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Polarización de Transistores BJT: Análisis y Simulación

Este documento presenta las instrucciones para un laboratorio sobre la polarización de transistores bipolares de unión (TBJ). Los estudiantes analizarán, diseñarán y simularán diferentes configuraciones de polarización de un TBJ, considerando la estabilidad del punto de operación ante variaciones de beta. Se les pide que diseñen circuitos de polarización para TBJs NPN y PNP usando resistencias estándar y simulaciones, y que analicen cómo cambia el punto de operación con diferentes valores de beta. Finalmente, deben calcular cómo cambia la corri

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Polarización de Transistores BJT: Análisis y Simulación

Este documento presenta las instrucciones para un laboratorio sobre la polarización de transistores bipolares de unión (TBJ). Los estudiantes analizarán, diseñarán y simularán diferentes configuraciones de polarización de un TBJ, considerando la estabilidad del punto de operación ante variaciones de beta. Se les pide que diseñen circuitos de polarización para TBJs NPN y PNP usando resistencias estándar y simulaciones, y que analicen cómo cambia el punto de operación con diferentes valores de beta. Finalmente, deben calcular cómo cambia la corri

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Universidad Nacional Autónoma de

México

Facultad de Ingeniería

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

Salón #Q109

Previo #06 Transistor bipolar de juntura (TBJ)

Polarización del TBJ

Equipo #4

Fecha de entrega 15/11/2022

Objetivos de aprendizaje

Analizar, diseñar y simular distintas configuraciones de polarización de un TBJ, considerando la


estabilidad del punto de operación a variaciones de beta.

Material
 Transistores BJT NPN y PNP (varios)
 Resistencias varias según los circuitos (1.2 kΩ, 390 kΩ) de 250 mW
 Tableta de pruebas (protoboard)
 Cables (1 par banana-caimán, 3 pares BNC-caimán)

Trabajo previo

1. Diseñe una polarización por divisor de voltaje para un BJT NPN de modo que la corriente
de colector IC sea de 1 mA y el voltaje colector-emisor VCE sea de 6 V. Use una fuente de
alimentación de 12 V y resistencias estándar. Analice su diseño y asegúrese de que el error
máximo en IC sea de 10%. Realice una simulación para verificar su circuito de polarización.
Haga una gráfica de la recta de carga comparando los puntos de operación Q (simulado)
del BJT cuando β = 50, β = 100, β = 200, β = 400 y β = ∞.

2. Diseñe el circuito de polarización para el BJT PNP de la figura 1 para que Q = (3 V, 4 mA).
Use resistencias estándar y realice una simulación para verificar su diseño. Analice su
diseño y determine Q para β = 50, β = 100, β = 200, β = 400 y β = ∞. Use una simulación
para verificar sus resultados.

3. Calcule el cambio en la corriente del colector, ΔIC, respecto al cambio de β, Δβ. Es decir,
determine el cociente ΔIC Δβ para cada circuito de polarización.

Referencias:

Sepúlveda, D. A., Tarache, J. E. P. (s.f.). “Trazador de curvas para transistores BJT de baja
potencia”. F. U. Capítulo 28 COMITÉ CIENTÍFICO, 92.
Lema Jiménes, J. M., & Valdiviezo Valdivieso, R. E. (2013). “Análisis y Obtención de Curvas
Características de Elementos y Circuitos Electrónicos Utilizando el Software Labview y el VIS por
Medio de Tarjetas MYDAQ” (Bachelor's thesis).

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