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Funcionamiento y Polarización del FET

El documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo que funciona con un solo tipo de portador de carga, los dos tipos principales (JFET y MOSFET), y cómo el voltaje de compuerta controla la corriente a través del dispositivo. También discute las ventajas de los FET, la estructura básica de un JFET, su símbolo y formas comunes de polarización como auto-polarización y divisor de voltaje.
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Funcionamiento y Polarización del FET

El documento describe el transistor de efecto de campo (FET), incluyendo que funciona con un solo tipo de portador de carga, los dos tipos principales (JFET y MOSFET), y cómo el voltaje de compuerta controla la corriente a través del dispositivo. También discute las ventajas de los FET, la estructura básica de un JFET, su símbolo y formas comunes de polarización como auto-polarización y divisor de voltaje.
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El FET

El FET (Transistor de Efecto de Campo) es un dispositivo unipolar que funciona sólo con
un tipo de portador de carga.

Los dos tipos principales de FET son el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y
el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET). El término
efecto de campo se relaciona con la región de empobrecimiento formada en el canal de
un FET a consecuencia de un voltaje aplicado en una de sus terminales (compuerta).

Un FET, es un dispositivo controlado por voltaje, donde el voltaje entre dos de las
terminales (compuerta y fuente) controla la corriente que circula a través del dispositivo.

Una ventaja importante de los FET es su muy alta resistencia de entrada. Son el
dispositivo preferido en aplicaciones de conmutación de bajo voltaje porque en general
son más rápidos que los BJT cuando se prenden y apagan.

La siguiente figura muestra la estructura básica de un JFET de canal n (transistor de


efecto de campo de unión). Cada extremo del canal n tiene una terminal; el drenaje se
encuentra en el extremo superior y la fuente en el inferior. Se difunden dos regiones tipo
p en el material tipo n para formar un canal y ambos tipos de regiones p se conectan a la
terminal de la compuerta. Por simplicidad, la terminal de la compuerta se muestra
conectada sólo a una de las regiones p. En la misma figura se muestra un JFET de canal
p.

Operación básica
El JFET siempre opera con la unión pn de compuerta-fuente polarizada en inversa.

VDD genera un voltaje entre el drenaje y la fuente y suministra corriente del drenaje a la
fuente. VGG establece el voltaje de polarización en inversa entre la compuerta y la fuente.
La polarización en inversa de la unión de compuerta-fuente con voltaje negativo en la
compuerta produce una región de empobrecimiento a lo largo de la unión pn, la cual se
extiende hacia el canal n, y por lo tanto, incrementa su resistencia al restringir el ancho
del canal. El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse
variando el voltaje en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de corriente
en el drenaje, ID.

Símbolos del JFET


Los símbolos esquemáticos tanto para los JFET de canal n como de canal p, se muestran
en la siguiente figura. Observe que la flecha de la compuerta señala la “entrada” del
canal n y la “salida” del canal p.

Polarización del JFET

Auto-polarización

La auto-polarización es el tipo de polarización de JFET más común. Recuerde que un JFET


debe ser operado de tal forma que la unión compuerta-fuente siempre esté polarizada
en inversa. Esta condición requiere un VGS negativo para un JFET de canal n y un VGS
positivo para un JFET de canal p. Esto se puede lograr con la configuración de auto-
polarización mostrada en la siguiente figura. El resistor, RG, en serie con la compuerta,
no afecta la polarización porque en esencia no hay caída de voltaje a través de él, y por
consiguiente, la compuerta permanece a 0V. RG se requiere sólo para hacer que la
compuerta esté a 0V y aislar una señal de ca de la tierra en aplicación de amplificador.
Para el JFET de canal n mostrado en la figura anterior, IS produce una caída de voltaje a
través de RS que hace a la fuente positiva con respecto a tierra. Puesto que IS ID y VG=0,
entonces VS=IDRS. El voltaje de compuerta a fuente es

Por lo tanto,

Para el JFET de canal p mostrado en la figura anterior, la corriente que fluye a través de
RS produce un voltaje negativo en la fuente, lo que hace a la compuerta positiva con
respecto a la fuente. Por consiguiente, como IS=ID,

El voltaje en el drenaje con respecto a tierra se determina como de la siguiente manera:

Como VS=IDRS, el voltaje entre drenaje y fuente es:


Ejemplo

Determine VDS y VGS para el siguiente circuito. El JFET de éste, tiene valores de
parámetros tales como gm, VGS(corte) e IDSS son tales que se produce una corriente en el
drenaje (ID) de aproximadamente 5mA.

Ejemplo

Para el mismo circuito determine VDS y VGS cuando ID=8mA. Considere que RD=860Ω,
RS=390Ω y VDD=12V.
Polarización con divisor de voltaje

La siguiente figura muestra un JFET de canal n con polarización mediante divisor de


voltaje.

El voltaje de fuente es

Los resistores R1 y R2 establecen el voltaje en la compuerta, como lo expresa la siguiente


ecuación de acuerdo con la fórmula del divisor de voltaje:

El voltaje de compuerta a fuente es

Y el voltaje de fuente es

La corriente en el drenaje se expresa como

Sustituyendo en lugar de VS
Ejemplo

Polarización mediante fuente de corriente

Esto se logra con una fuente de corriente constante en serie con la fuente del JFET, como
muestra la siguiente figura
En este circuito, un BJT actúa como la fuente de corriente constante porque la corriente
en su emisor es esencialmente constante si VEE>>VBE. También se puede utilizar un FET
como fuente de corriente constante.

Puesto que ID≈IE

Ejemplos

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