Polarización del Transistor de Unión Bipolar

(BJT)

J. I. Huircan
Universidad de La Frontera
November 21, 2011

Abstract
Se tienen tres formas básicas para la polarización de un BJT: Polar-
ización …ja, autopolarización y polarizacion universal. Esto establece el
punto de trabajo o punto Q para el BJT, el cual puede estar en la zona
activa, saturación o corte. Para el diseño de una red de polarización se
requiere conocer el punto de operación (ICQ , VCEQ ) y los parámetros del
transistor ( y VBE(ON ) ). Cuando el circuito ya está diseñado, mediante
técnicas de análisis de redes es posible obtener el punto de operacion. El
punto Q puede variar por diversos factores, sobre todo térmicos.

1 Introduction
¿Cuales son los valores más adecuados de corriente y voltaje para que el transis-
tor trabaje correctamente en zona activa? Existe un único punto presente en las
características de entrada y salida denominado punto Q, punto de reposo (Qui-
escent Point) o punto de trabajo, el cual corresponde al punto de operación del
circuito electrónico. Para ubicarlo se debe tener en cuenta el comportamiento
estático del transistor (sin la presencia de señales de entrada o excitaciones), de
esta forma, si se conoce el punto Q, entonces se puede diseñar la red de polar-
ización. Por otro lado, si se conoce el circuito, se puede determinar el punto
Q. Dicho punto pudiera estar ubicado en la región de corte, saturación o región
activa.
En los siguientes apartados se indican las diversas formas de polarizar un
BJT, estableciendo los puntos de trabajo y condiciones de diseño.

2 Circuitos de polarización y punto de trabajo

2.1 Circuitos de Polarización …ja para BJT
El circuito de la Fig. 1 se conoce como circuito de polarización …ja. Planteando
la LVK para la malla de entrada de acuerdo a la Fig.1b.

1
 RC iC

RC iB _
RB +
RB + +
vCE
VCC
+ + _ +
+ + vBE _
V VCC V _
BB BB

(a)
(b)

Figure 1: Circuito de polarización Fija.

VBB = iB RB + vBE (1)

Despejando iB , la ecuación dada en (2) se conoce como recta de carga, su
intersección con la curva de entrada iB vBE establece un punto de operación
para la base como se indica en la Fig. 2a.
vBE VBB
iB = + (2)
RB RB
Para la malla de salida se tiene

VCC = iC RC + vCE (3)

Al despejar iC , se obtiene la recta de carga (4). Su intersección con las
curvas de salida iC vCE determina un punto de operación, el cual se muestra
en la Fig. 2b.
vCE VCC
iC = + (4)
RC RC

iB iC [mA]
[µ A]
VCC
R
V C
BB
RB
IB
3

I I IB
BQ CQ
2

IB
1

[V] [V]
V v
V
BEQ V v CEQ V
CC CE
BB BE

(a) (b)

Figure 2: (a) Curva de entrada. (b) Curva de salida.

2
 Considerando los valores de la red de polarización y las fuentes conocidas, es
posible determinar el punto de operación. Así para un valor vBE = VBEQ(ON ) ,
el cual permite la conducción del transistor, de acuerdo a (2) se determina iB =
IBQ . Suponiendo que el transistor está en zona activa, se cumple que iC = iB ;
se determina iC = ICQ , luego reemplazando en (4) se obtiene vCE = VCEQ .
Para el diseño de una red de polarización se …ja un punto Q, un voltaje VCC
y VBB , en conjunto con los parámetros del transistor se determinan los valores
de RB y RC . La desventaja de la red es que mientras mayor VBB entonces
mayor IBQ , luego el transistor entra en saturación.

2.2 Circuito de Autopolarización para BJT

Sea el circuito de la Fig. 3, planteando la LVK para la malla de entrada

RC iC

RB RC iC _
iB +
+ RB + +
VC C vCE
VCC
+ _ +
Q + vBE _
V _
iB CC

(a) (b)

Figure 3: Circuito de autopolarización.

VCC = iB RB + vBE (5)

Luego la recta de carga será
vBE VCC
iB = + (6)
RB RB
Para la malla de salida se tiene

VCC = iC RC + vCE (7)

Así la recta de carga será
vCE VCC
iC =
+ (8)
RC RC
El punto de operación se determina de la misma forma que en el circuito de
polarización …ja, es decir para vBE dado

VBE(ON ) VCC
IBQ = +
RB RB
VCEQ = VCC IBQ RC

3
 iC [mA]
VCC
R
C

I
B3

I CQ I
B2
I
B1

[V]
V V v
CEQ CC CE

Figure 4: Punto de operación circuito de autopolarización

vBE VCC
Si RB ! 1, RB ! 0, así iB RB : Luego, para un punto Q dado,
VCC RC
ICQ = RB ; luego VCEQ = Vcc ICQ RC = Vcc 1 RB :

3 Análisis 1
Sea el circuito de la Fig. 5a, se analiza la red de polarización para distintos
valores de RB , de tal forma de observar como varía el punto de operación. Se
considera = 100, VBE(ON ) = 0:65 [V ] :

+10 [V]

4 7 0Ω iC
RB 4 7 0Ω
iB _ +
RB + +
β =100 vCE
_ 10[V]
Q + + +
vBE _
1 0 [V] _

(a) (b)

Figure 5: Modi…cando el punto de operacion.

Planteando la malla de entrada y salida

10 [V ] = iB RB + VBE(ON )
10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE (9)
iC = 100iB

Despejando la corriente de base

4
 10 [V ] 0:65 [V ]
iB =
RB
vCE = 10 [V ] 470 [ ] iC
Modi…cando RB , se tiene
RB = 100 [K ] ; iB = 93:5 [ A] ; iC = 9:35 [mA] = ICQ ; vCE = 5:6 [V ] =
VCEQ .
RB = 820 [K ] ; iB = 11:4 [ A] ; iC = 1:14 [mA] = ICQ ; vCE = 9:46 [V ] =
VCEQ :
RB = 39 [K ] ; iB = 239:7 [ A], iC = 23:97 [mA] ; vCE = 1:26 [V ] =
VCEQ

iC [mA]
2 3 .9 7 2 3 9 .5µ A

2 1 .2 7

9 .3 5 9 3 .5µ A

1 .1 4 1 1 .4µ A

vCE [V]
- 1 .2 6 5 .6 9 .4 6 1 0

Figure 6: Variaciones del punto Q.

Se observa que para RB = 820 [K ], el punto de operación esta cercano

a 10 [V ], la corriente iC es pequeño, está proximo al corte, eventualmente si
disminuye VCC o crece RB , el transistor estaría en la zona de corte . Para
RB = 100 [K ], el punto de operación se encuentra en un punto intermedio
0 < vCE < VCC : Finalmente, para RB = 39 [K ], la corriente de base se
incrementa haciendo que el trasistor entre en saturación.

3.1 Circuito de polarización universal para BJT

En los circuitos Fig 1 y Fig. 3, RB debe soportar toda la corriente, incluso
mientras mayor es la polarización, mayor será la corriente pudiendo llegar a
salirse de la zona activa. Para evitar ésto, se propone el circuito de la Fig. 7a
llamado circuito de polarización universal.
Como se indica en la …gura, el circuito es modi…cado de tal forma de obtener
una estructura similar a los analizados, para ello se separan las fuentes, se
reagrupan los componentes y se llega al circuito de la Fig.7d, donde

5
 VCC
VCC
V
CC
RC RC
R1 R1

R2 RE R2 RE

(a) (b)

V VCC
CC
RC RC

R1 R1 R 2
Q
+ +
V VTH
CC
R2 RE
RE

(c) (d)

Figure 7: (a) Circuito de polarización universal. (b) Separando la fuente.(c)

Agrupando componentes (d) Circuito equivalente.

R2 RT H
VT H = VCC = VCC (10)
R1 + R2 R1
R1 R2
RT H = R1 jjR2 = (11)
R 1 + R2
Para plantear la malla de entrada, se usa la referencia de variables indicada
en la Fig.8, así se tiene

+
RC VCC
iC

R1 R 2 +
vCE
+ _
+ iB vBE
VTH _

RE iE

Figure 8: Referencia de las variables involucradas.

VT H = iB RT H + vBE + iE RE (12)

6
 Para la malla de salida

VCC = vCE + RE iE + RC iC (13)

Como iE = +1 iC ; reemplazando en (13), y despejando la corriente se ob-
tiene la recta de carga

( + 1)
VCC = vCE + RE + RC iC (14)

vCE VCC
iC = ( +1)
+ ( +1)
(15)
RC + RE RC + RE

iC
[mA]
VCC
RC + β+1RE
β
I
B3

I CQ I
B2
I
B1

[V]
V V v
CEQ CC CE

Figure 9: Recta de carga de salida.

Luego, para iB = IBQ , iC = ICQ despejando VCEQ

( + 1)
VCEQ = VCC RC + RE ICQ (16)

Si >> 1, entonces VCEQ VCC (RC + RE ) ICQ :

3.2 Polarización del transistor pnp

Para el transistor pnp el planteamiento de las ecuaciones se realiza en forma
idéntica, sin embargo, para este caso se usa la nomenclatura inversa en las
variables de voltaje.
Las ecuaciones de acuerdo a la Fig. 10c, serán

VT H iB (R1 jjR2 ) vEB iE RE = 0

iE RE + vEC + iC RC VCC = 0

Para zona activa, al igual que el transistor npn se tiene iC = iB ; iE =

+1
iC ; luego para un vEB = VEB(ON ) , se obtiene el puento de operación ICQ y
VECQ :

7
 -VCC -VCC

RC VCC
RC iC
RC +
R1
R1 R 2 _
R1 R 2
_ v EC
Q
Q vEB +
V iB +
VTH TH
RE +
R2 RE + RE iE

(a) (b) (c)

Figure 10: (a) Malla de polarización transistor PNP. (b) Equivelente. (c) Ref-
erencia de las variables.

4 Determinación del punto de trabajo para una

red de polarización universal
Para el circuito de polarización universal de la Fig. 11a, determine el punto Q.
Considere = 100; VBE(ON ) = 0:7 [V ]
10[V] 10[V]

3KΩ 470 Ω 470 Ω

750 Ω
β =100
+
2.5[V]
1KΩ 220 Ω 220 Ω

(a) (b)

Figure 11: (a) Circuito Polarizado. (b) Equivalente.

El equivalente queda

1 [K ]
VT H = 10 [V ] = 2:5 [V ]
1 [K ] + 3 [K ]
RT H = 1 [K ] jj3 [K ] = 750 [ ]

Planteando la LVK en la malla de entrada en el circuito de la Fig. 11b.

2:5 [V ] = iB 750 [ ] + vBE + iE 220 [ ] (17)
Para la malla de salida se tiene
10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE + iE 220 [ ] (18)

8
Como iC = iB ; e iE = iB + iC

750 [ ] 101
2:5 [V ] 0:7[V ] = iC + 220 [ ] (19)
100 100

Así ICQ = 7:84 [mA] y VCEQ = 4:57 [V ] : Dibujando la recta de carga se tiene
iC [mA]
10V
470 + (1.01) 220

7 .8 4 7 8.4 µ A

[V]
4 .5 7 10 v
CE

Figure 12: Recta de carga y punto de operación.

5 Conclusiones
El BJT tiene distintas estructuras de redes de polarización. Para determinar
el punto Q, es necesario plantear la malla de salida y la malla de entrada en
cada una de las con…guraciones. Para diseñ de una red de polarización se debe
establecer un punto de trabajo (diseño en corriente continua), se de…nen los
valores de VCEQ e ICQ (IBQ ), pero pueden requerirse datos adicionales, tales
como los voltajes disponibles para polarización y/o valores para los RT H o RB
de las con…guraciones. La intersección de la recta de carga de salida con las
curvas de salida establece el punto de operación

References
[1] Savant, C. Roden, M, Carpenter, G. 1992. Diseño Electrónico. Adisson-
Wesley
[2] Millman, J., Halkias, C. 1976. Electrónica Integrada. McGraw-Hill

[3] Boylestad, R., Nashelsky, L. 1989. Electrónica: Teoría de Circuitos. Prentice-

Hall.