CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

(710017M)
Unidad 4
Análisis en pequeña señal
del BJT y del FET
Andrés David Restrepo Girón, [Link]., Ph.D.
[Link]@[Link]

1
Circuitos Electrónicos I (710017M)
Unidad 4: Análisis en pequeña señal del BJT y
del FET
Contenido:
 Introducción.
 Amplificadores de señal con transistores BJT.
 Acople capacitivo.
 Análisis de circuitos en pequeña señal.
 Ejemplos.

2
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción
Problema
Si la señal de entrada vs = 2mVp, cuál es el voltaje de salida vo? Considere β=200

+
vO
vS -

3
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (2)
Amplificación
La región activa es donde el transistor tiene una característica lineal y se utiliza
principalmente para amplificar señales.

Si se considera una configuración en emisor común se sabe que: Ic = β*Ib

¿De dónde se obtiene la energía extra de la señal de salida para lograr la

amplificación?
R/ La potencia adicional es suministrada por las fuentes DC y el transistor transforma
esa potencia DC en potencia AC.
4
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (3)
Superposición
De acuerdo a los valores de las fuentes DC y las resistencias se establece un punto
de operación en DC (polarización). Si no se produce un cambio externo estos valores
permanecen constantes.

Punto Q
• VCEQ
• ICQ

Equivalente DC
5
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (4)
Superposición (cont.)
Al introducir una señal en el circuito esta se suma a la componente DC existente.
Desde el punto de vista de las corrientes:

Vs

+
vO
vS
-

iB
iC

≈2mA
≈10uA

6
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (5)
Superposición (cont.)
Al introducir una señal en el circuito esta se suma a la componente DC existente.
Desde el punto de vista de los voltajes:

vS

+
vO
vS
-

vC
vO

Vc

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (6)
Superposición (cont.)
El comportamiento de la señal de salida se puede analizar a través de la recta de
carta en AC.

ICmax

VCEmax VCE(corte)

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (7)
Superposición (cont.)
La polarización del transistor (punto de operación) influye en como se comportará la
forma de onda de salida.

ICmax

Punto de operación

VCEmax
9
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (8)
Superposición (cont.)
La polarización del transistor (punto de operación) influye en como se comportará la
forma de onda de salida.

VCEmax
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (9)
Superposición (cont.)
La polarización del transistor (punto de operación) influye en como se comportará la
forma de onda de salida.

ICmax

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (10)
Análisis en pequeña señal
Para que el análisis se considere como de “pequeña señal” se debe cumplir que el
transistor no se sature o se corte bajo las condiciones de operación, de tal forma que
pueda aplicarse el teorema de superposición para analizar este tipo de circuitos y que
el transistor pueda modelarse a través de equivalentes lineales.

En términos prácticos, se debe tener en cuenta la ubicación del punto de operación y

que la corriente de emisor en AC, pico a pico, cumpla la siguiente condición:

ie( pp )  0,1* I EQ
Donde:
ie(pp): corriente de emisor pico-pico.
IEQ: corriente de emisor del punto de operación.

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Introducción (11)
El amplificador ideal
Un amplificador puede caracterizarse por diferentes tipos de parámetros, entre los
que destacan: impedancia de entrada (Zi), impedancia de salida (Zo), ganancia de
voltaje de circuito abierto (open loop) o sin carga (AVOL, AVNL) y ganancia de corriente
(Ai).

+
Zi
vi
AVNL*vi
-

En el caso del amplificador ideal se considera que Zi=∞ y Zo=0.

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (12)
El amplificador ideal
Por lo tanto para un amplificador ideal se tiene que:

Rs

+
vs Zo=0
vi Zi=∞
AVNL*vi
- RL

De tal forma que : vo  A VNL * vi

vi  *vs

Por lo tanto: vo  A VNL * vs

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (13)
El amplificador ideal
Si se conectan varios amplificadores ideales en cascada,

Rs

vs
vi1
AVNL1*vi1
vi2
AVNL2*vi2
vi3
AVNL3*vi3
vO

vo  A VNL 3 * vi3
Se tiene que:
vi3  A VNL 2 * vi2

vi2  A VNL1 * vi1

vi1  vs
Por lo tanto: vo  A VNL1 * A VNL 2 * A VNL 3 * vs

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (14)
El amplificador real
Los amplificadores reales tienen ciertas pérdidas debido a las impedancias inherentes
en su entrada y salida.
La impedancia de entrada es la
relación entre el voltaje de entrada y
ii la corriente de entrada: vi
Rs Zi 
+ ii
vs Zo
vi Zi
+ Hay una pérdida asociada por la caída
AVNL*vi
-
vo RL
en Rs.
Zi
vi  vs *
- Rs  Zi

Si Zi>>Rs entonces se tiene que:

vi  vs

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (15)
El amplificador real
Los amplificadores reales tienen ciertas pérdidas debido a las impedancias inherentes
en su entrada y salida.
La impedancia de salida es la
relación entre el voltaje de salida y la
corriente de salida: vo
Rs Zo 
+ io
vs io
Zo
vi Zi
+ Hay una pérdida asociada por la caída
AVNL*vi
-
vo RL
en Zo cuando se conecta una carga al
amplificador.
- RL
vo  A VNL * vi *
R L  Zo

Si Zo<<RL entonces se tiene que:

vo  AVNL * vi

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (16)
El amplificador real
La relación entre el voltaje vs y vo se puede obtener:
Zi
vi  vs *
Rs  Zi
RL
vo  A VNL * vi *
ii R L  Zo
Rs
+ RL Zi
vs io vo  A VNL * * * vs
vi Zi
Zo R L  Zo Rs  Zi
+
AVNL*vi vo RL Zi
-
RL
 A VNL * *
vo vs R L  Zo Rs  Zi
-

Se puede definir la ganancia de

voltaje con carga del amplificador
como:
vo RL
A VL   A VNL *
vi R L  Zo

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Introducción (17)
El amplificador real
Otro parámetro importante es la ganancia de corriente la cual se define como:
io
Ai 
ii vo
De tal manera que: R
ii Ai  L
Rs vi
+ io
Zi
vs Zo
vi Zi
+ vo Zi
AVNL*vi
- Ai  *
vo RL vi R L
-

Zi
Ai  A VL *
RL

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Introducción (18)
Amplificadores reales conectados en cascada
Al conectar varios amplificadores en cascada se tiene:

ii1
Rs
vs + ii2
Zo1
vi1 Zi1
+ io
AVNL1*vi1 Zo2
-
vi2 Zi2
+
- AVNL2*vi2
vo RL
-
RL
vo  A VNL 2 * vi2 *
R L  Zo2
vo RL Zi2 Ganancia con
 A VNL 2 * A VNL1 *  A VLT carga total de los
Zi2 vi1 R L  Zo2 Zi2  Zo1
vi2  A VNL1 * vi1 * amplificadores
Zi2  Zo1
vo RL Zi2 Zi1
Zi1  A VNL 2 * A VNL1 * *
vi1  vs * vs R L  Zo2 Zi2  Zo1 Zi1  Rs
Zi1  Rs
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Amplificadores de señal con transistores BJT
Acople entre etapas -> acople directo
Es importante tener en cuenta el tipo
de acople entre las etapas de un
amplificador tanto para el análisis en
AC como en DC.

En el acople directo existe una

incidencia directa de una etapa sobre
la otra en su punto de operación.

Acople directo entre

las etapas.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Amplificadores de señal con transistores BJT (2)
Acople entre etapas -> acople capacitivo
En el acople capacitivo no existe
una incidencia directa de una
etapa sobre la otra en su punto
de operación.

Sin embargo pueden

presentarse dificultades en la
respuesta en frecuencia del
amplificador debido a la
presencia de los capacitores.
Por esta razón debe diseñarse
de forma adecuada el acople
entre las etapas.
Acople capacitivo entre
las etapas.

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo
Aproximaciones del capacitor en DC y AC

En DC, f=0  Xc=, y por tanto el condensador

puede remplazarse en el circuito equivalente de
1 DC por un circuito abierto.
XC 
j 2fC
Por el contrario, en AC, ante una frecuencia alta
(f), el condensador se aproxima a un corto
circuito

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (2)
Condensador de acople

En este caso el condensador acopla o transmite la señal de alterna al

circuito que alimenta.

1. El condensador bloquea el paso de una señal DC

2. Transmite la señal AC, en particular si la
reactancia capacitiva es mucho menor que la
impedancia de entrada del circuito que alimenta
la fuente.

En particular en etapas transistorizadas, los condensadores de acople no

solo protegen la fuente de señal, sino la resistencia de carga ante
cambios en el punto de operación (Q).

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (3)
Condensador de acople (cont.)

IMPORTANTE: Para que un condensador de acople funcione

apropiadamente, su reactancia debe ser mucho menor que la resistencia
en serie con él, a la frecuencia más baja de señal de la fuente de
alterna. Por ejemplo, si la frecuencia de la fuente de alterna varía de
20Hz a 20kHz, un diseñador debe escoger un condensador cuya
reactancia a 20Hz sea mucho menor que la resistencia, así:

Xc0,1*R. Cuando la reactancia es al menos diez veces menor que la

resistencia, se obtiene un buen acople.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (4)
Condensador de acople (cont.)

Ejercicio:

Cual es la frecuencia más baja para la cual existe un buen

acoplamiento en el circuito de la figura?
1
XC 
2fC
Para que haya un buen acople se debe cumplir
que:
X C  0,1* R
1
 0,1*10 K
( 2 ) * f * 68F
1
f 
( 2 ) * 68F * 0,1*10 K
f  2,34 Hz 26
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Acople capacitivo (5)
Condensador de acople (cont.)

Ejercicio:

Si el rango de frecuencia de la señal de entrada varía entre 20Hz y

20kHz, determine el valor de C necesario para se comporte como un
buen condensador de acople.

X C  0,1* 2 K

1
 200
( 2 ) * 20 * C
1
C
( 2 ) * ( 20 Hz ) * ( 200)
1
XC  C  39,8F
2fC
27
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (6)
Condensador de acople (cont.)

+
X C  0,1* 2 K vO
vS -

Acopla la señal Acopla la señal de

de entrada al salida del amplificador
amplificador. a la carga.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (7)
Condensador de desacople

 Se usa para llevar una señal a tierra, sin distorsionar el punto de

operación Q del amplificador.

IMPORTANTE: Para que un condensador de desacople funcione

apropiadamente, su reactancia debe ser mucho menor que la resistencia a la
frecuencia más baja de señal de la fuente de señal alterna:
Xc0,1*R

29
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Acople capacitivo (8)
Condensador de desacoplo (cont.)

+
vO
vS -

Desacopla la resistencia
R4 en el equivalente AC
del circuito.

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal
Pasos

 Se realiza el Análisis DC del circuito siguiendo los siguientes

subpasos:
• Abrir los Condensadores del circuito.
• Determinar el punto de operación de cada etapa.

 Se realiza el Análisis AC del circuito mediante los siguientes pasos:

• Cortocircuitar los condensadores del circuito.
• Eliminar las fuentes DC (cortocircuitar las fuentes de voltaje y
abrir las fuentes de corriente)
• Sustituir el transistor por su modelo equivalente.
• Estimar los parámetros de cada una de las etapas del circuito
(AvNL, Zi, Zo).
• Hacer el análisis total del circuito
• Hallar la ganancia de corriente Ai.
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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (2)
Ejemplo
Si la señal de entrada vs = 2mVp, cuál es el voltaje de salida vo? Considere β=200

+
+
vo vO
vs -
vS -

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (3)
Modelo del BJT en AC
Para analizar el funcionamiento para pequeña señal de un transistor
amplificador se requiere un circuito equivalente para un transistor, de tal forma
que simule cómo se comporta cuando se introduce una señal de alterna. Así,
para el análisis en AC se remplaza el transistor por su circuito equivalente, y,
de ahí en adelante, se convierte en un análisis de circuitos eléctricos.

MODELOS DEL TRANSISTOR

Su principal desventaja es que está

1. Modelo Híbrido restringido a una región de funcionamiento
limitada para que sea preciso. Los valores
son dados por los fabricantes

Carece de un parámetro que represente la

2. Modelo Rп
impedancia de salida del dispositivo ó el
(modelo híbrido pi)
efecto de retroalimentación de la salida a la
(modelo de Giacoletto)
entrada 33
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (4)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido
Si se tiene un circuito lineal sin fuentes independientes en su interior y pueden
tomarse dos terminales de entrada y dos de salida, este sistema puede representarse
por una red de dos puertos. Para transistores son especialmente útiles los parámetros
híbridos.

Parámetros híbridos.

𝑽𝟏 = 𝒉𝟏𝟏 𝑰𝟏 + 𝒉𝟏𝟐 𝑽𝟐
𝑰𝟐 = 𝒉𝟐𝟏 𝑰𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 𝑽𝟐

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (5)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido
El fabricante somete el transistor bajo pruebas de laboratorio para obtener cada
parámetro.

Modelo circuital para

representar las ecuaciones.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (6)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido
Los parámetros del modelo son definidos por el fabricante para un punto de
operación particular, el cual puede o no reflejar las condiciones de operación reales
del circuito amplificador.

Modelo híbrido del transistor para

la configuración emisor común.

Parámetros híbridos para el 2N3903 Nombre Min Max Unid.

Impedancia de entrada hie 1 10 k
Transferencia inversa de voltaje hre 0,5 8 x 10-4
Ganancia de corriente hfe 100 400
Admitancia de salida hoe 1,0 40 1µs
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (7)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido
A veces es necesario convertir los parámetros de un transistor de una configuración a
otra, lo cual se hace mediante la siguiente tabla:

Colector Base
Común Común

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (8)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido
Configuraciones.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (9)
Modelo del BJT en AC -> Modelo híbrido (cont.)

Configuración Terminal Terminal Punto Q

Entrada Salida
Emisor Común - EC Base Colector (Ic,VCE)
Base Común - BC Emisor Colector (IC,VCB)
Colector Común - CC Base Emisor (IE,VCE)

Note que el Terminal de Colector NUNCA es Entrada,

así como el Terminal de Base NUNCA es Salida.

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (10)
Modelo del BJT en AC -> Modelo Rπ (modelo híbrido pi)
Existe otro modelo muy popular cuya principal ventaja respecto al modelo de
parámetros híbridos es su mayor flexibilidad ante variaciones del punto de operación.

El modelo Rπ para frecuencia medias es:

+
vπ gm*vπ

Donde: 26mV VA
re  ro 
I CQ I CQ

1
R   * re gm 
re
40
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Análisis de circuitos en pequeña señal (11)
Modelo del BJT en AC -> Modelo Rπ (modelo híbrido pi)
La resistencia ro se obtiene debido al efecto Early, donde todas las corrientes
proyectadas convergen a un mismo voltaje en el cruce por cero.

Donde:

VA esta en el rango entre 150V y 250V.

Se considera entonces que: 200V

ro 
I CQ
41
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (12)
Modelo del BJT en AC -> Modelo Rπ (modelo híbrido pi)
Normalmente ro es un valor grande comparado con Rc, de manera que se puede
trabajar con el modelo sin incluir ro y obtenerse una buena aproximación y
simplificación en los cálculos.

Se puede considerar un modelo Rπ simplificado para frecuencias medias:

Equivalente

v   ib * R

gm * v    * ib

R   * re
42
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (13)
Configuraciones básicas
Emisor común sin resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.
Punto de operación

I CQ  1.98mA
VCE  5.86V
+
+
vo
vi
-

43
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (14)
Configuraciones básicas
Emisor común sin resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.

Equivalente AC del circuito Parámetros del modelo

ii ib io de amplificador
B C
+ + A VNL 
vo
 gm * RC
+ vi SinR L
vi Rπ vπ vo
gm*vπ
- (β*ib) A VNL  76.42mS * 3.6k  275.12
- -
E vi
Zi   R1 || R 2 || R  1.06k
ii
26mV
re   13.08 vo
Parámetros 1.98mA Zo   RC  3.6k
del modelo R    * re  200 * 13.08  2.61k io
del transistor
1
gm   76.42mS
re 44
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (15)
Configuraciones básicas
Emisor común sin resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Ganancia de corriente

ii io vo Zi
Rs Ai   *
ii vi R L
+ io
vs 0Ω Zo vo RL
vi Zi  A VNL *
AVNL*vi
+ vi R L  Zo
- RL
vo 100kΩ RL Zi
Ai  A VNL * *
- R L  Zo R L
Ai  2.85

45
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (16)
Configuraciones básicas
Emisor común sin resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Parámetros del modelo

de amplificador
ii A VNL  275.12
Rs
+
Zi  1.06k
vs io
0Ω Zo Zo  3.6k
vi Zi
+
AVNL*vi
RL RL Zi
-
vo 100kΩ vo  A VNL * * * vs
R L  Zo Rs  Zi
-
vo
 265.56
vs
Si vs=2mVp entonces vo=0,53Vp
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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (17)
Configuraciones básicas (cont.)
Emisor común con resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200
Punto de operación

I CQ  1.98mA
VCE  5.86V

+
+
vo
vi
-
-

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (18)
Configuraciones básicas (cont.)
Emisor común con resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200

Equivalente AC del circuito Parámetros del modelo

ii ib io de amplificador
B C
+ + vo RC
+ A VNL  
Rπ vπ vi SinR L RE  re
vi vo
gm*vπ
- 3.6k
E (β*ib) A VNL    3.55
- - 1k  13.08
vi
26mV Zi   R1 || R 2 || (R  ( * RE))  1.78k
re   13.08 ii
Parámetros 1.98mA
del modelo vo
R    * re  200 * 13.08  2.61k Zo   RC  3.6k
del transistor io
1
gm   76.42mS
re 48
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (19)
Configuraciones básicas
Emisor común con resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Ganancia de corriente

ii io vo Zi
Rs Ai   *
ii vi R L
+ io
vs 0Ω Zo vo RL
vi Zi  A VNL *
AVNL*vi
+ vi R L  Zo
RL
-
vo 100kΩ
RL Zi
Ai  A VNL * *
-
R L  Zo R L
Ai  61.3 * 103

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Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (20)
Configuraciones básicas
Emisor común con resistencia de emisor

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai y vo/vs. Además halle
vo si vs = 2mVp. Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Parámetros del modelo

de amplificador
ii A VNL  3.55
Rs
+
Zi  1.78k
vs io
0Ω Zo Zo  3.6k
vi Zi
+
AVNL*vi
RL RL Zi
-
vo 100kΩ vo  A VNL * * * vs
R L  Zo Rs  Zi
-
vo
 3.42
vs
Si vs=2mVp entonces vo=6,85mVp
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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (21)
Configuraciones básicas (cont.)
Base común

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.
Punto de operación

I CQ  2.4mA
RE RC VEC  11.37V

+ +
vs vi vo

- -

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Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (22)
Configuraciones básicas (cont.)
Base común

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.

Equivalente AC del circuito Parámetros del modelo

de amplificador
ii io
E C
+ gm*vπ + vo
+ A VNL   gm * RC
Rπ vπ (β*ib) vo vi SinR L
vi
B - ib A VNL  92.3mS * 4.7k  433.84
- -
vi
Zi   RE || re  10.77
26mV ii
re   10.83
Parámetros 2.4mA vo
del modelo Zo   RC  4.7k
R    * re  200 * 10.83  2.16k io
del transistor
1
gm   92.3mS
re 52
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (23)
Configuraciones básicas (cont.)
Base común

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Ganancia de corriente

ii io vo Zi
Rs Ai   *
ii vi R L
+ io
vs 0,1kΩ Zo vo RL
vi Zi  A VNL *
AVNL*vi
+ vi R L  Zo
- RL
vo 5,6kΩ RL Zi
Ai  A VNL * *
- R L  Zo R L
Ai  0.45

53
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (24)
Configuraciones básicas (cont.)
Base común

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.
Parámetros del modelo
Equivalente del circuito como amplificador de amplificador
A VNL  433.84
ii
Rs Zi  10.77
+ io
Zo  4.7k
vs 0,1kΩ Zo
vi Zi RL
AVNL*vi
+ vo  A VNL * vi *
- RL R L  Zo
vo 5,6kΩ
vo
-  235.87
vi
RL Zi
vo  A VNL * * * vs
R L  Zo Rs  Zi
vo
 22.93 54
vs
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (25)
Configuraciones básicas (cont.)
Colector común (seguidor de emisor)

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.
Punto de operación

I CQ  1.3mA
RC VEC  .6 V
R1

+ +
vs vi
R2 vo
RE RL
- -

55
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (26)
Configuraciones básicas (cont.)
Colector común (seguidor de emisor)

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.

Equivalente AC del circuito Parámetros del modelo

ii ib de amplificador
B C
+ + vo RE
Rπ vπ gm*vπ A VNL    0.9836  1
vi vi SinR L RE  re
(β*ib)
- io vi
- E + Zi   R1 || R 2 || R  ( * (RE || RL ))  9.98k
ii
vo
- vo  (R1 || R 2 || Rs )  R 
26mV Zo   RE ||    22.41
re   20 io   
Parámetros 1.3mA
del modelo R    * re  200 * 20  4k
del transistor 1
gm   50mS 56
re
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (27)
Configuraciones básicas (cont.)
Colector común (seguidor de emisor)

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.

Equivalente del circuito como amplificador Ganancia de corriente

ii io vo Zi
Rs Ai   *
ii vi R L
+ io
vs 0,6kΩ Zo vo RL
vi Zi  A VNL *
AVNL*vi
+ vi R L  Zo
- RL
vo 2,7kΩ RL Zi
Ai  A VNL * *
- R L  Zo R L
Ai  3.6

57
Circuitos Electrónicos I
Unidad 4: Análisis en Pequeña señal de BJT y FET
Análisis de circuitos en pequeña señal (28)
Configuraciones básicas (cont.)
Colector común (seguidor de emisor)

Ejemplo: Para el siguiente circuito determine: AvNL, Zi, Zo, Ai, vo/vi y vo/vs.
Considere β=200.
Parámetros del modelo
Equivalente del circuito como amplificador de amplificador
A VNL  0.98
ii
Rs Zi  9.98k
+ io
Zo  22.41
vs 0,6kΩ Zo
vi Zi RL
AVNL*vi
+ vo  A VNL * vi *
- RL R L  Zo
vo 2,7kΩ
vo
-  0.9719
vi
RL Zi
vo  A VNL * * * vs
R L  Zo Rs  Zi
vo
 0.9168 58
vs