2-12-2021 OPTOELECTRÓNIC

A Y DISPOSITIVOS
DE POTENCIA
ELECTRONICA ANALOGICA

URIEL ABURTO LEADRO

GRUPO: 308A
INDICE

Contenido
INDICE.................................................................................................................................................. 1
INTRODUCCIÓN ................................................................................................................................... 2
4.1 DISPOSITIVOS OPTOELCTRÓNICOS ............................................................................................... 3
4.1.1 FOTODIODO ............................................................................................................................... 4
4.1.2 FOTORRESISTENCIA .................................................................................................................... 5
4.1.3 FOTOTRANSISTOR ...................................................................................................................... 9
4.1.4 OPTOACOPLADORES ................................................................................................................ 14
4.2 DISPOSITIVOS ELECTROICOS DE POTENCIA................................................................................. 17
4.2.1 SCR............................................................................................................................................ 17
4.2.2 TRIAC. ....................................................................................................................................... 24
4.2.3 DIAC. ......................................................................................................................................... 26
4.2.4 Transistores IGBT. .................................................................................................................... 28
4.3 Aplicaciones de Dispositivos de Potencia. .................................................................................. 30
CONCLUSIÓN ..................................................................................................................................... 32
INTRODUCCIÓN

La optoelectrónica es una de las materias nuevas en el conjunto de la ingeniería, si

se pensara en la naturaleza de la luz es posible darse cuenta que la óptica y la
electrónica están vinculadas a través de la estructura del átomo en sí. La
optoelectrónica se ha desarrollado para pasar por la intervención de la lampara
incandescente, el tubo de rayos catódicos, el transistor, láser, la fibra óptica y el
microprocesador, hasta transformarse en uno de los avances más importante de la
era tecnológica. En ingeniería se utiliza láser de baja potencia para el alineamiento
de construcciones, la holografía se emplea para medir con precisión submilimétrica
desplazamientos superficiales de maquinaria vibratoria, en la vida diaria el impacto
de la optoelectrónica es importante, las conversaciones telefónicas se transmiten
por medio de la luz a través de la fibra de vidrio de varios kilómetros de longitud, la
televisión permite ver eventos alrededor de todo el mundo. Se ilustran un inmenso
campo de acción de la optoelectrónica que va de la fotografía a la holografía, y en
un sentido más amplio la optoelectrónica significa la aplicación de la electrónica a
sistemas ópticos. Al proporcionar al diseñador un enfoque radicalmente nuevo para
el diseño del sistema, en el que la luz se utiliza como medio para transportar la
información y la electrónica para controlarla y procesarla, la optoelectrónica puede
plantearse de modo que revolucione la ingeniería en forma parecida a la del
microprocesador.

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y

transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como
los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor
uniunión programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de
características especiales como los foto tiristores, los tiristores de doble puerta y el
tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo más importante a considerar de estos
dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los
atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.
4.1 DISPOSITIVOS OPTOELCTRÓNICOS

Son aquellos dispositivos semiconductores cuyo objetivo es obtener radiación

luminosa a partir de corriente eléctrica o bien generar corrientes eléctricas a partir
de radiación luminosa. Aunque hay dispositivos optoelectrónicos que no son
semiconductores, para nosotros dispositivos optoelectrónicos equivaldrá a
dispositivos optoelectrónicos semiconductores Hasta ahora todos los dispositivos
estudiados tienen como mecanismo básico de su funcionamiento el transporte de
corriente por uno o dos tipos de portadores de carga, electrones o huecos (o
ambos). Existe otros tipos de dispositivos semiconductores cuya función es, en unos
casos, producir luz a partir de corrientes eléctricas, en otros, generar corrientes
eléctricas a partir de la incidencia de luz sobre ellos: son los denominados
Dispositivos Optoelectrónicos Semiconductores. Aunque existen dispositivos
realizados con materiales no semiconductores que pueden realizar esta misma
función (por ejemplo, los fotomultiplicadores) para nosotros, y en el contexto de esta
materia, cuando hablemos de dispositivos optoelectrónicos nos referiremos siempre
a dispositivos optoelectrónicos realizados con semiconductores. Por lo tanto,
tenemos que introducir un nuevo elemento a lo ya conocido: la radiación luminosa,
y estudiaremos algunos efectos de la interacción de la luz con la materia, y de forma
especial con los semiconductores y su acción en los dispositivos con ellos
fabricados. La importancia actual de este tipo de dispositivos es obvia para
cualquiera que esté un poco familiarizado con los circuitos electrónicos, e incluso
con la electrónica doméstica: los mandos a distancia de los electrodomésticos
habituales funcionan (en su gran mayoría) por emisión y recepción de rayos
infrarrojos. El origen de la información que se transmite por fibras ópticas, propias
de redes de comunicación avanzadas, suele estar en la emisión de luz por un
dispositivo LED o láser semiconductor. Los optoacopladores, en circuitos de control
e instrumentación y las células solares son otros componentes en los que la
interacción de la luz con las propiedades de uniones p-n determina el
funcionamiento de estos dispositivos. Además del aspecto aplicado de los
dispositivos optoelectrónicos que acabamos de citar, también conviene señalar que,
desde un punto de vista de conocimiento básico de las propiedades de los
materiales semiconductores, las experiencias realizadas iluminando de forma
adecuada y controlada los semiconductores han ayudado en gran manera a la
comprensión de las propiedades de los mismos. Así pues, tanto desde un punto de
vista fundamental como aplicado, estos elementos revisten una importancia
creciente en el mundo de la electrónica y merece la pena que nos detengamos en
su estudio. Vamos a hacer ahora una puntualización en cuanto a la nomenclatura:
Por lo general, por “luz” entendemos la parte del espectro de la radiación
electromagnética a la que es sensible el ojo humano, esto es, que “vemos”. Con
más propiedad, a esta zona deberíamos llamarla “espectro visible”. Aquí, y en un
abuso de lenguaje, por “luz” entenderemos radiación electromagnética en general,
aunque los valores numéricos los centraremos en el espectro visible y la zona
próxima del infrarrojo aquella que está limitando con el color rojo. Alguna vez,
aunque muy raramente, incluiremos el ultravioleta.

4.1.1 FOTODIODO

Un fotodiodo es un diodo PN construido de modo tal que la luz

pueda alcanzar la juntura PN y generar portadores debido al
efecto fotoeléctrico. De este modo, se producirá una corriente
eléctrica proporcional a la intensidad de la luz incidente. El
funcionamiento del fotodiodo radica en la separación de los pares electrón-hueco generados por la
radiación que atraviesa la zona desierta de la juntura PN. El campo eléctrico de presente en la
juntura es el que inhibe una rápida recombinación de los pares generados que son arrastrados hasta
las regiones cuasi-neutrales generando así una corriente eléctrica neta. Al polarizar inversamente el
fotodiodo la corriente generada ópticamente puede
ser fácilmente detectada, ya que su magnitud es
superior a la corriente de fuga inversa del diodo. En
este contexto, la corriente de fuga inversa del diodo,
que está presente aún en ausencia de luz, se denomina “corriente de oscuridad”. El material
empleado en la fabricación del fotodiodo define sus propiedades de absorción de luz, según se
aprecia en la siguiente Tabla.

4.1.2 FOTORRESISTENCIA
La fotorresistencia es un componente electrónico muy utilizado y visto en la materia
de optoelectrónica, este pequeño componente posee una resistencia interna
variable la cual aumenta o disminuye dependiendo de la luz que este incidiendo en
él.
La resistencia de un fotorresistor disminuye si hay un aumento en la intensidad de
luz, por el caso contrario si la intensidad de luz disminuye la resistencia aumenta. A
este componente también se le conoce como: Fotoconductor, célula fotoeléctrica o
resistor dependiente de la luz.
Se utilizan las siglas LDR para así nombrar a las fotorresistencias convencionales,
estas siglas significan: light-dependent resistor (Resistencia dependiente de la luz)

SIMBOLOGÍA ELECTRÓNICA DE LA FOTORRESISTENCIA O LDR

Simbología del LDR o Fotorresistencia

CARACTERÍSTICAS Y FUNCIONAMIENTO DE LAS FOTORRESISTENCIAS

Los fotorresistores basan su funcionamiento en el conocido efecto fotoeléctrico,

este efecto nos dice que los fotones que componen la luz chocan contra los
electrones de un metal, de esta forma arrancan o desplazan sus átomos, en este
proceso los electrones del metal están en constante movimiento y esto da paso a
una corriente eléctrica.
Un fotorresistor por lo general está hecho de un semiconductor de alta resistencia,
el material utilizado para la fabricación de estos elementos es el Sulfuro de Cadmio.
Si nos apegados al párrafo anterior podemos comprender que cuando inciden los
fotones en el LDR, los fotones son absorbidos debido a la elasticidad del material
semiconductor, esto dota a los electrones de la suficiente energía para saltar la
banda de conducción, el hueco dejado por el electrón y el mismo electrón se vuelven
conductores eléctricos y de este modo la resistencia del fotorresistor disminuye.
Otra característica de los LDR es que solo se recomienda su uso para la detección
de señales luminosas que no varíen con rapidez, esto debido a que el LDR posee
un tiempo de respuesta de una décima de segundo, esto en algunos casos puede
no tener los resultados deseados si se trabajan con tiempos más cortos.
Los valores de la resistencia para estos dispositivos varían dependiendo del uso
que le demos y la luz disponible, los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la
oscuridad y 100 Ω con luz brillante.

TIPOS DE FOTORRESISTENCIAS

Actualmente existen 2 tipos de fotorresistencias, estas se clasifican en lineales y no

lineales

FOTORRESISTENCIA LINEAL: por lo general se les conoce como fotodiodos, sin

embargo, debido al comportamiento lineal que presentan pueden ser clasificadas
dentro de los fotorresistores convencionales. Lo único que diferencia a e estos
elementos de los no lineales es que se polariza en inverso.
Fotorresistencia lineal

FOTORRESISTENCIA NO LINEAL: Aquí puede entrar cualquier fotorresistor ya que

su funcionamiento no depende de la polaridad con la que se conecte.
Fotorresistencia no lineal

4.1.3 FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores son dispositivos semiconductores tri-terminales (emisor, base y

colector) o bi-terminales (emisor y colector) que tienen una región de base sensible
a la luz. Aunque todos los transistores exhiben una naturaleza sensible a la luz,
estos están especialmente diseñados y optimizados para aplicaciones fotográficas.
Estos están hechos de difusión o implantación de iones y tienen regiones de colector
y base mucho más grandes en comparación con los transistores ordinarios. Estos
dispositivos pueden estar estructurados por homounión o por heterounión, como se
muestra en la Figura 1a y 1b, respectivamente.

En el caso de fototransistores de homounión, todo el dispositivo estará hecho de un

solo tipo de material; ya sea silicio o germanio. Sin embargo, para aumentar su
eficiencia, los fototransistores pueden estar hechos de materiales no idénticos
(materiales del Grupo III-V como GaAs) a ambos lados de la unión pn que conducen
a dispositivos de heterounión. No obstante, los dispositivos de homounión se utilizan
con mayor frecuencia en comparación con los dispositivos de heterounión, ya que
son económicos.

El símbolo del circuito para fototransistores npn se muestra en la Figura 2, que no

es más que un transistor (con o sin cable de base) con dos flechas apuntando hacia
la base que indican su sensibilidad a la luz. Una representación simbólica similar se
mantiene bien incluso en el caso de fototransistores pnp con el único cambio que
es la flecha en el emisor apuntando hacia adentro, en lugar de hacia afuera.

¿CÓMO FUNCIONA UN FOTOTRANSISTOR?

El comportamiento de los fototransistores es idéntico al de los transistores normales

excepto que aquí el efecto provocado por la tensión de base se experimentará
debido a la luz incidente. Esto se puede aclarar analizando los siguientes puntos
1. Las características de los fototransistores son similares a las de los
transistores normales, excepto que tienen corriente de base
reemplazada por intensidad de luz. Esto significa que incluso estos
dispositivos tienen tres regiones operativas, a saber, corte, activo y
saturación. Esto implica además que los fototransistores se pueden
usar para aplicaciones de conmutación (dependientes del modo de
corte y saturación) o para amplificación (operación en modo activo), al
igual que los transistores ordinarios.
2. Los fototransistores se pueden configurar en dos configuraciones
diferentes, a saber, colector común y emisor común, dependiendo del
 terminal que es común entre los terminales de entrada y salida, similar
a los transistores normales.
3. Una pequeña corriente de saturación inversa, llamada corriente
oscura, fluye a través del fototransistor incluso en ausencia de luz cuyo
valor aumenta con un aumento en el valor de la temperatura, una
propiedad idéntica a la que exhiben los transistores ordinarios.
4. Los fototransistores son propensos a sufrir daños permanentes debido
a averías si el voltaje aplicado a través de la unión colector-emisor
aumenta más allá de su voltaje de ruptura, al igual que en el caso de
los transistores normales.

Generalmente, en el caso de los circuitos de fototransistor, el terminal del colector

se conectará a la tensión de alimentación y la salida se obtendrá en el terminal del
emisor, mientras que el terminal de la base, si está presente, se dejará
desconectado. En esta condición, si se hace que la luz caiga sobre la región de la
base del fototransistor, entonces se genera la generación de pares de electrones y
huecos que dan lugar a la corriente de base, nada más que la fotocorriente, bajo la
influencia del campo eléctrico aplicado. Esto además da como resultado el flujo de
corriente del emisor a través del dispositivo, lo que resulta en el proceso de
amplificación. Esto se debe a que, aquí, la magnitud de la fotocorriente desarrollada
será proporcional a la luminancia y será amplificada por la ganancia del transistor
que conduce a una corriente de colector mayor.
La salida del fototransistor depende de diversos factores como

• Longitud de onda de la luz incidente

• Área de la unión colector-base expuesta a la luz
• Ganancia de corriente CC del transistor.

Además, las características de un fototransistor particular se pueden expresar en

términos de su
 • Sensibilidad luminosa definida como la relación entre la corriente
fotoeléctrica y el flujo luminoso incidente.
• La respuesta espectral que decide la longitud de onda más larga que
se puede utilizar como sensibilidad de los fototransistores es una
función de la longitud de onda
• Ganancia fotoeléctrica que indica su eficiencia para convertir la luz en
una señal eléctrica amplificada.
• Constante de tiempo que influye en su tiempo de respuesta.

Sin embargo, es importante tener en cuenta que la velocidad de respuesta y la

ganancia del fototransistor son inversamente proporcionales entre sí, lo que
significa que una disminuye si la otra aumenta.

VENTAJAS DEL FOTOTRANSISTOR

Las ventajas de los fototransistores incluyen:

1. Sencillo, compacto y económico.

2. Mayor corriente, mayor ganancia y tiempos de respuesta más rápidos
en comparación con los fotodiodos.
3. Da como resultado un voltaje de salida a diferencia de las resistencias
fotográficas.
4. Sensible a una amplia gama de longitudes de onda que van desde la
radiación ultravioleta (UV) hasta la infrarroja (IR) a través de la
radiación visible.
 5. Sensible a una gran cantidad de fuentes, incluidas bombillas
incandescentes, bombillas fluorescentes, bombillas de neón, láseres,
llamas y luz solar.
6. Altamente confiable y temporalmente estable.
7. Menos ruidoso en comparación con los fotodiodos de avalancha.
8. Disponible en una amplia variedad de tipos de paquetes, incluidos
revestidos con epoxi, moldeados por transferencia y montados en
superficie.

DESVENTAJAS DEL FOTOTRANSISTOR

Las desventajas de los fototransistores incluyen:

1. No puede manejar altos voltajes si está hecho de silicona.

2. Propenso a picos eléctricos y sobretensiones.
3. Afectado por energía electromagnética.
4. No permita el flujo fácil de electrones a diferencia de los tubos de
electrones.
5. Mala respuesta de alta frecuencia debido a una gran capacitancia
del colector base.
6. No se pueden detectar niveles bajos de luz mejor que los fotodiodos.

APLICACIONES DEL FOTOTRANSISTOR

Las aplicaciones de los fototransistores incluyen:

1. Detección de objetos
2. Detección del codificador
3. Sistemas automáticos de control eléctrico como en detectores de luz.
4. Sistemas de seguridad
5. Lectores de tarjetas perforadas
6. Relés
 7. Circuito lógico informático
8. Sistemas de conteo
9. Detectores de humo
10. Dispositivos de búsqueda de alcance láser
11. Mandos a distancia ópticos
12. reproductores de CD
13. Astronomía
14. Sistemas de visión nocturna
15. Receptores de infrarrojos
16. Impresoras y fotocopiadoras
17. Cámaras como controladores de obturadores
18. Comparadores de nivel

4.1.4 OPTOACOPLADORES

Un optoacoplador esta diseñado con dos elementos principalmente. El primero es

un LED infrarrojo, este dispositivo activa» remotamente» al opto-transistor. El
segundo elemento es el dispositivo electrónico de control. Dependiendo del tipo,
este puede ser un opto-transistor, un TRIAC, un transistor Darlington, SCR o una
compuerta digital [1][2]. Por ejemplo, un optoacoplador común es el 4N25, este
incluye como dispositivo para controlar, a un opto-transistor. Por el contrario,
el MOC3011 incluye a un TRIAC activado ópticamente. Finalmente, el propósito de
led es el activar al elemento de control.

Como se puede apreciar los optoacopladores se pueden clasificar de acuerdo al

tipo de elemento de controlador que tengan. De hecho, la Figura-2 muestra el
diagrama eléctrico o electrónico de los distintos tipos.

▪ TRIAC (3)
▪ Transistor (1)
▪ TRIAC con detector de cruce por cero
▪ Transistor Darlington (4)
▪ Lógica
▪ Mosfet (2)

Figura-2. OPTOACOPLADOR y sus distintos diagramas eléctricos de

optoacopladores con diferentes salidas.
OPTOACOPLADOR Y SUS APLICACIONES

Las aplicaciones de optoacopladores incluyen el de activar cargas que puedan

inducir ruido eléctrico al sistema de control. Cuando una carga inductiva como un
motor se activa y desactiva produce perturbaciones como por ejemplo eléctricas en
la alimentación del sistema. Incluso cargas que consumen mucha potencia de la
fuente pueden drenar momentáneamente el voltaje o la corriente que dicha fuente
sumista. Los optoacopladores se usan para aislar a estas perturbaciones
electrónicas.

Comúnmente se usan a los optoacopladores con otros elementos de control como

MOSFET’s, TRIACS, transistores de potencia, relevadores mecánicos o
relevadores de estado sólido. En este caso, cuando se usan en conjunto con otros
circuitos electrónicos, el objetivo es aislar a la fuente del sistema de control de las
perturbaciones que puedan ocasionar el encendido o apagado de los actuadores
como motores, luces, etc.

Generalmente no se usan solos debido a que no tienen demasiada capacidad para

disipar mucha potencia. En otras palabras, está limitada en cuanto a la corriente y
el voltaje que pueden pasar por sus terminales de control, es por eso que se
recomienda usarlos en conjunto con otros elementos de mayor potencia de
operación como lo sería un relevador o un TRIAC.

ALGUNOS OPTOACOPLADORES MÁS USADOS

Algunos de los optoacopladores más usados para aplicaciones educativas son:

▪ 4N25 – Salida para transistor

▪ MOC3011 – Optoacoplador con salida para TRIAC
▪ MOC3010 – Salida a TRIAC
▪ 4N35 – Salida a un transistor
▪ PC817 – Salida a transistor
El optoacoplador que uses depende de la carga que quieras controlar, el tipo de
control que quieras realizar y el voltaje de la lógica de control.

4.2 DISPOSITIVOS ELECTROICOS DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden

clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados

de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control
externo.

2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia

de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of
Alternating Current”). En este caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON)
se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de
ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.

3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores

bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo
MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores
GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.

4.2.1 SCR.

Es el miembro más conocido de la familia de los tiristores. En general y por abuso

del lenguaje es más frecuente hablar de tiristor que de SCR.

El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la

Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continúa siendo
el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo
que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor
circulación de corriente).

El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,

Dispositivos de Electrónica de Potencia teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo
(K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G) que, cuando se le
inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido ánodo-
cátodo.

Estructura simplificada y símbolo del SCR

Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión positiva, las uniones J1 y J3 estarán
directamente polarizadas, en cuanto que la unión J2 estará inversamente
polarizada. No habrá conducción de corriente hasta que la tensión VAK aumente
hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.

Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de J3, con
portadores negativos yendo del cátodo hacia la puerta. Por la propia construcción,
la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte
de los electrones que atraviesen J3 tengan energía cinética suficiente para vencer
la barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atraídos por el ánodo.

De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de potencial

disminuye y se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que podrá persistir
aún sin la corriente de puerta.
Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente polarizadas, en
cuanto que J2 quedará directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unión
J3 está entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones
elevadas, de modo que Dispositivos de Electrónica de Potencia cabe a la unión J1
mantener el estado de bloqueo del componente.

Existe una analogía entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociación de

dos transistores bipolares, conforme se muestra:

Estructura y esquema equivalente

simplificado de un SCR

Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarán. Como

Ic2 = Ib1, T1 conducirá y tendremos Ib2 = Ic1 + IG, que aumentará Ic2 y así el
dispositivo evolucionará hasta la saturación, aunque se elimine la corriente de
puerta IG. Tal efecto acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son
mayores que 1. El componente se mantendrá en conducción desde que, después
del proceso dinámico de entrada en conducción, la corriente del ánodo haya
alcanzado un valor superior al límite IL, llamada corriente de enclavamiento “latching
current”. Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por
debajo del valor mínimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la
barrera de potencial en J2. Para la conmutación del dispositivo no basta con aplicar
una tensión negativa entre ánodo y cátodo. Dicha tensión inversa acelera el proceso
de desconexión por dislocar en los sentidos adecuados los portadores en la
estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la desconexión.

Debido a las características constructivas del dispositivo, la aplicación de una

polarización inversa del terminal de puerta no permite la conmutación del SCR. Este
será un comportamiento de los GTOs, como se verá más adelante.
CARACTERÍSTICAS TENSIÓN-CORRIENTE

En la siguiente figura podemos ver la característica estática de un SCR. En su

estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensión directa y no
conducir corriente. Así, si Dispositivos de Electrónica de Potencia no hay señal
aplicada a la puerta, permanecerá en bloqueo independientemente del signo de la
tensión VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conducción
(ON) aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un
pequeño intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo.
La caída de tensión directa en el estado de conducción (ON) es de pocos voltios (1-
3 V).

Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en conducción (estado
ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por
pulso de puerta. Únicamente cuando la corriente del ánodo tiende a ser negativa, o
inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasará a
estado de bloqueo.

CARACTERÍSTICA PRINCIPAL DE LOS SCRS

En régimen estático, dependiendo de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo

podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): Esta condición corresponde al estado de no
conducción en inversa, comportándose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un
circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.

3. Zona de conducción (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un

interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una
corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conducción, se mantendrá en
dicho estado si el valor del corriente ánodo cátodo es superior a la corriente de
mantenimiento.

La siguiente figura muestra las características corriente-tensión (I-V) del SCR y

permite ver claramente cómo, dependiendo de la corriente de puerta (IG), dichas
características pueden variar.

Característica I-V de un SCR en función

de la corriente de puerta.

ACTIVACIÓN O DISPARO Y BLOQUEO DE LOS SCR

Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en

conducción:

a) Disparo por tensión excesiva

Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensión de
polarización se aplica sobre la unión J2. El aumento de la tensión VAK lleva
a una expansión de la región de transición tanto para el interior de la capa de
la puerta como para la capa N adyacente. Aún sin corriente de puerta, por
efecto térmico, siempre existirán cargas libres que penetren en la región de
transición (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas por el campo
eléctrico presente en J2. Para valores elevados de tensión (y, por tanto, de
 campo eléctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las
cargas aceleradas, al chocar con átomos vecinos, provoquen la expulsión de
nuevos portadores que reproducen el proceso. Tal fenómeno, desde el punto
de vista del comportamiento del flujo de cargas por la unión J2, tiene el efecto
similar al de una inyección de corriente por la puerta, de modo que, si al iniciar
la circulación de corriente se alcanza el límite IL, el dispositivo se mantendrá
en conducción.

b) Disparo por impulso de puerta

Siendo el disparo a través de la corriente de puerta la manera más usual de
disparar el SCR, es importante el conocimiento de los límites máximos y
mínimos para la tensión VGK y la corriente IG, como se muestra en la figura

Curvas con las condiciones para

disparo de un SCR a través de control
de puerta y circuito de disparo reducido
a su equivalente Thévenin.

El valor VGmin indica la mínima tensión de puerta que asegura la conducción

de todos los componentes de un tipo determinado, para la mínima
temperatura especificada.
El valor VGmax es la máxima tensión de puerta que asegura que ningún
componente de un tipo determinado entrará en conducción, para la máxima
temperatura de operación.
 La corriente IGmin es la mínima corriente necesaria para asegurar la entrada
en conducción de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mínima
temperatura. El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente
Thevenin para determinar la recta de carga sobre las curvas características
vGK-iG. La recta de carga cortará los ejes en los puntos 6 V (tensión en vacío
de corriente de disparo) y 6 V / 12 Ω = 0,5 A (intensidad de cortocircuito).
Para asegurar la operación correcta del componente, la recta de carga del
circuito debe asegurar que superará los límites vGmin y iGmin, sin exceder
los demás límites (tensión, corriente y potencia máxima).

c) Disparo por derivada de tensión Si a un SCR se le aplica un escalón de

tensión positivo entre ánodo y cátodo con tiempo de subida muy corto, del
orden de microsegundos, los portadores sufren un desplazamiento
infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la
intensidad de fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el
proceso regenerativo, el tiristor entrará en conducción estable y permanecerá
así una vez pasado el escalón de tensión que lo disparó.
El valor de la derivada de tensión dv/dt depende de la tensión final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son éstas.

d) Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente
polarizada aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el
aumento de temperatura puede llevar a una corriente a través de J2
suficiente para llevar el SCR al estado de conducción.

e) Disparo por luz

La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar también la
 elevación de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crítico
y obligar al disparo.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles
LASCR (“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten
un aislamiento óptico entre el circuito de control y el circuito de potencia.

4.2.2 TRIAC.

Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del

terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de
ambos signos.

Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos
sentidos de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos
controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto, uno de los motivos por el
cual los fabricantes de semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar
este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los años 60.
Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como
dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en
ambos sentidos de la circulación de corriente.

Esquema equivalente de un TRIAC.

La figura muestra el símbolo utilizado para representar el TRIAC, así como su

estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite
la conducción de corriente de ánodo a cátodo y viceversa, de ahí que los terminales
no se denominen ánodo y cátodo, sino simplemente ánodo 1 (A1) y ánodo 2 (A2).
En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.

Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que
nos permite la puesta en conducción del dispositivo en ambos sentidos de
circulación. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes
positivas y negativas), lo más
usual es inyectar corriente por la
puerta en un sentido para
provocar la puesta en conducción.

Símbolo y estructura interna de un TRIAC

La figura muestra la característica estática I-V del TRIAC. Se puede observar que
presenta estado de conducción tanto para iA positiva como negativa, y puede ser
disparada desde el estado de corte al de conducción tanto para vA1A2 positiva
como negativa. Además, la corriente de puerta que fuerza la transición del estado
de corte al de conducción puede ser tanto positiva como negativa. En general, las
tensiones y corrientes necesarias para producir la transición del TRIAC son
diferentes según las polaridades de las tensiones aplicadas.
 Características I-V del TRIAC

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo

únicamente un único circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de
puerta. Sin embargo, tal y como está fabricado, es un dispositivo con una capacidad
de control de potencia muy reducida. En general está pensado para aplicaciones de
pequeña potencia, con tensiones que no superan los 1000V y corrientes máximas
de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricación de electrodomésticos con
control electrónico de velocidad de motores y aplicaciones de iluminación, con
potencias que no superan los 15kW. La frecuencia máxima a la que pueden trabajar
es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofásica.

4.2.3 DIAC.

El diodo de corriente alterna por sus siglas "DIAC, es un semiconductor de dos terminales
que se clasifica por tener una tensión o voltaje de disparo. A diferencia del SCR que
también es muy usado como un circuito de disparo, el DIAC trabaja con voltajes de
activación más elevados que los del SCR. EI DIAC es conocido por trabajar en varios
voltajes, y dependiendo del modelo del mismo puede catalogarse como DB3, DB4, DB6
entre otros; en donde el último número de los códigos representa el voltaje de activación en
alterna, es decir, para el DB3 el DIAC tendrá un voltaje de activación de 30 V, para el DB4 de
40 V y para el DB6 de 60 V. Mediante la hoja de especificaciones del fabricante (Datasheet),
estos voltajes los encontraras como breakover voltaje. Para fines de este post la
explicación estará basada en el modelo DB4. Imagina a este DIAC como un interruptor, si tú
le introduces 30V este permanecerá abierto, ya que no se activará su tensión de disparo
como lo puedes ver en la figura a). Sin embargo, al superar los 40V el interruptor interno del
DIAC se cerrará, y dejará pasar el voltaje de la fuente de 140 Va la resistencia, como te
muestro en la figura b). A diferencia del SCR, el DIAC Es un dispositivo bidireccional, ya que
puede conducir la corriente sin importar si esta es positiva o negativa. Dentro de este
contexto el DIAC DB4 puedes activarlo también con 40V. En la figura c) te muestro la señal
en alterna, en donde hay dos flechas que forman un ángulo de 90 grados. La flecha
horizontal indica que el DIAC aún no se ha activado, por lo que esta permanece en OV, y la
flecha vertical indica el momento en el que DIAC recibe los 40 V, ocasionando que su
interruptor interno se cierre, dejando pasar los 140 V de la fuente. Pero recuerda que la
señal en alterna tiene también un voltaje negativo, de modo que cuando el ciclo de la señal
llega a cero o menor a -40 V, el DIAC abrirá nuevamente su interruptor impidiendo el flujo de
corriente, a menos que el voltaje que legue a este supere los -40 V, su interruptor interno se
cerrará dejando pasar los -140 V.

Una aplicación común de este dispositivo es usarlo como circuito de disparo para un
TRIAC.
4.2.4 Transistores IGBT.
El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un
dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET
con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está
aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente
sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con
lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 2.24 muestra la
simbología para este tipo de transistores.

Símbolos alternativos de los transistores

IGBTs.

Su velocidad de conmutación, en principio, similar a la de los transistores bipolares,

ha crecido en los últimos años, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en
componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Y ESTRUCTURA

La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una
capa P+ que forma el colector del IGBT. Gracias a la estructura interna puede
soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V (algo impensable
en los MOSFETs), con un control sencillo de tensión de puerta. La velocidad a la
que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite
trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.

En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual

la región N- tiene su conductividad modulada por la inyección de portadores
minoritarios (agujeros), a partir de la región P+, una vez que J1 está directamente
polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor caída de tensión en
comparación a un MOSFET similar.

Estructura básica del transistor IGBT

El control del componente es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de

una polarización entre puerta y emisor. También para el IGBT el accionamiento o
disparo se hace por tensión.

La máxima tensión que puede soportar se determina por la unión J2 (polarización

directa) y por J1 (polarización inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se
puede concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado
inversamente.

Los IGBT presentan un tiristor parásito. La construcción del dispositivo debe ser tal
que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades
asociadas a la región P. Los componentes modernos no presentan problemas
relativos a este elemento indeseado.

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas pérdidas
de conducción en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningún problema
de ruptura secundaria como los BJT.

Símbolo y característica estática del transistor IGBT

El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutación del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Comparación entre los diferentes

transistores de potencia

A continuación, se presenta una breve tabla de comparación de tensiones,

corrientes, y frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos.

4.3 Aplicaciones de Dispositivos de Potencia.

APLICACION DEL SCR

Conduce en directo y no conduce en inverso, pero adicionalmente para entrar en

conducción debe inyectarse en la compuerta una corriente mayor que una corriente
de compuerta mínima (I Gmin) que es diferente para cada referencia de SCR, la
aplicación de la corriente de compuerta cuando el SCR está en directo para que
entre en conducción se llama el disparo del SCR.

APLICACION DEL TRIAC

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas

sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.

Funciona como interruptor electrónico y también a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de

luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada
semiciclo de la onda de Corriente alterna.

APLICACIONES DEL DIAC

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo,

lo que le da la característica bidireccional.
APLICACIONES DEL UJT

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican
como B_1 y B_2 respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una
juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer
terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está
ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado.
Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el
material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.

CONCLUSIÓN

En nuestra vida cotidiana usamos señales analógicas y digitales de diferente

manera. Las señales analógicas se pueden percibir en todos los lugares, por
ejemplo, la naturaleza posee un conjunto de estas señas como es la luz, la energía,
el sonido, sensores de nivel de humedad, presión. Las usamos mediante la
comunicación por líneas telefónicas, datos a través del internet, etc. El constante
avance tecnológico nos llevó a la creación de señales digitales aquellas que usamos
en componente electrónicos, como ser las computadoras, módulos de memoria,
procesadores, discos compactos. Un claro ejemplo de la transición de señales
analógicas a digitales es el disco LP que tiene grabadas señales analógicas que
fueron convertidas a digitales para dar paso al disco compacto CD. Ambas
tecnologías siguen siendo utilizadas hoy en día, incluso trabajando juntas para dar
diferentes servicios.