UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SANTO DOMINGO FACULTAD DE

INGENIERIA Y ARQUITECTURA ESCUELA DE INGENIERIA

ELECTROMECANICA

INFORME
UNIDAD 6

INTEGRANTES

Samuel Delgado FX3975

Enmanuel Maldonado 100524783

ASIGNATURA

Laboratorio de Electrónica I
IEM – 3050 – 04
Unidad 6 – Ganancia y líneas de carga de transistor.
Ejercicio 1 – Potencial de polarización.
En este ejercicio tratamos la polarización de la unión base-emisor. Concretamente se
trabajo con la corriente y el voltaje de esta unión. Podemos apreciar que la corriente
base-emisor fluye cuando el voltaje base-emisor a cierto valor de voltaje definido. Y su
polarización dependerá de la polarización de este voltaje (en polarización directa). La
corriente base-emisor del transistor aumenta a valores significativos cuando el voltaje
base-emisor esta por encima de los 0.5Vcd. También que el voltaje permanece casi
constante luego de que la corriente base-emisor haya pasado los 2mA.
Procedimiento del ejercicio.

1. Localice el bloque de circuitos ganancia y línea de carga del transistor y conecte

el circuito mostrado. La fuente negativa de voltaje y R3 están conectados en el
circuito.

2. Ajuste el potenciómetro R2 para poner el voltaje en la unión de R2 y R3 en -

2.5Vcd con respecto al emisor de Q1.
3. La unión base-emisor de Q1 (NPN) esta:
a. Polarizada directamente.
b. Polarizada inversamente.
4. Mida el voltaje base-emisor de Q1 con el colector abierto (VBEO).
𝑉𝐵𝐸𝑂 = −2.5𝑉𝑐𝑑
5. ¿Esta fluyendo corriente de base directa?
a. Si.
b. No.
6. Conecte la fuente de voltaje positiva como se muestra en el circuito. Gire la
perilla del potenciómetro completamente hacia la derecha.
7. Mida VBEO.
𝑉𝐵𝐸𝑂 = 0.736𝑉𝑐𝑑
8. Con el cambio en el circuito, la unión base-emisor, ¿esta polarizado directa o
inversamente?
a. Directamente.
b. Inversamente.

9. Gire R2 a su máxima posición hacia la izquierda. En los siguientes pasos del

procedimiento, determinara la relación entre la corriente de base (IBEO) y el
voltaje base-emisor (VBEO) en un transistor con colector abierto.

10. Fijara el valor de VBEO ajustando R2 para definir la caída de voltaje en R6 (VR6),
la resistencia de base es de 1kΩ.
 11. Gire la perilla del potenciómetro R2 hacia la derecha para fijar V R6 en 0.10 Vcd.
Y así para cada uno de los voltajes en la resistencia R6. Registrará los datos en
la siguiente tabla.

VR6 IBEO= VR6/1kΩ VBEO

Vcd mA Vcd
0.10 0.10 0.618
0.50 0.50 0.671
1.00 1.00 0.694
2.50 2.50 0.727

12. La tabla de arriba muestra la IBEO contra el VBEO que usted obtuvo. La curva de
la derecha es la típica de IBEO contra el VBEO para el transistor NPN Q1 usando
este circuito.
13. Compare sus datos con la curva típica. Para transistores con el mismo numero de
modelo, el VBEO puede ser diferente.
14. ¿hay alguna similitud entre sus datos de IBEO contra el VBEO, para un transistor
con la relación de la corriente directa contra la caída de voltaje directo de un
diodo?
a. Si.
b. No.

Ejercicio 2 – Corriente/colector contra corriente/base.

En esta práctica. Se verifico que la corriente de base controla la corriente de colector. Y
que su relación no es mas que la ganancia del transistor. La suma de estas dos corrientes
da como resultado la corriente de emisor. También notamos que la corriente de colector
es mas grande que la corriente de base.
Procedimiento del ejercicio.
1. Localice el bloque de circuitos ganancia y línea de carga del transistor y conecte
el circuito mostrado.
2. Ajuste la fuente variable positiva conectada a la resistencia de colector R9 a
5Vcd, respecto al emisor de Q1. En los siguientes pasos, determinara la relación
entre corriente de colector IC y corriente de base IB.
3. Usted fijara IC ajustando la caída de voltaje a través de la resistencia de colector
R9 de 100Ω. Determinara IB midiendo la caída de voltaje a través de la
resistencia de la base R6 y usando la ley de ohm.
4. Conecte el multímetro a través de la resistencia de colector R9 para medir la
caída de voltaje (VR9). Ajuste la perilla del potenciómetro R2 para fijar VR9 en
0.20Vcd. Este ajuste fija IC en 2.0mA.
5. Complete la siguiente tabla, ajustando el potenciómetro para fijar las caídas del
voltaje de VR9 según se indican para fijar las IC correspondiente. Mida la caída
de voltaje en R6 y calcule IB.
VR9 IC= (VR9/100)x103 VR6 IB= (VR9/100)x103
Vcd mA Vcd mA
0.20 2.00 0.008 8x10-3
0.60 6.00 0.024 24x10-3
1.00 10.00 0.039 39x10-3
6. La tabla de arriba muestra la corriente de colector IC contra la corriente de base
IB con los datos que acaba de obtener.

7. El grafico muestra IC contra IB para transistores con ganancias de 300 y 50.

Compare sus datos con el grafico IC contra IB.
8. Sus datos IC comparados con IB ¿están las líneas de ganancia 300 y 50?
a. Si.
b. No.
9. De sus datos, calcule la IB requerida para aumentar IC de 2mA a 10mA.
𝐶𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜 𝑑𝑒 𝐼 = 40𝜇𝐴
 10. Calcule la ganancia βDC de Q1 utilizando el cambio de IB calculado para un
cambio de 8mA en IC.
β = 250𝑚𝐴
11. Su ganancia calculada de βDC anteriormente a partir de los valores medidos de
corriente de colector y base, ¿esta entre los límites de especificación de ganancia
de 50 y 300?
a. Si.
b. No.

Ejercicio 3 – Voltajes de CD del circuito transistor.

En este ejercicio verificamos como se comporta el transistor a diferentes voltajes mejor
conocidos como punto de saturación, región activa y en el punto de corte. En el voltaje
de saturación las uniones base-emisor y base-colector están ambas polarizadas
directamente. La corriente del transistor es grande y el voltaje colector-emisor tiende a
cero. En el voltaje de región activa, la unión base-emisor esta polarizada en directa y la
unión base-colector inversa. La corriente en esta condición esta dentro de las otras dos
condiciones mencionadas. En el voltaje de corte, la unión base-emisor esta polarizada
en inversa y la unión base-colector en directa. La corriente es cero y el voltaje colector-
emisor es igual al voltaje de la fuente en el colector.
Procedimiento del ejercicio.

1. Localice el circuito ganancia y línea de carga del transistor y conecte el circuito

mostrado.
2. Ajuste la fuente variable positiva en el circuito colector Q1 a 10Vcd. Todos los
ajustes y mediciones de voltaje están en referencia al emisor de Q1 excepto el
voltaje de caída a través de las resistencias.
Condiciones del voltaje de saturación.
3. Gire R2 totalmente a la derecha. Mida el voltaje base-emisor de Q1 V BE.
𝑉 = 0.646𝑉𝑐𝑑
4. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor esta:
a. En polarización directa.
b. En polarización inversa.
5. Mida el voltaje colector-emisor de Q1.
𝑉 = 0.079𝑉𝑐𝑑
6. De acuerdo a las medidas tomadas del voltaje base Q1 y el voltaje de colector, la
unión base-colector, ¿esta polarizada directamente?
 a. Si.
b. No.
7. Mida la caída de voltaje en la resistencia R9 de colector.
𝑉 = 0.212𝑉𝑐𝑑
8. Basado en su valor medido de 𝑉 , calcule la corriente del colector.
𝐼 = 2.12𝑚𝐴
9. Mida la caída de voltaje en la resistencia de base R6.
𝑉 = 0.030𝑉𝑐𝑑
10. Basado en su valor medido de VR6, calcule la corriente de base.
𝐼 = 0.030𝑚𝐴

Condiciones del voltaje de corte.

11. Conecte el circuito como se muestra. Gire la perilla de R2 totalmente a la
izquierda. Mida VBE.
𝑉 = 0𝑚𝑉𝑐𝑑
12. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor, ¿esta polarizada
directamente?
a. Si.
b. No.
13. Mida VCE.
𝑉 = 10𝑚𝑉𝑐𝑑
14. Según su medición de voltaje de base de Q1 en el punto 11, y el voltaje de
colector medido en 13. La unión base-emisor esta:
a. En polarización directa.
b. En polarización inversa.
15. Mida VR9.
𝑉 = 0𝑚𝑉𝑐𝑑
16. Basado en su valor medido de VR9, la corriente de colector es:
𝐼 = 0𝑚𝐴
17. Mida VR6.
𝑉 = 0𝑚𝑉𝑐𝑑
18. Basado en su valor medido de VR6, la corriente de base es:
𝐼 = 0𝑚𝐴
Condiciones de voltaje activo (lineal).
19. Gire la perilla de R2 a la derecha para fijar VCE en 5Vcd. Mida VBE.
𝑉 = 0.62𝑉𝑐𝑑
20. Basado en su valor medido de VBE, la unión base-emisor, ¿esta polarizada
directamente?
a. Si.
b. No.
21. Usted fijo el voltaje colector-emisor en 5Vcd. De acuerdo al voltaje de base
medido de Q1, la unión base-colector, ¿esta polarizada directamente?
a. Si.
b. No.
22. Mida VR9.
𝑉 = 0.106𝑉𝑐𝑑
23. Basado en su valor medido de VR9, la corriente de colector es:
𝐼 = 1.06𝑚𝐴
24. Mida VR6.
𝑉 = 0.004𝑉𝑐𝑑
25. Basado en su valor medido de VR6, la corriente base es:
𝐼 = 0.004𝑚𝐴
Conclusiones.
Tabule los datos medidos y calculados en la siguiente tabla.
Condición del VBE VCE IB IC
transistor Vcd Vcd mA mA
Saturación 0.646 0.079 0.030 2.12
Activo 0.62 5.00 0.040 1.06
Corte 0 0.001 0 0

Ejercicio 4 – Líneas de carga del transistor.

En este ejercicio se trabajo en base a la línea de carga. A través de cada paso que se
tomó vimos gráficamente cómo se comporta esta línea en los puntos de saturación y de
corte. Se definió un termino llamado punto Q que es aquel donde las corrientes de base,
colector y el voltaje colector-emisor se interceptan con la línea de carga.
Procedimiento del ejercicio.

1. Localice el bloque de circuitos ganancia y línea de carga del transistor y conecte

el circuito mostrado. R3 esta en la base del circuito y R8 en el colector.
2. Ajuste la fuente variable positiva Va en el circuito colector a 10Vcd.
3. En el punto de saturación, ¿Cuál sería la caída de voltaje entre el colector y
emisor VCE(SAT).
a. 0.0Vcd.
b. 10.0Vcd.
4. En el punto de saturación, la caída de voltaje a través de las resistencias de
colector (R8+R9) se considera igual a.
a. 0.0Vcd.
b. 10.0Vcd.
5. En el circuito, la resistencia del colector RC es R8 + R9 (1.1kΩ). calcule la
corriente de saturación.
𝑉𝑎 10𝑉
𝐼 ( )= = = 9.09𝑚𝐴
𝑅 1.1𝑘Ω
6. En el punto de corte, la corriente de colector es:
a. Mayor que 5mA.
b. 0mA.
7. En el punto de corte, el voltaje entre el colector y emisor se considera igual a:
a. 0.0Vcd.
b. 10.0Vcd.
8. La línea de carga del circuito transistor se muestra con los puntos de corte y
saturación que usted determino.
9. Gire la perilla R2 totalmente hacia la derecha para poner el circuito transistor en
saturación. Mida el voltaje colector-emisor de Q1. ¿puede V CE considerarse
cercano a 0Vcd, como lo muestra el grafico de línea de carga?
a. Si.
b. No.
10. Mida la caída de voltaje a través de R9 de manera que se pueda determinar la
corriente de saturación del colector.
𝑉 = 0.926𝑉𝑐𝑑
𝐼 ( ) = 9.26𝑚𝐴
11. Basado en su valor medido de VR9, dentro de las tolerancias de medición, el
valor calculado Ic sat, ¿concuerda con su valor calculado de línea de carga Ic sat
del punto 5?
a. Si.
b. No.
12. Gire la perilla R2 totalmente hacia la izquierda para poner el circuito transistor
en corte. Mida el voltaje colector-emisor Q1. ¿puede VCE (corte) considerarse
cercano a 10Vcd, como lo muestra el grafico de línea de carga?
a. Si.
b. No.
13. Mida la caída de voltaje a través de R9 de manera que se pueda determinar la
corriente de corte del colector.
𝑉 = 0𝑚𝑉𝑐𝑑
14. Basado en su valor medido de VR9, dentro de las tolerancias de medición, el
valor calculado Ic (corte), ¿concuerda con su valor calculado en la línea de carga
Ic (corte) 0mA?
a. Si.
b. No.

15. De la línea de carga CD mostrada, determine Ic con un VCE de 5Vcd.

𝐼 = 5𝑚𝐴
16. Conecte el circuito mostrado. R4 reemplaza a R3 en el circuito base para un
mejor ajuste de VCE. Al cambiar el valor de la resistencia de base no se afecta la
línea de carga. Ajuste R2 para fijar VCE en 5Vcd.
17. Mida la caída de voltaje a través de R9.
𝑉 = 456𝑚𝑉𝑐𝑑
𝐼 = 4.56𝑚𝐴
18. Basado en su valor medido de VR9, y la corriente de colector calculada, dentro
de las tolerancias de medición, el valor calculado de Ic, ¿concuerda con su valor
calculado de Ic en la línea de carga con un VCE de 5Vcd?
a. Si.
b. No.
19. Mida la caída de voltaje a través de R6 para que pueda calcularse la corriente de
base con VCE en 5Vcd.

𝑉 = 0.018𝑉𝑐𝑑
20. Basado en la medición anterior de VR6, IB es igual a

𝐼 = 18𝜇𝐴

21. Con VCE en 5Vcd, el valor de Ic calculado en el punto 17 e IB calculado en el

punto anterior, el circuito transistor está operando en:
a. Corte.
b. La región activa.
c. Saturación.
22. El punto en la línea de carga en el cual VCE es igual a 5Vcd, es donde el circuito
transistor esta operando. Este es el punto.
a. Q.
b. Activo.
23. Conecte el circuito mostrado. Aumente la resistencia de colector R C de 1.1k a
4.8k quitando R8 e instalando R7.
24. Un incremento en RC de 1.1k a 4.8k,
a. Aumenta la corriente de saturación de colector.
b. Disminuye la corriente de saturación de colector.
25. Para el circuito conectado, RC=R7+R9=4.8k. Calcule la corriente de colector.
𝑉𝑎 10𝑉
𝐼 ( )= = = 2.08𝑚𝐴
𝑅 4.8𝑘Ω
26. ¿cambio el punto de corte con el aumento en la resistencia de colector a 4.8k?
a. Si.
b. No.
27. La línea de carga para el circuito que usted conecto se muestra con los puntos de
saturación y corte que usted determino.

28. Gire la perilla R2 totalmente hacia la derecha para colocar el circuito transistor
en saturación.
29. Mida la caída de voltaje a través de R9 para poder determinar la corriente de
saturación del colector.
𝑉 = 0.212𝑉𝑐𝑑
𝐼 ( ) = 2.12𝑚𝐴
30. Basado en su medida de VR9 y la IC SAT calculada. Con la condiciones dentro de
la tolerancia, el anterior valor calculado IC SAT, ¿coincide con su valor calculado
en la línea de carga IC SAT del punto 25?
a. Si.
b. No.
31. Compare las líneas de carga para RC igual a 1.1k a 4.8k. ¿Cuál resistencia de
carga proporciona un mejor rango de corriente colector, con un voltaje de
10Vcd?
a. 4.8kΩ.
b. 1.1kΩ.