisor como se muestra en la figura 3.27
y la lectura por lo general quedará dentro del intervalo de 100 ohms a algunos kilohms;
también la unión base a colector polarizada en inversa (de nuevo polarizada en inversa
por la fuente interna), con una lectura por lo general de más de 100 kohms. Para un
transistor pnp los cables se invierten para cada unión. Obviamente, una alta o baja
resistencia en ambas direcciones (al invertir los cables) en cualquier unión de un transistor
npn o pnp indica un dispositivo defectuoso.
Si ambas uniones de un transistor dan las lecturas esperadas, también se puede
determinar el tipo de transistor con sólo observar la polaridad de los cables al conectarlos
a la unión base a emisor. Si el cable positivo () se conecta a la base y el negativo () al
emisor, una lectura de baja resistencia indicaría un transistor npn. Una lectura de alta
resistencia indicaría un transistor pnp.
Transistores en circuitos
Ecuaciones obtenidas en el circuito de transistores:
A) Unión base-emisor

(VCC−VBE )
Para la corriente IB obtenemos: IB=
RB

B) Malla colector-emisor

La magnitud de la corriente de colector está relacionada

directamente con IB mediante: IC = β(IB)

Según Kirchhoff: VCE+ IC∗RC−VCC=0

VCE=VCC−(IC∗RC )
Recordando que: VCE=VC −VE

VCE es el voltaje del colector al emisor y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra. En este
caso, como VE 0 V :VCE=VC

VBE=VB−VE
Donde VE=0, por lo tanto,VBE=VB

Ejemplo. Solución del circuito del siguiente circuito

 a) IBQ ICQ
VCC−VBE 12V −.7 V
IBQ= = =47. O 8 μA
RB 240 k Ω
ICQ=βBQ= (50 )( 47.08 μA )=2.35 μA
b)
VCEQ
VCEQ=VCC−I C RC ¿ 12V −( 2.35 μA ) ( 2.2 k Ω )VCEQ=6.83V
c)
VB=VBE =.7 V VC =VCE=6.83 V

d) VCBVCB=VB−VC ⟹ .7 V −6.83VBC=−6.13V

Ecuaciones obtenidas del circuito con resistencia en el emisor:

Ley de voltajes de Kirchhoff: +VCC −IBRB−VBE−IERE=0

IE=( β+ 1 ) IB

Sustituyendo IE en la ecuación: VCC−IBRB −VBE−( β+ 1 ) IB ℜ=0

Agrupando los términos:

 −IB ( RB + β+ 1 ) ℜ¿+VCC −VBE=0 IB ( RB+ ( β +1 ) ℜ )−VCC +VBE=0
IB ( RB+ ( β +1 ) ℜ )=VCC −VBE

(VCC−VBE )
Despejando IB : IB=
(RB + ( β+1 ) ℜ)

Ejemplo. Solución del siguiente circuito

Ejemplo. Resolución de circuito propuesto

VCC + ( RB∗IR ) +VBC=0 16 V + ( 470 k Ω ) 18+.7 V =0

IB= ( 16470V∗.7V
KΩ )
=32.55 μA

IBQ=IB=32.55 μA IC=β + B=( 90 )( 32.55 μA ) =2.93 μA VC =0

VC =VBVC =VCC−( IC∗RC )=16 V −( 2.93 μA )( 2.7 k Ω )VC=8.04 V

VB=VCC −( RB∗IB )=16− ( 470 k Ω ) ( 32.55 μA )VB=16 V −15.29V =.7 V VB=.7 V

VBC=.7−VBC VB−VC−.7=VB−0VB=.7
VCC=VC−VC =( 8.04−0 V )=8.04 V VC =0−VCC →=8.04 V

Practicas Multisim medición de un transistor.

En estas prácticas se comparó el análisis matemático de la obtención de las corrientes y voltajes ya
sea de colector emisor en el caso de voltaje y las corrientes de base, colector y emisor se hizo la
comparación practica y resulto ser muy similar.
POLARIZACIÓN DE CD DE LOS BJT: FIJA Y CON RESISTOR
DE EMISOR Y POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o su corriente máxima en un diseño de polarización de emisor se
determina con el mismo procedimiento aplicado a la configuración de polarización fija. La adición
del resistor del emisor reduce el nivel de saturación en el colector por debajo del obtenido, con
una configuración de polarización fija con el mismo resistor del colector.

Análisis por medio de la recta de carga

Porque VCE = VCC
El análisis por medio de la recta de carga de la red de polarización del emisor es ligeramente
diferente del de la configuración de polarización fija. El nivel de IB determinado por la ecuación
define el nivel de IB en las características de la siguiente figura.
Ejemplo. Punto Q de operación y grafica
del siguiente circuito:

RTh = R1 / R2 = (2.2 kΩ) / (910 kΩ) = 2.4175x10-3 kΩ

ETh = R2VCC / R1 + R2 = [(910 kΩ)(18 V)]/ 2.2 kΩ + 910 kΩ = 17.955V
IB = [ETh – VBE] / RTh + (B + 1) + RE =(17.955V – 0.7V) / [2.4175x10-3kΩ +(101)
(1.1KΩ)] =17.255V / 2.4175x10-3kΩ + 111.1 Kω = 15.529 mA
IC = B*IB = (100)(15.529mA) = 1.552Ma
VCE = VCC – IC (RC + RE) =18 V – (1.552mA) (1.1 kΩ + 2.2 kΩ) =18V – 5.9132
=12.0868V

Ecuaciones: Configuración por medio del divisor de voltaje

de las pag 176-177
Para el análisis de cd de la red de la figura podemos dibujar nuevamente la figura. El
lado de entrada de la red se vuelve a dibujar entonces como se muestra en la figura
4.31 para el análisis. La red equivalente de Thévenin de la red de la izquierda de la
terminal base se determina de la siguiente manera:
Ejemplo. Obtención del punto Q de operación y su grafica
del circuito siguiente:
Compuertas lógicas:
 Construya una compuerta OR con transistores con tabla de verdad y ecuación
Construya una compuerta AND con transistores con tabla de verdad y ecuación

Construya una compuerta NOT con transistores con tabla de verdad y ecuación
Practicas multisim Divisor de voltaje

En estas prácticas se comparó el análisis matemático de la obtención de las corrientes y voltajes ya

sea de colector emisor en el caso de voltaje y las corrientes de base, colector y emisor, además se
realizó la medición de un transistor que analíticamente se realizó por divisor de voltajes y se hizo
la comparación practica y resulto ser muy similar.
POLARIZACIÓN DE CD DE LOS BJT: CON RESISTOR DE
EMISOR Y POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Ejemplo. Obtención de Vc y Vb para el siguiente circuito:
Ejemplo. Obtención de Vc y Vb para el siguiente circuito:
Aplicaciones
Con el siguiente circuito construya otro para controlar un motor de 120 AC
Con el siguiente circuito construya una alarma con mínimo tres entradas de
control

Capitulo 3 Amplificador Operacional

circuito amplificador operacional (OP-AMP)
Un amplificador operacional es un amplificador diferencial de muy alta ganancia
con alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida. Los usos típicos del
amplificador operacional son proporcionar cambios en la amplitud del voltaje
(amplitud y polaridad), en osciladores, en circuitos de filtrado y en muchos tipos de
circuitos de instrumentación
Circuito operacional básico
Hay varias combinaciones posibles de señal de entrada: Si se aplica una señal de
entrada a cualquiera de las dos entradas con la otra conectada a tierra, la
operación se conoce como “sencilla”. Si se aplican dos señales de entrada de
polaridad opuesta, la operación se conoce como “doble”. Si la misma señal de
entrada se aplica a ambas entradas, la operación se denomina “modo común”.
La característica principal del amplificador diferencial es la ganancia muy grande
cuando se aplican señales opuestas a las entradas, en comparación con la muy
pequeña ganancia obtenida con entradas comunes. La relación de esta diferencia
de ganancia con la ganancia común se llama rechazo en modo común.

Cálculo de voltaje de salida cuando R1=100k, RF=500k y Vi=2V

circuito del amplificador operacional conectado como seguidor unitario
El circuito de seguidor unitario, proporciona una ganancia unitaria (1) sin inversión
de polaridad o fase.

especificaciones del Amp-Op 741

 Fuente de alimentación: requiere un voltaje mínimo de 5V y puede soportar
hasta 18V
 Impedancia de entrada: aproximadamente 2 megaohmios
 Impedancia de salida: aproximadamente 75 ohmios
 Aumento de voltaje: 200,000 para bajas frecuencias
 Corriente de salida máxima: 20mA
 Carga de salida recomendada: Más de 2 kiloohmios
 Compensación de entrada: Rangos entre 2mV y 6mV
 Velocidad de respuesta: 0.5V/microsegundo
Solución de circuitos con amp-op

Solución:
V 0=−( 250 k ÷ 20 ) 1.5=−18.75 v
−18.75 v

Solución:
V 0=−( 500 k ÷ 10 k ) 1.5=−50 v
V 0=−( 500 k ÷ 20 k ) 1.5=−25 v

Solución:
V 0=−( 20 k ÷1 M ) 2 v =−40 mv
 Solución:
V 0=−( 200 k ÷ 20 k ) 0.5 v=−5 v
V 0=−( 200 k ÷ 20 k ) 0.1 v =−1 v

Practica multisim amplificador inversor

Amplificador operacional como no-inversor

Circuito del amplificador operacional como no-inversor
Para determinar la ganancia de voltaje del circuito, podemos utilizar la representación
equivalente mostrada en la figura 10.35b. Observe que el voltaje a través de R1 es V1 puesto
que Vi L 0 V. Éste debe ser igual al voltaje de salida, a través de un divisor de voltaje de R1 y
Rf, de modo que

Circuito del seguidor unitario

El circuito de seguidor unitario, como se muestra en la figura 10.36a, proporciona
una ganancia unitaria (1) sin inversión de polaridad o fase.
Calculo V0 para un circuito para un Vi=-0.3 Volts

V 0=¿
Vi=(2.4/(1+(360-12))=77.4v

intervalo de voltaje de salida en el circuito de la siguiente:

 V 0= 1+
( ( )) 200
20
0.5=5.5V

( ( ))
V 0= 1+
200
10
0.5=10.5V

voltaje de salida en el circuito de la siguiente:

V 0=V 1 » V 0=.5V

voltaje de salida de V2 y V3 del circuito siguiente

 V 2=− ( 200
20 )
.2=−2 V

V 2=( 1+
10 )
200
.2=4.2 V

Practica multisim comprobación de ejercicios

Circuitos amplificadores
Amplificador no inversor
La figura muestra un circuito de amplificador operacional que funciona como amplificador no
inversor o multiplicador de ganancia constante. Y su fórmula al igual que ya vimos anteriormente
es la siguiente:

Circuito y fórmulas de un amplificador sumador

Probablemente el circuito más utilizado de los circuitos de amplificador operacional es el

amplificador sumador. El circuito muestra un circuito de amplificador sumador de tres entradas, el
cual permite sumar algebraicamente tres voltajes, cada uno multiplicado por un factor de
ganancia constante.
Utilizando la representación equivalente mostrada, podemos expresar el voltaje de salida en
función de las entradas como:

Circuito y fórmulas de un amplificador como integrador

Si el componente de realimentación utilizado es un capacitor, como se muestra en la

figura, la conexión resultante se llama integrador
Circuito y fórmulas de un amplificador como diferenciador

No es tan útil como los circuitos antes descritos, sí proporciona una operación útil.

Solucion de problemas de aplicación

Calcular Vo donde Rf=1M, R1=200k y Vi=200mV

𝑉𝑜 = − 1𝑀 200𝑘 (200𝑚𝑉)=1V
Calcular Vo donde Vi=150mV, Rf=500k y R1=100k

𝑉𝑜 = (1 + 500𝑘 100𝑘 ) (150𝑚𝑉)=525mV

a) Calcular Vo donde V1=1V, V2=2V, V3=3V, R1=500k, R2=1M, R3=1M y Rf=1M

𝑉𝑜 = −( 1𝑀 500𝑘 (1𝑉) + 1𝑀 1𝑀 (2𝑉)+ 1𝑀 1𝑀 (3𝑉))=-7V

c) Calcular Vo donde V1=-2V, V2=3V, V3=1V, R1=200k, R2=500k, R3=1M y Rf=1M

𝑉𝑜 = − ( 1𝑀 200𝑘 (−2𝑉) + 1𝑀 500𝑘 (3𝑉) + 1𝑀 1𝑀 (1𝑉))=3V

EL OP-AMP COMO COMPARADOR

Del gráfico inferior se ve que el valor de la entrada en V2 es mayor que la de V1 (que se utiliza
como referencia y tiene un valor fijo), hasta que en un momento t1, V2 cambia y ahora es menor
que V1. Como V2 está conectado a la entrada no inversora del operacional, la salida (Vout) está en
saturación positiva, hasta que llega a t1, en donde la salida ahora está en saturación negativa.

CONVERTIDOR ANALÓGICO-DIGITAL CON UN OP-AMP

Un ADC (Conversor analógico a digital) es un sistema que transforma señales analógicas en señales
digitales. Aunque no lo creas estamos rodeados de ellos, en casi cualquier circuito o aparato que
interactúe con el medio hay un conversor analógico digital. Y es que son tan útiles como para estar
incluso en un smartphone.
CONVERTIDOR DIGITAL-ANALÓGICO CON UN OP-AMP
El convertidor Digital/Analogico (D/A), produce una salida igual a la suma ponderada de las
entradas, donde el peso de cada entrada esta dado por la ganancia de cada canal. Tensión de 2
valores 5VDC –> 1 Lógico 0VDC -> 0 Lógico (Datos de 4 bits) R0 = R0 / 20 = R0 /1 = R0 R1 = R0 / 21 =
R0 /2 R2 = R0 / 22 = R0 /4 R3 = R0 / 23 = R0 /8 Rf = R3 (Resistencia mas baja de las entradas
digitales) Convertidor Digital/Analogico (D/A):

Practica multisim 6 convertidor analógico digital.

En esta practica construimos un convertidor analogico digital con amplificadores como
comparadoes.
Capitulo 4 Dispositivos PNPN y de otros tipos.
SCR
Símbolo y construcción del SCR.
El SCR es un rectificador construido de silicio con una tercera terminal para
propósitos de control. Se eligió el silicio por sus altas capacidades de temperatura
y potencia. La operación básica del SCR es diferente de la del diodo
semiconductor fundamental de dos capas en que una tercera terminal, llamada
compuerta, determina cuando el rectificador cambia del estado de circuito abierto
al estado de cortocircuito.

Métodos generales para apagar un SCR.

Las dos posibilidades de interrupción de corriente se muestran en la figura 17.5.
En la figura 17.5a, IA es cero cuando el interruptor se abre (interrupción en serie),
mientras que en la figura 17.5b se establece la misma condición cuando el
interruptor se cierra (interrupción en derivación). La conmutación forzada consiste
en “forzar” la corriente a que fluya a través del SCR en la dirección opuesta a la
conducción en directa.
Curva característica del SCR

Características y valores nominales del SCR

 Voltaje de conducción en directa es el voltaje sobre el cual el SCR entra a
la región de conducción. El asterisco denota la letra que se debe agregar, la
cual depende de la condición de la terminal de compuerta como sigue:
 Corriente de mantenimiento IH es el valor de la corriente por debajo de la
cual el SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo en
directa en las condiciones establecidas.
 Regiones de bloqueo en directa y en inversa son las regiones
correspondientes a la condición de circuito abierto para el rectificador
controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del ánodo al cátodo.
 Voltaje de ruptura en inversa es equivalente a la región Zener o de
avalancha del diodo semiconductor fundamental de dos capas.
Aplicaciones del SCR
 Un interruptor estático,
 Un sistema de control de fase,
 Un cargador de baterías,
 Un controlador de temperatura
 Un sistema de iluminación de emergencia de una sola fuente

Circuito para controlar la fase de media onda

Representación y explicación del circuito de un Sistema de iluminación de emergencia

El capacitor C1 se cargará a un voltaje un poco menor que la diferencia entre el
valor pico de la señal rectificada de onda completa y el voltaje de cd a través de
R2 establecido por la batería de 6 V. El cátodo del SCR1 está a un nivel más alto
que el ánodo y el voltaje de compuerta al ánodo es negativo, lo que garantiza que
el SCR no sea conductor. La batería se carga por conducto de R1 y D1 a un ritmo
determinado por R1. La carga sólo ocurrirá cuando el ánodo de D1 es más
positivo que su cátodo. El nivel de cd de una señal rectificada de onda completa
garantizará que el foco permanezca encendido cuando la potencia este activa. Si
la energía fallara, el capacitor C1 se descargará a través de D1, R1 y R3 hasta
que el cátodo del SCR1 sea menos positivo que el ánodo. La unión de R2 y R3 se
hará positiva y establecerá un voltaje suficiente de compuerta al cátodo para
activar el SCR. Una vez activado, la batería de 6 V se descarga a través del
SCR1, energiza la lámpara y mantiene su iluminación.

Símbolo del SCS y su funcionamiento

Es un dispositivo pnpn de cuatro capas. Las cuatro capas semiconductoras del
SCS están disponibles debido a la adición de una compuerta de ánodo. Se puede
utilizar la conexión de compuerta de ánodo tanto para encender como para apagar
el dispositivo. Para encenderlo, se debe aplicar un pulso negativo a la terminal de
compuerta de ánodo, en tanto que para apagarlo se requiere un pulso positivo.
El SCS en un circuito de alarma como aplicación
Es un sistema de alarma con n entradas provenientes de varias estaciones.
Cualquier entrada activará ese SCS particular y el relevador de alarma se
energizará y se encenderá la luz en el circuito de compuerta de ánodo para indicar
la ubicación de la entrada (perturbación).

Representación del símbolo de: a) Fotodiodo b) Fotorresistencia c) Fototransistor

Optoacopladores y su símbolo
Diodo GTO
Explicación de la composición del diodo GTO, su funcionamiento y su símbolo con su
respectiva curva característica.
Tiene sólo tres terminales externas. Aun cuando el símbolo gráfico es diferente al
del SCR o al del SCS, el equivalente de transistor es exactamente igual y las
características son similares. La ventaja más obvia del GTO sobre el SCR o el
SCS es que se puede encender o apagar al aplicar el pulso apropiado a la
compuerta de cátodo.

Oscilador con un diodo GTO de 100 hz

El DIAC y cómo funciona, además sus símbolos, construcción básica y curva característica
Es una combinación inversa en paralelo de dos terminales de capas
semiconductoras que permite la activación o disparo en cualquier dirección. Las
características del dispositivo demuestran con claridad que hay un voltaje de
conducción en cualquiera de las dos direcciones.

Oscilador con un DIAC de 60 hz

El TRIAC símbolo, la construcción básica y su curva característica
El TRIAC es un diac con una terminal de compuerta para controlar las condiciones
de encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de las dos direcciones. Para
cualquier dirección la corriente de compuerta puede controlar la acción del
dispositivo de una manera muy parecida a la demostrada para un SCR. Las
características del triac en el primer y tercer cuadrante son diferentes de las del
diac.

Control de fase TRIAC y DIAC

Practica Multisim

Transistor de monounión y dibuje su construcción básica UJT

Tres terminales. Una pastilla de material de silicio tipo n levemente dopado
(característica de resistencia incrementada) tiene dos contactos base fijados a los
dos extremos de una superficie y una barra de aluminio ligada a la superficie
opuesta. La unión tipo p-n se forma en el límite de la barra de aluminio y la pastilla
de silicio tipo n. La unión p-n única explica la terminología monounión.
Circuito equivalente del UJT y ecuaciones de VRB1, n, Vp:

Curva del UJT

Fases de carga y descarga

Oscilador de relajación de la siguiente figura obtenga el tiempo de carga y el tiempo de

descarga
R1= 10k, C= 1uf, R2= 10ohms, n=0.5, v= 20v

Circuito para controlar la fase con un SCR y un UJT

Símbolo, construcción y curva característica de un diodo de 4 capas

Símbolo del interruptor apagado con compuerta GTO

Ventaja más obvia de un GTO sobre el SCR y el SCS

La ventaja más obvia del GTO sobre el SCR o el SCS es que se puede
encender o apagar al aplicar el pulso apropiado a la compuerta de cátodo
(sin la compuerta de ánodo ni los circuitos asociados requeridos para el
SCS). Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un incremento
en la magnitud de la corriente de compuerta de disparo requerida. Para un
SCS y un GTO de valores nominales de corriente rms máximos similares, la
corriente de disparo de la compuerta de un SCR particular es de 30 mA,
mientras que la del GTO es de 20 mA.
Generador de dientes de sierra con GTO
Practica multisim
Voltajes de carga y descarga.

Timer 555
Circuito del timer 555
Otro circuito integrado analógico-digital es el versátil temporizador 555. El circuito
integrado es una combinación de comparadores analógicos y circuitos biestables
digitales. Todo el circuito en general se encuentra alojado en un paquete de ocho
terminales de conexión.
Circuito a-stable generador de diferentes frecuencias
Una aplicación más del circuito integrado temporizador 555 es un multivibrador
astable o circuito de reloj.

Circuito tiempo en alto 1s y tiempo bajo 0.5s

RA=100KΩ
0.5
t bajo=0.7 R B C 0.5=0.7 V ( 100 k Ω ) C C= =7.143 μF t alto=0.7 ( R A + R B ) C
0.7 ( 100 k )
t alto=0.7 ( R A C+ 0.7 R B C )2=0.7 R A ( 7.143 μF ) +0.7 ( 100 k ) ( 7.143 μF )
2−0.05
RA= =299.994 k Ω
0.7 ( 7.143 μF )
Circuito monostable tiempo en alto 2s
 2s
2 s=1.1 R A C R A = =121.212 kΩ
1.1 ( 15 μF )