Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Industrial y de Sistemas

Maestría en Ciencias con mención en Ingeniería de
Sistemas

MEMORIAS EEPROM
Trabajo de Investigación
 

Curso:
 Arquitectura del Computador y Sistemas Operativos

Alumno:
 Zárate Victoria, Denis Arturo

  

Lima – Perú

Octubre de 2019
INDICE

INTRODUCCIÓN......................................................................................................................................... 3
1. DESCRIPCIÓN DE LA TECNOLOGÍA DEL DISPOSITIVO..........................................................................4
1.1. ANTECEDENTES.......................................................................................................................................4
1.2. MEMORIAS ROM................................................................................................................................5
1.3. MEMORIAS PROM..............................................................................................................................5
1.4. MEMORIAS EPROM............................................................................................................................6
2. COMPONENTES DEL DISPOSITIVO...................................................................................................... 7
2.1. ESTRUCTURA MOS...............................................................................................................................7
2.2. LA MEMORIA EEPROM.......................................................................................................................8
3. ESQUEMAS Y FORMATO DE ALMACENAMIENTO...............................................................................9
4. ARQUITECTURA Y DIAGRAMA DE BLOQUES.....................................................................................10
4.1. EEPROM 2.5-5.5V, 1MHZ, IND TMP, 8-SOIC-N.................................................................................10
5. BENEFICIOS OBTENIDOS CON EL DISPOSITIVO.................................................................................11
6. APLICACIONES DEL DISPOSITIVO..................................................................................................... 12
6.1. APLICACIONES DEL MOS.....................................................................................................................12
6.2. BORRADO EEPROM..........................................................................................................................12
6.3. ESCRITURA EEPROM.........................................................................................................................12
6.4. LECTURA EEPROM............................................................................................................................13
6.5. LIBRERÍA EEPROM PARA ARDUINO......................................................................................................13
6.6. MEMORIAS MÁS USADAS EN TELEVISORES..............................................................................................14
6.7. DERIVADOS DE LAS MEMORIAS EEPROM..............................................................................................15
7. ELIJA UNA UNIDAD MODELO Y ADJUNTE LA HOJA DE DATOS TÉCNICOS DE LA UNIDAD...................15
7.1. EEPROM 2.5-5.5V, 1MHZ, IND TMP, 8-SOIC-N.................................................................................15
8. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES................................................................................................. 16
9. BIBLIOGRAFÍA................................................................................................................................. 16

Pag. 2
Memorias EEPROM

Introducción

La memoria, es un componente de la computadora que almacena datos informáticos durante

algún periodo de tiempo, y proporciona una de las principales funciones de la computación
moderna: el almacenamiento de información y conocimiento.

Es uno de los componentes fundamentales de cualquier dispositivo tecnológico que maneja,

administra o gestión información, la memoria puede clasificarse por el tipo de accesos pueden ser
procesos aleatorios, secuenciales o por contenido, por el tipo de memoria pueden clasificarse
como Memoria volátil y memoria no volátil.

La ROM es una memoria de acceso de solo lectura Read only Memory, esta memoria almacena
información paramétrica del dispositivo informático de modo que no puede ser borrado, la PROM
es la memoria de acceso de solo lectura programable estos efectos son permanentes, la EPROM,
son semiconductores autorreparables que sus datos en su interior pueden borrarse y el chip
puede usarse una y otra vez.

La memoria EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory, Memoria de Sólo Lectura, Borrable
Eléctricamente). Aunque el nombre pueda no parecer muy afortunado, se trata de una memoria
no volátil, es decir, cuyo contenido no se pierde cuando se desconecta la alimentación del equipo.
Sin embargo, se puede borrar y reescribir mediante las adecuadas señales eléctricas. A este tipo
de memorias las podemos considerar como di minutísimos discos duros 1 a 4k.

George Perlegos desarrolló la EEPROM en 1978.

Pag. 3
1. Descripción de la tecnología del dispositivo
1.1. Antecedentes
En informática, la memoria es el dispositivo que retiene, almacena datos informáticos
durante algún periodo de tiempo, La memoria proporciona una de las principales
funciones de la computación moderna: el almacenamiento de información y
conocimiento.
Es uno de los componentes fundamentales de la computadora, que interconectada a la
unidad central de procesamiento (CPU) y los dispositivos de entrada/salida, implementan
lo fundamental del modelo de computadora de las arquitecturas de computadoras von
Neumann o Hardvard.

El tipo de accesos a las memorias pueden clasificar se de tres tipos:

 Accesos Aleatorio: Se accede a los datos por una dirección «address». Latencia
independiente de la ubicación del dato Secuencial.
El acceso a la memoria puede ser de volátil (RAM) o no volátil (ROM)
 Accesos Secuencial: Latencia independiente de la ubicación del dato Secuencial.
Latencia dependiente de la ubicación del dato.
El acceso secuencial puede ser por el tipo de registro de desplazamiento (SIPO - PISO)
o por el orden de los datos (FIFO – LIFO).
 Acceso por contenido: El dato contenido por la memoria determina la dirección a la
que se accede.

A continuación, presentamos la clasificación del acceso a las memorias de tipo

semiconductores.
Gráfico N 01 – Memorias Semiconductoras

Pag. 4
 Memory arrays

Random Access Serial Access Content Adddressable

Memory Memory Memory

M. volátil M. no volátil Registro de

Colas
RAM ROM desplazamiento

SRAM ROM SIPO FIFO

Programable
DRAM PISO LIFO
PROM

Borrable - Programable
EPROM

Borrable eléctricamente - Programable

EEPROM

Flash ROM

1.2. Memorias ROM

Características:
 Es una estructura de memoria no volátil.
 Puede retener indefinidamente la información, aun sin alimentación.
 La celda de memoria ROM puede implementarse con solo un transistor por bit.
 El contenido de una ROM puede ser representado simbólicamente con un diagrama
de puntos, donde la presencia de un punto indica una un «1» lógico
 Los datos son grabados por el fabricante y no pueden cambiarse.

Gráfico N 02 – Memorias ROM

1.3. Memorias PROM

Características:
 Es una estructura de memoria no volátil.

Pag. 5
 Puede retener indefinidamente la información, aun sin alimentación.
 Las memorias PROM pueden ser programadas por el usuario en un proceso de
escritura que es lento.
 Una vez programadas no pueden borrarse, el grabado se asimila a quemar fusibles.
 Se fabrican con la misma configuración que las ROM de mascara usando un transistor
de «pull-down» en cada bit.
 Cada transistor está en serie con un fusible fabricado de polysilicio, nicromo, o algún
otro conductor el cual se quema aplicando alta corriente durante el proceso de
grabado.
 Una vez quemados los fusibles no pueden volver a conectarse por lo que se configura
una «One time programmable memorie».

Pag. 6
 Gráfico N 03 – Memorias PROM

1.4. Memorias EPROM

Características:
 Es una estructura de memoria no volátil.
 Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el
Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente
utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces
como un 0.
 Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a
una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los
electrones de las celdas provocando que se descarguen.
 Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta
del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz
ultravioleta durante el borrado.
 Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede
leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del
sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta.
 EPROM usan luz ultravioleta

Gráfico N 04 – Memorias EPROM

Pag. 7
2. Componentes del dispositivo
2.1. Estructura MOS
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico formado
por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de óxido (SiO2).
Los elementos se contactan con dos terminales metálicas llamadas sustrato y compuerta.
La estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza
una de las placas por el silicio semiconductor del sustrato, y la otra por un metal, aunque
en la práctica se usa polisilicio, es decir, un policristal de silicio.

Gráfico N 05 – Estructura de un MOS

La estructura NMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar
un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato (portadores
minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Al mismo tiempo, los
huecos son repelidos de la capa de óxido de compuerta debido a que el potencial positivo
los aleja. Esto ocasiona una acumulación de electrones en la cercanía del óxido, en donde
el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversión del
dopado en el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta
región. También se produce una región de agotamiento de portadores en las cercanías
del óxido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones
atraídos.

De manera análoga, una estructura PMOS está formada por un sustrato de silicio dopado
con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en el
sustrato (portadores minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Los
electrones son repelidos del óxido de compuerta debido a que el potencial negativo los
aleja. Los huecos se acumulan en la cercanía del óxido, en donde el silicio acumula un
exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un material de tipo p. La
recombinación de huecos y electrones produce una región de agotamiento.

En ambos tipos de estructuras se acumulan cargas eléctricas en el óxido y en el

semiconductor, de modo que el dispositivo se comporta como un condensador eléctrico.
Se distinguen tres regiones de funcionamiento, dependiendo del nivel de tensión que se
aplica en la terminal de la compuerta.

Pag. 8
2.2. La Memoria EEPROM
(Electrically Erasable Program Random Only Memory).
Es un tipo de memoria que solo se puede escribir o borrar datos de ella a través de pulsos
eléctricos, es una memoria de tipo serial lo que significa que su comunicación con otro
periférico se hace usando las líneas de control SDA, SCL.
Su alimentación es aproximadamente de 5 VDC, pero existen también los que se
alimentan con 3.3VDC.
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el
Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados
en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

Características:
 Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que
tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la
salida proporciona un 1 lógico.
 EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
 Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire.
En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para
lograr una mayor rapidez.

Gráfico N 06 – Sección transversal del transistor nMOS de puerta flotante

 La compuerta flotante es un buen conductor, pero no está eléctricamente conectada.

 Aplicando una tensión elevada en la compuerta de control se produce el salto de
electrones, a través del óxido, a la compuerta flotante (Proceso de tunelización de
Fowler-Nordheim).
 Los electrones inyectados aumentan el VTH del MOS y permanece siempre cortado
«OFF».
 La programación se hace eléctricamente, aplicando una tensión elevada en la
compuerta de control.
 Para el proceso de borrado (sacar los electrones de la compuerta flotante) EEPROM y
FLASH usan tensión eléctrica.

Pag. 9
  EEPROM se borra bit a bit
 FLASH se borra en grupos de bits.

3. Esquemas y formato de almacenamiento

Se pueden considerar tres etapas del MOS.

 Acumulación.
En la etapa de acumulación las cargas se almacenan en el óxido por el mismo
principio de operación de un condensador, en donde el dieléctrico se polariza de
forma proporcional al campo eléctrico aplicado.

Realmente lo que ocurre es lo siguiente:

Caso pMOS: Aplicamos un potencial negativo en la compuerta. Esto induce

electrones, atrayendo huecos a la interfase y creando un campo eléctrico. De ahí el
nombre de acumulación.

Caso nMOS: Aplicamos un potencial positivo en la compuerta. Esto induce huecos,

atrayendo electrones a la interfase y creando un campo eléctrico.

Recordemos que el campo eléctrico va siempre de carga positiva a carga negativa

 Agotamiento
Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se comienzan a
recombinar en el semiconductor para formar la región de agotamiento.

Caso pMOS: Aplicamos potencial positivo a la compuerta, con lo que se acumula

carga positiva en el metal. El Semiconductor es tipo N, con lo que se atraen electrones
a la interfase y se apartan los huecos que había antes en la interfase. Se produce un
campo eléctrico en el sentido contrario al caso de Acumulación, en este caso desde el
metal al semiconductor. Como consecuencia, hay una recombinación de electrones y
huecos que produce el agotamiento del canal.

Caso nMOS: Aplicamos potencial negativo a la compuerta. Como consecuencia se

atraen huecos a la interfase y se crea un campo eléctrico. El Semiconductor es tipo P,
por lo que los huecos son atraídos a la interfase y los electrones son repelidos. Se
produce un campo eléctrico en el sentido de la acumulación. Esto hace que los
electrones y los huecos se recombinen.
 Inversión
Si se continúa aumentando la tensión de compuerta, se logra la inversión del tipo de
dopado del semiconductor.

Caso pMOS: En este caso inducimos una tensión muy positiva, lo que induce muchos
huecos en el metal. Como el semiconductor es tipo N, lo que se consigue es un campo
eléctrico grande que va del metal al semiconductor, y por tanto una Intensidad

Pag. 10
 grande, debido a los electrones que se acercan a la interfase atraído por el exceso de
huecos del metal

Caso nMOS: Aplicamos una tensión muy negativa que hace que el metal se llene de
electrones. Como consecuencia, los huecos del semiconductor, se ven atraídos hacia
la interfase creándose un campo eléctrico del semiconductor al metal.

4. Arquitectura y Diagrama de bloques

Las memorias EEPROM tienen una clasificación muy detallada y además existe una
clasificación para cada tipo de actividad.
Se pueden clasificar:
 Estilo de montaje.
 Paquete / Cubierta.
 Tamaño de memoria.
 Organización
 Tipo de interfaz.
 Tiempo de acceso.
 Retención de datos.
 Frecuencia de reloj máxima.
 Corriente de suministro - Máx.
 Voltaje de alimentación - Mín.
 Voltaje de alimentación - Máx.
 Temperatura de trabajo mínima.
 Temperatura de trabajo máxima.
 Empaquetado.

Url : https://www.mouser.pe/Semiconductors/Integrated-Circuits-ICs/Memory-ICs/EEPROM/_/N-
98x44.

Se considerará un tipo de memoria EEPROM.

EEPROM 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N

Pag. 11
 Gráfico N 07 – Diagrama de Bloques

Gráfico N 08 – Configuración del Sistema usando 2 hilos en Serie EEPROMs

Pag. 12
5. Beneficios obtenidos con el dispositivo
Los beneficios se podrían expresar en la siguiente tabla:

Características Ventajas Desventajas

Memoria no volátil. Para reescribir no se
necesita hacer un borrado
previo
Puede ser programada, La programación y el Son muy versátiles, también
borrada y reprogramada borrado pueden hacerse en pueden ser lentos con
eléctricamente. el mismo circuito gracias a algunos productos los cuales
que el mecanismo de deben ser cambiados
transporte de cargas, rápidos a los datos
requiere corrientes muy almacenados en el chip
bajas.
Para sobrescribirse no tienen Las palabras almacenadas en
que ser retiradas. memoria se pueden borrar
de forma individual.
La EEPROM se utiliza para Las memorias EEPROM no Puede ser borrada y volver a
guardar la configuración más requiere programador. ser programada por medio
reciente del monitor de una carga eléctrica.

6. Aplicaciones del dispositivo

6.1. Aplicaciones del MOS
La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado sólido
pues forma los transistores MOSFET, base de la electrónica digital actual. Pero, además,
es el pilar fundamental de los dispositivos de carga acoplada, CCD, tan comunes en
fotografía. Así mismo, funcionando como condensador es responsable de almacenar la
carga correspondiente a los bits de las memorias dinámicas.

También se utilizan como condensadores de precisión en electrónica analógica y

microondas.

6.2. Borrado EEPROM

 Para el proceso de borrado (sacar electrones de la compuerta flotante) se conecta el
sustrato a 20 V y la compuerta de control a 0 V.
 En las celdas que no se quieren borrar se conecta la compuerta de control también a
20 V.
• El proceso es lento, del orden de los milisegundos.
• Terminado el proceso todos los bits quedan en «1».

Pag. 13
6.3. Escritura EEPROM
 Para el proceso de escritura «write» (colocar electrones en la compuerta flotante) se
conecta la compuerta de control a 20 V y el sustrato a 0 V.
 En las celdas que no se quieren escribir se conecta el drenador y la fuente a 8 V.
 Una vez finalizado el proceso quedan en «0» las celdas seleccionadas y en «1» las
otras.

6.4. Lectura EEPROM

 Para el proceso de lectura «read» se conecta la compuerta de control a 10 V

 Las celdas con electrones en la compuerta flotante tendrán desconectado el drenador
de la fuente
 Las celdas sin electrones en la compuerta flotante tendrán conectado el drenador con
la fuente.

Pag. 14
6.5. Librería EEPROM para Arduino
La librería EEPROM incorpora las instrucciones necesarias para gestionar estas memorias, esta
librería forma parte del IDE de Arduino.
Esta librería está formada por métodos que pueden ser usados directamente, sin necesidad de
instanciar un objeto. Los métodos con los que cuenta aparecen a continuación:
LA PROPIEDAD EEPROM[]
Es una matriz que se refiere a las celdas (unidades donde se almacena la información; en la
práctica, cada celda contiene un byte) de la EEPROM de nuestra plaquita. Se trata de una
matriz que puede ser leída y/o escrita, apuntando, con el índice, a la celda en la que queremos
escribir, o de la que queremos leer.
EL MÉTODO read()
Se usa como forma de leer una posición de memoria de la EEPROM. La sintaxis general
obedece a EEPROM.read(posicion);. Observa que, como esta clase no se instancia en objeto,
referenciamos el método directamente a través del nombre de la clase.
EL MÉTODO write()]
Este es complementario del anterior. Nos permite escribir un byte específico en una posición
de la memoria EEPROM. La sintaxis general obedece al esquema EEPROM.write(posición,
valor);.
EL MÉTODO update()
Su funcionamiento y uso es el mismo que el anterior. La diferencia es que este método sólo
escribe el valor en la celda indicada, si el que hay es diferente, no si ya es igual. La sintaxis es la
misma que la del método anterior.
EL MÉTODO put()
Este método se emplea cuando se hace necesario escribir en la memoria datos que exceden
del límite de un solo carácter. Por supuesto, tales datos ocupan más de un byte y se
almacenan según su cantidad.
EL MÉTODO get()
Este es complementario del anterior. Se usa para leer un dato de la EEPROM, de cualquier
tamaño. Especificamos la dirección de inicio, y nombre de la variable donde se almacenará la
lectura. De este modo, según el tipo de variable, el método "sabe" cuantas posiciones de
memoria consecutivas debe leer.
6.6. Memorias más usadas en Televisores.

Pag. 15
 Las memorias más usadas en TV son las que presentan el código:24CXX, 24LCXX ,24WXX
este último usado por Philips, el digito xx indica la capacidad de almacenamiento
expresado en kbytes.
Existen de diferente capacidad de almacenamiento, esto depende de las funciones del TV
y el modelo de este.

Memoria Capacidad de almacenamiento

24C01 1 KB
24C02 2 KB
24C04 4 KB
24C08 8 KB
24C16 16 KB
24C32 32 KB

Nomenclatura
Los códigos que encontramos grabados en la superficie de la memoria Eeprom indicaran
características técnicas de la misma, datos que nos servirán en el momento de que sea
reemplazada. Como ejemplo se presenta a continuación la nomenclatura de una memoria
Eeprom de National Semiconductor

NM 24 C 02 L M

6.7. Derivados de las Memorias EEPROM

Los chips flash son componentes de almacenamiento de bits de mayor densidad.

7. Elija una unidad modelo y adjunte la hoja de datos técnicos de la unidad.

Se considerará un tipo de memoria EEPROM.
7.1. EEPROM 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N

Fabricante: Microchip Technology / Atmel

Descripción EEPROM 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N

Pag. 16
 N.° de pieza N.º de artículo del Fabricante
AT24CM02-SSHD-B
Hoja de datos  Hoja de datos
Disponibilidad 6,052En existencias
Estilo de montaje SMD/SMT
Paquete / Cubierta SOIC-Narrow-8

Tamaño de memoria 2 Mbit

Organización 256 k x 8

Tipo de interfaz Serial, 2-Wire, I2C

Tiempo de acceso  

Retención de datos 100 Year

Frecuencia de reloj 1 MHz

máxima

Corriente de 3 mA
suministro - Máx.

Voltaje de 2.5 V
alimentación - Mín.

Voltaje de 5.5 V
alimentación - Máx.

Temperatura de - 40 C
trabajo mínima

Temperatura de + 85 C
trabajo máxima

Serie AT24CM02
Calificación  

Empaquetado Tube

8. Observaciones y Conclusiones
 Las memorias EEPROM. Con un conjunto de transistores denominados MOS, que
podemos considerar que es la unidad básica de los componentes electrónicos
basados en semiconductores.

Pag. 17
  Las memorias EEPROM pueden ser de tipo de accesos aleatorio o secuencial,
cumplen con la función que realizara un condensador además de realizar las
operaciones de lógicas AND, NOT, OR, NAND, NOR.

9. Bibliografía
 José Luis Quijado. (2016). LA LIBRERÍA EEPROM. 25 de octubre 2019, de El desván de José
Sitio web: https://eldesvandejose.com/2016/04/01/la-libreria-eeprom/.
 Universidad Nacional de Tucumán. (2018). MEMORIAS de
SEMICONDUCTORES. 26 de octubre del 2019, de Facultad de ciencias
exactas y tecnología. Sitio web:
https://catedras.facet.unt.edu.ar/myde/wp-content/uploads/sites/
63/2014/12/23%C2%B0-24%C2%B0-25%C2%B0-Clase-Memorias.pdf
 Mouser Electronics. (2019). Circuitos integrados de memoria EEPROM. 27 de octubre del
2019, de Mouser Electronics Sitio web:
https://www.mouser.pe/Semiconductors/Integrated-Circuits-ICs/Memory-ICs/EEPROM/
_/N-98x44

Pag. 18