INFORME DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA I – EE 428T
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
DOCENTE: ING. VIRGINIA ROMERO F.
ALUMNO: CARDENAS ROSALES KEVIN STIB
CICLO: 5
ESPECIALIDAD: L2
2021-1
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
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INFORME PREVIO N°3
TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERÍSTICAS
Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes
Alumno: Cardenas Rosales Kevin Stib
Email alumno: kcardenasr@[Link]
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I. OBJETIVO
Esta experiencia, tiene como finalidad:
• Obtener las curvas características del transistor bipolar.
• Conocer las tres zonas de funcionamiento de un transistor bipolar.
• Conocer las relaciones ente las corrientes de Base, Emisor y Colector.
• Enumerar algunas de las limitaciones de trabajo del transistor bipolar.
• Familiarizar al alumno en el uso de software de simulación para determinar el comportamiento
ideal de un circuito.
• Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidad en el desarrollo de la experiencia.
II. INTRODUCCION
TRANSISTOR BIPOLAR
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por
dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 1(a). Las tres regiones se
llaman emisor, base y colector. En las figuras 1 (b) y (c) se muestran representaciones físicas de los
dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro
tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso
tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.
Figura 1
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La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor.
La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector,
como la figura 1 (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Estos
conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la
base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la siguiente sección explica la
razón de esto). La figura 2 muestra los símbolos esquemáticos para los transistores npn y pnp.
Figura 2
POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que
aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el
transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
SATURACION
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se
encuentran en polarizaion directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores determinados
(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula también
corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: ICB = β
CORTE
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente, y
a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condición:
IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario
al que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
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ACTIVA
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-
base en inversa.
IDENTIFICACIÓN DE LAS REGIONES DE FUNCIONAMIENTO EN LAS CURVAS
CARACTERÍSTICAS
La identificacion de las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar en sus curvas
características son muy valiosas para el analisis del mismo. A continuacion se muestran las curvas
características en emisor común con la indicación de cada una de las regiones de funcionamiento.
Atendiendo a la definición dada de regiones de funcionamiento se identifican de la siguiente forma:
Región de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se puede
aproximar como la no circulación de corriente por el colector y la base, luego la zona corresponde a
corriente IB=IE=IC=0.
Región de saturación. En esta región se verifica que la tensión colectoremisor es muy pequeña
(VCE ≤ 0,2V, zona próxima al eje de coordenadas).
Región activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la región activa
Figura 3
RESPUESTAS A PREGUNTAS
a. Realizar los cálculos teóricos para completar la tabla.
Desarrollado en la seccion VI del informe.
b. Con estos datos, hacer las gráficas solicitadas.
Desarrollado en la seccion VI del informe.
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III. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
Transistor BC548A:
Resistecias de 1k:
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Potenciometro de 1K:
Diodo Led:
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IV. EQUIPOS Y MATERIALES
• Una computadora
• Software de Simulación
• 02 Condensadores electrolíticos de 47µF
• 01 Multímetro
• 01 Resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ, 15KΩ,3.3KΩ
• 02 Fuentes de Alimentación
• 02 Resistor de 1KΩ, 4.7 KΩ, 10 KΩ, 100 Ω
• Un transistor 2N2222 o 2N3904
• 01 potenciómetro lineal de 50KΩ, 500 KΩ
• 02 Diodos LED
V. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
Armar el circuito de la fig.1, tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor,
utilice el software Multisim, Proteus u otro de su preferencia
Simulacion:
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1. Polarizar el dispositivo y midiendo 𝑉𝐶 y 𝑉𝐵 , obtener la siguiente tabla:
V3(V) VC(V) VB(V) IC(mA) IB(uA) Beta
0 12 0.0000211 0.000011 -0.00013 101.882
1 11.897 -0.0878 0.853 0.486 167.771
2 11.492 -0.357 0.437 2.044 214.32
3 10.66 -0.974 0.838 3.729 223.84
4 10.53 -0.983 1.217 5.411 225.847
5 10.405 -1.276 1.572 7.25 222.204
6 10.001 -1.598 1.815 8.802 214.188
7 9.688 -1.918 2.199 10.564 206.572
8 9.496 -2.137 2.395 12.391 199.988
9 9.162 -2.537 2.839 14.272 186.112
10 9.002 -2.799 2.864 15.826 184.911
11 8.857 -3.112 3.005 16.721 180.221
12 8.555 -3.521 3.281 19.381 171.217
13 8.396 -3.952 3.342 20.553 169.851
14 8.271 -4.118 3.557 22.667 157.99
15 8.198 -4.339 3.887 24.835 154.578
16 7.987 -4.669 3.93 26.433 148.258
2. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida 𝑉𝐶 vs 𝑉3 . Si es
necesario, tomar medidas de puntos intermedios.
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3. Graficar la curva de transferencia de corrientes ( 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 ) y el beta de las mismas (BETA vs (
𝐼𝐶 ).
4. Armar el circuito de la figura 2.
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Simulacion:
5. Medir las tensiones 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐵 para trazar la recta de carga del circuito, variando 𝑅6 .
R6 56K Ohm 47K Ohm 22K Ohm 15K Ohm 3.3K Ohm
VB (V) 6.04 5.5611 3.667 2.799 0.782
VC (V) 6.633 7.121 8.887 9.819 11.79
VE (V) 5.522 4.918 3.011 2.164 0.188
IC (mA) 5.335 4.911 3.011 2.148 191.74u
IB (uA) 18.11 16.48 9.812 7.055 746.22n
Zona Activa Activa Activa Activa Activa
6. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 del transistor. Indicar
la zona de operación correspondiente.
IC (A) VC (V) Zona
RC=0 Ohm 191.799u 11.806 Activa
RC=1K Ohm 191.741u 11.615 Activa
RC=3.3K Ohm 191.609 11.174 Activa
7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados.
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Para R=56K:
Para R=47K:
Para R=22K:
Para R=15K:
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Juntando las rectas de carga:
8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en 𝑉3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro.
9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada 𝑉3 y realice las mediciones necesarias,
de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (𝑉(𝑚𝑖𝑛) < 𝑉3 < 𝑉(𝑚𝑎𝑥) ) que mantiene
al transistor operando en la región activa.
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VI. BIBLIOGRAFÍA
[1] Donald L. Schilling, Charles Belove. “Circuitos Electronicos Discretos e Integrados”.
McGraw-Hill, México, 1993 Tercera Edición
[2] Lluis Prat Viñas. “Circuitos y dispositivos electrónicos” Sexta Edición
[3] Thomas L. Floyd. “Dispositivos electrónicos”. Pearson educación, México, 2006 Octava
Edición
[4] Jacob Millman, Christos C. Halkias. “Dispositivos y circuitos electrónicos”. McGraw-Hill,
México, 1971.
[5] [Link]
%5B%20IC%20313%5D%20%E2%80%93%20Transistor%[Link]
[6] [Link]
[Link]
[7] [Link]
VII. FECHA
Lima, 21/06/2021
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